SE429796B - DEVICE FOR CONVERTING INFORMATION IN ELECTRICAL FORM TO OPTICAL FORM, OR VICE VERSA, THROUGH THE USE OF ELECTRO-OPTICAL MODULATORS - Google Patents

DEVICE FOR CONVERTING INFORMATION IN ELECTRICAL FORM TO OPTICAL FORM, OR VICE VERSA, THROUGH THE USE OF ELECTRO-OPTICAL MODULATORS

Info

Publication number
SE429796B
SE429796B SE8200123A SE8200123A SE429796B SE 429796 B SE429796 B SE 429796B SE 8200123 A SE8200123 A SE 8200123A SE 8200123 A SE8200123 A SE 8200123A SE 429796 B SE429796 B SE 429796B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
optical
modulator
light
photoconductor
information
Prior art date
Application number
SE8200123A
Other languages
Swedish (sv)
Other versions
SE8200123L (en
Inventor
T Brogardh
Original Assignee
Asea Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asea Ab filed Critical Asea Ab
Priority to SE8200123A priority Critical patent/SE429796B/en
Priority to EP82710061A priority patent/EP0083900A3/en
Priority to JP58000548A priority patent/JPS58123523A/en
Publication of SE8200123L publication Critical patent/SE8200123L/en
Publication of SE429796B publication Critical patent/SE429796B/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/30—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Description

15 20 25 8200123-1 2 Optic switehing m liquid enat-als", AIP news release, men 25, 1980). 15 20 25 8200123-1 2 Optic switehing m liquid enat-als ", AIP news release, men 25, 1980).

Dessa hysteresiseffekter kan direkt utnyttjas för erhållande av bistabila. minneselement i de skiftregisterstrukturer, som beskrivits i ovanstående patentansökanr Därigenom förenklas de i skiftregistren ingående liretsarna avsevärt och nya. Jcretskonstruktioner kan implementeras.These hysteresis effects can be directly used to obtain bistable. memory elements in the shift register structures described in the above patent application. This greatly simplifies the lyrets included in the shift registers. Jcret constructions can be implemented.

I föreliggande uppfinning presenteras således elektriskt och/eller optiskt klockade skiftregister med bistabila elektrooptiska modulatorer, vilka ut- gör de i skiftregistren ingående minneselementen. I förhållande till ovan citerade patentansökan ger detta avsevärt enklare och snabbare funktioner.Thus, in the present invention, electrically and / or optically clocked shift registers with bistable electro-optical modulators are presented, which constitute the memory elements included in the shift registers. In relation to the patent application cited above, this provides considerably simpler and faster functions.

Uppfinningen kännetecknas därav, att nämnda elektrooptiska modulatorer be- står av ett material med inneboende hysteresis i sambandet mellan modulator- spänning (U) och ljustransmission (T), att nämnda modulatorer befinner sig i strålgången mellan minst en ljuskälla och nämnda fotodetektorer, där minst en fotodetektor är placerad från ljuskàlllan sett bakom varje modulator, att nämnda modulatorer på. sin ena sida är försedda med en från övriga modulator- elektroder isolerad elektrod, som bestämmer modulatorns geometriska utbred- ning, samt att nämnda fotodetektorer är elektriskt anslutna till nämnda elektrod hos minst en modulator, som är placerad i närheten av den module,- tor, som nämde. fotodetektor är optiskt placerad bakom. Genom att den elektrooptiska återkopplingen blir överflödig komer dieplaystrukturen att bli enklare, samtidigt som adresseringen har potentialen att bli snabbare.The invention is characterized in that said electro-optical modulators consist of a material with inherent hysteresis in the connection between modulator voltage (U) and light transmission (T), that said modulators are in the beam path between at least one light source and said photodetectors, where at least one photodetector is placed from the light source seen behind each modulator, that said modulators on. one side is provided with an electrode isolated from other modulator electrodes, which determines the geometric extent of the modulator, and that said photodetectors are electrically connected to said electrode of at least one modulator, which is located in the vicinity of the module, - tor, who mentioned. photodetector is optically located behind. As the electro-optical feedback becomes redundant, the dieplay structure will be simpler, at the same time as the addressing has the potential to be faster.

