SE440515B - Forfarande for riktad stelning av metallsmelta - Google Patents

Forfarande for riktad stelning av metallsmelta

Info

Publication number
SE440515B
SE440515B SE7910138A SE7910138A SE440515B SE 440515 B SE440515 B SE 440515B SE 7910138 A SE7910138 A SE 7910138A SE 7910138 A SE7910138 A SE 7910138A SE 440515 B SE440515 B SE 440515B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
core
melt
mold
melting point
composition
Prior art date
Application number
SE7910138A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7910138L (sv
Inventor
B E Terkelsen
Original Assignee
United Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by United Technologies Corp filed Critical United Technologies Corp
Publication of SE7910138L publication Critical patent/SE7910138L/sv
Publication of SE440515B publication Critical patent/SE440515B/sv

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/14Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D27/00Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
    • B22D27/04Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
    • B22D27/045Directionally solidified castings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/52Alloys

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Refinement Of Pig-Iron, Manufacture Of Cast Iron, And Steel Manufacture Other Than In Revolving Furnaces (AREA)

Description

7910138-2 vid svårigheter uppstått för att erhålla adekvat smältning av kär- nan utan andra oönskade effekter. Behov föreligger därför för bättre förfaranden för förbättrad kärnsmältning.
Ett annat problem vid användning av kärnor är att ytskikt av oxider eller andra förorarmde föreningar bildas, vilka ej med lätt- het avlägsnas vid kontakt med smält metall. Det har t.o.m. ibland visat sig, att den del av kärnan som ligger under det förorenade ytskiktet smälter, men själva ytskiktet har inte svepts iväg, var- för detsammas fortsatta närvaro negativt påverkar efterföljande epitaxiala stelning. Således föreligger behov för att förhindra eller på lätt sätt avlägsna förorenade ytskikt på kärnor utan större kostnader.
Ett syfte med föreliggande uppfinning är att förbättra epit- axial stelning av produkter från kärnor, vilket sker genom att sammansättningen på minst en del av kärnan, där kärnan bringas i kontakt med smältan, ändras medelst ett ämne för sänkning av smältpunkten; att en form för kärnan och för mottagande av smältan åstadkommas; att smält metall hälles ned i formen för att bringas i kontakt med kärnan och därvid smälta kärnans ytdel där dennas sammansättning är ändrad; och att smältan riktningstelnas för att underlätta epitaxial tillväxt från kärnan.
Enligt förfarandet enligt uppfinningen har en kärna med en given kristallografisk orientering och struktur och formerbara av den metallegering varav produkten som gjutes bestâr,följakt- ligen minst en del med en smältpunkt som är lägre jämfört med smältpunkten för metallegeringen varav produkten gjutes. I ett föredraget utförande av förfarandet sänkes smältpunkten vid den yta på kärnan från vilken epitaxial tillväxt önskas, genom till- sättning av kisel och bor på upp till 10%. Ytan är fullständigt löslig av smältan och epitaxi sker från återstående, därvid fri- lagd massa. Ett alternativt utförande innefattar anordnandet av en ytkomposition som i den smälta metallen till legeringen som gjutes underlättar upplösningen av oönskade ytföreningar som nega- tivt påverkar epitaxin. Uppfinningen är speciellt avpassad för formering av enkristalldelar i nickelbaserade s.k. superlegeringar.
Smältpunktnedsättningar på 20-30°C genom tillsättning av bor till en nickellegeringskärna, har visat sig mest användbara för upp- finningens syften.
