SE523509C2 - Förfarande och kopplingsanordning för pulsformig inmatning av energi i magnetronurladdningar - Google Patents
Förfarande och kopplingsanordning för pulsformig inmatning av energi i magnetronurladdningarInfo
- Publication number
- SE523509C2 SE523509C2 SE0100753A SE0100753A SE523509C2 SE 523509 C2 SE523509 C2 SE 523509C2 SE 0100753 A SE0100753 A SE 0100753A SE 0100753 A SE0100753 A SE 0100753A SE 523509 C2 SE523509 C2 SE 523509C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- source
- current
- ignition
- magnetron
- voltage
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3444—Associated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Microwave Tubes (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
vanan 10 15 20 25 30 35 40 a 4 - . .- 523 509 2 1. 1.. ningen, den så kallade brinnspänningen, över plasmat. Spänningspulsgivarens induktiva karaktär och hela anordningssättet liksom skillnaden mellan den pålagda spänningen och brinnspänningen avgör hur strömmen stiger efter tändningen av plasmat. Detta leder i praktiken till sågtandsforrniga strömpulser med relativt långsam stighastighet för ström- men. Nackdelen är att strömmens förlopp med den långsamt stigande urladdningsström- men betyder att tidsmedelvärdet för den i urladdningen inmatningsbara urladdningseffek- ten begränsas kraftigt. Det krävs således mycket höga toppströmmar för att ett visst önskat värde för urladdningseffekten skall kunna uppnås. Av detta följer höga krav på de elektroniska kretselementens strömbelastningsförmåga, och därmed höga kostnader. De höga toppströmmarna för också med sig en hög plasmatäthet, som i vissa fall kan leda till instabilitet i plasmaprocessen, till exempel till att det bildas oönskade bågurladdningar.
Det är besvärligt att identifiera och förhindra eller släcka bågurladdningar av detta slag, eftersom de höga toppströmmarna knappast kan skiljas från strömstyrkorna vid en begynnande bågurladdning.
Det är också förut känt att driva ett pulsat plasma med en strömpulsgivare (DE-C- 4 438 463, US-A- 5 718 813). Därvid matas en konstant urladdningsström in under pulsfa- sen för att avhjälpa de ovan beskrivna problemen. Ett problem med metoden med en strömpulsgivare är dock att det uppstår en mycket hög spänningspuls vid början av urladd- ningen under varje puls från det att laddningsbärarria börjar bildas till dess att den egent- liga tändningen inträffar vid inmatningen av den förutbestämda strömmen, eftersom strömmen i början måste bäras av alltför få laddningsbärare. Spänningen stiger till värden som är flera gånger högre än urladdningens brinnspänning efter den egentliga tändningen.
Dessa höga spänningar kan skada de elektroniska komponenterna.
Det är förut känt att använda kopplingsanordningar som begränsar den vid inmat- ning av en konstant ström uppträdande höga spänningen genom buffring i ett avlastnings- nät (DE-A- 3 538 494). Detta medför utöver den extra komponentkostnaden att det uppstår effektförluster i avlastningsnätet. Dessa förluster är inte godtagbara, särskilt vid höga urladdningseíïekter, till exempel vid höga urladdningsströmmar, och är en väsentlig nack- del vid kopplingsanordningar av detta slag.
Vidare är det förut känt att mata in energin i magnetronurladdningen i form av pulspaket med olika strömriktning (DE-A- 19 702 187). Metoder av detta slag har dock också de svagheter som beskrivits ovan, beroende på vilken typ av pulsgivare som används för att bilda de enskilda pulserna.