Uppfinningen är närmare beskriven i anslutning till figurerna 1-6, av vilka figur 1 visar en typisk hystereskurva för en smektisk flytande flytande- lqistall-modulatom där X-axeln utgör modulatorspänningen (U) och Y-axeln ljustransmissionen (T).The invention is described in more detail in connection with Figures 1-6, of which Figure 1 shows a typical hysteresis curve for a smectic liquid liquid crystal modulator where the X-axis constitutes the modulator voltage (U) and the Y-axis the light transmission (T).

Figur 2 visar ett elektriskt klockat skiftregister med bistabila minnes- element och figurerna 3-5 visar hur ett sådant skiftregister teknologiskt realiseras.Figure 2 shows an electrically clocked shift register with bistable memory elements and Figures 3-5 show how such a shift register is technologically realized.

Slutligen visas i figur 6 ett optiskt klockat skiftregister.Finally, Figure 6 shows an optically clocked shift register.

Enligt figur 1, som komer att användas vid genomgången av fimktionen hos skiftregistret i figxm 2, ger en modulatorspäzzning U =-. H1 en låg transmis- sion. Om U ökas till U är fortfarande 'l' låg, men då. U = 113 erhålles ett 2 högt värde på T, som bibehålles högt även sedan U sänkts till H2. 10 15 -4I v 8200123-1 Grundmnktionen vid informaticnsinmatning och informationsförflyttning fram- går av figur 2, där I1a, b, c etc utgör de elektrooptiska modulatorelementen med inneboende hysteresis enligt figur 1. 2a., b, c etc är de fotoledare, som överför transmissionstillståndet från ett minneselement till ett annat, 4, 5 de spänningskällor, som styr informationsförflyttningen, 6 den spänningskälla, som står för informationsinmatningen, samt 7 den spänningskälla, som försörjer fotomotstånden 2. I det följande används nedanstående beteckningar: fotoledarresistans (för 2) š HTC för fotoledare 2a zå” fotoledarens 2 mörkerresistans f 3: s resistans modulatorspänningen (över 1 ) Således är t ex b vnb: bRo e 'v4'v1 Ru *BPc Inmatning och förflyttning av ett tillstånd med hög modulatortransnission kan följa. nedanstående sekvens: 1. V1 nöjes ett ett v a = U 2.V M 2 5 och va nöjes så ett eemtlige vnfi 111 (nelletällnmg) t 3. va etmkee ea ett v; = 115, vnb = U , v; = H2 ete. 2 höjee så ett v; = H2 (B), vM° e 111, b VM=U 2 .. b a 5. v1eexfleee så ett vM = U v ° = H2, vn e 112m TM 6. V3 M .. b eenkee så ett v a = 111 (n), vM - H2 (n), v; e H2 (t) rs' 10 15 25 4 8200123-1 b ' d ' d. ' 7. V1 hoges och V4 IhoJes så att VM = 1 , VM = H1 och VMG = V5 =>1VM = H2 s. v 4 sämses så ett vMb = H1, vM° = H2 een vMd s H2 ett.According to Fig. 1, which will be used in the review of the function of the shift register in Fig. 2m, a modulator voltage U = - gives. H1 a low transmission. If U is increased to U, 'l' is still low, but then. U = 113, a 2 high value of T is obtained, which is maintained high even after U is lowered to H2. The basic function for information input and information transfer is shown in Figure 2, where I1a, b, c, etc. constitute the electro-optical modulator elements with inherent hysteresis according to Figure 1. 2a, b, c, etc. are the photoconductors which transfers the transmission state from one memory element to another, 4, 5 the voltage sources that control the information transfer, 6 the voltage source that is responsible for the information input, and 7 the voltage source that supplies the photoresistors 2. In the following, the following terms are used: photoconductor resistance (for 2) š HTC for photoconductor 2a zå ”the dark resistance of the photoconductor 2 f 3 resistance of the modulator voltage (above 1) Thus, for example, b vnb: bRo e 'v4'v1 Ru * BPc Input and movement of a state with high modulator transmission may follow. the following sequence: 1. V1 is satisfied a ett v a = U 2.V M 2 5 and va is satisfied so a eemtlige vn fi 111 (nelletällnmg) t 3. va etmkee ea a v; = 115, vnb = U, v; = H2 ete. 2 höjee so a v; = H2 (B), vM ° e 111, b VM = U 2 .. ba 5. v1eex fl eee so one vM = U v ° = H2, vn e 112m TM 6. V3 M .. b eenkee so one va = 111 ( n), vM - H2 (n), v; e H2 (t) rs '10 15 25 4 8200123-1 b' d 'd.' 7. V1 hoges and V4 IhoJes so that VM = 1, VM = H1 and VMG = V5 => 1VM = H2 s. v 4 so a vMb = H1, vM ° = H2 een vMd s H2 ett.

