SE429614B - Uhf-plasmatronanleggning for framstellning av finfordelade pulver - Google Patents

Uhf-plasmatronanleggning for framstellning av finfordelade pulver

Info

Publication number
SE429614B
SE429614B SE8205703A SE8205703A SE429614B SE 429614 B SE429614 B SE 429614B SE 8205703 A SE8205703 A SE 8205703A SE 8205703 A SE8205703 A SE 8205703A SE 429614 B SE429614 B SE 429614B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
plasma
starting materials
uhf
discharge
finely divided
Prior art date
Application number
SE8205703A
Other languages
English (en)
Other versions
SE8205703L (sv
SE8205703D0 (sv
Inventor
Nikolai Ivanovich Chebankov
Georgy Vasilievich Lysov
Ivan Ivanovich Devyatkin
Vladimir Nikolaevich Troitsky
Viktor Ivanovich Berestenko
Evgeny Alexeevich Petrov
Leonid Nikolaevich Petrov
Vladimir Ivanovich Matorin
Alexandr Lazarevich Suris
Zhan Iosifovich Dzneladze
Original Assignee
Chebankov Nikolai I
Lysov Georgy V
Devyatkin Ivan I
Troitsky Vladimir N
Berestenko Viktor I
Petrov Evgenij A
Petrov Leonid N
Matorin Vladimir I
Suris Alexandr L
Zhan Iosifovich Dzneladze
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chebankov Nikolai I, Lysov Georgy V, Devyatkin Ivan I, Troitsky Vladimir N, Berestenko Viktor I, Petrov Evgenij A, Petrov Leonid N, Matorin Vladimir I, Suris Alexandr L, Zhan Iosifovich Dzneladze filed Critical Chebankov Nikolai I
Priority to SE8205703A priority Critical patent/SE429614B/sv
Publication of SE8205703D0 publication Critical patent/SE8205703D0/sv
Publication of SE8205703L publication Critical patent/SE8205703L/sv
Publication of SE429614B publication Critical patent/SE429614B/sv

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90Carbides
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/122Incoherent waves
    • B01J19/126Microwaves
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B5/00Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
    • B05B5/06Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means using electric arc
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/20Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state
    • C01B13/22Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state of halides or oxyhalides
    • C01B13/28Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state of halides or oxyhalides using a plasma or an electric discharge
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B31/30
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0894Processes carried out in the presence of a plasma
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/076Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with titanium or zirconium or hafnium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

