SA516380347B1 - وضع عناصر حسابية مدمجة (ice) باستخدام مرحلة نقل - Google Patents
وضع عناصر حسابية مدمجة (ice) باستخدام مرحلة نقل Download PDFInfo
- Publication number
- SA516380347B1 SA516380347B1 SA516380347A SA516380347A SA516380347B1 SA 516380347 B1 SA516380347 B1 SA 516380347B1 SA 516380347 A SA516380347 A SA 516380347A SA 516380347 A SA516380347 A SA 516380347A SA 516380347 B1 SA516380347 B1 SA 516380347B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- ice
- substrate
- core
- planetary
- source
- Prior art date
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title description 15
- 238000013519 translation Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 39
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 36
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 28
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 6
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 6
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 6
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 239000010779 crude oil Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000007557 optical granulometry Methods 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 3
- 241001674048 Phthiraptera Species 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000005328 electron beam physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000001303 quality assessment method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000010223 real-time analysis Methods 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100495256 Caenorhabditis elegans mat-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 101100480530 Danio rerio tal1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 208000025814 Inflammatory myopathy with abundant macrophages Diseases 0.000 description 1
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100480538 Mus musculus Tal1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241001559566 Osteoglossum bicirrhosum Species 0.000 description 1
- 101100312945 Pasteurella multocida (strain Pm70) talA gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002266 amputation Methods 0.000 description 1
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 1
- 206010003119 arrhythmia Diseases 0.000 description 1
- 230000006793 arrhythmia Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 235000009120 camo Nutrition 0.000 description 1
- 244000213578 camo Species 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000205 computational method Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000003958 fumigation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B47/00—Survey of boreholes or wells
- E21B47/12—Means for transmitting measuring-signals or control signals from the well to the surface, or from the surface to the well, e.g. for logging while drilling
- E21B47/13—Means for transmitting measuring-signals or control signals from the well to the surface, or from the surface to the well, e.g. for logging while drilling by electromagnetic energy, e.g. radio frequency
- E21B47/135—Means for transmitting measuring-signals or control signals from the well to the surface, or from the surface to the well, e.g. for logging while drilling by electromagnetic energy, e.g. radio frequency using light waves, e.g. infrared or ultraviolet waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Geophysics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
يتعلق الاختراع الحالي بالتجسيدات التي تم الكشف عنها التي تتضمن نظامًا وطريقة لتصنيع قلب عنصر حسابي مدمج integrated computational element (ICE). تشتمل الطريقة على تنويع المسافة بين مكون حراري thermal component بالنسبة لحامل ركيزة substrate holder يحمل ركيزة واحدة فقط أثناء عملية وضع الأغشية الرقيقة thin film deposition process لتحسين انتظام قلب ICE. في أحد التجسيدات، يتضمن تنويع المسافة بين المكون الحراري بالنسبة لحامل الركيزة الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك جزء على الأقل من حامل الركيزة في اتجاه واحد على الأقل بالنسبة للمكون الحراري وكذلك تحريك المكون الحراري في اتجاه واحد على الأقل بالنسبة لحامل الركيزة أثناء عملية وضع الأغشية الرفيعة. )الشكل 2(
Description
وضع عناصر حسابية مدمجة (ICE) باستخدام مرحلة Jay DEPOSITION OF INTEGRATED COMPUTATIONAL ELEMENTS (ICE) USING A TRANSLATION STAGE الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الكشف الحالي بشكل عام بوضع الغشاء الرقيق رفيع الشمك؛ وبشكل أكثر تحديدًا؛ بنظم وطرق لوضع عناصر حسابية مدمجة (ICE) integrated computational elements باستخدام dls ye نقل .translational stage في عمليات وضع الأغشية الرقيقة Ge «thin film deposition processes ما تكون الركيزة substrate صفيحة الركيزة csubstrate platter أو (ela الركيزة substrate holder دومًا عبارة عن صينية مسطحة flat platen بسبب الطبيعة المسطحة للصينية ؛» Laws حالات غير شاذة فى السشمك في عمليات الوضع الحراري deposition processes 060021. إن مسافة الصينية عن مصدر التبخير الثابت تكون أقل في المركز مما تكون عند الحافة؛ ويتم وضع مزيدٍ من المادة لكل وحدة 0 زمنية عند المركز أكثر مما يحدث عند الحافة. على سبيل JE إذا تم وضع مركز المصدر مباشرةً تحت صينية الركيزة الدوارة؛ فيمكن ملاحظة معدل وضع أعلى في منتصف الصينية؛ مع ملاحظة وجود الطبقات الأرق على الحواف.
يتعلق الطلب الدولي 2013162914 بأجهزة وطرق لتحديد خاصية عينة باستخدام عنصر حسابي مدمج؛ وعلى نحو أكثر تحديدًاء يتعلق بأجهزة وطرق يمكن أن تُصحح إشارة مستقبلة من عنصر حسابي مدمج في وجود واحد أو أكثر من المواد المتداخلة أو الظروف المتداخلة. تتعلق براءة الاختراع الامريكية رقم 20020012746 بتركيب شبكة ألياف ضوئية عالمية؛ الجاري تفيذها حاليًاء والتي تكون قادرة على معالجة مستويات نقل بيانات لم يكن من الممكن تصورها قبل
عدة سنوات. ونتيجة لهذه الشبكة؛ يعتبر الإنترنت بعيد بأقل من نصف عقد عن كونه الأداة الأكثر نفعًا مقارنةٌ بأجهزة الكمبيوتر المستخدمة في تصفحه. برزت الطلاءات ذات الغشاء الرقيق كتقنية تساعد على التحكم في نقل أطوال موجية منتقاه للضوء وانكاسها. مما سبق؛ وغيرها من الإنجازات التقنية؛ ستستوعب الألياف الضوئية الموجودة حاليًا الزيادة في النطاق العرضي المطلوب
خلال السنوات الثلاث إلى الخمس المقبلة. الوصف العام للاختراع توفر التجسيدات التوضيحية نظامًا وطريقة لوضع غشاء رقيق رفيع thin film deposition بما في ذلك التحكم في توليد أو تصنيع قلوب عناصر حسابية مدمجة integrated computational (ICE) elements للكشف عن عدد من الخصائص في عينة اختبار. كما هو مستخدم هنا يتم
5 تعريف المصطلحات 'صناعة "manufacture أو 'تصنيع "manufacturing باعتبارها إعداد» oz il ina cls تنمية؛ و/أو إنشاء قلوب Bg ICE للتجسيدات التي تم الكشف عنها. تمثل قلوب ICE تجسيدًا واحدًا على وسيلة حسابية ضوئية متعددة المتغيرات؛ نظام؛ أو مكون لتحليل عينة اختبار. قد Jia عينة الاختبار أية توليفة من السوائل liquids الغازات gasses خلائط الملاط «slurries أنواع الطين 00008» البوليمرات polymers المواد متعددة الأطوار multiphasic
cmaterials موائع الهيدروكريون chydrocarbon fluids المساحيق 60088 والمواد الصلبة solids قد يتم استخدام قلوب ICE على عينات الاختبار في أي عدد من الأطوارء Jie أطوار المواد الصلبة؛ السوائل؛ الغازات؛ خلائط (lal المستحلبات cemulsions المساحيق» والمحاليل متعددة الأطوار. قد يتم أيضًا استخدام قلوب ICE في أي نمط ضوئي Jie coptical mode الإنفاذ transmission
الانعكاس reflection الانعكاس الداخلي الكلي «total internal reflection الفلورة «fluorescence «Rayman تشتت «Raleigh تشتت (Brillion الألياف الضوئية optic 56؛ الألياف الضوئية الموزعة «distributed fiber optic وهكذا. قد يكون لقلوب ICE نفس الدقة Jie مقاييس الطيف الضوئي ذات الجودة المعملية بدون استخدام أطياف؛ مقاييس الطيف؛ أو مرشحات ثلمية تقليدية.
0 في أحد التجسيدات؛ قد تقوم قلوب ICE بتنفيذ عملية حسابية/انحدار نوعية للكشف عن و/أو تحديد مقدار ناتج تحليل نوعي محل اهتمام؛ أو سمة مميزة؛ لعينة اختبار محددة. قد يتم استخدام قلوب ICE على نحو غير متلف؛ على نحو غير عدواني؛ في الموقع؛ و/أو في الزمن الفعلي. على سبيل المثال؛ قد يتم استخدام قلوب ICE في البيئات القاسية؛ مثل الظروف أسفل البثر الخاصة بحفرة بتر. بالإضافة إلى ذلك؛ قد يتم Lad استخدام قلوب ICE في المعامل» مراكز
5 معدات الهاتف المحمول؛ محطات العمل غير سابقة الإعداد؛ أو المواقع أو البيئات الأخرى. في أحد التجسيدات؛ قد يتم قياس والتحكم في عمليات الترسيب التي تتحكم في الدالة الضوئية لقلوب ICE في الزمن الفعلي. على سبيل المثال؛ قد يستخدم نظام تصنيع قلب ICE مستشعرات؛ مثل شاشات بلورية؛ شاشات ضوئية؛ مقاييس للطيف في الموقع» ومقاييس إهليليجية ellipsometers في الموقع. قد يتم تعريف الدالة الضوئية لقلب ICE باعتبارها الشدة
الكهرومغناطيسية (على سبيل المثال؛ الإنفاذء الامتصاص؛ والانعكاس) الخاصة بقلب 105 AS على طول الموجة. في أحد التجسيدات؛ قد يتم استخدام ترسيب شعاع الإلكترون المساعد بأيون (شعاع ») لكل طبقة أو خطوة خاصة بعملية الترسيب. JS إضافي؛ قد تتضمن التجسيدات التي تم الكشف عنها نظامًا وطريقة لنقل موضع مصدر حراري thermal source (على سبيل المثال» سيليكون silicon أو ثاني أكسيد سيليكون silicon
dioxide (سيليكا معتلذة)) و/أو حامل ركيزة substrate holder قد يتم استخدامه مع أو على نحو منفصل عن عملية ترسيب شعاع الإلكترون electron beam deposition process المساعد بأيون(100 التي تم الكشف عنها. شرح مختصر للرسومات
0 تم وصف التجسيدات التوضيحية للاختراع الحالي بالتفصيل أدناه بالإشارة إلى الأشكال المرفقة؛ والتي تم تضمينها هنا كمرجع وحيث: الشكل 1 يمثل رسمًا تخطيطيًا لنظام لمراقبة عينات اختبار في بيئة مورد طبيعي تستخدم وسيلة تحليل ضوئي في الموقع وفقًا لتجسيد توضيحي؛ الشكل 2 Jia مسقط hs 2 رأسي جانبي Lg ICE lal لتجسيد توضيحي ¢
5 الشكل 3 يمثل مخططًا لنظام تصنيع قلب Us ICE لتجسيد توضيحي؛ و الشكل 4 يمثل مسقطًا جانبيًا تخطيطيًا لنظام تصنيع قلب ICE وفقًا لتجسيد توضيحي.
