SA95160317B1 - طريقة لتحضير tio2 محسنة باضافة هاليد السليكون - Google Patents
طريقة لتحضير tio2 محسنة باضافة هاليد السليكون Download PDFInfo
- Publication number
- SA95160317B1 SA95160317B1 SA95160317A SA95160317A SA95160317B1 SA 95160317 B1 SA95160317 B1 SA 95160317B1 SA 95160317 A SA95160317 A SA 95160317A SA 95160317 A SA95160317 A SA 95160317A SA 95160317 B1 SA95160317 B1 SA 95160317B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- added
- tio
- oxygen
- anatase
- silicon halide
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- -1 silicon halide Chemical class 0.000 title claims abstract description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 26
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 241000024188 Andala Species 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002932 luster Substances 0.000 abstract description 3
- 229910003074 TiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract 1
- 208000005072 Oncogenic osteomalacia Diseases 0.000 description 21
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dihydroxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1O BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002759 chromosomal effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001435619 Lile Species 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000007103 stamina Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
الملخص: يتعلق هذا الإختراع بطريقة تستخدم لإنتاج TiO2 خالي بصورة أساسية من الأناتيز وذلك بإضافة هاليد للسيليكون في تفاعل بين TiCl4 وغاز محتوي على الأكسجين خلال مفاعل تدفق غازي. ويتم تحسين الخصائص الصبغية مثل اللمعان و CBU (خفت اللون لأسمر الكربون) دون فقد في قوة التحملية.
Description
_y_ محسنة بإضافة هاليد السيليكون TIO, طريقة لتحضير الوصف الكامل خلفية الإختراع من الأناتيز على نحو مناسب خلال JA TIO, يتعلق الإختراع بطريقة لإنتاج في مفاعل تدفق كتلي وذلك TICL عملية أكسدة تتضمن على طور بخاري لمركب بإضافة هاليد السيليكون عند درجة حرارة خاصة بالطريقة مقدارها من ١٠7٠م إلى حوالي ١٠٠٠م عند موضع أو أكثر بإتجاه التيار والذي فيه يتم إتصال غاز محتوي على 5 بصورة إبتدائية. TIC الأكسجين و عند TiCly و 0p بتفاعل غاز محتوي على TiO, وتكون طريقة إنتاج صبغة درجات حرارة تتمادى من 900 مجم إلى ١٠٠٠م خلال طور بخاري معروفة. ويتم والكلور الحر من المفاعل ويلزم TiO, تصريف المعلق الغازي الساخن الناتج لجزيئات ثانية. ويجري ٠٠١ تبريدها بسرعة لدرجة أقل من ١٠٠٠م لمدة تصل من حوالي © إلى ٠ الغير TIO, هذا التبريد في قناة» أي في صورة مصرف وبذلك يمنع زيادة حجم جزئ مرغوب فيه ويقلل تجمع الجزيئات إلى الحد الأدنى. وتكون خصائص المنتج الصبغي مثل واللمعان هي عامل