15 20 25 30 35 40 àzøsvoz-5 2 utbreder sig en urladdningsinitierande våg av H10-typ genom en rektangelformad vågledare, varvid ett dielektriskt urladdnings- rör är fört tvärs över vågledarens breda vägg. Energins huvud- andel avges i urladdningen på generatorsidan, vilket ~ på grund av att urladdningar utbreder sig i den riktning som fältstyrkan ökar - leder till att urladdningen förskjuter sig i riktning mot urladdningsrörets vägg, varför urladdningsröret överhettas.
En UHF-plasmatron är känd (jämför exempelvis den amerikanska patentskriften 3 417 287), vilken innefattar dels en koaxial- vågledarövergâng, dels en koaxialledning med ytter- och cent- rumledare och dels en urladdningskammare. Medelst den effekt, som uttages från en rektangelformad vâgledare, alstrar i koaxial- kanalen man med hjälp av koaxialvågledarövergângen en elektro- magnetisk våg med symmetrisk struktur av s.k. TEM-typ. I denna ïplasmatron fungerar urladdningen som förlängning av koaxialled- ningens centrumledare. Genom att dels fälten är högt symmetriska och dels fältets elektriska komposant ökar i riktning mot cent- rumet får urladdningen hög elektrodynamisk stabilitet. Förekomsten av TEM-vägens radiella komposant minskar emellertid denna kända plasmatrons överslagshållfasthet, varjämte den effekt, som skall införas i urladdningen i denna plasmatron, är låg. Användnings- området för plasmatronen med dylikt sätt att initiera urladd- ningen begränsas emellertid till spektroskopiändamålen.
Anläggningar för framställning av finfördelade pulver av svår- smälta ämnen i ett ljusbågurladdningsplasma är kända (jämför exem- pelvis den amerikanska patentskriften 3 812 239 och den franska patentskriften 2 154 949), vilka består av en s.k. ljusbågplas- matron, en enhet för införande av utgångsämnen, en reaktor och en anordning för uppsamling av pulver. En medelst en ljusbåge alstrad plasmastrâle är, tekniskt sett, mest lättillgänglig och förhållandevis billig att åstadkomma. Alla processtekniska problem kan emellertid ej lösas framgångsrikt medelst ljusbågplasmaalstra- re. I de fall, då man önskar erhålla mycket rena pulver, får elektroderna ej erodera. Ej heller godtages elektrodernas förhål- landevis låga beständighet i aggressiva gasmedier (syrgas, klorf klorväte, klorider). Tvärsnittsytan hos urladdningskanalen i dy- lika plasmatroner är dessutom, i regel, liten, varför plasmat strömmar ut med hög hastighet (ca 103 m/s). 10 1,5 20 25 50 55 HO sáosvos-5 3 När ljusbâgplasmatronerna användes vid anläggningar för framställning av pulver av svàrsmälta föreningar, är därför uppehållstiden för utgângsämnena i en zon, där höga tem- peraturer uppträder, högst 10"3-10_u s, vilket resulterar i en förhållandevis låg omvandlingsgrad för utgângsämnena till slutprodukten, varigenom denna förorenas ytterligare.
Problemet med att eliminera föroreningen löses delvis ge- nom att för nämnda ändamål använda elektrodlösa HF- och UHF-plasmatroner.
En anläggning för framställning av finfördelade pulver av svårsmälta nitrider, karbider, oxider, etc i ett UHF- urladdningsplasma är känd (jämför exempelvis V N Troizky, B M Grebzov, S V Gourov "Syntes av sammansatta nitrider i ett lâgtemperaturplasma" i samlingsverket "Högtemperatur- syntes och egenskaper hos svårsmälta metaller", Riga, "Zi- natne", 1979, s 51-69). Denna kända anläggning_innefattar en UHF-plasmatron med urladdningskammare, en enhet för in- förande av utgångsämnen, en reaktor, ett filter och en pulveruppsamlingsbehållare.
Den ovan nämnda kända anläggningen är baserad på en elek- trodlös UHF-plasmatron, som utgöres av en vågledarkoaxial- övergång, där en s k plasmasträng fungerar som centrumledare i koaxialledningen. Plasmatronen är avsedd för uppvärmning av en stationär ström av kvävgas, syrgas eller luft till en s k medelmassatemperatur av 2000 - 5500 K. Urladdningen stabiliseras och formas längs centrumaxeln för plasmatronens kvartsurladdningskammare medelst ett gasdynamiskt förfarande genom vridning av en plasmaalstrande gasström. En ström av ett uppvärmt energiöverföringsmedel, som i regel sam- tidigt utgör en av de kemiska reaktanterna, införes i form av en s k högtemperaturfackla från plasmatronen i enheten för införande av utgångsämnen och vidare in i reaktorn.
Den med plasmatronen förbundna enheten för införande av ut- gångsämnen utgöres av ett ringformat uppsamlingsrör, vari- från reaktionsblandningen genom ett system av radiella hål 8205703-5 10 15 20 25 30 35 H0 4 inmatas i reaktionsbehâliären, i form av s k steggasstrålar, som är riktade vinkelrätt eller lutar en viss vinkel mot plasmaströmmen.