الوصف التفصيلي: Jia الشكل 1 رسمًا تخطيطيًا لنظام 10 لمراقبة عينات الاختبار في بيئة مورد طبيعي تستخدم وسيلة تحليل ضوئي في الموقع dal By توضيحي. في أحد التجسيدات؛ قد يتم استخدام النظام 10 لتحديد عدد من خصائص عينات الاختبار Je) سبيل المثال؛ البترول الخام crude emixtures DAN cell petroleum 5 السوائل diquids إلخ) إما أسفل البثر في عملية حفر بئر
Jal" يعني المصطلح ٠ أو بيئة أخرى «pipeline خط أنابيب laboratory معمل «drilling well موضوع في بثر أو تيار متصل ببثر أو متصل بأي واحد أو أكثر من الخزانات " downhole il التي يتم تعريض الموائع الخاصة بها إلى عملية ضخ لها إلى السطح عند بثر. عمليًاء قد يتم توصيل العديد من الخزانات داخليًا بواسطة شبكة من التيارات التي تغذي جميعها رأس بثر 10 مشتركة. يعني المصطلح خط أنابيب أنبوبًا مستخدما لتوصيل البترول من رأس بثر لحقل إلى مكان بعيد. يتم استخدام الأنابيب أسفل Ag jill خطوط الأنابيب. يتضمن المصطلح pipecsal’ ' الأنابيب أسفل all أو الأنابيب الخاصة بخط أنابيب. قد تكون الأنابيب أسفل al رأسية؛ أفقية؛ أو ذات علاقات مكانية أخرى. قد يتم استخدام الخصائص المحددة (Jubail لتحديد تدفق البترول؛ أو تحليل الخلائط والمواد القابلة لللتطبيق؛ وعمليات التحديد ذات الصلة الأخرى. كما هو مستخدم lis يعني المصطلح "خاصية" سمة مميزة كيميائية أو فيزبائية؛ Au$ خصائص؛ أو عناصر متضمنة في تركيبة ومحتوى عينة الاختبار el) البترول أو ما يُكوّن تركيبة البترول والتي تتضمن؛ إلا أن الأمر ليس قاصرًا على SARA (المركبات المشبعة saturates أسفلتين casphaltene راتنجات cresing المواد العطرية aromatics (¢ المحتوى الدقائقي الصلب cll Jie الطين؛ القشور والملوثات المشابهة؛
المسامية؛ الرقم الهيدروجيني؛ إجمالي المواد الصلبة المذابة؛ المحتوى الأيوني (أي؛ تركيبة ومحتوى أيون «(H20 تركيبة ومحتوى الهيدروكربون» تركيبة ومحتوى غاز 01-66 «CO2 1125 وخصائص PVT ذات الصلة متضمنة GOR (نسبة الغاز -الزيت ¢(gas-oil ratio نقطة تكوين pointeule Gall ع00001؛ الكثافة؛. شكل الجسيم؛ توزيع الجسيم؛ واللزوجة من بين خصائص أخرى. على سبيل (JB قد يتضمن البترول الخام crude petroleum مركبات عطرية؛ راتنجات مركبات
أسفلتين cresins asphaltenes ومركبات مشبعة 6ع5201721. قد يتضمن النظام 10 Sigal موضوعة عند وفي dla تلامس مع البترول الخام المتدفق py وضع هذه المكونات أسفل ll أو على خط أنابيب لتحديد خصائص البترول في الزمن الفعلي الذي يتدفق في الأنابيب تحت الأرضية أو في خط الأنابيب. كنتيجة؛ يتم تعريض الأجهزة الخاصة
0 بالنظام 10 إلى درجات الحرارة وقيم الضغط القصوى الخاصة بالتيارات تحت الأرضية؛ إلا أنها لا تستخدم أجهزة قياس الطيف المكلفة كما هو مستخدم في النظام الخاص بالمجال السابق؛ ولكن بدلاً من ذلك وسائل تحليل ضوئي يمكن الاعتماد عليها قوية التكوين؛ Jie قلوب LICE تجسيد A ¢ قد يتم استخدام النظام 10 للتحليل في غير الزمن الفعلي لعينات الاختبار في مرفق متحرك أو محلي؛ حاوية عينة؛ أو موقع آخر أو حاوية بعد استعادة due الاختبار.
5 في أحد التجسيدات؛ قد يتضمن النظام 10 جهاز كمبيوتر 12 متضمن معالج دقيق microprocessor 14« ذاكرة memory 16 قد تتضمن واحدة أو أكثر من الذاكرات الثابتة static أو الديناميكية dynamic أو الذاكرات الخفية (على سبيل Jal) قرص صلب؛ (RAM (ROM إلخ) لتخزين برنامج التحليل وبرنامج نظام التشغيل والبيانات المحددة من بين المعلومات الأخرى
كما هو معروف في مجال التحليل الطيفي كما يُدرك أحد ذوي المهارة. قد يتضمن جهاز الكمبيوتر 2 شاشة عرض display 18 لوحة keyboardzsilie 0 وفأرةع00005 22. قد يكون المعالج الدقيق 14 عبارة عن دائرة أو منطق يسمح بالتحكم في تنفيذ مجموعة من التعليمات. قد يكون المعالج 14 عبارة عن واحد أو أكثر من المعالجات الدقيقة؛ معالجات الإشارة الرقمية؛ الدوائر المدمجة محددة التطبيق «(ASIC) application-specific integrated circuits
وحدات المعالجة المركزية؛ أو وسائل أخرى ملائمة للتحكم في وسيلة إلكترونية متضمنة واحد أو أكثر من العناصر الصلبة والبرمجية؛ برامج تنفيذ؛ تعليمات؛ برامج؛ وتطبيقات؛ تقوم بتحويل ومعالجة الإشارات والمعلومات؛ وتنفيذ المهام الأخرى ذات الصلة. قد يكون المعالج 14 عبارة عن رقاقة فردية أو مدمجة مع وسائل حسابية؛ اتصالات؛ استكشاف أخرى؛ أدوات أسفل البئر.
0 يمكن أن تكون الذاكرة 16 عنصرًا من مكونات الكمبيوتر» وسيلة؛ أو أوساط تسجيل مهيأة لتخزين البيانات لاستعادتها أو الوصول إليها بعد ذلك في وقتٍ لاحق. يمكن أن تكون الذاكرة 16 ذاكرة ثابتة أو ديناميكية. يمكن أن تتضمن الذاكرة 16 قرصًا صلبًاء ذاكرة وصول عشوائي؛ ذاكرة خفية؛ محرك أوساط قابل ADU وحدة تخزين عالية السعة؛ أو هيئة مناسبة لتخزين البيانات؛ التعليمات؛ والمعلومات. في أحد التجسيدات؛ يمكن دمج الذاكرة 16 والمعالج 14. يمكن أن تستخدم الذاكرة أي
5 نوع من تقنيات وأوساط التخزين المتطايرة أو غير المتطايرة. في أحد التجسيدات؛ قد يتم وضع جهاز الكمبيوتر عند موقع مركزي بعيد عن باقي النظام 10 مشتمل على وسائل تحليل ضوئي optical analyzing devices واستشعار لخاصية البترول الضوئية optical petroleum property sensing 24 و26. بينما يتم عرض اثنتين من الوسائل؛ يكون هذا العدد من الوسائل على سبيل التوضيح وقد يتم استخدام مزيد أو أقل من الوسائل عند
التطبيق العملي. على سبيل المثال؛ قد يتم استخدام كل وسيلة تحليل ضوئي 24 و16 للكشف عن وتحليل الضوء المتفاعل مع العينة المصاحبة أو الخليط المصاحب؛ Jie البترول بالخصائص المتنوعة محل الاهتمام. قد تقيس كل من وسائل التحليل الضوئي 24 و26 العديد من الخصائص أو خاصية فردية حسب الحاجة. قد يتم استخدام وسائل التحليل الضوئي في توليفة لتوفير صورة إجمالية لحالة البترول والموقع.
قد تكون وسائل التحليل الضوئي 24 و26 قوية التكوين ويمكن تهيئتها لتحمل درجات الحرارة وقيم الضغط في الموقع عند الأنابيب وبالتالي يتم وضعها لفترة قصيرة»؛ فترة طويلة؛ أو للاستخدام الدائم. تعتبر وسائل التحليل الضوئي 24 و26 بمثابة تحسين واضح مقارنة بنظم التحليل الحالية غير قوية التكوين؛ غير الأتوماتيكية ولا تكون خاصة بالاستخدام على المدى الطويل نسبيًا. يتم
0 تصنيع وسائل التحليل الضوئي 24 و26 على نحو خاص لاختبار وتحليل واحدة أو أكثر من خصائص عينة اختبار. في التجسيدات الأخرى؛ قد يتم تصنيع وسائل التحليل الضوئي 24 و26 للاستخدام مرة واحدة؛ الاستخدام المؤقت؛ أو الاستخدام مرة واحدة. يكون عدد وسائل التحليل الضوئي 24 و26 عشوائيًا ولا يكون مخصصًا لتوصيل أية دلالة. يعتمد عدد وسائل التحليل الضوئي 24 و26 في النظام 10 على احتياجات واحد أو أكثر من
5 المستخدمين؛ التحليل المطلوب؛ عدد الأنابيب/الآبار؛ وعدد الخصائص التي تتم مراقبتها. قد تحدث الاتصالات داخل النظام 10 في الزمن الفعلي أو عبر أي عدد من الاتصالات التالية؛ عمليات تقل البيانات؛ أو عمليات التزامن. قد Waal Taw أحد المستخدمين عملية اتصال» Ola clas أو عملية أخرى تستخدم النظام 10.