Uppfinningens syfte är mot denna bakgrund att utveckla ett förfarande och en anord- ning för genomförandet av förfarandet av inledningsvis angivet slag som gör det möjligt att i varje pulsfas, dvs. även omedelbart efter en pulslucka, mata in en maximal pulseffekt med en förutbestämd strömstyrka utan att det uppstår en betydande överspänning. Det skall således vara möjligt att vid matning av magnetronurladdningar åstadkomma ett till stor del rektangulärt tidsförlopp för både strömmen och spänningen för de imnatade pul- serna även inom frekvensområden där magnetronurladdningen slocknar efter varje puls och tänds på nytt under nästa puls. 10 15 20 25 30 35 40 n n e . n. 523 509 .n ..- 3 Syítet uppfylls enligt uppfinningen genom att förfarandet enligt uppfimiingen omfat- tar dei patentkravet 1 angivna åtgärderna. En tillhörande kopplingsanordning för genom- förande av förfarandet anges i det självständiga anordningskravet. Föredragna utförings- former anges i de tillhörande osjälvständiga patentkraven.
Uppfinningens grundtanke är att för varje enskild puls för en pulsad magnetronur- laddning göra en kopplingsteknisk separering av skedet för begynnande generering av laddningsbärare, vilket i det följande betecknas tändning, och skedet för den likformigt förlöpande urladdningen efter den egentliga tändningen av magnetronurladdningen. Till detta används en strömkälla som kan mata in en bestämd ström och en separat spännings- källa, som i det följande även betecknas tändkälla. Vid pulsens inledning to matas energin in enbart med hjälp av tändkällan. I urladdningsområdet bildas därvid en gradvis ökande mängd laddningsbärare. När en tillräcklig mängd laddningsbärare har bildats tänder plasmat, och brinnspänningen intäller sig. Vid en tidpunkt t, vid vilken en tillräcklig mängd laddningsbärare har bildats fortsätter energiinmatningen med hjälp av strömkäl- lan. Genom att inmatningen av strömmen med en bestämd strömstyrka börjar först när en tillräcklig mängd laddningsbärare redan har bildats undviks de annars uppträdande spän- ningstopparna vid pulsens inledning. Därigenom kombineras de typiska fördelarna med en spänningskälla med de typiska fördelarna med en strömkälla.
Därigenom förhindras att strömkällan förbinds med magnetronurladdningen före och under tändningen, då urladdningen på grund av det till en början begränsade antalet ladd- ningsbärare inte kan överföra den önskade strömstyrkan. Det fins då inget behov av ett avlastningsnät för att överföra strömmen under detta skede av de enskilda pulserna. Detta har en gynnsam inverkan på kopplingsanordningens effektförluster. Samtidigt säkerställer inmatningen av den erforderliga urladdningsströmmen genast efter att en bestämd ladd- ningsbärartäthet uppnåtts att pulserna får maximal effekt.
Växlingen mellan tändkällan och strömkällan kan optimeras genom att tidsförloppet för magnetronurladdningens impedans avkänns och övervakas. Ur impedansens förlopp härleds kriterier, som under varje puls bestämmer tidpunkten för inkoppling av strömkäl- lan och frånkoppling av tändkällan med hjälp av en kopplingsenhet.
Impedansen kan därvid bestämmas direkt genom ström- och spänningsmätning direkt över magnetronurladdningens elektroder. Det kan även vara användbart att be- stämma den bästa tidpunkten för tillkoppling av strömkällan genom att känna av och bearbeta andra parametrar för magnetronurladdningen. Därvid lämpar sig magnetronur- laddningens plasmaemission särskilt väl, till exempel den utsända ljusstrålningens intensi- tet inom ett bestämt våglängdsområde.
Genereringen av laddningsbärarna vid den pulsformiga energiinmatningen i en magnetronurladdning, och därmed även tändegenskapema, beror på ett komplicerat sätt av elektrodmaterialet och täckningen av elektroderna med tunna skikt, gasens slag och tryck i magnetronurladdningen, geometriska förhållanden och styrkan och formen för magnetfältet vid magnetronkatoderna.
Några av dessa parametrar varierar under processens gång, vilket också återverkar 10 15 20 25 30 35 40 ~ a o . u. 523 509 4 en n.. på bildandet av laddningsbärare. Av detta skäl är det särskilt användbart att övervaka impedansförhållandena och bestämma tidpunkten för tillkopplingen av strömkällan för varje enskild puls.