Högtemperaturgasströmmen inmatas vidare tillsammans med utgångsämnena i reaktionsbehâllaren, där dessa ämnen blandas, uppvärmes och bringas att reagera med varandra, vilket leder till bildande av slutprodukten. I reaktionsbehållaren stel- nar dessutom partiklar av finfördelat pulver. Reaktionsbe- hållaren har formen av en cylindrisk, vattenkyld metallkam- mare, vari ett rör av värmebeständigt material (exempelvis grafít eller kvarts) är anordnat utan att det är i kontakt med kammarens kalla väggar.
Gas-dammströmmen strömmar ut från reaktionsbehållaren in i filtret för avskiljning av det finfördelade pulvret. Filtret t utgöres av ett slangtygfilter, varifrån det utfällda pulvret _periodvis (satsvis) kan bortskakas till uppsamlingsbehålla- ren och utmatas hermetiskt tätt.
Eftersom UHF-plasmatronen bildar en roterande plasmaalstran- de gasström kan en blandning av bestämda ämnen - i och för effektivare uppvärmning - omedelbart inmatas i plasmatronens urladdningskammare utan att störa de stabila brinningsför- hållandena för urladdningen genom försämring av plasmatro- nens anpassning till vågledarna och utan att riskera att kvartsurladdningsröret genombrännes genom att reaktions- produkterna i fast fas utfälles på urladdningsrörets yta under inverkan av från strömmens vridning härrörande centri- fugalkrafter. Av samtliga skäl måste blandningen av utgångs- ämnena införas i utrymmet under urladdningsfacklan.
Genom att enheten för införande av utgångsämnen - i avsevärd grad på grund av plasmatronens konstruktiva utformning - är uppbyggd i form av ett ringformat uppsamlingsorgan, kan endast gas- eller ångformiga ämnen med låg kokpunkt inmatas effektivt, varvid pulverformiga material i-fast fas är svåra att inmata medelst denna enhet, då pulvret utfälles på upp- samlingsorganets väggar och uppsamlingsorganet eventuellt 10 15 20 25 30 35 40 8205703-5 kan tilltäppas. Detta begränsar den kända anläggningens möjlig- heter vad beträffar sortimentet av de material, som skall erhållas.
När utgångsämnena införes i plasmaflödet radiellt, får dessutom de flöden, som skall blandas med varandra, om urladdningen stabi- liseras virvelmässigt, gasdynamisk instabilitet, varjämte en av- sevärd mängd utgångsämnen bortföres till förhållandevis kalla områden, vilket minskar utbytet av det framställda pulvret, ökar energiförbrukningen för pulverframställningen och leder till att pulvret förorenas av de icke omsatta utgângsämnena och reaktions- mellanprodukterna.
Eftersom reaktionsbehâllarens kanal måste ha en tämligen stor längd för att värmeväxlings- och massabytesförloppen skall kunna genomföras effektivare i reaktionsblandningen, vilket resulterar i en högre kemisk omvandlingsgrad för utgângsämnena, utfälles en avsevärd del av det finfördelade pulvret på reaktionsbehållarens kanalväggar, varför kanalens genomströmningsyta minskar gradvis och anläggningens kontinuerliga drifttid blir kortare.
Det huvudsakliga syftet med föreliggande uppfinning är att åstad- 'hmma aiümßenlägpfingneå en plasmatron för framställning av fin- fördelade pulver, vilken anläggning genom bättre elektrodynamisk stabilisering av UHF-urladdningen samt genom ökning av plasmatro- nens effekt får högre verkningsgrad och längre kontinuerlig drift- tid, samtidigt som de framställda finfördelade pulvren fâr högre renhetsgrad.
Det avsedda syftet uppnås dessutom medelst en UHF-anläggning för framställning av finfördelade pulver, vilken innefattar dels en UHF-plasmatron med urladdningskammare, som är avsedd för effektiv uppvärmning av ett stationärt flöde av plasmaalstrande gas till höga temperaturer, dels en enhet för införande av utgângsämnen, dels en reaktionsbehållare för erhållande av finfördelade pulver genom en kemisk reaktion mellan utgångsämnena, som strömmar till- sammans med flödet av plasmaalstrande högtemperaturgasen, dels filter och dels en pulveruppsamlingsbehâllare, varvid enligt uppfinningen plasmatronen tillsammans med filtren omedelbart är anordnad pâ en övre basyta hos reaktionsbehållaren, som har formen av en stympad kon, vars nedre basyta är förbunden med en pulver- 10 15 20 25 30 35 e 8205703-5 7 6 uppsamlingsbehållare, medan enheten för införande av utgångs- ämnen utgöres av en vattenkyld sond, som är förd genom den ihå- liga centrumledaren hos plasmatronens koaxialledning, varvid sondens plana, mot urladdningskammaren vända ändyta«är anpassad till planet för plasmatronens skiva, varvid urladdningskammaren i plasmatronen står i förbindelse med plasmatronen. Lämpligen innefattar UHF-plasmatronen dels en till en energikälla kopplad koaxialledning med en yttre ledare och med en centrumledare, på vars ände en urladdningskammare är fäst, och dels två radial- ledningar med en enda gemensam ledare i form av en skiva, som är förbunden med koaxialledningens centrumledare, medan radialled- ningarnas båda andra ledare är bildade av ändytorna hos en skivan omgivande, med denna koaxiell cylinder, vars ena ändyta är kopp- lad till koaxialledningens yttre ledare, medan cylinderns motsatta ändyta är försedd med ett centrumhâl, genom vilket urladdnings- kammaren är förd.