تتم دراسة أن عدد وسائل التحليل الضوئي 24 و26 الخاصة بالتنظام 10 لا يكون قاصرًا على قياس خصائص عينة اختبار عند موقع واحد. قد تتم برمجة جهاز الكمبيوتر 12 للاتصال ب أو مراقبة عدد كبير من وسائل التحليل الضوئي 24 و26 المصحوبة ب والموضوعة بالنسبة إلى عدد من المواقع المختلفة. ومن ثم قد تتم مراقبة خصائص due اختبار متدفقة على نحو مستقل في مكان مختلف في وقت واحد بواسطة جهاز كمبيوتر واحد 12 يمكن أيضًا أن يكون مبرمجًا لريط عدد من الخصائص المختلفة باعتبارها ذات علاقة بمشكلة ضمان التدفق في نظام خزان واحد. قد يمثل جهاز الكمبيوتر 12 واحدة أو أكثر من الوسائل الحسابية أو وسائل الاتصالات؛ النظم؛ المعدات؛ أو المكونات. قد تحدث الاتصالات داخل النظام 10 على نحو مباشر أو من خلال واحدة أو أكثر من الشبكات 0 متضمنة؛ شبكة هاتف بالمفاتيح ذات ملكية عامة؛ الشبكات الخلوية أو اللاسلكية lo) سبيل المثال» 36 «GMSR PCS (LTE «4G إلخ)؛ شبكات الإيثرنت» أو غيرها. قد يتم أيضًا إقران جهاز الكمبيوتر 12 بوسيلة إخراج alarm output device HI) 13 قد توفر HI مسموعًا caudible alarm إنذارًا visual alarm iw أو كلاهما. في أحد التجسيدات؛ قد يراقب جهاز الكمبيوتر 12 الأنابيب؛ التيارات؛ الخزانات؛ وحفر البثر لتقديم 5 صورة للبترول وعينات الاختبار الأخرى المتدفقة؛ المخزنة؛ أو التي تتم استعادتها. كنتيجة؛ قد تراقب وسائل التحليل الضوئي عددًا من الخصائص على نحو فوري أو By لواحد أو أكثر من المستخدمين. كنتيجة؛ قد تتم أيضًا مراقبة المشكلات أو الأمور المسببة لذلك بكفاءة؛ الكشف عنهاء وتسجيل أدائها لأخذ أي عدد من الإجراءات التصحيحية la (hal خط أنابيب؛ أو غير ذلك.
قد يتم استخدام واحدة أو أكثر من القيم الحدية لتمييز الخصائص لإجراء تحليل Yad ST أو
تنفيذ اختبارات مختلفة.
قد تكون وسائل التحليل الضوئي 24 و26 منخفضة التكلفة نسبيًا وقوية التكوين وقد يتم التزويد بها
في المزيد من المواقع والتيارات مقارنة بما هو ممكن باستخدام النظم الأخرى. في أحد التجسيدات؛ قد تتضمن وسيلة التحليل الضوئي 24 (مؤصفة باعتبارها وسيلة توضيحية) مصدر light gpa
source 32« عينة اختبار test sample 34 تتم مراقبتهاء قلب ICE 36 يقوم بتشغيل وسيلة حساب
انحدار ضوئية؛ كاشف 38 للكشف عن الضوءٍ المنعكس من قلب ICE 36 وكاشف 40 للكشف
عن الضوءٍ النافذ بواسطة قلب ICE 36. قد يكون قلب ICE 36 عبارة عن وسيلة حساب ضوئية
مميزة تتضمن طبقات متعددة بحجم؛ شكل خاصين؛ ومهيأة لتحديد خصائص die الاختبار.
0 يمثل الشكل 2 مسقط قطاع رأسي جانبي لقلب Bg 42 ICE لتجسيد توضيحي. في الشكل BQ يتضمن ICE lf 42 عددًا من الطبقات alternating layersdaliall 44 و46 على التوالي من Si02 5 5 (الكوارتز (quartz في أحد التجسيدات؛ قد يتم ترسيب الطبقات 44 و46 على ركيزة من الزجاج 48 مثل» إلا أن الأمر ليس قاصرًا على؛ سيليكون أو سيليكا. قد يتم تعريض الطبقة الطرفية الأخرى 50 من الطبقات الحسابية الضوئية إلى البيئة الخاصة بالمنشأة. قد يتم
5 تحديد عدد الطبقات وشمك الطبقات من وتكوينها من السمات الطيفية المحددة من تحليل طيفي spectroscopic analysis لخاصية خليط عينة باستخدام جهاز قياس طيف تقليدي conventional instrument ع1( 806001:0520. في أحد التجسيدات؛ تناظر التوليفة من الطبقات دلالة الخاصية محل الاهتمام وفقًا للنموذج الطيفي لتلك الخاصية. قد يتم التحكم أوتوماتيكيًا في طبقات قلب ICE 42 وترسيبها لتناظر دلالة الخاصية.
يتضمن الطيف محل الاهتمام لخاصية معينة نمطيًا أي عدد من أطوال الموجة المختلفة. يتم توفير قلب ICE 42 لأغراض توضيحية فقط. لا يحمل عدد الطبقات والسشمك النسبي الخاص بقلب ICE أية علاقة ارتباطية 4b خاصية لعينة تتعلق بها التجسيدات التوضيحية؛ ag توفيرها لأغراض الإدراك فقطء ولا يتم أيضًا تطبيق مقياس الرسم عليها. قد يكون سُمك الطبقات بالميكرون microns 5 أو بالنانو nanometers jie يكون للطبقات المتعددة وطبقة الأساس معاملات انكسار معقدة مختلفة. عن طريق اختيار على نحو ملائم المواد الخاصة بطبقة الأساس والطبقات وسُمك الطبقة والمسافة الفاصلة؛ قد يتم تصنيع وسيلة التحليل الضوئي optical analysis device لتجتاز انتقائيًا أجزاء محددة مسبقًا من الضوء عند أطوال الموجة المختلفة. يتم تخصيص عامل ترجيح أو تحميل محدد مسبقًا لكل طول موجي. 0 قد يتم تحديد قيم الشمك والمسافة الفاصلة الخاصة بالطبقات باستخدام مجموعة متنوعة من طرق التقريب من المخطط الطيفي الخاص بالخاصية محل الاهتمام. يتم ضبط عوامل الترجيح التي تقوم طبقات قلب 108 42 بتطبيقها عند كل طول موجة على قيم الانحدار الموصفة بالنسبة إلى معادلة معروفة؛ أو بيانات؛ أو دلالة طيفية كما هو معروف في المجال. يجري قلب ICE 42 الجداء النقطي لحزمة الضوء الداخلة في وسيلة الحساب الضوئية وقراءات ترجيح متجه الارتداد المحمل المفضل لكل طول موجي. ترتبط شدة ضوءٍ خرج قلب ICE 42 مباشرةً بخاصية العينة المفضلة وتتناسب معها. تمثل شدة الخرج تجميع كل معدلات الشدة للأطوال الموجية المارة والتي تم قياسها بمحول ضوئي. قد يتم تقييم أطوال الموجات هذه على نحو متناسب عن طريق البنية المنشأة الخاصة بطبقات وسيلة التحليل الضوئي المناظرة. قد تنتج الطبقات الناتجة Ge وسيلة تحليل ضوئي؛ مثل قلب ICE
2 الذي يخرج شدة ضوء معدلة من الشعاع المدخل. تمثل قيم شدة الضوءٍ BUY والمنعكس؛ كما هو مقاس بواسطة الكواشف 8م0601 38 و40 والمعالجة بواسطة جهاز كمبيوتر 12؛ الضرب النقطي الخاص بالضوء المدخل والمتجهات المحملة الخاصة بتلك الخاصية (على سبيل المثال؛ الراتنج (resin على سبيل المثال؛ تكون dad الشدة لوسيلة تحليل ضوئي الشدة المخرجة متناسبة مع مقدار الراتنج في البترول الخام الذي يتم فحصه. بهذه الطريقة؛ يتم إنتاج قلب 108 لكل خاصية سيتم تحديدها في عينة الاختبار. تمثل قلوب 108 هذه وسائل تعرّف على نموذج ومكونات تنتج نماذج خرج لسمة مميزة تمثل دلالة للعناصر الطيفية التي تحدد السمة المميزة أو الخاصية محل الاهتمام. يعتبر خرج شدة الضوء Labs للمقدار المتناسب الخاص بالسمة المميزة في عينة الاختبار التي يتم تقييمها. في أحد 0 التجسيدات؛ قد يتم استخدام الخرج من عدد من قلوب 101 في صورة إشارات كهربائية ليمثل السمة المميزة أو الخاصية محل الاهتمام في عينة الاختبار. هناك علاقة ارتباطية جيدة فيما بين السمة المميزة المتنباً بها مثل مركبات عطرية؛ على سبيل المثال» والمقدار المقاس من السمة المميزة. ومن ذم فقد تم توصيف نظام وطريقة لتحديد سمة مميزة واحدة على الأقل خاصة بعينة الاختبار قد تتضمن التسبب في أن تقوم عينة الاختبار بإنتاج 5 ضوءٍ متفاعل من الضوءٍ الساقط؛ تنفيذ عملية حساب انحدار أو عملية معالجة أخرى على الضوء المتفاعل باستخدام وسيلة تحليل ضوئي مستجيبة للضوء المتفاعل الساقط عليها لإنتاج إشارة خرج واحدة على الأقل تُظهر العملية الحسابية والخاصية المناظرة الواحدة على الأقل؛ وتحديد الخاصية الواحدة على الأقل الخاصة بعينة الاختبار من إشارة الخرج الواحدة على الأقل.