لحجم الجزئ الأول وتجمع (CBU) الخافت لأسمر الكربون oll فإنه يلزم طحن أو سحق TiO, الجزئ؛ على التتابع. وفي حالة حدوث تجمع كبير من خلال وحدة معالجة مركزة ومكلفة تعمل بالطاقة مثل التحويل لدقائق صغيرة وذلك TiO, ٠ لتقليل حجم التجمعات بغرض تحقيق الخصائص المرغوبة للصبغة. علاوة على ذلك؛ قد الروتيل (ثاني أكسيد التيتانيوم إلمجر TIO, تكون نوعين من التركيبات البللورية من روتيل من أجل قوة تحملة العالية ومعاملة الأعلى TIO, ويفضل ٠ البللورات) والأناتيز أناتيز أقل تحملية من TIO, خصائص للأداء الحيوي. ويكون Jia للإنكسار وكلاهما ب
ب THO, كما يكون له معامل إنكسار JF إنخفاضاً. ونجد أن وجود طور الأناتيز سوف يؤثر عكسياً وبصورة خاصة على قوة التحملية. حتى أن المستويات المنخفضة من الأناتيز تؤثر على التحملية لصبغة TiO, النهائية. ومن المعروف جيداً في المجال السابق أن إضافة مركب للسيليكون أثناء مرحلة الأكسدة تنشط تكوين الأناتيز. وتجدر الإشارة إلى أنه قد تم ضبط الحجم الجزيئي مسبقاً عن طريق الخلط الأولي لمركب السيليكون المتطاير و 11014 وذلك قبل تفاعلة مع الغاز المحتوي على الأكسجين. وعلى سبيل المثال» توضح البراءة البريطانية TAS YY الخلط الأولي لمركبات السيليكون والألومينيوم المتطايرة مع 11014 الأكسدة مما ينتج عن ذلك صبغات THO, بنسبة أعلى من 9650 من الروتيل. وفيهاء تعمل الألومينيوم كمحفز نشط؛ كما يسبب أيضاً تكون ٠ جزيئات أخشن. ويعمل مركب السيليكون على تقليل الحجم الجزيئي. وتمد البراءة الأمريكية رقم 77١94574 بطريقة تتم خلال مفاعل دينامي ذي طبقة مهد سفلية كما يوضح الإضافة المنفصلة لهاليد السيليكون من جميع المتفاعلات الأخرى. وفيهاء على الرغم من ذلك؛ يتم رفع درجة الحرارة لقيمة لا تزيد عن ١٠7٠م وأقل من 57 8:0 يتم تواجده. وعند إستخدام تركيزات أعلى لهاليد السيليكون في المفاعل؛ يتم Ve تتكوين المزيد من الأناتيز. ومن ثم تكون هناك حاجة إلى طريقة لتحضير صبغة TIO, محسنة الجودة ذات حجم جزيئي منخفض وتجمع قليل وعليه تقل الحاجة إلى عمليات السحق بينما يتم إقتصادياً منع تكون الأناتيز دون فقد في قوة التحملية لصبغة و110. وبناءاً على ذلك يتوائم الإختراع الحالي مع تلك الحاجة. Ye ووفقاً للإختراع؛ تزود طريقة متضمنة على طور بخاري لإنتاج TIO, خالية بصورة مناسبة من الأناتيز حيث تشمل الطريقة تفاعل TICl بخاري؛ غاز محتوي على Vey
م الأكسجين وهاليد ألومينيوم خلال Jolie تدفق كتلي مع إدخال هاليد السيليكون عند درجة حرارة خاصة بالطريقة تكون في المدى من حوالي ١٠١٠م إلى حوالي LV ويضاف هاليد السيليكون عند موضع أو أكثر بإتجاه التيار والذي فيه يتم إتصال الغاز المحتوي على الأكسجين مع TiCL لبدء التفاعل. © الوصف العام للاختراع:- وقد وجد أن الطريقة موضوع الإختراع تحسن من جودة صيغ TIO, بإحتواءه على حجم جزيئي منخفض وتجمع قليل ومن ثم تقليل الحاجة إلى عمليات السحق بينما يتم نظرياً منع تكون الأناتيز. علاوة على ذلك؛ يتم تحسين خصائص المنتج الصبغي TiO, Jie اللمعان واللون الخافت