Uppfinningen beskrives närmare nedan under hänvisning till bifo- gade ritning, på vilken fig. 1 schematiskt visar en UHF-plasmatron som kan användas i en anläggning enligt uppfinningen och fig. 2 schematiskt visar UHF-anläggningen enligt uppfinningen för fram- ställning av finfördelade pulver.
UHF-plasmatronen innefattar en rektangelformad vågledare 1 (fig. 1), en koaxialvâgledarövergång 2 och en koaxialledning. Pâ en ände hos koaxialledningens ihåliga centrumledare 3 är koaxiellt med denna en dielektrisk urladdningskammare 4 fäst. Plasmatronen innefattar ytterligare två radialledningar 5 med en enda gemensam ledare i form av en skiva 6, som är kopplad till koaxialledningens centrumledare 3. Den ena radialledningens 5 andra ledare bildas av en ändyta hos en cylinder 7, som omgiver skivan 6 och som är kopplad till koaxialledningens yttre ledare 8. Den andra radial- ledningens 5 andra ledare utgöres av cylinderns 7 motsatta änd- yta 7, vari finns ett centrumhâl för upptagande av urladdnings- kammaren 4. Radialledningarna 5 är skilda från varandra medelst ett stycke av en koaxialledning 9, vars centrumledare utgöres av v skivans 6 sidoyta.
Den i fig. 2 visade UHF-anläggningen för framställning av fin- 10 15 20 25 30 35 's-ío-sïo ä- s fördelade pulver innefattar dels en plasmatron med en urladd- ningskammare 4, dels en enhet 10 för inmatning av utgångsämnen, dels en reaktionsbehållare 11, dels filter 12 och dels en pul- veruppsamlingsbehållare 13. ' Enheten 10 för införande av utgångsämnen utgöres av en ihålig, vattenkyld metallsond med en genomgående cylindrisk kanal för direkt inmatning av en blandning av utgångsämnen i plasmatro- nens urladdningskammare 4, i form av en ångström eller en aero- sol, om minst ett av utgângsämnena är i fast fas. Sonden är an- ordnad noggrant axiellt med oentrumledaren 3 så, att dess undre ändyta är anpassad till skivans 6 plan. ' Reaktionsbehållaren 11 utgöres av en ihålig stympad kon, vars större basyta är vänd uppåt. Vid den större basytan är medelst flänsar fästa plasmatronen och ett hus hos slangfiltren 12, vilkas antal bör väljas i beroende av anläggningens kapacitet.
Ett slangformat, av tyg framställt filtrerelement 14 i varje filter 12 är stelt fäst på den undre basdelen av filtrets hus.
Slangens övre rörliga del är förbunden med en skakanordning 15, som gör det möjligt att periodvis, allteftersom filtret 12 igensättes, skaka det på filtret 12 utfällda pulvret bort in i uppsamlingsbehållaren och härigenom återställa filtrets 12 funktionsduglighet.
Pulveruppsamlingsbehållaren 13 är medelst en fläns förbunden med reaktionsbehållarens 11 undre basdel och försedd med en låsanordning 16, som möjliggör tätt tillslutande av uppsamlings~ behållaren 13 efter avslutat förlopp samt "öppen" (förseglings- fri) transport av uppsamlingsbehâllaren 13 och efterföljande utmatning av den högaktiva, finfördelade pulverformiga produkten utan att denna bringas i kontakt med atmosfärluft.
Anläggningen enligt uppfinningen fungerar på följande sätt.
En plasmaalstrande gas exempelvis kvävgas inmatas i en ringformad spalt mellan sonden hos enheten 10 för inmatning av utgångsämnen och insidan hos plasmatronens centrumledare 3. Gasen strömmar 10 15 20 25 30 35 40 szosvøsés genom den ringformade spalten mellan den dielektriska urladdnings- kammaren 4 och sonden in i ett under sonden liggande utrymme i kammaren 4. Man startar därefter en UHF-generator medelst en på ritningen icke visad urladdningsinitierande anordning. Energin överföres över koaxialvâgledarövergången 2 till den av den yttre ledaren 8 och centrumledaren 3 uppbyggda koaxialledningen och vidare över radialledningarna 5 till ett av den dielektriska kam- maren 4 avgränsat utrymme, där en urladdning initieras. Genom att urladdningskammarens 4 centrumaxel är anpassad till radial- ledningarnas 5 centrumaxel, kommer den att ligga i det av radi- alledningarna 5 alstrade elektriska fältets täthetsmaximum, vilket på grund av utbredningseffekten för urladdningar i ökningsrikt- ningen bidrar till att urladdningen får hög elektrodynamisk stabi- litet. Eftersom kammaren 4 är inriktad längs elektriska fältlin- jer, vilka i radialledningarna 5 är belägna vinkelrätt mot deras ledande ytor, d.v.s. mot cylinderns 7 ändytor, får plasmatronen hög överslagshâllfasthet.
Plasmatronen säkerställer alltså en likformig tillförsel av' elektromagnetisk energi från radialledningarnas 5 perimeter till urladdningen, som uppträder vid ledningarnas 5 centrumaxel, där energitätheten är maximal, varför urladdningen effektivt stabi- liseras elektrodynamiskt genom att urladdningen utbreder sig i ökningsriktningen för energitätheten.