يمثل الشكل 3 مخططًا لنظام تصنيع قلب ICE 300 وفقًا لتجسيد توضيحي. قد يتضمن نظام تصنيع قلب ICE 300 أي عدد من المكونات الصلبة؛ البرامج والبرامج الثابتة. في أحد التجسيدات؛ قد يتضمن نظام تصنيع قلب ICE 300 برنامج مرشح01ة:ع1:0م candidate 302« تطبيق تكراري iteration application (ITER) 304؛ بيانات تحليلية هفل analytic 306 وأداة coating toolsDda 5 308 تتصل على نحو مباشر أو غير مباشر من خلال واحدة أو أكثر من الشبكات. قد يتضمن نظام تصنيع قلب ICE 300 أي عدد من الوحدات النمطية البرمجية؛ التطبيقات؛ أو منطق Liga لتنفيذ مجموعة من التعليمات كما هو مؤصف هنا. في aad التجسيدات»؛ قد يتضمن أيضًا نظام تصنيع قلب ICE 300 أي عدد من وحدات الخدمة؛ قواعد البيانات databases أجهزة التوجيه routers الوحدات الطرفية cterminals أدوات تصنيع 0 شبه موصل csemiconductor manufacturing tools أجهزة خارجية cperipherals أو غير ذلك. في أحد التجسيدات؛ قد تتم تهيئة البرنامج المرشح 302 لتكوين معلومات مرشح لقلوب ICE على سبيل المثال؛ قد يستخدم البرنامج المرشح 302 بيانات تركيز ناتج التحليل» ومعاملات الانكسار refraction information المعقدة للركيزة والمادة («؛ o(k لتحديد خصائص الطبقة. قد يتطلب تصنيع قلوب ICE متنوعة أن تصيغ القيود الضوئية التي تم الحصول عليها Baa المواد المترسبة في طبقات قلوب ICE المختلفة؛ الشمك» معالجات الطبقات الفردية؛ والمعلومات الأخرى القابلة للتطبيق. قد يتم إرسال القيود الضوئية واستقبالها أوتوماتيكيًا أو استجابة إلى تفاعل المستخدم. قد يكون ITER 304 عبارة عن مجموعة تطبيقات متعددة خاصة ببرامج مترجمة تتصل بأداة الطلاء 308 وتصل بتصميمات المرشح إلى المستوى الأمثل اعتمادًا على تغذية استرجاعية من البرنامج المرشح 302. على سبيل المثال؛ قد يسمح ITER 304 بعملية وصول إلى المستوى
الأمثل و/أو التشغيل الأوتوماتيكي لعملية الترسيب مثل التحكم في طبقة زائفة وتعديل و/أو السماح بإضافة طبقة غير محكمة الشد للحصول على مرشح. قد تكون البيانات التحليلية 306 عبارة عن بيانات تم الحصول عليها من مواقع متعددة داخل حجرة التصنيع. قد يتم الحصول على البيانات التحليلية 306 بواسطة شاشات ضوتية؛ مقاييس الطيف؛ مقاييس الإهليليجية؛ ترمومترات» بارومترات» مستشعرات الغازء موازين دقيقة بلورية من الكوارتز» ترمومترات» أو معدات قياس أو مراقبة أخرى داخلية أو خارجية بالنسبة لنظام تصنيع قلب ICE 0. قد تتم قولبة البيانات التحليلية 306 ومعالجتها حسبما يتماشى مع أهداف دورة المرشح. قد تكون أداة الطلاء 308 عبارة عن أداة تصنيع للتحكم في وترسيب كل طبقة. في أحد التجسيدات» تكون أداة الطلاء 308 عبارة عن نظام إنتاج راسب من غشاء رقيق رفيع. قد تتم تهيئة 0 أداة الطلاء 308 لإجراء عمليات ترسيب مختلفة؛ Jie التبخير بالحث الحراري؛ التبخير بالحث الحراري المساعد بأيون؛ التنظيف الانحيازي بالأشعة تحت الحمراء؛ رش ماجنيترون» و0770 معزز بالبلازما. قد تتضمن أداة الطلاء 308 حجرة معالجة معزولة مهيأة لتطبيق عملية تفريغ على قلوب ICE عند تصنيعها. في أحد التجسيدات؛ قد تستخدم أداة الطلاء 308 La حدية للإطلاق وقد تنتظر Nyy 15 يمثل الشكل 4 مسقطًا تخطيطيًا لمتال واحد خاص بنظام تصنيع قلب ICE 400 لتصنيع قلوب Gy ICE للتجسيدات التي تم الكشف عنها. على سبيل المثال؛ في أحد التجسيدات؛ قد يتم استخدام نظام تصنيع قلب ICE 400 لإجراء ترسيب لغشاء رقيق رفيع لتصنيع قلوب ICE قد يتم استخدام أي عدد من ترسيب بخار فيزيائي (PVD) physical vapor deposition وترسيب بخار كيميائي -(CVD) chemical vapor deposition في أحد التجسيدات؛ قد يتضمن نظام تصنيع قلب
ICE 400 حجرة vacuum chamberg di 405؛ محرك كوكبي planetary drive 410« واحدة أو أكثر من التجميعات الكوكبيةبعتاطسعومة planetary 415 مقياس spectrometercink 416« مستشعرات مغلقة050:5»؟ shuttered 425 منافذ لمقياس ا لإهليليجية0116م ellipsometer 430 سخانات الكوارتز quartz heaters 440 مصدر jon sources 445 وسائل إغلاق مصدر source shutters 450« واحد أو أكثر من المصادر الحرارية Ae) thermal sources سبيل
(JULI مصادر شعاع إلكترون8007088 e-beam 455؛ مصادر تبخير حراري» إلخ)؛ وتجميعة جهاز مراقبة ضوئي optical monitor assembly 460. في أحد التجسيدات؛ قد يكون نظام تصنيع قلب ICE 400 متصلاً بواحدة أو أكثر من الوسائل الحسابية لإدارة المكونات والطبقات المتنوعة المترسبة على ركيزة.
0 في أحد التجسيدات؛ قد تتم تهيئة نظام تصنيع قلب ICE 400 للتحكم في ترسيب عدد من الطبقات وخصائص الطبقات. على سبيل المثال؛ قد تتضمن خصائص الطبقات التي قد يتم التحكم فيها على الأقل معامل GLE) معامل الامتصاص الضوئيء الملاءمة الفيزيائية؛ والشمك الضوئي. في أحد التجسيدات؛ قد يستخدم نظام تصنيع قلب ICE 400 متجه انحدار لإنشاء دوال الإنفاذء الانعكاس؛ والامتصاص الخاصة بقلوب TCE قبل؛ أثناء؛ وبعد التوليد. قد يتنوع قلب 1070 في
15 السُمك والطبقات. على سبيل المثال؛ قد يتنوع قلب ICE فيما بين تقريبًا 5 نانو متر وتقريبًا 50 ميكرو متر وقد يكون له طبقات فيما بين تقريبًا 2 وتقريبًا 50 طبقة. بالرغم من ذلك؛ في التجسيدات الأخرى؛ قد تتم زيادة الشمك وتقليله اعتمادًا على التطبيق»؛ قد يتم استخدام طبقة فردية أو قد يتم استخدام عدد كبير للغاية من الطبقات اعتمادًا على تطبيقات معقدة للغاية ld) 108.
في أحد التجسيدات»؛ قد تكون حجرة التفريغ 405 عبارة عن إطار حاوي صلب حيث تتم إزالة الهواء أو الغازات الأخرى بواسطة مضخة خوائية (غير معروضة). قد تتضمن حجرة التفريغ 405 أي عدد من المنافذ التي تسمح بوضع مكونات مميزة؛ مثل أدوات قياس؛ مستشعرات؛ مصادر؛ مصادر غازء diag على الأرض أو تركيبها داخل حجرة التفريغ 405 للاستخدام أثناء عملية تصنيع قلب ICE قد يتم تكوين حجرة التفريغ 405 من معادن؛ Jie الصلب الذي لا daar
الألومنيوم؛ الفولاذ الطري؛ أو النحاس الأصفرء المواد الخزفية عالية الكثافة؛ الزجاج؛ مواد coll SY والمواد الأخرى الملائمة للعناصر والخلائط المختلفة المترسبة والمستخدمة داخل Bas التفريغ 405. في تجسيد آخرء قد يتم إخفاء سحابة تبخير منبعثة داخل حجرة التفريغ 405 لتعزيز انتظام الترسيب. يتم تنفيذ الإخفاء على» إلا أن الأمر ليس قاصرًا على الواقيات المعدنية قبل
0 التجميعة الكوكبية 415 بفتحات تسمح بمرور سحابة التبخير إلى التجميعة الكوكبية 415. قد تغير حجرة التفريغ 405 Load من الضغط داخل حجرة التفريغ حسب الضرورة لكل خطوة في العملية. قد تُدخل حجرة التفريغ 405 أي عدد من الغازات الخلفية أو الغازات المتفاعلة أثناء العملية. قد تتضمن حجرة التفريغ 405 أي عدد من الدعائم؛ (Bla وسائل التهيئة؛ الواجهات البينية؛ أو غير ذلك. قد تتضمن حجرة التفريغ 405 أي عدد من المدخلات الكهربائية؛ الغازء الشغط
5 التصريف»؛ أو المدخلات أو المخرجات الأخرى. على سبيل المثال؛ قد يتم تنويع الغازات الخلفية المستخدمة داخل saa التفريغ 405 اعتمادًا على الترسيب أو العملية التي يتم تنفيذها على طبقات الأساس/قلوب LICE قد تتضمن حجرة التفريغ 5 أيضًا أي عدد من الواح التثبيت الأخرىء التجميعات؛ أو غير ذلك. على سبيل المثال؛ قد تتضمن حجرة التفريغ 405 قائم ضبط مستوى لضمان أن يتم الحفاظ على saa التفريغ 405 مستوية إضافة إلى أي عدد من أجهزة خارجية؛
مثل لوحات roll شاشات العرض» الفأرة؛ شاشة ually أو غير ذلك.
في أحد التجسيدات؛ قد يكون المحرك الكوكبي 410 عبارة عن وسيلة حركة أو نظام لتحريك نظام كوكبي بتجميعة كوكبية واحدة على الأقل 415 تحمل طبقات الأساس أو قلوب 10 أثناء عملية التصنيع. قد تتم أيضًا الإشارة إلى التجميعة الكوكبية 415 باعتبارها منصة مستوية لركيزة. قد يمثل المحرك الكوكبي 410 آلية كوكبية فردية المكون أو متعددة المكونات. في بعض التجسيدات؛ قد تتم تهيئة المحرك الكوكبي 410 للحركة في ثلاثة أبعاد. على سبيل المثال؛ قد يدور المحرك
الكوكبي 410 ويميل أيضًا لتوفير حركة على طول ثلاثة محاور مختلفة. في أحد التجسيدات؛ قد يتضمن المحرك الكوكبي 410 واحدًا أو أكثر من المحركات؛ وعلبة Gag i متضمنة؛ على سبيل (JU يتعشق ترس مركزي أو "شمسي" مع عدد من التروس المحيطة أو الكوكبية. قد يتم حمل التروس الكوكبية في مكانها بواسطة هيكل قفصي أو حامل يثبت التروس الكوكبية في مدار
0 بالنسبة لبعضها البعض. في أحد التجسيدات» يكون كل من التروس الكوكبية الفردية داخل التجميعة الكوكبية 415 SUE للدوران على نحو فردي على المحور ذي الصلة الخاص بها إضافة إلى ميلها لتوفير حركة على طول ثلاثة محاور مختلفة. قد يقوم الواحد أو أكثر من المحركات بتدوير التجميعة الكوكبية على نحو سلس. على سبيل المثال؛ قد يتم تدوير قلوب TCE عندما يتم ترسيب كل طبقة جديدة لضمان ترسيب منتظم. يوفر المحرك الكوكبي 410 والتجميعة الكوكبية
(BLE 415 5 جسوءة بالدوران» وسرعات دوران متسقة للاستخدام في عملية تصنيع قلب ICE في أحد التجسيدات؛ قد يُحرك المحرك الكوكبي 410 التجميعة الكوكبية 415؛ و/أو التروس الكوكبية الفردية داخل التجميعة الكوكبية 415؛ وطبقات الأساس/قلوب TCE المناظرة أثناء الترسيب لزيادة الانتظام في قلوب ICE على سبيل المثال؛ في أحد التجسيدات؛ قد يتم أيضًا تحريك مصدر الأيون 445 ومصادر شعاع الإلكترون 455 أثناء الترسيب أو العمليات الأخرى
0 (على سبيل المثال» نظم محرك كوكبي ثانوي). على سبيل المثال؛ قد يتم تنويع مسافة فيما بين
الركيزة الملحقة بالتجميعة الكوكبية 415 (أو الأنواع الأخرى من حامل الركيزة) والمصدر الحراري (على سبيل المثال؛ مصادر شعاع إلكترون 455) أثناء الترسيب للتأثير على الشكل الخاص بقلوب ICE لتحسين انتظام المادة المترسبة. قد يتم استخدام تدوير واحدة أو أكثر من التجميعة الكوكبية 415؛ مصدر الأيون 445؛ ومصادر شعاع الإلكترون 445 لزيادة الانتظام» الكثافة؛ وللتعويض عن طبيعة المصدر النقطي الخاص بأسطوانة التبخير المائية من مصدر شعاع
الإلكترون 455. كمثال؛ في أحد التجسيدات؛ قد يتحرك المصدر الحراري في الاتجاه ey ex و/أو 2 بالنسبة إلى حامل الركيزة؛ بينما يحافظ حامل الركيزة على الموضع أو الحركة الطبيعيين الخاصين به. يمثل الاتجاه x الحركة من جانب إلى جانب؛ يمثل الاتجاه y الحركة من الأمام إلى الخلف؛ ويمثل الاتجاه 2 الحركة لأعلى وأسفل. في تجسيدات بعينها؛ قد تكون التحركات محددة
مسبقًا قبل عملية الترسيب لتحسين انتظام قلب ACE على نحو بديل؛ في بعض التجسيدات؛ قد يتحرك المصدر الحراري في الاتجاه cy x و/أو 2 بالنسبة إلى حامل الركيزة؛ بينما قد يتحرك أيضًا حامل الركيزة و/أو القطاعات المتحكم Led على نحو فردي من حامل الركيزة (على سبيل المثال؛ واحد أو أكثر من التروس الكوكبية في التجميعة الكوكبية 415) في الاتجاه cy ox و/أو cz أيضًا يميل؛ بالنسبة إلى المصدر الحراري لتوفير طبقة
5 ترسيب أكثر انتظامًا. قد تكون حركة كل من المصدر الحراري وحامل الركيزة مفيدة حيث يمكن أن يكون النظام ككل أصغر لأن JS سيكون عليه فقط التحرك جزءًا (على سبيل المثال. نصف) من المسافة المطلوية. قد تتضمن حركة حامل الركيزة مثل التجميعة الكوكبية 415 تحريك النظام الكوكبي الخارجي بينما يتم الحفاظ على الوضع الطبيعي أو عدم تحريك التروس الكوكبية الفردية؛ تحريك النظام الكوكبي الخارجي وتحريك التروس الكوكبية الفردية؛ تحريك التروس الكوكبية الفردية
0 بينما لا يتم تحريك النظام الكوكبي الخارجي؛ وتحربك تروس كوكبية فردية معينة فقط بينما لا يتم
تحريك تروس أخرى. مرة أخرى؛ قد يكون كل من التحركات في الاتجاه cy ox و/أو az إضافة إلى
الميل؛ بالنسبة إلى المصدر الحراري لتوفير طبقة ترسيب أكثر انتظامًا.