Företrädesvis görs tillkopplingen av strömkällan och bortkopplingen av tändkällan från magnetronurladdningen vid samma tidpunkt. Det kan dock även vara användbart att förbinda både tändkällan och strömkällan med magnetronurladdningen under en viss tids- period, och först därefter koppla bort tändkällan från magnetronurladdningen vid en tid- punkt t2. Under denna tidsperiod adderas de av tändkällan och strömkällan tillförda ström- marna.
Energitillförseln under en enskild puls fortsätter efter tillkopplingen av strömkällan tills en pulstid tpà har förflutit. Pulstiden kan väljas fritt enligt det tekniska förfarandets behov. Under en likaså fritt valbar pulslucka ta, matas ingen energi in i magnetronurladd- ningen. Processen att alstra en enskild puls upprepas vid pulsluckans slut. Därvid kan på varandra följande pulser ha samma strömriktning, dvs. likpolig pulsmatning, eller ha olika strömriktning, dvs bipolär pulsmatning. Det är även möjligt att bilda pulspaket, som innehåller en följd av likpoliga pulser följt av en växling av strömriktningen och en följd av likpolika pulser med den motsatta strömriktningen tills den erforderliga energin har ma- tats in i plasmat. Företrädesvis läggs en utgång på tändkällan och strömkällan på en gemensam referenspotential.
Uppfinningen kommer nu att förklaras närmare med ledning av två på ritningen visade utföringsexempel. Därvid visar fíg 1 ett blockschema över det principiella funktions- sättet, fig 2 en kopplingsanordning för bipolär inmatníng av elektrisk energi i ett av två magnetronkällor bestående dubbelmagnetronsystem och fig 3 en kopplingsanordning för likpolig inmatníng av elektrisk energi i en magnetronurladdning.
Fig 1 visar i form av ett blockschema en kopplingsanordning enligt uppfinningen för inmatníng av energi. Anordningen har en tändkälla 1, som har egenskaper som en spän- ningskälla med inställbar spänning, och en reglerbar strömkälla 2. Vidare har den en kopplingsanordning 3, som förbinder tändkällan 1 och/eller strömkällan 2 med elektroder- na i en magnetronanordning 4. Denna består av flera magnetroner med tillhörande tar- gets. En styranordning 5 säkerställeri samverkan med ornkopplingsanordningen 3 tidsfölj- den för de erforderliga förbindelserna mellan tändkällan 1 och/eller strömkällan 2 och magnetronanordningens 4 elektroder, och bestämmer därigenom längden för de enskilda pulsernas pulstider och pulsluckor. En avkännare 6 gör det därvid möjligt att på ovan beskrivet sätt bestämma den gynnsammaste tidpunkten för tillkopplingen av strömkällan 2 och bortkopplingen av tändkällan 1.
I fig 2 visas kopplingsanordningen enligt uppfinningen i ett utförande för bipolär inmatníng av elektrisk energi i ett av två magnetronkällor bildat dubbelmagnetronsystem 4'. En inställbar likspänningskälla 7, två strömställare 8, 9, en drossel 10 och tre dioder 11, 12, 13 bildar tändkällan 1. En andra inställbar likspärmingskälla 14, två strömställare 15, 16, en drossel 17 och två dioder 18, 19 bildar strömkällan/ll Omkopplingsanordningen 3 bildas av de i tändkällan 1 och strömkällan 2 ingående strömställama 8, 9, 15 och 16. Den ouaoo 10 15 20 25 30 35 40 525 509 5 bipolärt pulsade driften kräver dessutom en helvågslikriktarbrygga 20, som bildas av ytterligare omkopplare 21, 22, 23, 24 och dioder 25, 26, 27, 28. Som omkopplare används IGBT (insulated gate bipolar transistor) av känt slag. Helvågslikriktarbryggans 20 utgång är ansluten till magnetronsystemets 4 elektroder. En styranordning 5 för styrningen av kretsen och förfarandet liksom en detektor 6 för bestämningen av de gynnsammaste om- kopplingstidpunkterna är av känt slag och visas endast som block.
