SE444490B - Anordning for att styra ett rele - Google Patents

Description

8006574-1 Det som emellertid huvudsakligen kan anses vara kännetecknande för en anord- ning enligt uppfinningen framgår av den kännetecknande delen i det efterföl- jande patentkravet 1.

FÖRDELAR Genom det i ovanstående föreslagna kan en väsentlig reducering av energiför- brukningen i aktuella reläer åstadkomas. Bl.a vid reläer av högresistiv typ, dvs med lindningsresistanser om cza 2 kfï och mer, kan energireduce- ringar om upp till 60% gentemot de tidigare använda utrustningarna erhål- Å las- É Dessutom erhålles en tekniskt enkel och väl fungerande uppbyggnad. Utåt sett fungerar den nya anordningen så att den i ett initialskede medger den för- hållandevis höga tillslagsströmmen för att därefter automatiskt inställa sig L i ett strömsnålt läge där reläet tillförsäkras erforderlig hållström.

FIGURBESKRIVNING En för närvarande föreslagen utföringsform av en anordning som uppvisar de för uppfinningen signifikativa kännetecknen skall beskrivas i nedanstående * under samtidig hänvisning till bifogade ritning där figuren i principschemaform visar uppbyggnaden.

BÄSTA uTFöRINcsFoRM I anordningen ingår en effektavgivningsdel S som kan vara av i och för sig känt slag. I föreliggande fall föreslås användningen av en relädrivare av fabrikat RIFA med nummer PBD 3510. Nämnda effektavgivningsdel är avsedd att mata en relälindning RL via styrkretsar Sty.¿Medelst nämnda styrkretsar kan utbildas en första strömbana L' och en andra strömbana L". Reläet RL, som kan innefatta en högresistiv lindning (2kl1 eller mer), arbetar med en till- slagsström som överstiger den hållström som kan kvarhålla det tillslagna i reläet i tillslaget läge. I enlighet med uppfinningens idé skall tillslags~ strömmen erhållas via den första banan, medan hållströmmen skall ledas via den andra strömbanan, varjämte överkopplingen från den första till den_andra strömbanan sker automatiskt efter en förutbestämd tid, vilken säkert skall innehålla reläets tillslagstid. Den första strömbanan etableras under relä- ets tillslagstid medelst i nedanstående beskrivna omkopplingsorgan, vilka således är anordnade att efter en förutbestämd varaktighet som tillförsäkrar reläets tillslag disaktiverar den första strömbanan och därefter automatiskt kopplar över reläet till den andra strömbanan. 31 Vf 8006574-1 Nämnda omkopplingsorgan innefattar en transistor T med tillhörande basmet- stånd R2 samt en parallellkoppling av en resistans R3 och ett energimagasin- erande organ i form av en kondensator C. Mellan transistorns baskrets och emmitterkrets E är en diod D1 ansluten med sin katod till emittern och anod till basen via R2. Transistorn är i föreliggande fall en PNP-transistor.

Transistorns emitter-kollektorsträcka är seriekopplad med relälindningen RL, vilken på motsatt sida är kopplad till minuspotential. Parallellkopplingen C/R3 är ansluten till 0-potential. Parallellt över transistorns emitter- kollektorsträcka* är en resistans Rl inkopplad som ingår i nämnda andra strömbana. Anslutningspunkten mellan relälindningen, transistorn och resi- stansen är visad med A. ' Den kända relädrivaren uppvisar en inkomande krets ln, en referensingång OV och en utgång UT. Reläets till- och frånslag skall därvid ske med höga resp. låga nivåer på ingången In. Vid låg in-nivå är relädrivaren spärrad och ingen signal föreligger på utgången Ut. I detta läge har kondensatorn C dessförinnan erhållit en laddning med en spänningsnivå som bestäms av resi- stanserna Rl och R3, dioden Dl, relälindningen RL samt läckströmmar i tran- sistorn T.

Då ingången (TTL-nivån) på relädrivaren går hög överkopplas utgången UT mot ~nollpotentialen OV medförande att transistorns emitterkrets via relädrivaren $ anslutes mot OV. Genom att emittern därvid blir positiv i förhållande till basen börjar transistorn T att leda ström, varvid kretsarna är valda så att- transistorn helt bottnar. Via transistorns emitter-kollektorsträcka, som är seriekopplad med relälindningens RL erhålles matning till relälindningen från effektavgivningsdelen via den första strömbanan L' som innefattar nämn- da emitter-kollektorsträcka. Endast relälindningen. kommer på så sätt att ligga inkopplad mellan den negativa spänningen vid lindningen RL och 0-nivån från effektavgivningsdelen, medförande att strömmen i den sålunda utbildade första strömbanan L' blir förhållandevis hög. Transistorn är fullt ledande eller bottnad under en tid som bestämmes av tidskretsen som bildas av kond- ensatorn C och motståndet R2, som är valt med ett förhållande till resistan- sen R3 där R3 är större än eller mycket större än R2. I anslutning härtill skall noteras att dioden D1 är backspänd. Varaktigheten för utstyrningen av transistorn förutsättes därvid vara så lång att reläet ifråga erhåller ett säkert tillslag. Efter nämnda tid har kondensatorn urladdat sig över resi- stanserna R2 och R3, medförande att transistorns bas har en potential så nära emitterns potential att transistorn därigenom är helt strypt. 8006574-1 I samband med utstyrningen av relädrivarens utgång UT till nollpotentialen anslöts även resistansen R1 till nämnda OV. När därför transistorn efter nämnda förutbestämda varaktighet strypes sker bortkoppling av den första “ strömbanan L' och relälindningen RL erhåller istället anslutning via resi- stansen Rl, vilken därvid förutsättes vara vald så att erforderlig kvarhåll- ningsström föreligger för reläet.