Alternativt kan tidskonstanten hos modulatorns switchprocess utnyttjas, var- via v4 håues konstant (z-fes kleemingh 1. V och V höjes så. att samtliga V f. U (nollställning) 1 2 M 1 2. v; nöjes så ett v; = H2 3. V2 sänkes så ett vMa = H , v11°'°'g'°”°° s H2, vMb = H2, vMm' = H1 t b '- 4. v2 notes så ett v; = H2, vm°'e*g'e ° = H1, VM = H2, vMm' s H1 .. b a h t 5. v1 senkes så ett HM s. H5, vM J' 'e ° = H2, v11° = H2, v11 s H1 s. vi seskes så ett vrf' = H , vMb = H2 (tillstånd s) 7. V2 sáIIkes så att VM° = 'H3 samtidigt som V1 höjes så. att VMb'd"f'et° = U1.Alternatively, the time constant of the modulator's switching process can be used, via which v4 is kept constant (z-fes kleemingh 1. V and V are raised so that all V f. U (zero) 1 2 M 1 2. v; H2 3. V2 is lowered so that a vMa = H, v11 ° '°' g '° ”°° s H2, vMb = H2, vMm' = H1 tb '- 4. v2 notes so a v; = H2, vm °' e * g'e ° = H1, VM = H2, vMm's H1 .. baht 5. v1 then lowered one HM s. H5, vM J '' e ° = H2, v11 ° = H2, v11 s H1 s. vi seskes so ett vrf '= H, vMb = H2 (state s) 7. V2 sáIIkes so that VM ° =' H3 at the same time as V1 is raised so that VMb'd "f'et ° = U1.

Hâïr utnyttjas således modulatorernas tídsfördröjning, dvs att en modu- lator övergår snabbare från tillstånd A till tillstånd I) än från till- . t ' stånd B till n. vMa'°'@'° ° = H2, vMå s H2 e. H2 nöjes så ett v11° = H2, vMa'°'5'°*° = H2 Således kan informationen matas in av spänningskällan 6 och förflyttas åt höger i figuren genom växelvis sänlcning och höjning av V1 och V2.Thus, the time delay of the modulators is utilized, ie a modulator transitions faster from state A to state I) than from on-. t 'position B to n. vMa' ° '@' ° ° = H2, vMå s H2 e. H2 is satisfied so that a v11 ° = H2, vMa '°' 5 '° * ° = H2 Thus the information can be input from the voltage source 6 and is moved to the right in the figure by alternately lowering and raising V1 and V2.

I figur 3 visas elektrodmönstret för koppling av spänningskällorna 4 och 5 till modulatorerna 1a, b, c etc. Varannan modulator är ansluten till 4 och varannan till 5, vilket i figur 3 har gjorts medelst fingerformade elektro- der 8 resp 9.Figure 3 shows the electrode pattern for connecting the voltage sources 4 and 5 to the modulators 1a, b, c, etc. Every other modulator is connected to 4 and every other to 5, which in figure 3 has been done by means of finger-shaped electrodes 8 and 9, respectively.