لأسود الكربون وذلك دون فقد في التحملية؛ ويتم الول ٠ على فوائد إقتصادية أثناء عملية تصنيع TiO, وعلى نحو مدهشء تقوم الطريقة الحالية بإنتاج TIO, خالي بصورة أساسية من الأناتيز وذلك عند تركيز أعلى لإضافة هاليد السيليكون أثناء الأكسدة. وينتج عن المجال السابق تكون الأناتيز عند تركيزات منخفضة من مركب السيليكون؛ والذي يعرف بمحفز للأناتيز. وهناك ميزة أخرى للطريقة الحالية تتمثل في المرونة في تعديل مقدار السيليكون المضاف عند مرحلة معالجة سطحية متتالية. ٠ وينتج عن السيليكا القليلة المضافة أثناء المعالجة السطحية سحق أسهل. وقد إكتشف أيضاً أن إدخال السيليكون عند موضع أو أكثر بإتجاه التيار والذي من عنده يتم إتصال TiCL والأكسجين بصورة إبتدائية والذي بدوره يمنع إنسداد منطقة للتفاعل؛ أي؛ تلتصق السيليكا بالجزء الداخلي من وعاء التفاعل وتميل إلى سد وعاء التفاعل عند إدخال هاليد السيليكون مع ب[110. ٠ تجدر الإشارة إلى أن إنتاج TIO, بأكسدة متضمنة طور بخاري لمركب 7:0 يكون معروف جيداً ومبين في البراءة الأمريكية أرقام 7544594 و 1809778 والتي Vw
اه تدخل دراستها هنا على سبيل المثال المرجعية. ويتعلق هذا الإختراع بوجه خاص بتحسين في الطرق أو العمليات المذكورة مسبقاً. ويتم تبخير +1101 وإعادة تسخينه بدرجات الحرارة والتي تتمادى من حوالي Foo إلى حوالي 0٠5١م ويتم إدخاله إلى منطقة تفاعل بها وعاء للتفاعل. ونجد أنه يتم بالكامل 0 خلط هاليد الألومينيوم مثل يلول نل و Ally ويفضل ي1ا10؛ بكميات كافية لتوفير حوالي ١,5 إلى حوالي ALO; 90٠١ ويفضل حوالي ١5 إلى حوالي Bo والأفضل من حوالي ١,5 إلى حوالي 967 بالوزن بناءاً على إجمالي المواد الصلبة المتكونة في تفاعل الأكسدة وذلك مع TiCl قبل إدخاله إلى منطقة تفاعل بها وعاء للتفاعل. وفي تجسيمات بديلة؛ قد يضاف هاليد الألومينيوم جزئياً أو بالكامل مع هاليد السيليكون من ٠ إتجاه التيار. ْ ويتم على نحو مسبق تسخين الغاز المحتوي على الأكسجين حتى درجة حرارة تصل إلى ١٠م على الأقل. ويتم Alay بصورة مستمرة إلى داخل منطقة التفاعل خلال مدخل منفصل عند مدخل مستخدم لتيار الشحنة من 11014. ويميل الماء لأن يتضمن على تأثير منشط للروتيل. ومن المرغوب أن تكون المتفاعلات مائية. dad سبيل المثال؛ Ye يشتمل الغاز المحتوي على الأكسجين على هيدروجين في صورة 11.0 وقد يتمادى من حوالي ١.0 إلى 960,9 بالوزن من الهيدروجين بناءاً على TIO, المتكون؛ ويفضل ٠ A 960,7 بالوزن. وإختيارياً؛ قد يتضمن أيضاً الغاز المحتوي على الأكسجين على ملح فلز قلوي مبخر مثل أملاح البوتاسيوم الغير عضوية؛ أملاح البوتاسيوم العضوية وما يشابه ذلك؛ وبالأفضل يفضل 0801 أو il KCI وذلك Jia) معامل نووي. Ys وأثناء إجراء التفاعل» يضاف هاليد السيليكون بإتجاه التيارر من إضافة تيار ب10. وسوف يعتمد الموضع الفعلي لإضافة هاليد السيليكون على تصميم المفاعل؛ معدل ار