Uppfinningen ger ett bättre epitaxialt stelningsutbyte från kärnor som är väsentligt kallare än den smälta metall, som till- 3- 7910138-2 föres och som uppvisar oönskade ytföreningar som bildats innan till- sättningen av den smälta metallen. Regleringen av kristallografisk orientering i produkter förbättras, produktionshastigheten ökar och kostnaderna sänks. Behovet av överhettad smält metall för uppvärm- ning av kärnan minskar, varvid metallavfallet vid produktframställ- ningen reduceras.
Det föredragna förfarandet enligt nedan beskrives i samband med formering av produkter av pelarkorn med reglerad orientering och enkristallprodukter av nickellegeringar, även om uppfinningen är lika användbar för andra material, där reglerad kristallografisk orientering önskas. Kärnan är speciellt användbar för uppfinningen enligt ovannämnda publikation.
Normalt sker epitaxial stelning av enkristallprodukter genom att reglerbart stelna en metallegering från en kärna av samma metall- legering. Innan produktens framställning tillverkas en kärna, van- ligen i form av en stav eller stång, på känt sätt. Kärnan analyse- ras medelst röntgendiffraktion eller annat lämpligt sätt för bestäm- ning av dess kristallografiska orientering. Så snart kärnans pri- mära ocn sekundära kristallorientering bestämts och markerats, bear- betas kärnan efter behov till önskad storlek och form för produkten som skall gjutas. Som exempel kan nämnas att då ett 10 cm högt gas- turbinblad skall gjutas, är kärnan normalt ett ca. 2 cm långt seg- ment av en stav med 2 cm i diameter. Efter förberedelserna placeras kärnan på en kokillplatta eller annan värmestrålare och frilägges i i änden på en form, i vilken produkten skall formas. Därefter införes en smälta, d.v.s. en mängd smältmetall, i formen och bringas i kon- takt med kärnan. Det är nödvändigt att en del av kärnan smälter så att smältan, som därefter stelnar på ytan av den återstående delen av kärnan är epitaxial. För erhållande av den färdiga produkten av- kyles företrädesvis kärnan för att åstadkomma riktad stelning från denna snarare än andra delar av formen.
Ifall åtminstone en del av kärnan har lägre smältpunkt än en kärna av metallegeringen, som gjutes, har det enligt uppfinningen visat sig avsevärt lättare att erhålla epitaxi. Ett föredraget sätt att erhålla en bättre kärna, är att tillsätta ett ämne av en typ och kvantitet som är förenlig med metallen i smältan. I nickelbaserade superlegeringar är ett sätt att innan kärnan placeras i formen, ändra densamma på ytan där smältan bringas i kontakt därmed genom tillsätt- ning av ett ämne, t.ex. bor, till ytan.
Bortillsatsen till kärnans yta kan åstadkommas genom icke-gal- 7910138-'2 4- vanisk utfällning av aminboran enligt US patentskrift 4 005 988 eller genom avsättning av en borhalogenidvätereagensgasblandning (boronisering) enligt US patentskrift 3 859 144. Då bor avsättes således och diffunderar in i ytan, varierar dess koncentration med djupet.
Borkoncentrationen kan variera efter önskan för uppnående av uppfinningens syfte. Ju större smältpunktnedsättning ju lättare smälter kärnans yta. För vissa legeringar kan det dock vara ofördel- aktigt att ha större mängder bor i metallegeringen för gjutning.
Mängden bor som frigöres genom smältning av kärnans yta är natur- ligtvis beroende och reglerad av mängden som finns i kärnan, och det är därför önskvärt att minimera borkoncentrationen vad gäller såväldess djup som koncentration. Med gjutna nickelbaserade super- legeringar vanliga inom gasturbinindustrin är i praktiken kärnor med upp till ca. 6 vikt-% bor acceptabla. Mindre mängder tenderar att sänka smältpunkten i mindre utsträckning, men är fortfarande användbara. Ett praktiskt exempel på uppfinningen är den riktade stelningen av pelarkornprodukter av den kommersiella legeringen PWM l422. Denna legering har en nominell sammansättning av, i vikt-% räknat 10% Co, 9 % Cr, 2 % Ti, 5 % Al, 12,5 % W, 2 % Hf, l % Nb, 0,015 % B, O,ll % C och resten Ni.