Om eleyrtroderna enligt figur 5 är förlagda på modulatorskiktets ovansida, så. kommer de elektriska laetsarna att förläggas till dess undersida enligt fig 4. spänningskälien 7 (se fis 2) är kepplea mellan ae elektriska least-ne 1o sen 11, i punkt 15 är motståndet 3 anslutet till ledaren 10 och i punkt 14 är fotoledaren 2 ansluten till ledaren 11. Mittpunkten mellan motståndet 3 och 1 v: 10 15 25 50 a2oo12z-1 fotoledaren 2 är anslutet i elektroden 12 i punkten 15. Mellan elektroderna (8, 9) i figur 5 och elektroderna. 12 i figur 4 genereras VM. Samtidigt kom- mer elektroderrza 12 att definiera minneselementens laterala utsträckning.If the eleyr rods of Figure 5 are located on the top of the modulator layer, then. the electrical conductors will be placed on its underside according to Fig. 4. the voltage source 7 (see Fig. 2) is connected between ae electrical least 1 ne sen 11, in point 15 the resistor 3 is connected to the conductor 10 and in point 14 the photoconductor 2 is connected to the conductor 11. The center point between the resistors 3 and 1 v: 10 a2oo12z-1 the photoconductor 2 is connected in the electrode 12 at the point 15. Between the electrodes (8, 9) in Figure 5 and the electrodes. 12 in Figure 4, the VM is generated. At the same time, the electrode wire 12 will define the lateral extent of the memory elements.

I figur 5 visas ett snitt av strukturen enligt figur 3 och 4 med följande skikt: 16 - transparent platta, t ex glas eller kvarts 17 - isolatorskikt, t ex SiO2 18 - ljuspolariserande skikt 8 - transparent elektrod 9- -«- 20 - flytande kristall med hysteresis 21 - ljuspolariserande skikt 22 - isolatorskikt, t ex S102 12 - transparent elektrod 25 - isolatorskikt, t ex S102 2 - fotoledare, t ex CdS 5 - tunnfilmsmotstånd 24 - substrat, t ex glas eller kvarts Slutligen visas i figur 6 hur ett skiftregister enligt figur 2 kan modifi- eras för optisk klockning. Fotoledarna 2a, b, c etc har här försetts med optiska filter 26a, b, c etc, som är avstämda till emissionsljus ln-ing våg- längderna /\1, Äe och A5, vilket genereras av ljuskällorna 27, 28 resp 29.Figure 5 shows a section of the structure according to Figures 3 and 4 with the following layers: 16 - transparent plate, eg glass or quartz 17 - insulator layer, eg SiO2 18 - light polarizing layer 8 - transparent electrode 9- - «- 20 - liquid crystal with hysteresis 21 - light polarizing layer 22 - insulator layer, eg S102 12 - transparent electrode 25 - insulator layer, eg S102 2 - photoconductor, eg CdS 5 - thin film resistor 24 - substrate, eg glass or quartz Finally, figure 6 shows how a shift register according to figure 2 can be modified for optical clocking. The photoconductors 2a, b, c, etc. have here been provided with optical filters 26a, b, c, etc., which are tuned to emission light ln-ing the wavelengths / \ 1, Äe and A5, which are generated by the light sources 27, 28 and 29, respectively.