can درجات الحرارة؛ والضغوط ومعدلات الإنتاج؛ ولكن يمكن تحديده سريعاً عن طريق إختبار بغرض الحصول على TIO, على نحو خالي بصورة أساسية من الأناتيز وكذلك التأثيرات المرغوبة على التجمع والحجم الجزيئي. فعلى سبيل المثال؛ قد يضاف هاليد السيليكون عند موضع أو أكثر بإتجاه التيار من عنده يتم Jos 11014 والغاز © المحتوي على الأكسجين بصورة أولية. وعلى نحو خاص؛ نجد أن درجة حرارة كتلة التفاعل عند الموضع أو مواضع الإضافة لهاليد السيليكون سوف تتمادى من حوالي ٠م إلى حوالي Tee )0 ويفضل حوالي I Ee حوالي Ver عند ضغط مقداره حوالي ©- ٠٠١ رطل لكل بوصة تربيع؛ ويفضل Ve =o رطل لكل بوصة تربيع والأفضل 0٠؛- Te رطل لكل بوصة تربيع. ومن المصدق Lad أن درجات Ys الحرارة الأعلى كذلك الضغوط الأعلي أيضاً تساعد في تحقيق التكوين للروتيل. وغالباً؛ نجد أن موضع أو مواضع الإضافة لن تتعدى المسافة بإتجاه المجرى والمقطوعة بواسطة المتفاعلات أو نواتج التفاعل بمقدار يصل من حوالى 0.007 إلى حوالي coi ويصل حوالي ١.005 إلى oF ثانية؛ وذلك بعد الإتصال الأولي للمتفاعلات. وهناك Jie بديل لتحديد موضع إضافة Jia SiCly حد أدني لطول مقداره حوالي *- + للأقطار الداخلية
١ _للتدفق بعد إتصال TiC, والأكسجين بصورة أولية. : وتتضمن هاليدات السيليكون على SiBly «SiCly و بآ51؛ ويفضل ب8:01. ويمكن إدخال SiC إما في صورة بخار أو سائل. وفي تجسيم (Junie يضاف ,8:01 بإتجاه المجري خلال قناة أو مصرف حيث يتم إضافة جزيئات التنظيف أو جزيئات الغسل لتقليل تكون TIO, في الجزء الداخلي للمصرف أثناء التبريد كما يوصف بتفصيل أكبر في Ys البراءة الأمريكية رقم 7771577 والتي تدخل دراستها هنا على سبيل المرجع. وفي هذا ل
: سلا التجسيم (Say إضافة SiCly بمفرده أو عند نفس الموضع مع مواد الغسل. وأثناء إضافة SiC السائل؛ يتم توزيع السائل بصورة نهائية وتبخيره سريعاً. ض ومن الجدير بالذكر أن هاليد السيليكون المضاف يصبح مدمج في صورة سيليكا و/ أو خليط من السيليكا في TiO, مما يعني أنه يتم توزيع السيليكا و/ أو خليط السيليكا © .في جزئ :210 و/ أو على سطح TIO; كغلاف سطحي. (Les سوف يضاف هاليد السيليكون بمقدار كافي لتوفير من حوالي ١ إلى حوالي 96٠١0 8:02؛ ويفضل حوالي . ,+ إلى 962 8:2 والأكثر تفضيلاً حوالي 00+ إلى “967 Soy بالوزن بناءاً على إجمالي المواد الصلبة المتكونة من تفاعل الأكسدة؛ أو ,110 (قواعد). وعلى نحو ممائل. تكون الكميات الأكبر من 5102 مرغوبة لتحسين خصائص TIO, الموصوفة هنا. ونجد أن شحن ض ٠ 8:01 بإتجاه المجرى بعد الإتصال الأولى لكل من 11014 و Op يساعد في تكوين الروتيل؛ يقوم بضبط حجم الجزئ ويحد من تجمع الجزيئات. وكنتيجة لخلط تيارات المتفاعلات؛ تحدث الأكسدة الكاملة بصورة مناسبة لكل من م10؛ AIC و ما510. ولكن بالنسبة إلى تقيدات تحولية من قبل درجة الحرارة والتوازن الحراري الكميائي. ويتم تكوين جزيئات من (TiO; ويحمل ناتج التفاعل المحتوي على معلق من جزيئات TIO, في خليط من الكلور والغازات المتخلفة من منطقة التفاعل عند درجات حرارة كبيرة تصل إلى ١٠٠٠م ويعرض إلى تبريد سريع في المصرف الغازي. وقد يصحب التبريد بأى وسيلة مناسبة كما هو معروف في المجال وموصوف Liles ويعاد إستخلاص صبغة TIO, من نواتج التفاعل المبردة وذلك عن طريق معالجات فصل Ade متضمنة أوساط فصل دوامية أو كهروستاتية؛ الترشيح خلال ٠ أوساط مسامية أو ما شابه ذلك. وقد يعرف TIO, المستخلص إلى معالجة سطحية؛ الطحن؛ السحق أو معالجة تفتيت للحصول على المستوى المرغوب من التجمع الجزيئي؛ ض Vey