En kärna för epitaxial stelning innefattar en huvuddel med en PWA l422 sammansättning och önskad kristallografisk struktur samt ett genom förångning utfällt och delvis diffunderat boryt- skikt på ca. 75-l25}Lm i tjocklek. Vid ytan, där borkoncentrationen är som störst, utgör boret ca. 4-5 vikt-% av legeringen och den ändrade legeringen har en smältpunkt som är 35-45°C lägre än den ursprungliga legeringen.
Andra ämnen kan tillföras en kärna i syfte att sänka smält- punkten. Vid nickellegeringar är t.ex. kisel lämpligt i mängder upp till 10%. Förfaranden för att fälla ut kisel ur reaktiva gas- blandningar anges i US patenskrift 3 859 144. Andra ämnen med lik- nande effekt i nickel- och andra baslegeringar är för fackmannen uppenbara.
Ett ämne som bor, har vidare den fördelen att alstra en fluss~ verkan på vilken som helst oxid eller annan förorenande skikt som bildats på kärnans yta. Dessa skikt kan negativt påverka epitaxin även då kärnan under desamma har smält. Således kommer bor och kisel inte endast att underlätta lokal smältning, då smältan tillföres kärnan, men varje film som förekommer på kärnan kommer att lösas upp 5' 7910138-2 i det lokala bor- eller kiselrikta omrâdet. Så snart kärnkristallens yta smälter, kommer turbulens eller konvektiva strömmar i smältan att medföra dispergering av kärndelen innehållande det smältpunkt- nedsättande ämnet. Smältdjupet i kärnan bestämmas av graden av övervärme i den smälta metallen, de smältpunktnedsättande ämnenas i kärnan kompositionella halt, kärnans storlek och värmeöverföringen från kärnan. Det är inte nödvändigt eller önskvärt att kärnans huvud- del smälter. Endast så mycket av kärnan behöver smälta att tillväxt i närneten därav är epitaxial i förhållande till kärnans mikrostuk- tur. Så snart den smälta metallens övervärme är borta, antingen genom ökning av form~kärnsystemets entalpi eller genom bortledning av värme från systemet, upphör kärnan att smälta, varefter den smälta metallen börjar stelna enligt praxis för riktad stelning och reglerad värme- utvinning.
Enligt ett annat tillvägagångssätt kan kärnans yta beläggas med ett material som bildar en oxid som är lättlöslig i den smälta metal- len för gjutstycket, men som inte har en lägre smältpunkt. Exempel- vis kan ytan på en kärna av PWA 1422 beläggas genom en galvanisering av ren nickel till en tjocklek på upp till 50,8|lm. PWA 1422 som är en oxidations- och korrosionsresistent nickelbaserad superlegering, bildar ett relativt stabilt oxidskikt. Nickeloxiderna är däremot inte särskilt stabila utan är faktiskt lättlösliga i smält PWA l422. Då således ett skikt med hög nickelhalt påföres kärnans yta, upplöses nickeln och nickeloxiden i smältan, varvid en ren yta på kärnan er- hålles för efterföljande epitaxial stelning. Naturligtvis medför när- varon av nickelskiktet inte en smältpunktssänkning.
Det är noterbart att kärnans första del, som uppvisar en samman- sättningsändring för erhållande av en lägre smältpunkt, inte behöver na samma reglerade kristallografiska orientering som kärnans andra eller huvuddel under förutsättning att den första delen har sådan storlek att den är fullt löslig i smältan. Detta medger t.ex. fram- ställning av polykristallina delar med lägre smältpunkt på enkristall- kärnor.
Ett ytterligare utförande av uppfinningen är att hela kärnan har en sammansättning med antingen lägre smältpunktkaraktäristik eller ytfilmupplösningsförmåga. Ett krav är naturligvis att kärnan har en kristallografisk struktur och natur från vilken epitaxial stelning av smältan kan ske, varvid förhindras att kärnor av mycket olika natur användes. Om kärnans huvudmassa har en mycket annorlunda smält- punkt, kommer smältning av den del av kärnan, varmed smältan kommer i