Uppfinningen förklaras i det följande närmare med ledning av detta utföringsexem- pel.
Magnetronsystemet 4 'som drivs med hjälp av denna kopplingsanordning används för att belägga platta glasunderlag med kiseloxid med utnyttjande av reaktiv förstoftning i ett dubbelmagnetronsystem. Magnetronsystemets 4' magnetroner 31, 32 är anslutna till helvågslikriktarbryggans 20 mittpunktsklänunor 29 och 30. De båda magnetronerna 31, 32 är belägna i en icke visad vakuumkammare och är försedda med targets av kisel. När dessa skall förstoftas leds ädelgasen argon in i vakuumkammaren, varefter energi tillförs via klämmorna 29, 30 på sådant sätt att den till 300 A uppgående strömmen som skall matas in i gasurladdningen ställs in i förväg i drosseln 17 genom att strömställaren 16 sluts och likspärmingskällan 14 kopplas in. Vid förstoftning av targets på magnetronen 32 kopplas helvågslikriktarbryggans ena diagonal 20 in med hjälp av strömställarna 22, 23.
Likspänningskällan 7 ställs in på 800 V, och strömställarna 8 och 9 sluts. Därmed ligger en tändspänning över de båda magnetronerna 31, 32, och plasmat tänder. Därvid stiger urladdningsströmmen linjärt. När en i styranordningen 5 i förväg inställd triggpunkt av 25 A, som mäts av avkännaren 6, uppnås öppnas strömställaren 16, så att strömmen 300 A plötsligt matas in, varigenom strömmen i drosseln 17 kopplas in i gasurladdningen genom dioden 19. Strömställama 8 och 9 öppnas, emedan det inte behövs en extra ström från tändkällan 1 i plasmat. Deni drosseln 10 lagrade energin matas tillbaka till likspän- ningskällan 7 genom dioderna 11 och 12 för att det inte skall uppstå en spänningstopp vid nästa tändning. Detta tillstånd upprätthålls under en i förväg inställd pulstid (15 us).
Spänningen ställer in sig på plasmats brinnspänning (cirka 470 V), och strömmen är kon- stant. Därigenom maximeras energin i pulsen eftersom båda storhetema har nästan rek- tangulärt förlopp. Om pulsluckan sätts till 5 us blir medeleffekten 105 kW som medelvärde över pulstiden och pulsluckan. När pulstiden är slut sluts strömställaren 15, varigenom strömmen leds in i den av strömställaren 15, dioden 18 och drosseln 17 bestående relaxa- tionskretsen. Strömställama 22 och 23 sluts och parasitära element i lastkretsen urladdas till likspänningskällan 7 genom dioderna 25, 28, 12, 13. På samma sätt alstras 100 pulser.
Därefter kopplas helvågslikriktarbryggans 20 andra diagonal till och från med hjälp av strömställarna 21, 24 under 100 pulser, medan samtliga övriga element fungerar som tidigare. Det beskrivna förloppet upprepas under den tid beläggningsprocessen pågår.
Energitillförseln avslutas genom att strömställama upphör att ansluta helvågslikriktar- bryggan 20, att likspänningskällorna 7 och 14 kopplas ifrån och att drosseln får svänga fritt över strömställaren 15 dioden 18.
En buffertkondensator 33 ingåri en föredragen utföringsform av kopplingsanordning- 10 15 523 509 ;;: 6 nu -wu en enligt uppfinningen och används om den önskade strömmen i drosseln 17 är högre än den högsta ström som likspänningskällan 14 kan tillföra. I detta fall kommer styranord- ningen 5 att ladda buffertkondensatorn 33 under pulsluckoma på sådant sätt att den önskade strömmen kan matas in i drosseln 17 som summan av strömmen från likspän- ningskällan 14 och strömmen från buffertkondensatom 13.
Fig 3 visar kopplingsanordningen enligt uppfinningen i ett utförande för likpolig inmatning av elektrisk energi i en magnetronanordning. På analogt sätt visas tändkällan 1, strömkällan 2 (utan buffertkonensator), omkopplaranordningen (strömställare 8, 9, 15, 16), styranordningen 5, magnetronsystemet 4" och avkännaren 6.