För erhållande av kopplingssignal mellan närliggande minneselement används en ljuskälla 25 (som även finns i figur 1, men där ej är utritad). I stället för att som i figur 2 med spänningskällorna 4 och 5 generera en sekvens av höga och låga spänningar för klockning av informationen genereras i figur 6 ' en sekvens av höga och låga ljusintensiteter vid våglängdernalÄv Ãz och X5. Genom uttrycket vrfïíg: V4 ovRPc erhålles samma möjligheter att ändra VM med ljuskällorna. 27-29 som med spän- ningskällorna 4 och 5 i figur 2.To obtain a connection signal between adjacent memory elements, a light source 25 (which is also found in Figure 1, but where it is not drawn) is used. Instead of generating a sequence of high and low voltages for clocking the information, as in Figure 2 with the voltage sources 4 and 5, a sequence of high and low light intensities is generated in Figure 6 'at wavelengths N1 and X5. The expression vrfïíg: V4 ovRPc gives the same possibilities to change the VM with the light sources. 27-29 as with the voltage sources 4 and 5 in figure 2.

Telmiken kan inom ramen för nedanstående patentkrav varieras på en mångfald olika sätt. Speciellt bör påpekas möjligheten att optiskt direkt läsa inWithin the framework of the following claims, Telmiken can be varied in a variety of different ways. Special mention should be made of the possibility of optically reading directly

Claims (12)