Claims (5)

'7910138-2 6_ kontakt, att vara beroende av de inledande värmeförhållandena, kärnlegeringens sammansättning samt mängd och temperatur på den smälta metall som införes i kärnområdet. Såsom framgår av ovan- stående förstnämnda publikation är det lämpligt att vid framställ- ning av enkristallgjutstycken ha en startersektion i formen, vil- ken innehåller kärnan och vilken mottager den smälta metallen för kärnans smältning samt är skild från produktsektionen genom en betydligt smalare selektorsektion. Genom en dylik form kan smält metall som strömmar in i starunsektionen och delvis löser upp kär- nan, hållas i en reservoar i denna sektion, varvid smältpunktned- sättande medel eller andra ämnen som frigjorts in i smältan, inte kan införas i metallen som stelnat i artikelsektionen. Det är för fackmannen uppenbart att föreliggande uppfinning kan modifieras och varieras inom ramen för efterföljande patentkrav utan att frångå uppfinningens idé och ändamål. Patentkrav uflflnnflflnuu
1. l. Förfarande för riktad stelning av en metallsmälta: till en produkt med reglerad kristallografisk orientering medelst en kärna och genom epitaxial tillväxt, k ä n n e t e c k n a t a v att a) sammansättningen på minst en del av kärnan, där kärnan bringas i kontakt med smältan, ändras medelst ett ämne för sänk- ning av smältpunkten; b) en form för kärnan och för mottagande av smältan åstad- kommes; c) smält metall hälles ned i formen för att bringas i kon- takt med kärnan och därvid smälta kärnans ytdel där dennas samman- sättning är ändrad; och d) smältan riktningstelnas för att underlätta epitaxial till- växt från kärnan.
2. Förfarande enligt patentkrav l, k ä n n e t e c k n a t a V att den del av kärnan, vars sammansättning ändras, ändras således, att smältpunkten nedsättes med minst 2000 jämfört med en oförändrad kärna.
3. Förfarande enligt patentkrav 2, k ä n n e t e c k n a t a v att kärnan formas av en nickellegering och att den del av kärnan, vars sammansättning ändras, innehåller upp till 10 vikt-% av ett ämne valt ur gruppen bestående av bor och blandningar av bor och kisel. 1. 1910138-2
4. Förfarande enligt patentkrav 2, k ä n n e t e c k n a t a v att den del av kärnan, vars sammansättning ändras, är ett yt- skikt med mindre än ca. 250 mikroners tjocklek.
5. Förfarande enligt patentkrav l för formering av enkristall- produkter genom riktad stelning av en metallegeringssmälta genom epitaxial tillväxt från en kärna, att en kärna framställes med en första del med en smältpunkt som k ä n n e t e c k n a t a v är mer än 2006 lägre än för metallegeringen och med en andra del med i nuvudsak samma smältpunkt søm metallegeringen; kärnans andra del bringas i kontakt med en kall kokillplatta; en varmproduktform åstadkommes på kokillplattan således, att formen innehåller kärnan utan att densamma uppvärmes i större ut- sträckning; formen fylls med en smälta av metallegeringen så att en del av smältan bringas i kontakt med kärnan och upplöser nämnda första del; och smältan fås att stelna epitaixalt från kärnas andra del till bildande av en produkt.
SE7910138A 1978-12-13 1979-12-10 Forfarande for riktad stelning av metallsmelta SE440515B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/969,129 US4289570A (en) 1978-12-13 1978-12-13 Seed and method for epitaxial solidification

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7910138L SE7910138L (sv) 1980-06-14
SE440515B true SE440515B (sv) 1985-08-05

Family

ID=25515220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7910138A SE440515B (sv) 1978-12-13 1979-12-10 Forfarande for riktad stelning av metallsmelta