Vid det likpoliga funktionssättet behövs inte den i fig 2 visade helvågslikriktarbryg- gan, utan magnetronsystemets 4" magnetroner 31', 32' fórbinds direkt med strömkällans 2 klämmor.
Funktionssättet for kopplingsanordningen enligt fig 3 är i övrigt analogt med vad som beskrivits ovan för fig 2.
Claims (16)
1. Förfarande för pulsforrnig inmatning av energi i magnetronurladdningar, vid vilket en spänning vid en första tidpunkt to läggs på elektroderna i ett magnetronsystem (4) med hjälp av en spänningskälla (1), kännetecknat av att tändningen av magnetronurladd- ningen avkänns efter anslutningen av den elektriska spänningen, att en ström med ett önskat värde börjar att matas in från en strömkälla (2) vid en av tändningen av magnetro- nurladdningen bestämd andra tidpunkt tl, att spänningskällan (1) bryts från magnetron- systemets (4) elektroder vid en tredje tidpunkt t2, som likaså bestäms av tändningen av magnetronurladdningen, att inmatningen av strömmen med hjälp av strömkällan (2) upp- rätthålls under en förutbestämd tid tm, att inmatningen av den elektriska energin därefter avbryts under en bestämd tid tfm, och att de enskilda stegen därefter upprepas med början med påläggningen av spänningen med hjälp av spänningskällan (1).
2. Förfarande enligt kravet 1, kännetecknat av att villkoret t, 2 t, upprätthålls för t, och tg.
3. Förfarande enligt kravet 1 eller 2, kännetecknat av att spänningskällans (1) spänning och/eller strömkällans (2) ström ställs in före eller under driften.
4. Förfarande enligt något av kraven 1 till 3, kännetecknat av att tiden ttm och/eller tiden tfim, ställs in före eller under driften.
5. Förfarande enligt något av kraven 1 till 4, kännetecknat av att tändningen av magnetronurladdningen bestäms genom avkänning av magnetronurladdningens impedans.
6. Förfarande enligt något av kraven 1 till 4, kännetecknat av att tändningen av magnetronurladdningen bestäms genom avkänning av det ljus som avges av magnetronur- laddningen.
7. Förfarande enligt något av kraven 1 till 6, kännetecknat av att tidsmässigt efter varandra följande pulser har samma strömriktning.
8. Förfarande enligt något av kraven 1 till 6, kännetecknat av att tidsmässigt efter varandra följande pulser har motsatt strömriktning.
9. Förfarande enligt något av kraven 1 till 6, kännetecknat av att strömriktningen för ett antal tidsmässigt efter varandra följande pulser är lika och att strömriktningen därefter är motsatt för ett lika eller icke lika stort antal tidsmässigt efter varandra följande pulser och att växlingen av strömriktning för därefter följande pulser sker enligt ett förut- bestämt program.
10. Kopplingsanordning för genomförande av förfarandet enligt kravet 1, med minst en tändkälla (1), minst en strömkälla (2), minst en omkopplingsanordning (3), som kan ansluta tändkällan (1) och strömkällan (2) separat eller tillsammans till magnetronsyste- mets (4) elektroder, organ (6) för avkärming av tändningen av magnetronurladdningen och organ (5) för styrning av omkopplingsanordningen (3).
11. Kopplingsanordning enligt kravet 10, kännetecknad av att tändkällan (1) är en inställbar spänningskälla.
12. Kopplingsanordning enligt kravet 10, kännetecknad av att strömkällan (2) är nn-ne 10 15 20 25 30 . o ~ . »- 523 509 reglerbar.