28200123 -1 information till minne elementen via fotoledare (jfr figur 6), vilket kan äga tillämpningar för tvådimensionella optiska sensorer och optoprocessorer. vidare kan varje minneselement förses med spektralt kodade fotoledare (med flera optiska. filter), vilket möjliggör spektral adressering. Uppfinningen kan varieras på mångahanda sätt inom ramen för nedanstående pat entkxav. PATENTKBAV28200123 -1 information to the memory elements via photoconductor (cf. figure 6), which may have applications for two-dimensional optical sensors and optical processors. furthermore, each memory element can be provided with spectrally coded photoconductors (with several optical filters), which enables spectral addressing. The invention can be varied in many ways within the scope of the following pat entcxav. PATENTKBAV 1. Anordning för omvandling av information i elektrisk form till optisk form eller vice versa, där den optiska informationen utgöres av i en eller flera geometriska dimensioner ooh/eller i tiden. varierande ljusintensitet, eller ljuspolarisation eller spektralsammansättning eller en kombination av minst tvâ. av dessa parametrar, och där omvandlingen av information är an- ordnad att utföras av elektrooptiska modulatorer, bestående av t ex flytande ln-istaller, och fotodetektorer, som t ex fotoledare, k ä. n n e t e c k n a. d därav, att nämnda elektrooptiska modulatorer (1) består av ett material med inneboende hysteresis i sambandet mellan modulatorspänning (U) och ljus- transmission (m), att nämnas msaulatorer (1) befinner sig i stråigängen mellan minst en ljuskälla (25) och nämnda fotodetektorer, där minst en foto- detektor (2) är placerad från ljuskällan sett bakom varje modulator (1), att nämnda modulatorer på sin ena sida är försedda med en från övriga modu- latorelektroder isolerad elektrod (12), som bestänmer modulatorns geometriska utbredning, samt att nämnda fotodetektorer (2) är elektriskt anslutna till nämnda elektrod (12) hos minst en modulator (t ex 1c), som är placerad i närheten av den modulator (1b), som nämnda fotodetektor (2) är optiskt placerad bakom.Device for converting information in electrical form into optical form or vice versa, wherein the optical information consists of in one or more geometric dimensions ooh / or in time. varying light intensity, or light polarization or spectral composition or a combination of at least two. of these parameters, and wherein the conversion of information is arranged to be performed by electro-optical modulators, consisting of, for example, floating ln-instals, and photodetectors, such as photoconductors, characterized a. d., said electro-optical modulators ( 1) consists of a material with inherent hysteresis in the connection between modulator voltage (U) and light transmission (m), said msulators (1) being located in the straw thread between at least one light source (25) and said photodetectors, where at least one photodetector detector (2) is located from the light source seen behind each modulator (1), that said modulators on their one side are provided with an electrode (12) isolated from other modulator electrodes, which determines the geometric extent of the modulator, and that said photodetectors (2 ) are electrically connected to said electrode (12) of at least one modulator (eg 1c), which is located in the vicinity of the modulator (1b), which said photodetector (2) is optically placed behind. 2. Anordning enligt patentkrav 17, k ä n n e t e c k n a d. därav, att nämnda optiska modulatorer (1a, b, c etc) genom nämnda hysteres inom ett givet modulatorspännirxgsintervall kan antaga två olika tillstånd med låg respektive hög ljustransmission samt att de av nämnda fotodetektorer (2) optoelektriskt sammankopplade modulatorerna elektriskt och/ eller optiskt kan styras sekventiellt mellan nämnda tillstånd. .Device according to claim 17, characterized in that said optical modulators (1a, b, c, etc.) by said hysteresis within a given modulator voltage range can assume two different states with low and high light transmission, respectively, and that those of said photodetectors ( 2) the optoelectrically connected modulators can be electrically and / or optically controlled sequentially between said states. . 3. 5. Anordning enligt patentkrav 2, k ä. n n e t e c k n a d därav, att nämnda elektrooptiska modulatorer (1a, b, c etc), i det följande benämnda minneselement, bildar ett skiftregister, i vilket information skiftas genom elektrisk och/ eller optisk klockning. a2óo12s-1 7Device according to claim 2, characterized in that said electro-optical modulators (1a, b, c, etc.), hereinafter referred to as memory elements, form a shift register, in which information is shifted by electrical and / or optical clocking. a2óo12s-1 7 4. Anordning enligt patentkrav 2, k ä. n n e t e c k n a d därav, att nämnda mirmeselement utgöres av flytande kristall-material, som på vardera. sidan försetts med elektrodmönster (8, 9, 12) för generering av modulator- spänning (U), att minneselementens geometriska utformning i huvudsak bestäm- mes av elektrodmönstret (12) på. den sida av flytande kristallen som nämde fotodetektorer är placerade på, att det sistnämda elektrodmönstret utgöres av från varandra isolerade öar (12) samt att dessa öar elektriskt anslutes till snämfingsdelare, bestående av nämnda fotoledare (2) och motstånd (5) anordnat att ha. mindre känslighet än nämnda fotoledare för det ljus nämnda fotoledare avkänner.4. Device according to claim 2, characterized in that said myrrh element consists of liquid crystal material, which on each. side is provided with electrode patterns (8, 9, 12) for generating modulator voltage (U), that the geometric design of the memory elements is mainly determined by the electrode pattern (12) on. the side of the liquid crystal which said photodetectors are located on, that the latter electrode pattern consists of islands (12) isolated from each other and that these islands are electrically connected to narrowing dividers, consisting of said photoconductor (2) and resistors (5) arranged to have. less sensitivity than said photoconductor to the light said photoconductor senses. 