Claims (2)
1. Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава, включающий изменение температуры расплава за счет управления, скоростей вытягивания и вращения кристалла, скоростей подъема и вращения тигля, при одновременном измерении высоты подъема кристалла и перемещения тигля, при постоянном уровне расплава, с введением в периоды разомкнутого состояния датчика уровня расплава скорости подъема тигля вверх большей, на величину опережения, чем это необходимо для условия постоянства уровня расплава, при данных параметрах скоростей вытягивания, заданного диаметра кристалла и внутреннего диаметра тигля, отличающийся тем, что в периоды замкнутого состояния датчика расплава, скорость подъема тигля вверх снижается на коэффициент снижения, по сравнению со скоростью при разомкнутом состоянии датчика расплава и при соблюдении условия стабилизации уровня расплава в тигле, что позволяет, при периодическом безостановочном движении тигля, с увеличенной и уменьшенной скоростью, за время цикла оценки, на основе замеренных непосредственных перемещений тигля и кристалла, с учетом погрешностей механической системы передач, выделить уточненный разностный сигнал управления, пропорциональный отклонению текущей площади (диаметра) кристалла от заданной, заведя его в систему управления для стабилизации площади (диаметра) вытягиваемого кристалла.1. A method of controlling the process of growing single crystals from a melt, including changing the temperature of the melt due to control, the rates of extrusion and rotation of the crystal, the rates of rise and rotation of the crucible, while measuring the height of the rise of the crystal and the movement of the crucible, at a constant level of the melt, with the introduction of open periods the state of the melt level sensor, the crucible's upward speed is greater by an amount of advance than is necessary for the condition of the melt level constancy, with the given parameters pulling it, the specified diameter of the crystal and the inner diameter of the crucible, characterized in that during periods of the closed state of the melt sensor, the rate of rise of the crucible up decreases by a reduction coefficient compared to the speed when the melt sensor is open and when the conditions for stabilizing the level of the melt in the crucible are met, which allows, with periodic non-stop movement of the crucible, with increased and decreased speed, during the evaluation cycle, based on the measured direct movements of the crucible and crystal, with taking into account the errors of the mechanical transmission system, select the updated differential control signal proportional to the deviation of the current area (diameter) of the crystal from the given one, introducing it into the control system to stabilize the area (diameter) of the drawn crystal.
2. Устройство для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава, содержащее датчик и регулятор температуры, приводы скорости вытягивания и вращения кристалла, приводы скорости перемещения и вращения тигля, управляющую микроЭВМ, отличающееся тем, что содержит датчик уровня расплава, срабатывающий относительно поверхности расплава, без использования плавающего экрана, за счет обеспечения температуры нижней, контактируемой с расплавом части датчика, выше температуры кристаллизации расплава, достигаемую за счет расположения датчика между внутренним и наружным тиглем с расплавом и дополнительным подогревом датчика от расположенного на нем нагревателя, питаемого от источника, управляемого ЭВМ; содержит фотоэлектрические датчики перемещением кристалла и тигля, связанные с управляемыми механическими редукторами, что обеспечивает точность замеряемых перемещений кристалла и тигля, с учетом погрешностей механических систем передачи движения по штоку кристалла и тигля. 2. A device for controlling the process of growing single crystals from a melt, containing a sensor and a temperature controller, drives the speed of the extrusion and rotation of the crystal, drives the speed of movement and rotation of the crucible, controlling the microcomputer, characterized in that it contains a sensor of the melt level, operating relative to the surface of the melt, without using floating screen, due to the temperature of the lower part of the sensor in contact with the melt, above the crystallization temperature of the melt, achieved by a sensor between the inner and outer crucible with the melt and additional heating of the sensor from the heater located on it, powered by a computer controlled source; contains photoelectric sensors moving the crystal and crucible associated with controlled mechanical gears, which ensures the accuracy of the measured movements of the crystal and crucible, taking into account the errors of the mechanical transmission systems of movement along the rod of the crystal and crucible.