Utgângsämnena överföres av bärargasen via centrumhålet i sonden hos enheten 10 för inmatning av utgångsämnen direkt till UHF- urladdningszonen, där de blandas med högtemperaturströmmen av plasmaastrande gas och får dess temperatur.
Den reaktion mellan utgångsämnena, som redan initieras i plas- matronens urladdningskammare 4, resulterar i bildande av ett finfördelat pulver av oxid, nitrid eller karbid, i beroende av den plasmaalstrande gasens sammansättning. Gasströmmen med i denna förekommande finfördelade pulverpartiklar strömmar ut från urladdningskammaren 4 in i reaktionsbehâllaren 11, där reaktionen mellan utgângsämnena slutföres, pulverpartiklarnas stelnande avslutas och gaspulverströmmens temperatur sjunker till en nivå, vid vilken normala värmedriftförhållanden för filtrerelementet 14 av tyg säkerställes. 10 15 20 25 30 35 8205703-5 Gasströmmen med däri förekommande finfördelade pulverpartiklar strömmar ut från reaktionsbehållaren 11 in i slangfiltren 12, där pulvret avskiljes och avgaserna efter absorbering av skad- liga föroreningsämnen tillföres ett recirkulationssteg eller bortföres till ett utsugningssystem. Det på filtret 12 utfällda pulvret bortföres periodvis medelst skakanordningen 15 - allt- eftersom filtret 12 igensättes - till reaktorbehållarhusets sidoyta, varifrån det inkommer i pulveruppsamlingsbehållaren 13. Efter avslutad "pulversyntes" tillslutes pulveruppsamlings- behållaren 1É tätt medelst låsanordningen 16, varefter behållaren 13 frigöres från reaktionsbehâllarens 11 undre fläns och avlastas i inert atmosfär.
Att vid anläggningen enligt uppfinningen använda UHF-plasmatronen med axialsymmetrisk, plasmaalstrande gasström utan virvelstabi- lisering av urladdningen samt att direkt inmata utgângsämnena i urladdningskammaren 4 gör det möjligt att intensifiera utgångs- ämnenas uppvärmning till reaktionstemperaturen icke endast genom effektivare värmeväxling mot högtemperaturplasmaflödet utan även genom att utgângsämnena omedelbart i plasmatronens urladdnings- kammare 4 direkt absorberar UHF-svängningsenergin. Vid samma märk- effekt hos plasmatronen kan man härigenom öka koefficienten för nyttigt utnyttjande av plasmastrâlens entalpi med 25 - 30 % jäm- fört med de kända ljusbâg- eller HF-plasmatronerna.
Genom att den plasmaalstrande gasen i plasmatronen icke behöver vridas virvelmässigt utfälles dammpartiklar i fast fas ej på urladdningskammarens 4 insida, vilket i hög grad ökar kammarens 4 funktionssäkerhet i synnerhet när framställning av finfördelade pulver med hög elektrisk ledningsförmåga eftersträvas.
Genom att plasmatronen, enheten 10 för inmatning av utgångsämnen, reaktionsbehâllaren 11, filtren 12 och uppsamlingsbehâllaren 13 är utformade utan anslutningsrör med stor längd elimineras in- tensiv igensättning (av arbetsytorna och genomströmningsytorna) medelst finfördelade pulver, vilket 2 - 3 gånger ökar anläggning- ens kontinuerliga drifttid jämfört med de kända an1äggningarna,' där anslutningsrör med stor längd användes. 10 15 20 25 30 8205703-5 10 Tack vare att uppsamlingsbehâllaren 13 är försedd med en tätt tillslutande lâsanordning, kan de framställda finfördelade pulvren, som i regel uppvisar mycket hög kemisk aktivitet, ut- matas utan att de bringas i kontakt med atmosfärluft, vilket avsevärt ökar renhetsgraden för de material, som skall framstäl- las. Titannitrid med en partikelstorlek av exempelvis 0,03/um, som framställts under hermetiska utmatningsförhâllanden, är fri från kemosorberat vatten och syre.
Användandet av plasmatronen med axialsymmetrisk plasmaalstrande gasström och med direktinmatning av utgângsämnena i plasmatronens urladdningskammare gör det möjligt att uppbygga reaktionsbehållaren 11 i form av en ihålig stympad kon, vars mindre basyta är förbun- den med pulveruppsamlingsbehållaren 13, varvid man på konens övre större basyta samtidigt kan fästa några få filter 12, vilka bidrar ”till att öka anläggningens kontinuerliga drifttid.
UHF-anläggningen enligt uppfinningen gör det alltså möjligt att framställa finfördelade pulver med högre renhetsgrad, eftersom dessa icke innehåller de föroreningsämnen, som är svåra att av- lägsna, utan innehåller snabbt flyktigt klorväte. Anläggningen säkerställer en 100-procentig omvandlingsgrad för utgângsämnena till slutprodukten. Det tekniska processförloppet för framställ- ning áv finfördelade pulver kräver icke användning av dyrbar ammoniak.
Medelpartikelstorleken för de pulver, som kan framställas med anläggningen enligt uppfinningen, varierar mellan 0,001 och 0,1 /um. Anläggningens kapacitet uppgår till 100 - 500 g/h, vilket innebär att man årligen kan framställa högst 500 kg finfördelat pulver.