5. Anordning enligt patentkrav 4, k ä n n e t e c k n a d därav, att nämnda motstånd (5) är av tunn- eller tjockfilmstyp och/eller utgöres av impedansen mellan modulatorelektrodezcna (8, 9, 12). 'Device according to claim 4, characterized in that said resistor (5) is of the thin or thick film type and / or consists of the impedance between the modulator electrodes (8, 9, 12). ' 6. Anordning enligt patentkrav 4, k ä, n n e t e c k n a d därav, att mirmeselementens transmissionstillstånd övreföres mellan de optoelektriskt sanzmankopplade minneselementen genom att nämnda elektroder (12) och spän- ningsdelare (2, 5) är elektriskt anslutna till spänningskällor (4, 5, 7), vars utspänningar varieras i en bestämd följd.Device according to claim 4, characterized in that the transmission state of the memory elements is transmitted between the optoelectrically connected memory elements by said electrodes (12) and voltage dividers (2, 5) being electrically connected to voltage sources (4, 5, 7). , whose output voltages are varied in a certain order. 7. Anordning enligt patentkrav 6, k ä n n e t e c k n a d därav, att vartannat, vart 3:e eller vart 4:e etc minneselement är anslutet till en gemensam spänningskälla, varvid de 2, 3, 4 etc syänningskällorna genøm selektivt styrd utspänning användes för klockning av infomationsöverför- ingen .Device according to claim 6, characterized in that every second, every 3rd or every 4th etc memory element is connected to a common voltage source, wherein the 2, 3, 4, etc. sources are used by selectively controlled output voltage for clocking information transfer. 8. Anordning enligt patentkrav 7, k ä n n e t e c k n a d därav, att vartannat minneselement är anslutet till en spänningskälla (4) och övriga _ vartannat till en armen spänningskälla (5) via. två sammanflikade finger- elektrodmönster (8, 9) på. den sida av den flytande kristallen som ljuset från nämnda ljuskalia (25) infaller.Device according to claim 7, characterized in that every other memory element is connected to a voltage source (4) and the rest _ every other to an arm voltage source (5) via. two interlaced finger electrode patterns (8, 9) on. the side of the liquid crystal to which the light from said light bulb (25) is incident. 9. Anordning enlig-t patentkrav 4, k ä n n e t e c k n a d därav, att nämnda fotoledare (2) och/eller en eller flera med nämnda fotoledare serie- och/eller parallellkopplade ïotoledare är försedda med optiska filter (26), där vartannat, vart tredje etc mirmeselements optiska. filter (26) har inom minst ett våglängdsområde samma spektrala transmissionskarakteristikor. . i 8200123-1Device according to claim 4, characterized in that said photoconductor (2) and / or one or more photoconductors connected to said photoconductor in series and / or parallel conductors are provided with optical filters (26), where every other, every third etc optical elements. filters (26) have the same spectral transmission characteristics within at least one wavelength range. . and 8200123-1 10. Anordning enligt patentkrav 9, k ä n n e t e c k n a d därav, att nämnda skiftregistei-"klockas optiskt genom att ljusstyrkan hos 2, 3 etc ljuskâlloi- (27, 28, 29) med skilda emissionsspektra höjes och sänkes i än bestämd sekvens, samt att nämnda emissionsspektra. är anpassade till nämnda filters (26) transmissionsspektra för erhållande av en selektiv belysning av nåünnda. fotoledare (2).10. A device according to claim 9, characterized in that said shift register is optically clocked by raising and lowering the brightness of 2, 3, etc. light callers (27, 28, 29) with different emission spectra in a particular sequence, and that said emission spectra are adapted to the transmission spectra of said filters (26) in order to obtain a selective illumination of the current photoconductor (2). 11. Anordning enligt patentkrav 5, k ä. n n e t e c k ma. d därav, att nämnda skiftregister klockas med Z-fas klockningsschema, varvid tids- konstanten för modulatorswitchnázxgen utnyttjas för förhindrande av okon- trollerad informationsöverföring.Device according to claim 5, characterized in that. d due to the fact that said shift register is clocked with a Z-phase clocking scheme, whereby the time constant for modulator switchnázxgen is used to prevent uncontrolled information transmission. 12. Anordning enligt patentkrav 3, k ä n n e t e c k n a d därav, att nämnda skiftregister klockas med š-fas klockningsschema, varvid överför- ingen av modulatortillståndet mellan två sammankopplade minneselement kan utföras isolerat utan risk för infomationssprídning till andra kringligg- ande minneselement.Device according to claim 3, characterized in that said shift register is clocked with a š-phase clocking scheme, wherein the transfer of the modulator state between two interconnected memory elements can be performed in isolation without risk of information spreading to other surrounding memory elements.
SE8200123A 1982-01-12 1982-01-12 DEVICE FOR CONVERTING INFORMATION IN ELECTRICAL FORM TO OPTICAL FORM, OR VICE VERSA, THROUGH THE USE OF ELECTRO-OPTICAL MODULATORS SE429796B (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8200123A SE429796B (en) 1982-01-12 1982-01-12 DEVICE FOR CONVERTING INFORMATION IN ELECTRICAL FORM TO OPTICAL FORM, OR VICE VERSA, THROUGH THE USE OF ELECTRO-OPTICAL MODULATORS
EP82710061A EP0083900A3 (en) 1982-01-12 1982-12-31 Device for the conversion of information from the electric into the optical form and/or vice versa
JP58000548A JPS58123523A (en) 1982-01-12 1983-01-07 Electrooptic information converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8200123A SE429796B (en) 1982-01-12 1982-01-12 DEVICE FOR CONVERTING INFORMATION IN ELECTRICAL FORM TO OPTICAL FORM, OR VICE VERSA, THROUGH THE USE OF ELECTRO-OPTICAL MODULATORS