13. Kopplingsanordning enligt kravet 10, kännetecknad av att - tändkällan (1) innehåller en inställbar likspänningskälla (7), varvid dennas positiva pol av en första strömställare (8) kan anslutas till en drossel (10) och dennas andra anslutning är förbunden med en första utgång på tändkällan genom en andra strömställare (9), - likspänningskällans (7) negativa pol är förbunden med en på en referenspotential liggan- de andra utgång på tändkäl1an(1), varvid en diod (12) är parallellkopplad med den av den första strömställaren (8) och drosseln (10) bestående seriekopplingen på sådant sätt att diodens (10) katod blir förbunden med likspäxiningskällans (7 ) pluspol, - en första diod (13) är parallellkopplad med den andra strömställaren (9) på sådant sätt att dess anod blir förbunden med tändkällans (1) första utgång, - en andra diod (1 1) är inkopplad mellan förbindningspunkten mellan den första strömstäl- laren (8) och drosseln på sin ena sida och är förbunden med referenspotentialen på sin andra sida på sådant sätt att dess anod blir förbunden med referenspotentialen, - att strömkällan (2) innehåller en inställbar likspänningskälla (14), vars positiva pol är förbunden med katoden på en tredje diod (18) och via en drossel (17) är förbunden med den ena sidan av tredje och fjärde strömställare (15, 16) och med anoden i en fjärde diod (19), - likspänningskällans (14) negativa pol och den andra sidan av den fjärde strömställaren (16) är förbundna med strömkällans (2) utgång och med referenspotentialen, - den tredje strömställarens (15) andra sida är förbunden med den tredje diodens (18) anod och den fjärde diodens (19) katod är förbunden med en ytterligare utgång på strömkällan (2).
14. Kopplingsanordning enligt något av kraven 10 till 13, kännetecknad av att utgångarna på tändkällan (1) och strömkällan (2) är förbundna med en enfasig helvågslik- riktarbrygga (20) och att dennas mittpunktsklämmor (29, 30) är förbundna med magne- tronsystemets (4) elektroder.
15. Kopplingsanordning enligt något av kraven 10 till 14, kännetecknad av att strömställama (8, 9, 15, 16, 21, 22, 23, 24) bildas av transistorer av IGBT-typ.
16. Kopplingsanordning enligt något av kraven 10 till 15, kännetecknad av att en buffertkondensator (33) är parallellkopplad med likspänningskällan (14)í strömkällan (2).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10015244A DE10015244C2 (de) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | Verfahren und Schaltungsanordnung zur pulsförmigen Energieeinspeisung in Magnetronentladungen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE0100753D0 SE0100753D0 (sv) | 2001-03-07 |
SE0100753L SE0100753L (sv) | 2001-09-29 |
SE523509C2 true SE523509C2 (sv) | 2004-04-27 |
Family
ID=7636601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE0100753A SE523509C2 (sv) | 2000-03-28 | 2001-03-07 | Förfarande och kopplingsanordning för pulsformig inmatning av energi i magnetronurladdningar |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6522076B2 (sv) |
DE (1) | DE10015244C2 (sv) |
SE (1) | SE523509C2 (sv) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6808607B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-10-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | High peak power plasma pulsed supply with arc handling |
US7147759B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Zond, Inc. | High-power pulsed magnetron sputtering |
US6896773B2 (en) * | 2002-11-14 | 2005-05-24 | Zond, Inc. | High deposition rate sputtering |
DE10312549B3 (de) | 2003-03-21 | 2004-08-26 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Gasentladungsprozess-Spannungsversorgungseinheit |
US9771648B2 (en) * | 2004-08-13 | 2017-09-26 | Zond, Inc. | Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures |
US20050103620A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Zond, Inc. | Plasma source with segmented magnetron cathode |