Då den förhöjda signalnivån på relädrivarens ingång In upphör bortbryter effektavgivningsdelen nollpotentialen och därmed kvarhållningsströmbanan § L", vilket medför att reläet slår ifrån. Frånslagstiden förlängs därvid _ I något genom att kondensatorn C påbörjar sin uppladdning så snart bortpryt- f ning sker. Förloppet kan därefter upprepas på nytt, osv. Parallellt med relälindningen är ansluten en skyddsdiod D2, som skyddar transistorn och dess tillhörande kretsar mot höga induktionsströmmar vid reläets frånslag. í Uppfinningen är inte begränsad till den i ovanstående såsom exempel visade utföringsformen utan kan underkastas modifikationer inom ramen för efterföl- jande patentkrav eller uppfinningstanken.

INDUSTRIELL-r TILLGonocöRANnr Uppfinningen består av få och enkla delar som är lätta att integrera och sammansätta med berörd reläutrustning vid serietillverkning eller annan rationell tillverkning på fabrik eller motsvarande.

Claims (4)

8006574-1 5 P a t e n t k r a v

1. Anordning för att styra ett relä (RL) mellan dess påverkade och opåverka- de lägen och mata reläet i dess påverkade läge samt samverkande med en effektavgivningsdel (S) och innefattande mellan den senare och reläet an- slutna styrkretsar (Sty), varvid dels styrkretsarna arbetar med ett tids- styrt omkopplingselement som i ett första läge åstadkommer anslutning av reläet till effektavgivningsdelen via en första strömbana (L'), vilken möj- liggör överförandet av en förhållandevis hög ström som utnyttjas som till- slagsström för reläet, och i ett andra läge åstadkommer anslutning av reläet till ett effektavgivningsdelen via en andra strömbana (L") som utnyttjas för överförandet av en förhållandevis låg ström som utnyttjas som hâllström för reläet, dels omkopplingselementet innefattar en av tidskretsar (R2, S) styrd transistor (T), vars emitter-kollektorsträcka är seriekopplad med reläets lindning (RL), k ä n n e t e c k n a d därav, att den andra ström- banan innefattar en med reläets lindning seriekopplad resistans (R1) som är anordnad att förorsaka en reducering av energiförbrukningen i reläet och som tillsammans med reläets lindning (RL) ingår i en uppladdningskrets för ett i nämnda tidskretsar ingående energimagasinerande organ (C), att uppladdnings- kretsen leder via en mellan transistorns bas och ena huvudelektrod inkopplad diod (Dl), att transistorns basmotstånd (R2) ingår i en via basen och nämnda huvudelektrod på transistorn ledande urladdningskrets för det energímagasin- erande organet (C) som under sin urladdning kvarhåller transistorn i ett bottnat läge och därmed en första strömbana aktiverad under en förutbestämd varaktighet räknat från den tidpunkt då styrimpuls utgår från effektavgiv- ningsdelen (S), vilken varaktighet är vald för att säkert tillförsäkra relä- ets tillslag, att efter nämnda varaktighet transistorn intar ett strypt läge, varvid automatisk överkoppling sker till den andra strömbanan (L"), och att under det energimagasinerande organets urladdning nämnda diod (Di) intar spärrat tillstånd. I

2. Anordning enligt patentkravet 1, k ä n n e t e c k n a d därav, att 1 reläets opåverkade tillstånd transistorn intar sitt bottnade läge och i reläets påverkade tillstånd transistorn intar sitt strypta läge samt att' transistorns emitter-kollektorsträcka ingår i nämnda första strömbana'IL'). 8006574-1

3. Anordning enligt något av patenfkraven 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a d därav, att den innefattar en parallellt över_reläets lindning ansluten diod (D2) som skyddar transistorn mot dess tillhörande kretsar på i och för sig känt sätt.

4. Anordning enligt något av patentkraven 1, 2 eller 3, k ä n n e t e c k - n a d därav, att effektavgívníngsdelen består av en 1 och för sig känd relä- drivningsenhet.