Country Status (15)

Country Link
US (1) US4289570A (sv)
JP (1) JPS5580800A (sv)
BE (1) BE880401A (sv)
BR (1) BR7908121A (sv)
CA (1) CA1142840A (sv)
CH (1) CH651071A5 (sv)
DE (1) DE2949532A1 (sv)
DK (1) DK162325B (sv)
FR (1) FR2444091A1 (sv)
GB (1) GB2037635B (sv)
IL (1) IL58881A (sv)
IT (1) IT1127730B (sv)
NL (1) NL7908786A (sv)
NO (1) NO154909C (sv)
SE (1) SE440515B (sv)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4412577A (en) * 1982-01-27 1983-11-01 United Technologies Corporation Control of seed melt-back during directional solidification of metals
US4915907A (en) * 1986-04-03 1990-04-10 United Technologies Corporation Single crystal articles having reduced anisotropy
CH672604A5 (sv) * 1987-04-22 1989-12-15 Sulzer Ag
US5116456A (en) * 1988-04-18 1992-05-26 Solon Technologies, Inc. Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form
DE4039808C1 (sv) * 1990-12-13 1992-01-02 Mtu Muenchen Gmbh
US5871580A (en) * 1994-11-11 1999-02-16 Japan Energy Corporation Method of growing a bulk crystal
US6343641B1 (en) * 1999-10-22 2002-02-05 General Electric Company Controlling casting grain spacing
GB0012185D0 (en) 2000-05-20 2000-07-12 Rolls Royce Plc Single crystal seed alloy
US7575038B2 (en) 2001-06-11 2009-08-18 Howmet Research Corporation Single crystal seed
EP1437426A1 (de) * 2003-01-10 2004-07-14 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Strukturen
US20050211408A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Bullied Steven J Single crystal investment cast components and methods of making same
RU2602584C1 (ru) * 2015-05-28 2016-11-20 Акционерное общество "Научно-производственный центр газотурбостроения "Салют" (АО "НПЦ газотурбостроения "Салют") Способ изготовления монокристаллических затравок
US11377753B2 (en) 2019-10-04 2022-07-05 Raytheon Technologies Corporation Arcuate seed casting method
US11383295B2 (en) 2019-10-04 2022-07-12 Raytheon Technologies Corporation Arcuate seed casting method
US11198175B2 (en) 2019-10-04 2021-12-14 Raytheon Technologies Corporation Arcuate seed casting method

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3060065A (en) * 1959-08-06 1962-10-23 Theodore H Orem Method for the growth of preferentially oriented single crystals of metals
US3264697A (en) * 1963-04-17 1966-08-09 Roehr Prod Co Inc Method of forming composite metal bodies
US3494709A (en) * 1965-05-27 1970-02-10 United Aircraft Corp Single crystal metallic part
NL151831B (nl) * 1965-06-09 1976-12-15 Philips Nv Werkwijze voor de vervaardiging van staafvormige, magnetisch anisotrope, permanente magneetlichamen met kubische kristalstructuur en een voornamelijk axiaal georienteerde (100)-richting van de kristallen.
NL6810036A (sv) * 1967-08-16 1969-02-18
US3598169A (en) * 1969-03-13 1971-08-10 United Aircraft Corp Method and apparatus for casting directionally solidified discs and the like
US3620288A (en) * 1969-06-27 1971-11-16 United Aircraft Corp Directionally solidified castings
US3759310A (en) * 1971-08-30 1973-09-18 United Aircraft Corp Nsumable electrode method and apparatus for providing single crystal castings using a co
JPS4833352A (sv) * 1971-09-02 1973-05-09
JPS4843527A (sv) * 1971-10-05 1973-06-23
US3857436A (en) * 1973-02-13 1974-12-31 D Petrov Method and apparatus for manufacturing monocrystalline articles
DE2307463C3 (de) * 1973-02-15 1979-03-01 Dmitrij Andrejevitsch Petrov Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von einkristallinen Metallgußstücken
US3859144A (en) * 1973-06-27 1975-01-07 United Aircraft Corp Method for producing nickel alloy bonding foil
FR2318679A1 (fr) * 1974-01-10 1977-02-18 Radiotechnique Compelec Procede de formation de lingots monocristallins de composes semiconducteurs
US4008052A (en) * 1975-04-30 1977-02-15 Trw Inc. Method for improving metallurgical bond in bimetallic castings
US4015657A (en) * 1975-09-03 1977-04-05 Dmitry Andreevich Petrov Device for making single-crystal products
US4005988A (en) * 1975-12-19 1977-02-01 United Technologies Corporation Interlayer for transient liquid phase diffusion bonding
CA1142839A (en) * 1978-12-13 1983-03-15 Bruce E. Terkelsen Method and apparatus for epitaxial solidification