Claims (1)

1. 0 15 20 8205705-5 11 Patentkrav Anläggning för framställning av finfördelade pulver, vilken innefattar dels en UHF-plasmatron med en koaxialledning och en urladdningskammare (4), vilken plasmatron är avsedd för effektiv uppvärmning av en stationär, plasmaalstrande gasström till höga temperaturer, dels ett inlopp (10) för inmatning av utgângsämnen, dels en reaktionsbehâllare (11) för erhållande av finfördelade pulver genom att utgângsämnena, som blandats med högtemperaturströmmen av plasmaalstrande gas, bringas att ke- miskt reagera med varandra, dels filter (12) och dels en pulver- uppsamlingsbehâllare (13), k ä n n e t e c k n a d av att plasmatronen och filtren (12) är anordnade på en övre basyta hos reaktionsbehållaren (11), som har formen av en stympad kon, vars lägre basyta är förbunden med pulveruppsamlingsbehållaren (13), medan inloppet (10) för inmatning av utgångsämnen utgöres av en vattenkyld sond, som är förd genom den ihåliga centrumledaren (3) i plasmatronens koaxialledning, varvid urladdningskammaren (4) i plasmatronen står i förbindelse med reaktionsbehâllaren (11).
SE8205703A 1982-10-06 1982-10-06 Uhf-plasmatronanleggning for framstellning av finfordelade pulver SE429614B (sv)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8205703A SE429614B (sv) 1982-10-06 1982-10-06 Uhf-plasmatronanleggning for framstellning av finfordelade pulver