US7095179B2 (en) * | 2004-02-22 | 2006-08-22 | Zond, Inc. | Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities |
US9123508B2 (en) * | 2004-02-22 | 2015-09-01 | Zond, Llc | Apparatus and method for sputtering hard coatings |
US7305311B2 (en) * | 2005-04-22 | 2007-12-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | Arc detection and handling in radio frequency power applications |
US7514935B2 (en) * | 2006-09-13 | 2009-04-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | System and method for managing power supplied to a plasma chamber |
US8217299B2 (en) * | 2007-02-22 | 2012-07-10 | Advanced Energy Industries, Inc. | Arc recovery without over-voltage for plasma chamber power supplies using a shunt switch |
EP1995818A1 (en) | 2007-05-12 | 2008-11-26 | Huettinger Electronic Sp. z o. o | Circuit and method for reducing electrical energy stored in a lead inductance for fast extinction of plasma arcs |
US8133359B2 (en) * | 2007-11-16 | 2012-03-13 | Advanced Energy Industries, Inc. | Methods and apparatus for sputtering deposition using direct current |
US9039871B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-05-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Methods and apparatus for applying periodic voltage using direct current |
US8044594B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-10-25 | Advanced Energy Industries, Inc. | Power supply ignition system and method |
WO2010012293A1 (de) | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung und verfahren zur erzeugung eines plasmas mit definiertem und stabilem ionisierungszustand |
US8395078B2 (en) | 2008-12-05 | 2013-03-12 | Advanced Energy Industries, Inc | Arc recovery with over-voltage protection for plasma-chamber power supplies |
EP2648209B1 (en) | 2009-02-17 | 2018-01-03 | Solvix GmbH | A power supply device for plasma processing |
US8552665B2 (en) | 2010-08-20 | 2013-10-08 | Advanced Energy Industries, Inc. | Proactive arc management of a plasma load |
DE102011086551B4 (de) | 2011-11-17 | 2023-02-23 | Siemens Healthcare Gmbh | Flexible Impedanzanpassung für einen pulsstromversorgten Mikrowellengenerator |
US10566177B2 (en) * | 2016-08-15 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Pulse shape controller for sputter sources |
US11476145B2 (en) * | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
CN113564540B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-10-03 | 江苏徐工工程机械研究院有限公司 | 电弧离子镀膜装置及镀膜方法 |
CN114464514B (zh) * | 2021-11-18 | 2023-04-07 | 电子科技大学 | 一种锁频锁相结构及其构成的磁控管结构 |
CN114823251B (zh) * | 2022-04-08 | 2023-04-14 | 电子科技大学 | 一种基于分支馈电结构锁频锁相的轴向级联相对论磁控管 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3538494A1 (de) * | 1985-10-30 | 1987-05-07 | Boehringer Andreas | Aus einer gleichspannungsquelle gespeiste elektrische schaltungsanordnung zur versorgung eines verbraucherzweipols mit eingepraegtem, jedoch unterbrechbarem gleichstrom oder eingepraegtem, jedoch unterbrechbarem, blockfoermigem wechselstrom mit einstellbarer begrenzung der spannungen am verbraucherzweipol und an den verwendeten elektronischen einwegschaltern |
IL78810A (en) * | 1986-05-16 | 1990-11-29 | Israel Aircraft Ind Ltd | Current pulse generator |
DD252205B5 (de) * | 1986-09-01 | 1993-12-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Zerstaeubungseinrichtung |
DE3700633C2 (de) * | 1987-01-12 | 1997-02-20 | Reinar Dr Gruen | Verfahren und Vorrichtung zum schonenden Beschichten elektrisch leitender Gegenstände mittels Plasma |
DE3802852A1 (de) * | 1988-02-01 | 1989-08-03 | Leybold Ag | Einrichtung fuer die beschichtung eines substrats mit einem material, das aus einem plasma gewonnen wird |
DE3942560C2 (de) * | 1989-12-22 | 1996-05-02 | Dressler Hochfrequenztechnik G | Hochfrequenz-Generator für einen Plasma erzeugenden Verbraucher |
DE4042287C2 (de) * | 1990-12-31 | 1999-10-28 | Leybold Ag | Vorrichtung zum reaktiven Aufstäuben von elektrisch isolierendem Werkstoff |