- وسوف يقدر من قبل الماهرين في المجال أن السيليكا المضافة عن طريق الإختراع الحالي تعرض المرونة في تقليل مقدار السيليكا المضافة عند مرحلة معالجة سطحية متتابعة؛ وذلك عند الرغبة. ويحدد على نحو مناسب معنى خالي من الأناتيز ليشير هنا إلى THO, المزود بأقل © من حوالي 960,7 من مكون Oil ويفضل 960.59 أو أقل؛ والأفضل 960.7 أو أقل من مكون الأناتيز. ويحدد مفاعل التدفق الكتلي أو خط الأنابيب ليشير هنا إلى مفاعل في صورة مصرف به تدفق أحادي الإتجاه عند سرعات مقدارها حوالي on قدم في الثانية (حوالي ٠ متر/ ثانية) أو Sel كما يعرض على نحو ملائم الخلط الرجعي أولا يبينه. ٠ وتجدر الإشارة إلى أنه يتم إختبار النواتج الصيغة TiO, بالنسبة إلى اللون الخافت لأسمر الكربون «(CBU) مقياس الحجم الجزيئي. وكلما زاد اللون الحافت لأسمر الكربون؛ كلما صغرت الجزيئات. ويكون مقدار CBU الممائل إلى TIO; المستخدم في الدهان حوالي .٠١ ويتم تحديد CBU بإتحاد SIS من سائل مناسب؛ Jie زيت خفيف اللون وأوزان قياسية للعينة وأسود كربون قياس. يوزع الخليط بواسطة خليط قياس على لوحة وتلاحظ الزرقة النسبية للمخاليط الرمادية. ونجد أن الجزيئات الدقيقة تعطي كون خافت أكثر زرقة أو تعطي CBU أعلى ٠ ويتم تحديد قيم CBU المذكورة في AB بطرق موصوفة بتفصيل أكبر في البراءة الأمريكية رقم 884656 ؟؛ التي تدخل دراستها هنا على سبيل المرجع Led عدا الإستخدام لمعدل أو قيمة مقدارها Yar ٠١ من القيمة ٠٠١ المستخدمة هنا. Y. ويتم قياس التوزيع الجزيئي الحجمي للنواتج الصبغية بتحليل ترسيبى» مع مخطط بياني للترسيب (Micromeritics Instrument Crop., Norcross Ga.) RTM وذلك بعد Vey
_q— التوزيع في معلق مائي عن طريق المعالجة الصوتية ثابتة المستوى. ونجد أن مقياس ميكرون للجزء سوف يبينان ١1 الحجم الجزيئي لقاعدة الأكسدة وكذلك 96 الأكبر من والتي لا يمكن أن تزيد dads led الجهد المستخدم للمعان الواصل أقصاه في الناتج بينما يتم إستخدام أي مستوى مناسب للطاقة. علاوة على ذلك؛ يتطلب إضافة منخفضة للسحق وذلك لتحسين جودة قاعدة الأكسدة. © - الوصف التفصيلي: ولمزيد من التوضيح لهذا الإختراع؛ يتم طرح الأمثلة التالية كمبينة وليست مقيدة للأساسيات المعلنة موضوع الإختراع. الأمثلة ١ مثال مقارن NY مع شحنة ,1101 وذلك بمقدار كافي لتوفير SiCly تم عمل خلط مسبق لمركب على إجمالي المواد الصلبة المتكونة في تفاعل الأكسدة. Teli 8i0 بالوزن من 960. 