أيضًاء في بعض التجسيدات؛ قد يتحرك حامل الركيزة و/أو القطاعات المتحكم فيها على نحو
فردي من حامل الركيزة في الاتجاه ey ox و/أو 2 إضافة إلى الميل؛ بالنسبة إلى مصدر حراري
غير متحرك. بشكل إضافي؛ في بعض التجسيدات؛ قد يتم أيضًا تحريك مصدر الأيون 445
للمساعدة في خلق طبقة ترسيب منتظمة.
في تجسيدات بعينهاء قد تتم برمجة نظام تصنيع قلب ICE 400 بشكل مسبق للتحكم في حركة
المصدر الحراري و/أو dala الركيزة اعتمادًا على نتائج عملية تجرية وخطاً لتحديد الحركة/الموضع
الأمثل الخاص بالمصدر الحراري و/أو حامل الركيزة الذي ينتج أعلى نسبة مئوية من قلوب ICE 0 المنتظمة. على سبيل المثال؛ قد تتضمن عملية التجربة والخطأً تحريك المصدر الحراري في اتجاه
واحد فقط بالنسبة إلى حامل الركيزة وتقييم جودة قلوب ICE المنتجة؛ ثم تحريك المصدر الحراري
في اتجاهين وتقييم جودة قلوب ICE المنتجة؛ ثم تحريك المصدر الحراري في ثلاث اتجاهات
وتقييم جودة قلوب ICE المنتجة. بالمثل؛ قد تتضمن Wal عملية التجرية والخطاً تحريك Jala
الركيزة فقط أو جزء من dels الركيزة بالنسبة إلى المصدر الحراري في اتجاه easly اثنين أو ثلاثة 5 .من الاتجاهات؛ وتقييم جودة قلوب ICE المنتجة. بشكل إضافي؛ قد تتضمن Wad عملية التجرية
Waal تحريك كل من المصدر الحراري وحامل الركيزة بالنسبة إلى بعضها البعض» وتقييم جودة
قلوب ICE المنتجة. قد يتم ضبط التحركات الدقيقة (على سبيل (JU التوقيت؛ المسافة؛ السعة؛
التردد؛ إلخ) أثناء عملية التجرية والخطاً لتحديد التحركات المثلى التي تنتج أعلى نسبة gia من
قلوب ICE المنتظمة.
بشكل إضافي؛ في بعض التجسيدات؛ قد تتم تهيئة نظام تصنيع قلب ICE 400 لإيقاف/إعاقة أو تقليل الأسطوانة المائية للمصدر الحراري بينما تحريك حامل الركيزة و/أو المصدر الحراري. قد يحدث هذا لحركة معينة أو أثناء كل التحركات. قد تكون الحركة دقيقة؛ سريعة؛ في مرحلة خطية؛ lf يتم تدويرها حول محور . بشكل إضافي؛ قد تتبع الحركة حركة عشوائية؛ حركة dans حركة شبه منحرفة»؛ والأنواع الأخرى من الأبعاد.
على نحو بديل؛ أو بالإضافة إلى كونه مبرمجًا على نحو مسبق اعتمادًا على عملية التجرية والخطاً الموصفة Lad سبق؛ في بعض التجسيدات؛ قد تتم تهيئة نظام تصنيع ICE lf 400 للتحكم أوتوماتيكيًا في وضبط حركة حامل الركيزة و/أو حامل الركيزة أثناء عملية الترسيب اعتمادًا على القياسات في الزمن الفعلي التي تم الحصول عليها باستخدام واحد أو أكثر من المكونات
0 والمستشعرات المتنوعة الخاصة بنظام تصنيع قلب 108 400. على سبيل المثال؛ في أحد التجسيدات؛ قد يتضمن نظام تصنيع قلب ICE 400 مغير زجاج اختبار 420 لتثبيت رقاقة اختبار جهاز مراقبة ضوئي 435 لتنفيذ عملية تحليل في الزمن الفعلي باستخدام مقياس الطيف 416 مقاييس الإهليليجية 430؛ وتجميعة جهاز المراقبة الضوئي 460. في أحد التجسيدات؛ قد تتم تهيئة تجميعة جهاز المراقبة الضوئي 460 لتقييم أداء قلب ICE في
5 الموقع. على سبيل المثال؛ قد تستخدم تجميعة جهاز المراقبة الضوئي 460 أي عدد من أطوال الموجات لقياس الإنفاذ. الانعكاس» والامتصاص لقلوب ICE أثناء واحدة أو أكثر من خطوات التصنيع داخل saa التفريغ 405. قد تتم تهيئة مقياس الطيف 416 لإجراء تحليل طيف تام وعمليات تمييز الحجرة في الوقت الفعلي. على سبيل المثال؛ قد تتم تهيئة مقياس الطيف 416 للتحكم في الانعكاس وإنفاذ الطبقات أثناء ترسيب غشاء رقيق رفيع اعتمادًا على تحليل رقاقة اختبار
جهاز المراقبة الضوئي 435. يمكن تهيئة حجرة التفريغ 405 للسماح بمراقبة ضوئية فردية أو
توليفات من المراقبة الضوئية. على سبيل المثال يمكن تطبيق مقياس الإهليليجية 430 على رقاقة
مراقبة ضوئية مختلفة 435 عن تلك الخاصة بنظام المراقبة الضوئي 460. على نحو بديل؛ يمكن
تهيئة نظام المراقبة الضوئي ومقياس الطيف لقياس الطيف التام 416 لمراقبة رقاقة اختبار جهاز
مراقبة ضوئي مختلفة 435.
قد يتم استخدام مغير زجاج test glass changer Jia) 420 لتيسير قياس على نحو ضوئي
خصائص الطبقة لرقاقة اختبار جهاز المراقبة الضوئي 435. في أحد التجسيدات؛ قد يتم تثبيت
مغير زجاج الاختبار 420 في موضعه. في تجسيد آخرء قد يتم توصيل مغير زجاج الاختبار
0 أو الحركة على طول المحرك الكوكبي 410 والتجميعة الكوكبية 415. تتم تهيئة مغير 0 زجاج الاختبار 420 في رقاقة اختبار جهاز المراقبة الضوئي 435 لاستقبال كل من الطبقات أو
المعالجات المدخلة في Bas التفريغ 405 لمراقبة عملية الترسيب في الزمن الفعلي.
تتم dings منافذ مقياس الإهليليجية00:15 ellipsometer 430 لاستقبال واحد أو أكثر من مقاييس
الإهليليجية (غير معروضة) لفحص الخصائص العازلة (مؤشر الانكسار المعقد أو الوظيفة
العازلة) للأغشية الرقيقة الرفيعة. قد يتم استخدام مقاييس الإهليليجية لتمييز التركيبة؛ الخشونة؛ 5 السشمك (العمق)؛ الطبيعة المتبلرة؛ تركيز الإشابه؛ الموصلية الكهربائية؛. وخصائص المادة الأخرى.
تكون مقاييس الإهليليجية شديدة الحساسية تجاه التغيير في الاستجابة الضوئية الخاصة بالإشعاع
الساقط الذي يتفاعل مع المادة التي يتم فحصها؛ مثل رقاقة اختبار جهاز المراقبة الضوئي 435.
قد تمثل السخانات الكوارتز quartz heaters 440 أي عدد من وسائل» مكونات أو عناصر
التسخين. في أحد التجسيدات؛ قد تكون بلورات الكوارتز عبارة عن مصابيح متوهجة معبأة
باستخدام غاز هالوجين«0©ع1310 مكيف الضغط بشكل كبير وعناصر أخرى مستخدمة لحماية فتيلة والإطالة المتزايدة في العمر. قد يتم إعداد المصابيح من زجاج كوارتز بسبب نقطة الانصهار الخاصة به الأسخن من الزجاج من الفئة القياسية؛ Mall يكون الاسم هو سخانات الكوارتز 0. قد تقوم السخانات الكوارتز 440 بإصدار طاقة أشعة تحت حمراء وقد تكون فعالة تحديدًا
في نظام قلب ICE 400 بسبب استجابة السخان السريعة وكثافة القدرة العالية الخاصة بها. قد يتم أيضًا استخدام السخانات الكوارتز 440 لتوجيه الإشعاع في نموذج منظم ومركز. في أحد التجسيدات؛ قد تتحكم السخانات الكوارتز 440 في درجة حرارة الركيزة Jah حجرة التفريغ 405 في الزمن الفعلي لضمان الترسيب الملائم للمواد إضافة إلى خطوات العملية المفروضة على طبقات الأساس المتصلة بالتجميعة الكوكبية 415.
