Claims (1)
Устройство защиты информации, содержащее исполнительный орган, стабилитрон, резисторы и транзистор типа n-р-n, коллектор которого соединен через первый резистор с шиной питания "плюс", а база - через второй резистор с шиной питания "минус", отличающееся тем, что в него введены источник стабильного тока, подключенный между шиной питания "плюс" и катодом стабилитрона, анод которого соединен с базой n-р-n транзистора, диод и формирователь сигнала "запрет работы памяти", а исполнительный орган выполнен в виде биполярного р-n-р транзистора, причем последовательно с первым резистором установлены диод и третий резистор, образующие цепь базового управления исполнительного органа, к катоду диода подключена база исполнительного органа, соединенная через четвертый резистор с коллектором исполнительного органа, являющимся выходом устройства, а эмиттер исполнительного органа соединен с шиной питания "плюс", при этом формирователь сигнала "запрет работы памяти" выполнен из первого и второго транзисторов, первого и второго конденсаторов, первого, второго и третьего резисторов и диода, причем база первого транзистора формирователя через параллельно включенные первый резистор и первый конденсатор соединена с коллектором n-р-n транзистора, на коллектор первого транзистора формирователя подается сигнал "сброс" через параллельно соединенные второй резистор и диод, анод которого подключен к коллектору первого транзистора формирователя, к базе второго транзистора формирователя и через второй конденсатор - к шине питания "минус", при этом эмиттер второго транзистора формирователя, на котором формируется сигнал "запрет работы памяти", соединен через третий резистор с шиной питания "плюс", а коллектор второго транзистора и эмиттер первого транзистора формирователя подключены к шине питания "минус".An information protection device comprising an actuator, a zener diode, resistors and an n-pn type transistor, the collector of which is connected through the first resistor to the plus power bus, and the base through the second resistor to the minus power bus, characterized in that a stable current source is inserted into it, connected between the plus power bus and the zener diode cathode, the anode of which is connected to the base of the n-pn transistor, the diode and the driver "memory inhibition", and the actuator is made in the form of a bipolar p-n transistor, and pic Consequently, a diode and a third resistor are installed with the first resistor, forming the base control circuit of the executive body, the base of the executive body is connected to the diode cathode, connected through the fourth resistor to the collector of the executive body, which is the device output, and the emitter of the executive body is connected to the plus bus, wherein the “memory shutdown” signal conditioner is made of the first and second transistors, the first and second capacitors, the first, second, and third resistors and a diode, the base of the first transformer transformer through parallel connected first resistor and the first capacitor is connected to the collector of the npn transistor, the collector signal of the first transformer of the former is supplied with a reset signal through the parallel connected second resistor and diode, the anode of which is connected to the collector of the first transistor of the former the base of the second transformer of the driver and through the second capacitor to the power bus "minus", while the emitter of the second transistor of the driver, on which the signal "memory inhibition ti "is connected via a third resistor with power bus" plus ", and the collector of the second transistor and the emitter of the first transistor connected to a power driver bus" negative. "