961,7 أيضاً على و8101 خلال الخلط المسبق بمقدار كافي لتوفير TiCly وتضمنت شحنة بناءاً على إجمالي المواد الصلبة المتكونة في تفاعل الأكسدة. وتم ALO; بالوزن من وسخنت مسبقاً حتى 2610 وأدخلت إلى منطقة للتفاعل عند معدل TCL تبخير شحنة ٠ . وفي آن واحد؛ تم TiO, طن/ ساعة من الناتج الصبغي ٠١ مناظر لمعدل الإنتاج مقداره بصورة مستمرة إدخال الأكسجين مسبق التسخين خلال مدخل منفصل مجاور لمدخل مذابة في الماء إلى تيار الأكسجين كما وضح KCI من ALE م0. وتم إضافة كميات والبراءة الأمريكية رقم 70848575 والتي تدخل 977597١ في البراءة البريطانية رقم دراستها هنا على سبيل المرجعية. وكانت درجة حرارة كتلة التفاعل عند الموضع الذي ٠ وتم سريعاً خلط تيارات المتفاعلات. وعند 2280 Ave بمقدار SICly أضيف فيه
Vey ye موضع إرتفاعه © قدم )1,0 متر) بإتجاه التيار (أو حوالي 0,07- 4.,. ثانية من والأكسجين بصورة أولية) تم إفتراض درجة TICK, الموضع والذي عنده يتم إتصال رطل لكل بوصة YY حرارة لمنطقة التفاعل مقدارها حوالي ١8١٠١٠"م مع ضغط مقداره تربيع على مقياس جوج. وتم صرف المعلق الغازي لصبغة ثاني أكسيد التيتانيوم المتكونة من النواتج الغازية المبردة عن THO, في المفاعل وبردت بسرعة. وتم فصل صبغة © المستخلصة بطرق معالجة مناسبة TIO, طريق وسائل مناسبة. ثم تم معالجة صبغة للصبغة وسمحت حتى تم الوصول للنسيج المرغوب. وبناءاً على إضافة با8:©1؛ كان هذا
X من مكون الأناتيز كما هو مستدل عليه من قبل حيود أشضعة SY للناتج 4 مع CBU المسحوق. مثال مقارن ؟ NV مسبقاً مع شحنة SICL فيما عدا أنه تم خلط ١ تم تكرار طريقة المثال المقارن بناءاً على ALO; و 961 بالوزن من SiOz م10 بمقدار كافى لتوفير 960,5 بالوزن من وسخنت مسبقاً TICL إجمالي المواد الصلبة المتكونة في تفاعل الأكسدة. وتم تبخير شحنة
Zl) وتم إدخالها إلى منطقة التفاعل عند معدل مناظر لمعدل ET حتى 4060م إلى مقداره ؛ طن/ ساعة من الناتج الصبغي و110. علاوة على ذلك؛ وعند موضع إرتفاعه ه VO ثانية من الموضع والذي عنده يتم 04 ١,07 قدم )1,0 متر) بإتجاه التيار (أو حوالي إتصال 1101 والأكسجين بصورة أولية) تم إفتراض درجة حرارة للتفاعل مقدارها حوالي م بالنسبة إلى منطقة التفاعل مع ضغط مقداره £0 رطل لكل بوصة ٠٠٠٠ م إلى إلى ١,7 للناتج من CBU تربيع على مقياس جوج. وبناءاً على إضافة با©:8؛ تحسنت عبر X ولكن مع 960.7 من مكون الأناتيز كما هو مستدل عليه من حيود أشعة ١9,7 YS المسحوق. Ve
-١١- مثال ؟ تم تكرار الطريقة الموصوفة في المثال المقارن ؟ فيما عدا أنه لم يتم إضافة ' بدلاً من ذلك؛ تم شحن 8:01 إلى المفاعل في صورة سائل ICL إلى شحنة 9:0 eX موزع نهائياً عند موضع إرتفاعه © قدم )1,0 متر) بإتجاه التيار (أو حوالي يتم إتصال 11014 والأكسجين بصورة أولية) عند odie ثانية من الموضح والذي 04 0 961 نفس الموضع حيث تكون مواد الغسل عند معدل وبكمية كافية لتوفير حمولة مقدارها بالوزن من :8:0 بناءاً على إجمالي المواد الصلبة المتكونة في تفاعل الأكسدة. وكانت بمقدار 4705م درجة حرارة الأكسجين بمقدار 598٠م بالنسبة إلى TICL درجة حرارة حالات الضبط الإختبار. وكانت درجة الحرارة المفترضة لكتلة التفاعل عند موضع حقن
Cds بمقدار 406٠م إلى ١٠٠٠م بالنسبة إلى منطقة التفاعل عند ضغط مقداره SIC ٠ رطل لكل بوصة تربيع على مقياس جوج. وكان معدل التفاعل بمقدار 0,£ طن/ ٠ مع عدم وجود تكون للأناتيز مقياس من ١,6 إلى ALY من CBU ساعة. وتحسن مقدار ميكرون تقل من ١.76 قبل حيود أشعة 6. وقد وجد أيضاً أن النسبة المئوية الأكبر من المضاف. SiCly دون إضافة م8:01 إلى الطريقة إلى 9677 مع 595 فابلية التحملية: Vo تم تعريض ناتج مثال © إلى مرحلة متتابعة من المعالجة السطحية وتم تعريض وهي 5 Florida ناتج نهائي متكون إلى إختبارات لخفت لون الطباشير معروضة من قبل طويلة الأمد. وكانت نتائج الخفت للطباشير مقارنة إلى نتائج الخفت للطباشير الخاصسة روتيل محضر تحت ظروف مقارنة موصوفة TiO; 96489,8 بناتج نهائي أدني؛ أكبر من oll مثال © ولكن دون إضافة با©:8. وهذا يبين أنه لا يوجد فقد في قابلية التحملية BY صبغ أناتيزء Jia) المحضر بالطريقة موضوع الإختراع. وفي مقارنة أخرى؛ تم
Vey
١ Y — _ كروتوز ٠١١١ (متاح من (Kronos, Lever kuesen, Germany بالنسبة إلى خفت اللون للطباشير وتمت تغطيته سريعاً بالطباشير حيث لم يتم حساب قيمة خفت اللون للطباشضير. وهذا يبين أن TIO, روتيل له قوة تحملية أكبر من TiO, أناتيز. ونجد أنه يوصف الإختراع وتوضحية بالأمثلة مع درجة محددة من الخصوصية؛ © ينبغي تقدير أن عناصر الحماية التالية لا تهدف إلى الحد من الإختراع ولكن تكون لها. Vey
Claims (1)
- ااه \ — عناصر الحماية-١ ١ طريقة ذات طور بخاري لإنتاج TiO, خالي على نحو مناسب من الأناتيز وتشمل " تفاعل glad TICL غاز محتوي على الأكسجين وهاليد ألومينيوم وذلك خلال مفاعل تدفق كتلي مع إدخال هاليد السيليكون عند درجة حرارة للطريقة تتواجد في المدى من 8 حوالي ١٠٠٠م إلى حوالي ١٠6٠م ويضاف ala السيليكون عند موضع أو أكثر بإتجاه © التيار والذي عنده يتم إتصال الغاز المحتوي على الأكسجين و TCL بصورة أولية Gun > يتم إنتاج TIO, خالي بصورة أساسية من الأناتيز.١ *؟- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية ١ وفيها يتمثل هاليد السيليكون في ,8:01 ويضاف late " كافي لتوفير حوالي ١.١ إلى 96٠0 بالوزن من Si0;٠,5 الطريقة وفقاً لعنصر الحماية ؟ وفيها يضاف ,8:01 بمقدار كافي لتوفير حوالي -# ١ حوالي FOE PRE PA "إلى 7050 بالوزن من :5:0 وتكون درجة حرارة الطريقة . تم Yee 796# بمقدار لتوفير 0,5 إلى SICL ؛- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية ¥ وفيها يضاف ١ SiO; بالوزن من "TiCly الطريقة وفقاً لعنصر الحماية ؛ وفيها يتم مسبقاً خلط هاليد الألومينيوم مع ~0 ١ على ملح فلز قلوي مبخر. liad والغاز المحتوي على الأكسجين يشتمل "Vey١ +- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية © وفيها يتمثل هاليد السيليكون في ACT ويضاف Y بمقدار SS لتوفير حوالي vo إلى 96٠١0 بالوزن من ALO; ١ 7- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 7 وفيها يضاف ,8:01 عند موضع والذي عنده يتم Y إدخال مواد الغسل خلال مصرف yall 2 . ١ + الطريقة وفقاً لعنصر الحماية ١ وفيها يتم خفض مقدار السيليكا المضاف عند مرحلة " متتابعة من المعالجة السطحية. Ve