DE4106770C2 (de) * | 1991-03-04 | 1996-10-17 | Leybold Ag | Verrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats |
DE9109503U1 (de) * | 1991-07-31 | 1991-10-17 | Magtron Magneto Elektronische Geraete Gmbh, 7583 Ottersweier | Schaltungsanordnung für ein Stromversorgungsgerät für Geräte und Anlagen der Plasma- und Oberflächentechnik |
DE4233720C2 (de) * | 1992-10-07 | 2001-05-17 | Leybold Ag | Einrichtung für die Verhinderung von Überschlägen in Vakuum-Zerstäubungsanlagen |
US5718813A (en) * | 1992-12-30 | 1998-02-17 | Advanced Energy Industries, Inc. | Enhanced reactive DC sputtering system |
US5651865A (en) * | 1994-06-17 | 1997-07-29 | Eni | Preferential sputtering of insulators from conductive targets |
DE4438463C1 (de) * | 1994-10-27 | 1996-02-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Schaltung zur bipolaren pulsförmigen Energieeinspeisung in Niederdruckplasmen |
DE19506515C1 (de) * | 1995-02-24 | 1996-03-07 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur reaktiven Beschichtung |
DE19651615C1 (de) * | 1996-12-12 | 1997-07-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen von Kohlenstoffschichten durch reaktives Magnetron-Sputtern |
DE19702187C2 (de) * | 1997-01-23 | 2002-06-27 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Betreiben von Magnetronentladungen |
DE69842229D1 (de) * | 1997-02-20 | 2011-06-01 | Shibaura Mechatronics Corp | Stromversorgungsvorrichtung zum sputtern und sputtervorrichtung, die diese verwendet |
-
2000
- 2000-03-28 DE DE10015244A patent/DE10015244C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-07 SE SE0100753A patent/SE523509C2/sv not_active IP Right Cessation
- 2001-03-27 US US09/817,346 patent/US6522076B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE0100753L (sv) | 2001-09-29 |
SE0100753D0 (sv) | 2001-03-07 |
DE10015244A1 (de) | 2001-10-11 |
DE10015244C2 (de) | 2002-09-19 |
US20020047539A1 (en) | 2002-04-25 |
US6522076B2 (en) | 2003-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE523509C2 (sv) | Förfarande och kopplingsanordning för pulsformig inmatning av energi i magnetronurladdningar | |
AU645792B2 (en) | Arc diverter | |
US6222321B1 (en) | Plasma generator pulsed direct current supply in a bridge configuration | |
JP5043824B2 (ja) | 真空プラズマ発生器 | |
US6005218A (en) | Process and circuit for the bipolar pulse-shaped feeding of energy into low-pressure plasmas | |
EP1038045B1 (en) | A method for magnetically enhanced sputtering | |
US5882492A (en) | A.C. plasma processing system | |
US8467211B2 (en) | Bipolar pulsed power supply and power supply apparatus having plurality of bipolar pulsed power supplies | |
EP0480689B1 (en) | Ion implantation and surface processing method and apparatus | |
US20040124077A1 (en) | High peak power plasma pulsed supply with arc handling | |
US20080061794A1 (en) | System and Method for Managing Power Supplied to a Plasma Chamber | |
CN1751376A (zh) | 供电控制单元 | |
EP1964447B1 (en) | Circuit-arrangement for modulating an led and method for operating same | |
TW201315294A (zh) | 濺鍍處理系統中之電漿轉變控制 | |
JP2006500473A5 (sv) | ||
US8054003B2 (en) | Switch-off time regulation system for an inverter for driving a lamp | |
KR101051048B1 (ko) | 전원의 최종 출력단과 플라즈마 발생전극을 일체화한 플라즈마 발생장치 | |
US6179984B1 (en) | Circuitry and method for an electroplating plant or etching plant pulse power supply | |
US8980072B2 (en) | Method and arrangement for redundant anode sputtering having a dual anode arrangement | |
SE452817B (sv) | Laserapparat | |
CN108465888B (zh) | 一种基于电阻变化特性的脉冲状态辨识电路 | |
US6188184B1 (en) | Electronic ballast with reduced operating frequency after lamp ignition | |
Boonyaroonate et al. | Half-bridge inverter using hysteresis current control for electroluminescent lamp | |
SU1382613A1 (ru) | Устройство дл дуговой сварки | |
KR100886377B1 (ko) | 발열선의 전자파 감소를 위한 온도제어장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |