SE422322B - Sett att framstella en isolant for termoelement for hogtrycksugnar - Google Patents
Sett att framstella en isolant for termoelement for hogtrycksugnarInfo
- Publication number
- SE422322B SE422322B SE8004834A SE8004834A SE422322B SE 422322 B SE422322 B SE 422322B SE 8004834 A SE8004834 A SE 8004834A SE 8004834 A SE8004834 A SE 8004834A SE 422322 B SE422322 B SE 422322B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- temperature
- pressure
- insulator
- mpa
- graphite
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 title abstract 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000997 High-speed steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 claims 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000012858 resilient material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/583—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
10
15
20
25
300 -
8004834-1
framställes isolanten av hexagonal bornitrid, innehållande högst 1,5 viktpro-
cent andra föroreningar än kol och syre, genom isostatisk pressning vid en
temperatur ev met 1 600 °c een via ett tryck ev minst 50 me. Faretreaee-
vis sker den isostatiska pressningen vid en temperatur av 1 700 °C - 1 800 °C
och vid ett tryck av 100 MPa. - 500 MPa. Genom den isostatiska. pressningen är
det möjligt att uppnå. en täthet hos bornitriden av mer än 98 fiš av den teore-
tiska. Genom renheten hos bornitriden går det att åstadkomma en särskilt god
elektrisk isoleringsfömåga hos isolanten vid höga temperaturer samt en sär-
skilt hög arbetstemperatur för den. Företrädesvis innehåller bornitriden högst
0,5 viktprocent andra. föroreningar än kol och syre.
Vid framställningen av isolanten förformas företrädesvis pulvret av borni-
trid till en förformad produkt, t ex genom att pulvret mderkastas en kom-
paktering, lämpligen anordnat i en tillsluten kapsel av eftergivligt material.
Kompakteringen kan med fördel ske vid ett tryck av minst 50 MPa, företrädes-
vis 200 - 600 MPa vid rumstemperatur eller annan temperatur som väsentligt
understiger den i samband med sintringen använda temperaturen. Produkten
kan därefter ges önskad form medelst maskinbearbetning. Efter den nämnda
formningen vid låg temperatur inneslutes den förfomade kroppen i en gastät
kapsel, t ex av ett glas såsom Vycor - glas eller kvartsglas eller annat glas
med tillräckligt hög smältpunkt för att det ej skall tränga in i porerna av
den kropp som skall under-kastas den isostatiska. pressningen.
Uppfinningen skall förklaras nämnare genom beskrivning av ett utföringsexemf-
pel under hänvisning till bifogade ritning som visar en isolant framställd
enligt den föreliggande uppfinningen.
Ett pulver ev hexegonal bornitrid innehållande 0,34 viktprocent kol och 0,55 _
viktprocent syre, rest BN och med en kornstorlek av under 525 mesh (44 /um)
placeras i en kapsel av plast, pt ex mjukgjord polyvinylklorid, eller av guxmni.
Kapseln har cylindrisk form men större dimensioner än den isolant som skall
framställas. Kapseln med pulvret underkastas en kompaktering vid 500 MPa vid
rumstemperatur, varvid en för-formad kropp i form av ett hanterbart block er-
hållas.
Blocket överdrages med ett poröst skikt av glas genom att doppas i en vatten-
uppslamning av ett pulver av ett glas bestående av 96,7 viktprooent SiO2, 2,9
viktprocent 3203 och 0,4 viktprocent 11203 samt torkas. Den så. behandlade för-
Claims (1)
13.: 10 15 8004834-1 formade kroppen placeras därefter i en högtrycksugn, som är försedd med en ledning genom vilken gas kan avledas för avgasning av pulverkz-oppen samt gas kan tilledas för alstring av erforderligt tryck för den isostatiske. press- ningen och som dessutom är försedd med uppvärmningsanordningar. Den förform- ade pulverlcroppen med anbringat poröst skikt avgasas först i högtrycksugxxen' vid rumstemperatur under ungefär 2 timar. Under fortsatt evakuering höjs temperaturen 11111 1 3oo°c. nerna temperatur bibenallee under ungefär 1 emma, varvid den slutliga evgasningen sker och glaspulvret bildar ett.-smält hölje omkring kroppen. Därefter tillföras vid samma temperatur argon, heliun: eller kväve till en trycknivå som ger ett tryck av 250 MPa vid den slutliga sint- ringstemperaturen. Temperaturen höjs sedan till 1700 - 180000, och bibehålles vid denna temperatur under omkr-irzg 2 timmar. Därvid sintrar bornitriden under bildning av en Icropp med en täthet som överstiger 98 75 av den teoretiska. Se- dan Imoppen fått svalna och glashöljet avlägsnats bearbetas kroppen med borr- ning, svarvning och slipning till en isolant 1 enligt figuren. Bearbetningen kan ske med t ex verktyg av snabbstål då. materialet i den pressade kroppen är förhållandevis mjukt. Isolanten har oylindrisk form och är försedd med två hål 2 och 5 för trådar till ett termoelement. I ett termoelement ingår ett flertal dylika ovanpå varandra staplade isolanter. De bäddas in i ett slqfdds- rör lämpligen av grafit, t ex uppbyggd av en folie av grafit, som är lindad om stapeln av isolanter. Grafiten tjänstgör som elektrisk skam. PATENTKRAV Sätt att framställa en isolent (1) för termoelement för högtryoksugnar, k ä n n e t e c k n a. t därav, att ieolanten framställes av hexagonal bor- nitrid, innehållande högst 1,5 viktprooent andra föroreningar än kol och syre, genom isostatisk pressning vid en temperatur av minst 1 600 °0 och ett tryck av minst 50 MPa..
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8004834A SE422322B (sv) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | Sett att framstella en isolant for termoelement for hogtrycksugnar |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8004834A SE422322B (sv) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | Sett att framstella en isolant for termoelement for hogtrycksugnar |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8004834L SE8004834L (sv) | 1981-12-31 |
SE422322B true SE422322B (sv) | 1982-03-01 |
Family
ID=20341339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8004834A SE422322B (sv) | 1980-06-30 | 1980-06-30 | Sett att framstella en isolant for termoelement for hogtrycksugnar |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SE (1) | SE422322B (sv) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0195417A1 (de) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH | Gesinterte polykristalline Mischwerkstoffe auf Bornitridbasis |
-
1980
- 1980-06-30 SE SE8004834A patent/SE422322B/sv unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0195417A1 (de) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH | Gesinterte polykristalline Mischwerkstoffe auf Bornitridbasis |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE8004834L (sv) | 1981-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5169572A (en) | Densification of powder compacts by fast pulse heating under pressure | |
CA1066866A (en) | Method for hot pressing powder bodies | |
US4112143A (en) | Method of manufacturing an object of silicon nitride | |
SE435272B (sv) | Sett att framstella ett foremal av ett pulverformigt material genom isostatisk pressning | |
US4356136A (en) | Method of densifying an article formed of reaction bonded silicon nitride | |
JPS6241281B2 (sv) | ||
JPS6241282B2 (sv) | ||
CN105481477B (zh) | 一种石墨/SiC复合材料的制备方法 | |
SE413400B (sv) | Sett att framstella ett foremal av kiselnitrid genom isostatisk pressning av en av kiselnitridpulver forformad kropp med ett gasformigt tryckmedium i ett tryckkerl vid en for sintring av kiselnitriden erforderlig ... | |
CN109487130A (zh) | 一种用于电子封装的铝硅复合材料及其制备方法 | |
SE422322B (sv) | Sett att framstella en isolant for termoelement for hogtrycksugnar | |
US3352951A (en) | Method for induction sintering refractory carbide articles | |
JPH03122059A (ja) | 粉末セラミック物品の製造方法 | |
KR101221060B1 (ko) | 탄소성형체 또는 탄소소성체와 알루미늄의 계면에 탄화규소가 형성된 탄소기반 알루미늄 복합재료 및 그 제조방법 | |
JP2019119629A (ja) | 高純度SiCの製造方法 | |
SE414920C (sv) | Sett att framstella ett foremal av ett material i form av ett pulver genom isostatisk pressning av en av pulvret forformad kropp | |
SE421733B (sv) | Sett att framstella ett skydd av bornitrid genomsmeltning av en under en kernreaktorherd anordnad anordning | |
JPS606307B2 (ja) | セレン化亜鉛多結晶体の製造方法 | |
JP2004169064A (ja) | 銅−タングステン合金およびその製造方法 | |
JPH11180778A (ja) | 直接被覆熱間等方圧加圧成形カプセル化方法 | |
Kitiwan et al. | Densification and microstructure of monolithic TiN and TiB2 fabricated by spark plasma sintering | |
JPS6259509A (ja) | 高密度炭素材料の製造方法 | |
JPH0218311B2 (sv) | ||
JPS6146433B2 (sv) | ||
JPS6146432B2 (sv) |