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US26732994A | 1994-06-28 | 1994-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA95160317B1 true SA95160317B1 (ar) | 2006-04-29 |
Family
ID=51566272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA95160317A SA95160317B1 (ar) | 1994-06-28 | 1995-10-14 | طريقة لتحضير tio2 محسنة باضافة هاليد السليكون |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| SA (1) | SA95160317B1 (ar) |
| TW (1) | TW309533B (ar) |
-
1995
- 1995-07-14 TW TW84107319A patent/TW309533B/zh active
- 1995-10-14 SA SA95160317A patent/SA95160317B1/ar unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW309533B (ar) | 1997-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU685306B2 (en) | Process for preparing improved tio2 by silicon halide addition | |
| US6562314B2 (en) | Methods of producing substantially anatase-free titanium dioxide with silicon halide addition | |
| EP1945570B1 (en) | Process for producing titanium dioxide | |
| US5508015A (en) | Process for controlling agglomeration in the manufacture of TiO2 | |
| AU2002245197A1 (en) | Methods of producing substantially anatase-free titanium dioxide with silicon halide addition | |
| US3505091A (en) | Production of titanium dioxide pigments | |
| US6387347B1 (en) | Controlled vapor phase oxidation of titanium tetrachloride to manufacture titanium dioxide | |
| AU2001241467A1 (en) | Controlled vapor phase oxidation of titanium tetrachloride to manufacture titanium dioxide | |
| US3495999A (en) | Process for aftertreating carbon black | |
| AU737000B2 (en) | Method for making a photodurable aqueous titanium dioxide pigment slurry | |
| CA2477495A1 (en) | Ultrafine particulate titanium oxide with low chlorine and low rutile content, and production process thereof | |
| US4021533A (en) | Manufacture of titanium dioxide by the sulphate process using nuclei formed by steam hydrolysis of TiCl4 | |
| US5728205A (en) | Process for the addition of boron in a TiO2 manufacturing process | |
| WO2001023305A1 (fr) | Oxyde de titane a particules fines et procede pour le produire | |
| SA95160317B1 (ar) | طريقة لتحضير tio2 محسنة باضافة هاليد السليكون | |
| EP0412265B1 (en) | Process and apparatus for producing carbon black | |
| MXPA99005409A (en) | A PROCESS FOR THE ADDITION OF BORON IN A TiO2 | |
| JP5013643B2 (ja) | 酸化チタン微粒子およびその製造方法 | |
| Allen et al. | TiO2 manufacturing process | |
| EP0667836A1 (en) | IMPROVED PROCESS FOR THE PRODUCTION OF TiO 2 ?. |