0 في أحد التجسيدات؛ قد يكون مصدر الأيون 445 وسيلة كهرومغناطيسية يتم استخدامها لإنشاء جسيمات مشحونة. قد يتم تركيز أيونات المصدر (أي؛ أيونات الجاليوم (gallium ions المتولدة بواسطة مصدر الأيون 445 على نحو شامل أو على نحو محدود على طبقات الأساس وقلوب ICE باستخدام واحدة أو أكثر من العدسات الالكتروستاتيكية. قد يتم استخدام مصدر الأيون 445 للمساعدة في الترسيب الحراري. قد يوفر مصدر الأيون 445 الميزة الخاصة بمعدلات ترسيب
5 عالية للغاية مدمجة مع معامل الانكسار الفعلي والتخيلي المطلوب (« «(ks انخفاض الإجهاد (gs وتحسين التصاق الغشاء الرقيق مقارنة بالترسيب الحراري بمفرده. قد يقلل Lal مصدر الأيون 445 من إجمالي أزمنة الترسيب بعامل يصل إلى 30. قد يساعد استخدام مصدر الأيون 5 في التحكم في الكثافة والبنية البلورية الخاصة بالمادة المترسبة على الركيزة. على سبيل المثال» قد يتم تجنب أي عدد من الإجهادات والفراغات إضافة إلى إمكانية تجنب الالتصاق
0 الضعيف بطبقة (ul) تكسير الأغشية الرقيقة. والخصائص الضوئية المتنوعة عن طريق
استخدام مصدر الأيون 445. يسمح شعاع الأيون المنبعث بواسطة مصدر الأيون 445 بحركة إلكترونات المادة المترسبة المتكثفة؛ وبالتالي تتم زيادة الكثافة الناتجة (ومعامل الانكسار الفعلي أيضًا) والتصاق المادة. قد يتم اعتبار قيم « و1 الخاصة JS طبقة لقلب ICE وقلب 10 ككل بمثابة متغيرات حرجة. قد يقوم مصدر الأيون 445 بتنويع الشدة أو القوة في الزمن الفعلي كتحكم في الضبط الدقيق في الزمن الفعلي مستقل وعالي الدقة للحصول على الخصائص الضوئية المطلوبة لكل طبقة من قلب ICE وقلب ICE ككل. قد يتم استخدام مصادر شعاع الإلكترون 455 ووسائل إغلاق المصدر 450 لإجراء ترسيب بخار Abd لشعاع إلكترون -(EBPVD) electron beam physical vapor deposition في أحد 0 التجسيدات؛ توفر مصادر شعاع الإلكترون نظامًا لرفع درجات حرارة مادة الترسيب داخل مصادر شعاع الإلكترون (على سبيل المثال بوتقة أو حاوية أخرى) للتوزيع في حجرة التفريغ 405. على سبيل المثال؛ قد يتم استخدام شعاع إلكترون بطاقة عالية لاستثارة مادة الترسيب التي يتم إطلاقها خلال وسائل إغلاق المصدر 450 التي تتحكم في معدل ونموذج التشتيت في حجة التفريغ 405. في أحد التجسيدات؛ قد توفر وسائل إغلاق المصدر 450 منظم للتحكم في مواد الترسيب المطلقة 5 .من مصادر شعاع الإلكترون 455. بالإضافة إلى ترسيب شعاع الإلكترون؛ قد تتم تهيئة نظام تصنيع قلب ICE 400 لإجراء ترسيب بتسخين مقاوم؛ ترسيب مصدر كهرومغناطيسي؛ وترسيب في أحد التجسيدات؛ قد يضبط مصدر الأيون 445 ومصادر شعاع الإلكترون 455 واحدًا على الأقل من متغيرات الاتجاه؛ القدرة» الشدة؛ والمتغيرات الأخرى الموجهة تجاه ركيزة مركبة على
التجميعة الكوكبية 415 للتحكم في الترسيب وبناءً عليه شكل الإنفاذ الخاص بقلوب 1]08. قد يتم
استخدام المراقبة في الزمن الفعلي للركيزة باستخدام المستشعرات المتنوعة ووسائل القياس الخاصة
بحجرة التفريغ 405 للتعوبض عن الاشتقاقات الصغيرة والطرح وللحفاظ على شكل إنفاذ مطلوب قد
يكون مرتبطًا بتصميم مستهدف. يعتبر استخدام ترسيب شعاع الإلكترون وشعاع الإلكترون المعزز
بأيون كما هو مؤصف هنا أمرًا متفردًا بالنسبة لقلب ICE تصنيع.
في أحد التجسيدات؛ قد تتنوع قيم الإنفاذ الخاصة بقلوب 10 كدالة على طول الموجة المستخدم
لإجراء عمليات التصنيع. تكون العمليات المتنوعة متميزة عن عمليات شبه الموصل الأخرى
المستخدمة للتداخل؛ القطع؛ أو المرشحات الثلمية التي تقصر المعلومات على تلك القابلة
للاستخلاص بالنسبة إلى عرض النطاق في الطيف الضوئي. في أحد التجسيدات؛ قد يتم استخدام 0 قلوب ICE لاستنتاج المعلومات التي تكون ذات تحليل أعلى من عرض النطاق المستخدم لأخذ
قراءات باستخدام قلوب ICE تؤدي هذه الدقة المتزايدة مقارنة بعرض النطاق إلى Jan قلوب ICE
وعمليات التصنيع متفردة.
قد تقيس المكونات والمستشعرات المتنوعة الخاصة بنظام تصنيع قلب 108 400 معايير قياس
الأداء لإنشاء دوال (May) الانعكاس؛ والامتصاص الخاصة بقلب ICE أثناء عملية التصنيع. على سبيل المثال؛ قد تتم إدارة مصدر الأيون 445 ومصادر شعاع الإلكترون 455 بفعالية والتحكم فيها
لتفعيل دالة الإنفاذء الانعكاس؛ والامتصاص الخاصة بقلوب ICE
Gg للتجسيدات التي تم الكشف عنهاء قد يتم استخدام نظام عملية ترسيب شعاع الإلكترون
المساعد بأيون مع أو على نحو منفصل عن النظام والطريقة اللذين تم الكشف عنهما لنقل موضع
مصدر حراري و/أو حامل ركيزة كما هو مؤصف فيما سبق.
في أحد التجسيدات؛ قد يتم تتبع القابلية للتغير من دفعة إلى دفعة من عمليات ترسيب الطبقة
والعمليات الأخرى وتسجيلها في واحدة أو أكثر من قواعد البيانات. كنتيجة؛ قد تتم مضاعفة الأزمنة
المضبوطة؛ درجات الحرارة؛ الفلطية؛ all التركيبات؛ قيم الشدة؛ المسافات»؛ السرعات؛ الرطوية؛
والعوامل الأخرى المستخدمة بواسطة نظام تصنيع قلب ICE 400 عبر عدد من نظم تصنيع قلب 168 الأخرى سواءً أكانت موضوعة محليًا أو على بُعد لتوفير نتائج متسقة. قد يتم تسجيل التغيرات
في المكون الفردي ومضاعفتها حسبما تقتضي الضرورة.
يكون الوصف التفصيلي السابق لعدد صغير من التجسيدات لتنفيذ الاختراعات المحددة بعناصر
الحماية ولا ييقصد أن يُحد من نطاق عناصر الحماية الملحقة. على سبيل المثال؛ بالرغم من أن
نظام تصنيع قلب ICE 400 يوضح استخدام حوامل ركيزة من نوع نظام كوكبي؛ قد يتم استخدام
0 الأنواع الأخرى من حوامل الركيزة وفقًا للتجسيدات التي تم الكشف عنها. كأمثلة غير حصرية؛ قد تكون حوامل الركيزة عبارة عن لوحة أو يمكن أن تكون النظم الكوكبية في حد ذاتها هي الركيزة. بالمثل؛ بالرغم من أن نظام تصنيع قلب ICE 400 يوضح اثنين من المصادر الحرارية واثنين من النظم الكوكبية؛ قد يشتمل نظام تصنيع قلب ICE 400 على أي عدد من المصادر الحرارية وأي عدد من حوامل الركيزة.
5 بالإضافة إلى ذلك؛ بالرغم من أنه يتم توصيف النظام والطريقة اللذين تم الكشف عنهما لنقل المصدر الحراري و/أو حامل الركيزة مع نظام وطريقة شعاع إلكترون مساعد بأيون (أي؛ نظام تصنيع قلب ICE 400))؛ لا يكون النظام والطريقة اللذين تم الكشف عنهما لنقل المصدر الحراري و/أو حامل الركيزة قاصرين على هذا النوع المحدد من نظام الترسيب. على سبيل المثال؛ قد يتم تطبيق النظام والطريقة اللذين تم الكشف عنهما لنقل المصدر الحراري و/أو حامل الركيزة على
— 7 2 — النظم الأخرى die إلا أن الأمر ليس قاصرًا على؛ نظم الماجنيترون المتفاعلة؛ التي تستخدم أسطوانة تدوير» حيث تحمل المنصة المستوية للركيزة التي تدور حول محور diay نظام ماجنيترون متفاعل (أي؛ نوع آخر من المصدر الحراري) بالنسبة إلى الأسطوانة. في هذا النوع من النظام؛ قد يتم تحريك المصدر الحراري بالنسبة إلى الركيزة بطريقة مشابهة كما هو مؤصف فيما سبق لتحسين انتظام قلوب (ICE بالمثل؛ قد يتم تطبيق النظام والطريقة اللذين تم الكشف عنهما Jal المصدر الحراري و/أو حامل الركيزة على عمليات ترسيب طبقة ذرية atomic layer (ALD) deposition وترسيب طبقة قوية أيضًا. بالإضافة إلى التجسيدات الموصوفة أعلاه؛ تقع العديد من الأمثلة الخاصة بالتوليفات المحددة ضمن مجال الكشف؛ وتم سرد بعضها بالتفصيل أدناه. 0 عناصر الحماية المثال 1 طريقة لتصنيع ld عنصر حسابي مدمج (ICE) تشتمل الطريقة على : تنويع المسافة بين مكون حراري بالنسبة لحامل ركيزة يحمل ركيزة واحدة فقط أثناء عملية وضع الأغشية الرقيقة لتحسين انتظام قلب ICE المثال 2. الطريقة وفقًا للمثال 1؛ حيث يتضمن تنويع المسافة بين المكون الحراري بالنسبة لحامل 5 الركيزة الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك المكون الحراري في اتجاه «. المثال 3. الطريقة وفقًا للمثال 1؛ حيث يتضمن تنويع المسافة بين المكون الحراري بالنسبة لحامل الركيزة الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك المكون الحراري في اتجاه vy
— 2 8 —
المثال 4. الطريقة وفقًا للمثال 1؛ حيث يتضمن تنويع المسافة بين المكون الحراري بالنسبة لحامل الركيزة الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك المكون الحراري في اتجاه z المثال 5. الطريقة وفقًا للمثال 1؛ حيث يتضمن تنويع المسافة بين المكون الحراري بالنسبة لحامل الركيزة الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك المكون الحراري في اتجاهين على الأقل.