Also Published As

Publication number Publication date
IT7928073A0 (it) 1979-12-17
DE2949532C2 (sv) 1987-12-03
DK529379A (da) 1980-06-14
BE880401A (fr) 1980-04-01
JPS5580800A (en) 1980-06-18
GB2037635B (en) 1983-01-19
BR7908121A (pt) 1980-07-29
CH651071A5 (de) 1985-08-30
IL58881A0 (en) 1980-03-31
NO154909C (no) 1987-01-14
US4289570A (en) 1981-09-15
CA1142840A (en) 1983-03-15
FR2444091A1 (fr) 1980-07-11
DE2949532A1 (de) 1980-06-26
JPS6335349B2 (sv) 1988-07-14
DK162325B (da) 1991-10-14
NL7908786A (nl) 1980-06-17
IL58881A (en) 1984-02-29
NO154909B (no) 1986-10-06
FR2444091B1 (sv) 1982-12-10
GB2037635A (en) 1980-07-16
NO794027L (no) 1980-06-16
IT1127730B (it) 1986-05-21
SE7910138L (sv) 1980-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Pollock et al. The breakdown of single-crystal solidification in high refractory nickel-base alloys
SE440515B (sv) Forfarande for riktad stelning av metallsmelta
JP4659164B2 (ja) 一方向凝固鋳造品並びにその製造方法
EP0749790B1 (de) Verfahren und Herstellung eines gerichtet erstarrten Giesskörpers und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
JPH0379103B2 (sv)
JP2010075999A (ja) 方向性凝固法及び該方法で製造される鋳造品
GB2112309A (en) Making a cast single crystal article
EP1095721B1 (en) Liquid metal cooled directional solidification process
US3939895A (en) Method for casting directionally solidified articles
Wang et al. Investigation on solidification path of Ni-based single crystal superalloys with different Ru contents
Akmal et al. Understanding the metal-mold interfacial reactions during directional solidification of superalloys using Al2O3-rich ceramic mold
US3942581A (en) Method and apparatus for casting directionally solidified articles
Cao et al. Effects of Re on surface eutectic formation for Ni-base single crystal superalloys during directional solidification
Liu et al. Structure evolution in undercooled DD3 single crystal superalloy
JPH0569079B2 (sv)
CA1068454A (en) Control of microstructure in cast eutectic articles
Wang et al. Influence of processing parameters on the solidification behavior of single-crystal CMSX-4 superalloy
EP0059550B1 (en) Method of casting
JPH07509287A (ja) 溶融無機材料の遠心により繊維を製造するための,単結晶コーティングとして造型されたスピンナおよびその製造方法
YG et al. Directional solidification of Rene 80
US3662810A (en) Method of internal nucleation of a casting
NAKAGAWA et al. Directional growth of eutectic composite by fluidized bed quenching
Grimwade Solidification and Casting
US3972746A (en) Co-Si-X aligned eutectics
US3972748A (en) Co-Si-X aligned eutectics

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 7910138-2

Effective date: 19920704

Format of ref document f/p: F