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE8200123L SE8200123L (en) 1983-07-13
SE429796B true SE429796B (en) 1983-09-26

Family

ID=20345687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8200123A SE429796B (en) 1982-01-12 1982-01-12 DEVICE FOR CONVERTING INFORMATION IN ELECTRICAL FORM TO OPTICAL FORM, OR VICE VERSA, THROUGH THE USE OF ELECTRO-OPTICAL MODULATORS

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0083900A3 (en)
JP (1) JPS58123523A (en)
SE (1) SE429796B (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62178489U (en) * 1986-04-30 1987-11-12

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB856960A (en) * 1958-04-16 1960-12-21 Ncr Co Data storage units and logical circuit devices employing a combination of such units
DE2141298C3 (en) * 1970-09-10 1974-10-24 Bbc Ag Brown, Boveri & Cie, Baden (Schweiz) Opto-electronic display device
SE425822B (en) * 1981-04-02 1982-11-08 Asea Ab DEVICE FOR CONVERTING INFORMATION IN ELECTRICAL FORM TO OPTICAL FORM AND / OR VICE VERSA

Also Published As

Publication number Publication date
SE8200123L (en) 1983-07-13
EP0083900A3 (en) 1985-05-22
JPS58123523A (en) 1983-07-22
EP0083900A2 (en) 1983-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104133336B (en) Integrated optics digital analog converter on piece based on silica-based nanowire waveguide
US8462420B2 (en) Tunable plasmonic filter
EP0239220A1 (en) Electro-optic phase shifter with reduced input capacitance
US3940201A (en) Storage-type electro-optical modulator
Palm et al. Modular chip-integrated photonic control of artificial atoms in diamond waveguides
KR20100071843A (en) Electrophoretic display device using photo sensor
US20170351087A1 (en) Photonic Modulator and Switch
US4577189A (en) Circuits with electro-optical feedback for display and a digitizer application
Drake PLZT matrix-type block data composers
Nicoll et al. Large area high-current photoconductive cells using cadmium sulfide powder
JPH07168201A (en) Integration type electro-optical liquid crystal device and method using this device
WO2022060858A1 (en) Electrically-reconfigurable high quality factor metasurfaces for dynamic wavefront shaping
Gherabli et al. CMOS-compatible electro-optical SRAM cavity device based on negative differential resistance
SE429796B (en) DEVICE FOR CONVERTING INFORMATION IN ELECTRICAL FORM TO OPTICAL FORM, OR VICE VERSA, THROUGH THE USE OF ELECTRO-OPTICAL MODULATORS
Jared et al. Electrically addressed spatial light modulator that uses a dynamic memory
Soref Electrooptic 4× 4 matrix switch for multimode fiber-optic systems
EP0437596A1 (en) Scanner.
NL8202552A (en) IMAGE SCREEN.
JP2856952B2 (en) Optical arithmetic unit
CN116149086B (en) Multi-order optical modulator and modulation method for on-chip optical matrix calculation
GB2161952A (en) Optical processors
McKnight et al. Analog distorted helix ferroelectric liquid-crystal-on-silicon spatial light modulator
EP3704544B1 (en) Reconfigurable integrated optical microswitch device
RU2091845C1 (en) Image converter
SU650088A1 (en) Optical device for discriminating contours of binary images

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 8200123-1

Effective date: 19901211

Format of ref document f/p: F