المثال 6. الطريقة وفقًا للمثال 1؛ حيث يتضمن تنويع المسافة بين المكون الحراري بالنسبة لحامل الركيزة الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك المكون الحراري في ثلاث اتجاهات. المثال 7. الطريقة وفقًا للمثال 1؛ حيث يتضمن تنويع المسافة بين المكون الحراري بالنسبة لحامل الركيزة الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك oda على الأقل من حامل الركيزة في اتجاه واحد على الأقل بالنسبة للمكون الحراري أثناء عملية وضع الأغشية الرفيعة.
0 المثال 8. الطريقة وفقًا للمثال 7 حيث يكون حامل الركيزة نظامًا كوكبيًا. المثال 9. الطريقة Gg للمثال 8 حيث يتم تحريك كوكب واحد على الأقل داخل النظام الكوكبي بالنسبة للمكون الحراري بينما لا يتم تدوير النظام الكوكبي ككل. المثال 10. الطريقة وفقًا للمثال 1 حيث يتضمن تنويع المسافة بين المكون الحراري بالنسبة لحامل الركيزة الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك oda على الأقل من حامل الركيزة في اتجاه واحد 5 على الأقل بالنسبة للمكون الحراري وكذلك تحريك المكون الحراري في اتجاه واحد على الأقل بالنسبة لحامل الركيزة أثناء عملية وضع الأغشية الرفيعة. المثال 11. الطريقة Gag للمثال 1 حيث تشتمل كذلك على تعريض الركيزة الواحدة على الأقل إلى مصدر شعاع أيون.
— 9 2 — Jal 12. الطريقة وفقًا لمثال 11؛ تشتمل بشكل إضافي على: تنويع واحدة على الأقل من القدرة التي يتم الإمداد بها إلى المصدر الحراري أو شدة مصدر شعاع الأيون للتحكم في شكل قلب ACE المثال 13. الطريقة وفقًا للمثال 1 حيث يتم إجراء تنويع المسافة بين المكون الحراري بالنسبة لحامل الركيزة الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل بناءً على القياسات في الموقع في الوقت الفعلي والتي تم الحصول عليها أثناء عملية وضع الأغشية الرفيعة. المثال 14. الطريقة وفقًا للمثال 1 حيث يتم إجراء تنويع المسافة بين المكون الحراري بالنسبة لحامل الركيزة الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل ly على مجموعة محددة مسبقًا من الحركات المحددة لتحسين انتظام ICE ls 0 المثال 15. نظام لتصنيع قلوب (ICE يشتمل النظام على: حجرة تفريغ؟ صينية ركيزة موضوعة داخل حجرة التفريغ؛ و مصدر مادة لوضعها على ركيزة صينية الركيزة لتكوين قلوب ICE حيث تكون واحدة على الأقل من صينية الركيزة ومصدر المادة قابلاً للحركة لتنويع المسافة بين صينية الركيزة ومصدر المادة. 5 المثال 16. النظام وفقًا للمثال 15 حيث يكون مصدر المادة مصدر تبخير حراري. المثال 17. . النظام Gg لمثال 15 حيث تدور المنصة المستوية للركيزة.
— 0 3 — المثال 18 النظام Gy لمثال 15؛ تشتمل بشكل إضافي على: مستشعرين على الأقل للحصول على قياسات في الوقت الفعلي لتحديد انتظام طبقات قلوب ICE و منطق مهيا لتنفيذ مجموعة تعليمات لتحريك واحدة على f لأقل من صينية الركيزة ومصدر المادة بناءً على القياسات في الوقت الفعلي لتحسين انتظام طبقات قلوب ICE Jal 19. النظام وفقًا للمثال 15؛ حيث يشتمل كذلك على منطق مهياً لتنفيذ مجموعة تعليمات لتحريك واحدة على الأقل من صينية الركيزة ومصدر المادة بناءًة على مجموعة الحركات المحددة المثال 20. النظام Gy للمثال 15؛ حيث يشتمل كذلك على شعاع أيون مركز على صينية الركيزة. 0 المثال 21. النظام Gy للمثال 15؛ حيث يتم وضع مصدر المادة باستخدام نظام ماجنيترون تفاعلى. توضح عناصر الحماية التالية عددًا من التجسيدات الخاصة بالاختراع التي تم الكشف عنها بتدقيق أكبر. اشارة مرجعية للرسومات 5 شكل 1 3 إنذار
شكل 2 f السمك المادي (نانومتر) ب هواء شكل 3 300 نظام تصنيع 108 ITER 4 8 أداة طلاء 2 برنامج مرشح 6 بيانات تحليلية
— 2 3 — عناصر الحماية 1- طريقة تصنيع قلب عنصر حسابي مدمج Cus (ICE) integrated computational element تشتمل الطريقة على: تغيير المسافة بين مكون حراري thermal component بالنسبة لحامل ركيزة substrate holder يحمل ركيزة واحدة على الأقل أثناء عملية وضع غشاء رقيق thin film لتحسين انتظام قلب (ICE تعريض الركيزة الواحدة على الأقل إلى أيونات 100 ناتجة عن مصدر أيونات tion تقييم أداء قلب ICE في الموقع بواسطة تجميعة مراقبة ضوئية toptical monitor assembly ضبط وضع المادة استجابة لأداء قلب 108؛ و تغيير واحدة على الأقل من القدرة التي يتم الإمداد بها إلى مصدر الأيونات 100 أو شدة مصدر 0 الأيونات jon بواسطة تغيير متغيرات مصدر الأيونات jon للتحكم في شكل قلب ACE 2- الطريقة Lg لعنصر الحماية 1 حيث يتضمن تغيير المسافة بين المكون الحراري thermal component بالنسبة لحامل الركيزة substrate holder الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك المكون الحراري thermal component في الاتجاه x 3- الطريقة Lg لعنصر الحماية 1 حيث يتضمن تغيير المسافة بين المكون الحراري thermal component 5 بالنسبة لحامل الركيزة substrate holder الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك المكون الحراري thermal component في الاتجاه لر.
— 3 3 — 4- الطريقة Lg لعنصر الحماية Ena] يتضمن تغيير المسافة بين المكون الحراري thermal component بالنسبة لحامل الركيزة substrate holder الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك المكون الحراري thermal component في الاتجاه 2. 5- الطريقة Lg لعنصر الحماية 1؛ حيث يتضمن تغيير المسافة بين المكون الحراري thermal component 5 بالنسبة تلحامل الركيزة substrate holder الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك المكون الحراري thermal component في اتجاهين على الأقل 6- الطريقة Lg لعنصر الحماية 1؛ حيث يتضمن تغيير المسافة بين المكون الحراري thermal component بالنسبة لحامل الركيزة substrate holder الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك المكون الحراري thermal component في ثلاث اتجاهات 0 7- الطريقة Ga, لعنصر الحماية 1؛ حيث يتضمن تغيير المسافة بين المكون الحراري thermal component بالنسبة لحامل الركيزة substrate holder الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك جزءِ على الأقل من الحامل الركيزة substrate holder اتجاه واحد على الأقل بالنسبة للمكون thermal component (hal أثناء عملية وضع الغشاء الرقيق thin film 8- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 7 حيث يعتبر الحامل الركيزة substrate holder نظام كوكبي .planetary system 5
— 4 3 — 9- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 8( حيث يتحرك كوكب واحد على الأقل ضمن النظام الكوكبي planetary system بالنسبة للمكون الحراري thermal component بينما لا يدور النظام الكوكبي planetary system ككل. 0- الطريقة Bg لعنصر الحماية 1( حيث يتضمن تغيير المسافة بين المكون الحراري thermal component 5 بالنسبة تلحامل الركيزة substrate holder الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل تحريك
جزءِ على الأقل من الحامل الركيزة substrate holder اتجاه واحد على الأقل بالنسبة للمكون الحراري thermal component بالإضافة إلى تحربك المكون الحراري thermal component في sla) واحد على الأقل بالنسبة Jalal الركيزة substrate holder أثناء عملية وضع الغشاء الرقيق .thin film
11- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية Camo] يتم تغيير المسافة بين المكون الحراري thermal component بالنسبة لحامل الركيزة substrate holder الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل على أساس قياسات في الموقع في الزمن الفعلي يتم الحصول عليها أثناء عملية وضع الغشاء الرقيق ٠ thin film 2- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية 1 حيث يتم تغيير المسافة بين المكون الحراري thermal
component 5 بالنسبة لحامل الركيزة substrate holder الذي يحمل ركيزة واحدة على الأقل على أساس مجموعة محددة (FIN من التحركات التي يتم تحديد ها لتحسين انتظام ICE ls 3- نظام لتصنيع قلوب CE حيث يشتمل النظام على: حجرة تفريغ ‘vacuum chamber
— 5 3 — صينية ركيزة substrate platen موجودة في حجرة التفريغ ¢vacuum chamber مصدر مادة لوضعها على ركيزة صينية الركيزة substrate platen لتكوين قلوب {ICE حيث تكون واحدة على ا لأقل من صينية الركيزة substrate platen ومصدر المادة قابل للحركة لتغيير المسافة بين صينية الركيزة substrate platen ومصدر المادة؛
مصدر أيونات Sie jon على صيتية الركيزة csubstrate platen حيث تتم تهيئة مصدر أ لأيونات jon لتغيير القدرة التي يتم الإمداد بها إلى مصدر الأيونات jon أو شدة مصدر الأيونات ion بواسطة تغيير متغيرات مصدر الأيونات jon للتحكم في شكل قلب {ICE و تجميعة مراقبة ضوئية optical monitor assembly مهيأة لتقييم أداء قلب ICE في الموقع 4- النظام وفقًا لعنصر الحماية 13؛ حيث يعتبر مصدر المادة مصدر تبخير حراري thermal
.evaporation source 0 5- النظام وفقًا لعنصر الحماية 13؛ يشتمل كذلك على: اثنين على الأقل من المستشعرات للحصول على قياسات في الزمن الفعلي لتحديد انتظام طبقات قلوب {ICE ومنطق مهياً لتنفيذ مجموعة من التعليمات لتحريك واحدة على الأقل من صينية الركيزة substrate platen ومصدر المادة على أساس القياسات في الزمن ted) لتحسين انتظام طبقات قلوب ACE 5 16- النظام Gg لعنصر الحماية 13؛ يشتمل كذلك على منطق مهياً لتنفيذ مجموعة من التعليمات لتحريك واحدة على الأقل من صينية الركيزة substrate platen ومصدر المادة على أساس مجموعة التحركات المحددة مسبقًا لتحسين انتظام طبقات قلوب ICE
