RU99111703A -
METHOD FOR INCREASING SILICON-BASED SILICON INSTRUMENT COEFFICIENT
- Google Patents
METHOD FOR INCREASING SILICON-BASED SILICON INSTRUMENT COEFFICIENT
Info
Publication number
RU99111703A
RU99111703ARU99111703/28ARU99111703ARU99111703ARU 99111703 ARU99111703 ARU 99111703ARU 99111703/28 ARU99111703/28 ARU 99111703/28ARU 99111703 ARU99111703 ARU 99111703ARU 99111703 ARU99111703 ARU 99111703A
Способ повышения коэффициента усиления полупроводниковых приборов на основе кремния, включающий операции диффузии примесей сначала акцепторной в эпитаксиальный слой n-типа, затем донорной в сформированную область р-типа, отличающийся тем, что обработку полупроводниковых приборов проводят магнитными полями в объеме пирамиды, в течение не менее 5 ч, а затем проводят отжиг при температуре 150-200°С в течение 10-30 мин.A method of increasing the gain of silicon-based semiconductor devices, including the operation of acceptor diffusion of impurities first into the n-type epitaxial layer, then of a donor into the p-type formed region, characterized in that the processing of semiconductor devices is carried out by magnetic fields in the volume of the pyramid, for at least 5 hours, and then annealing at a temperature of 150-200 ° C for 10-30 minutes.
RU99111703A1999-06-011999-06-01Method for raising gain of silicon-based semiconductor devices
RU2168236C2
(en)