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8205703A SE429614B (sv) 1982-10-06 1982-10-06 Uhf-plasmatronanleggning for framstellning av finfordelade pulver

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE8205703D0 SE8205703D0 (sv) 1982-10-06
SE8205703L SE8205703L (sv) 1983-02-20
SE429614B true SE429614B (sv) 1983-09-19

Family

ID=20348117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8205703A SE429614B (sv) 1982-10-06 1982-10-06 Uhf-plasmatronanleggning for framstellning av finfordelade pulver

Country Status (1)

Country Link
SE (1) SE429614B (sv)

Also Published As

Publication number Publication date
SE8205703L (sv) 1983-02-20
SE8205703D0 (sv) 1982-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5073193A (en) Method of collecting plasma synthesize ceramic powders
RU2154624C2 (ru) Способ получения фторуглеродных соединений (варианты) и установка для его осуществления
US3404078A (en) Method of generating a plasma arc with a fluidized bed as one electrode
JP5241984B2 (ja) ツイン・プラズマ・トーチ装置
US3009783A (en) Production of carbon black
US20120034135A1 (en) Plasma reactor
US7262384B2 (en) Reaction vessel and method for synthesizing nanoparticles using cyclonic gas flow
CA2493279A1 (en) Plasma reactor for carrying out gas reactions and method for the plasma-supported reaction of gases
KR20010013476A (ko) 풀레렌을 제조하기 위한 방법 및 장치
RU2406592C2 (ru) Способ и установка для получения нанопорошков с использованием трансформаторного плазмотрона
US4013867A (en) Polyphase arc heater system
US3625846A (en) Chemical process and apparatus utilizing a plasma
US3380904A (en) Confining the reaction zone in a plasma arc by solidifying a confining shell around the zone
JP2527150B2 (ja) マイクロ波熱プラズマ・ト―チ
RU2311225C1 (ru) Плазменная установка для получения нанодисперсных порошков
SE429614B (sv) Uhf-plasmatronanleggning for framstellning av finfordelade pulver
SE428862B (sv) Uhf-plasmatron
JP2004501752A (ja) プラズマ化学リアクター
US3817711A (en) Apparatus for preparation of finely particulate silicon oxides
JP5075899B2 (ja) カルシウムシアナミドを含む粉体、該粉体の製造方法及びその装置
Kana'an et al. Chemical Reactions in Electric Discharges
RU2414993C2 (ru) Способ получения нанопорошка с использованием индукционного разряда трансформаторного типа низкого давления и установка для его осуществления
JP6551851B2 (ja) 微粒子製造装置及び微粒子製造方法
EP0819109B1 (en) Preparation of tetrafluoroethylene
US5684218A (en) Preparation of tetrafluoroethylene

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 8205703-5

Effective date: 19890911

Format of ref document f/p: F