— 6 3 — 7- النظام Gg لُعنصر الحماية 13« حيث يتم وضع مصدر المادة با 3 ستخدام نظام ماجنيترون تفاعلي .reactive magnetron system
Yo تب # 5 0 : ص 5 + با 0 ا
GL 3 ¥ - = A 5, EE : 2 SE it hp مل ea wo من ماي 7 ا . | SF i FEN eB لاا foe و § wr i eel أ.....! 5 1 + 0 ل R o
SE eed ال اط ا سس ]لت lu 3 ™ we ااا % kd
EER f=) 2 fvpzsaEganianey. ih
Yo د دا 0 = ل 3 ig a
٠ 3 8 ٠ eh BE gg £€ 4 £1 gy £1 EYER 2 5 ا ووو ابم ب 7 ل ا 0 ااا | اماما :
Si \ \ 1 \ | | | | | | ض
NNN ال ااال le! \ 0 \ ١| ل١ | ii oN
CON NN NEEL ن١ الا ١ bo A 8 1 ال HH ال HH | | No ا BL 53 الا ERTL ال + FJ بالق وك و حك لاطا Tae Yaa
Nes * و ذا شكل
— 9 3 — g ١ i 0 % 1 / > مص 4 : م \ / / \ - / ay / . | \ 9 ١ ض \ 7 أ / \ “uy ا | ب ٍ > ض yd إٍ AY | ~ / ) ; BE | | 2 / i Po 4 > \ / \ \ Lo 1 / | '! و الخ > ض Tg NE \ \ 3 أ 1 1 8 ل / \ ig ا ١ ض أ 7 \ \ / ّ| : NR حا ا ا انا hY 0 0 Pd > م آ: انب iy
Bo ] 0] Tal 1 0 vi 0
Lo
H wR
Po h
PAE
Eo 1
Poo * ] oe 8 : i i bE: + Hl LE ب با i 5 i 8
LS bod EE
Hi 0 01 [AC
[3] ا i HE i gi : 8: 1 H % i i i 8 1 i سس : 8
Fx Pod 4 3 ee Pi |’ H a 1 8 1 اح i EH 3 ْ - wd 7 0 WE ; i Pood 3 د i 3 9 ا i 5 = i \ SI FETE NE 1 | ‘ oo ال 1 لاسا 2 Ne +H { ٠ ايع وذ حت i} 1 frit | 2 a gh ]ل SE EI IIE ١ 3 ١ Po tid BET HN Tee d : FoF 3 HS
Tg i بار الع 7 Hoi 3 : 3 x i 3 sic i LA] 3 a 4 تيبي ا i : 0 Eo ne IE TR ee نيت دوجا أ Spr | [ET
J بس ا 0 ال الو و ا ا by EN
REN] Rui 1 a #7 1 pos الا ye EE ام ا 0 : ايا ري 5 11 ّ [i i
Ta مرا © الجستنا ET { kt R 0 ا PE 8 rd : 1 الا ih 73 اال سودي ب fn EE ا ا 1 حر | od
R i 1 “is ب pa 1 5 Tle
Sr TH م 5 ييا i ~ | IRE i . BE wr R on EE ا اف ال دا i ل 0 8 gd HE 1 ل« ا 9 ال ين lad fe ب Poe kt 5 ا على Fa : i 1 RR
Th ho
Supt اليا RG Ved 1 1 8 ا ا ٍ ايد 3 HE a ood ad i 3 البح حيطا
لاله الهيلة السعودية الملضية الفكرية ا Sued Authority for intallentual Property RE .¥ + \ ا 0 § 8 Ss o + < م SNE اج > عي كي الج TE I UN BE Ca a ةا ww جيثة > Ld Ed H Ed - 2 Ld وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها of سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. Ad صادرة عن + ب ب ٠. ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > فهذا ص ب 101١ .| لريا 1*١ v= ؛ المملكة | لعربية | لسعودية SAIP@SAIP.GOV.SA
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/US2014/044818 WO2016003401A1 (en) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | Deposition of integrated computational elements (ice) using a translation stage |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA516380347B1 true SA516380347B1 (ar) | 2020-06-19 |
Family
ID=55019757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA516380347A SA516380347B1 (ar) | 2014-06-30 | 2016-11-21 | وضع عناصر حسابية مدمجة (ice) باستخدام مرحلة نقل |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10316405B2 (ar) |
| EP (2) | EP4219788A1 (ar) |
| BR (1) | BR112016026909B1 (ar) |
| MX (1) | MX2016015360A (ar) |
| SA (1) | SA516380347B1 (ar) |
| WO (1) | WO2016003401A1 (ar) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017204861A1 (de) * | 2017-03-23 | 2018-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Bestimmen eines Materialabtrags und Vorrichtung zur Strahlbearbeitung eines Werkstücks |
| US20220298622A1 (en) * | 2021-03-16 | 2022-09-22 | University Of Rochester | Electron-Beam Deposition of Striated Composite Layers for High-Fluence Laser Coatings |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9225270D0 (en) * | 1992-12-03 | 1993-01-27 | Gec Ferranti Defence Syst | Depositing different materials on a substrate |
| US7195797B2 (en) * | 2000-07-10 | 2007-03-27 | Atomic Telecom | High throughput high-yield vacuum deposition system |
| US7138156B1 (en) * | 2000-09-26 | 2006-11-21 | Myrick Michael L | Filter design algorithm for multi-variate optical computing |
| US6646753B2 (en) * | 2000-10-05 | 2003-11-11 | Unaxis, Usa, Inc. | In-situ thickness and refractive index monitoring and control system for thin film deposition |
| US20030168613A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Cheng-Chung Lee And Ycl Optcom Co., Ltd. | Multi-layer optical interference filter deposited by using only one starting coating material |
| JP4418926B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2010-02-24 | 株式会社昭和真空 | 光学薄膜形成用装置及び方法 |
| WO2010018639A1 (ja) * | 2008-08-15 | 2010-02-18 | 株式会社シンクロン | 蒸着装置及び薄膜デバイスの製造方法 |
| US8879053B2 (en) * | 2012-04-26 | 2014-11-04 | Halliburton Energy Services, Inc. | Devices having an integrated computational element and a proximal interferent monitor and methods for determining a characteristic of a sample therewith |
| GB2537319B (en) * | 2014-04-22 | 2021-04-07 | Halliburton Energy Services Inc | Systems and methods for analyzing contaminants in flowing bulk powder compositions |
-
2014
- 2014-06-30 EP EP23162610.2A patent/EP4219788A1/en active Pending
- 2014-06-30 US US15/303,653 patent/US10316405B2/en active Active
- 2014-06-30 WO PCT/US2014/044818 patent/WO2016003401A1/en active Application Filing
- 2014-06-30 MX MX2016015360A patent/MX2016015360A/es unknown
- 2014-06-30 EP EP14896447.1A patent/EP3129521A4/en active Pending
- 2014-06-30 BR BR112016026909-8A patent/BR112016026909B1/pt active IP Right Grant
-
2016
- 2016-11-21 SA SA516380347A patent/SA516380347B1/ar unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3129521A1 (en) | 2017-02-15 |
| US20170029939A1 (en) | 2017-02-02 |
| EP4219788A1 (en) | 2023-08-02 |
| MX2016015360A (es) | 2017-03-03 |
| BR112016026909B1 (pt) | 2021-12-07 |
| EP3129521A4 (en) | 2017-12-27 |
| WO2016003401A1 (en) | 2016-01-07 |
| US10316405B2 (en) | 2019-06-11 |
| BR112016026909A2 (pt) | 2017-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Shi et al. | Structural and optical properties of amorphous Al2O3 thin film deposited by atomic layer deposition | |
| US11090685B2 (en) | Manufacturing process for integrated computational elements | |
| BR112015002806B1 (pt) | Sistema para monitoramento de um fluido | |
| US11066740B2 (en) | Fabrication of integrated computational elements using cylindrical substrate support shaped to match a cross-section of a spatial profile of a deposition plume | |
| SA516380347B1 (ar) | وضع عناصر حسابية مدمجة (ice) باستخدام مرحلة نقل | |
| US10073041B2 (en) | Optical computing devices for measurement in custody transfer of pipelines | |
| Gottwald et al. | Validation of thin film TiO2 optical constants by reflectometry and ellipsometry in the VUV spectral range | |
| EP2992381B1 (en) | Optical design techniques for multilayer thin film devices in compact optical systems | |
| US10072979B2 (en) | Integrated computational elements containing a quantum dot array and methods for use thereof | |
| US9733183B2 (en) | Designs for integrated computational elements | |
| SA516380361B1 (ar) | نظام وطريقة لوضع عناصر حسابية مدمجة (ice) باستخدام مرحلة نقل | |
| Hayashi et al. | CH4 concentration distribution in a semiconductor process chamber measured by the CT-TDLAS | |
| RU2581734C1 (ru) | Устройство бесконтактного широкополосного оптического контроля толщины пленок | |
| US11579013B2 (en) | Flexible integrated computational elements for optical analysis | |
| Schiffmann et al. | Characterization of 31 nonperiodic layers of alternate SiO2/Nb2O5 on glass for optical filters by SIMS, XRR, and ellipsometry | |
| TWI473986B (zh) | 碳含有率取得裝置及碳含有率取得方法 | |
| Nedelcu | Types of Optical Coating Systems | |
| Scott | Measurement of n and k in the XUV by the Angle-of-Incidence, Total-External-Reflectance Method | |
| Hoppe | Inertial confinement fusion target component fabrication and technology development support: Annual report, October 1, 1993--September 30, 1994 | |
| NO20201328A1 (en) | EXTRAORDINARY IR-ABSORPTION IN SiO2 THIN FILMS WITH A FOREIGN OR ATTENUATING MATERIAL APPLIED | |
| Milbum et al. | Measurement of Absorptance of Advanced Glazing Materials | |
| RUDAKOV et al. | REDUCTION OF NET EROSION OF HIGH-Z PFC MATERIALS IN DIII-D DIVERTOR DUE TO LOW-Z COATING AND SHORT-SCALE RE-DEPOSITION | |
| Zhang et al. | Anisotropic dispersion and inhomogeneous dispersion in the evaporated thin films |