RU99111432A - Мультилевер для сканирующего прибора, способ его создания и устройство на его основе - Google Patents
Мультилевер для сканирующего прибора, способ его создания и устройство на его основеInfo
- Publication number
- RU99111432A RU99111432A RU99111432/28A RU99111432A RU99111432A RU 99111432 A RU99111432 A RU 99111432A RU 99111432/28 A RU99111432/28 A RU 99111432/28A RU 99111432 A RU99111432 A RU 99111432A RU 99111432 A RU99111432 A RU 99111432A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- lever
- tip
- tip structure
- cantilever
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 4
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 230000000051 modifying Effects 0.000 claims 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims 2
- 210000002832 Shoulder Anatomy 0.000 claims 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
Claims (23)
1. Острийная структура, включающая подложку и монокристаллическое острие, отличающаяся тем, что ось острия имеет угол по отношению к вертикали, проходящей через его основание.
2. Острийная структура по п.1, отличающаяся тем, что подложка является монокристаллической, а острие эпитаксиально к ней.
3. Острийная структура по п.1 или 2, отличающаяся тем, что подложкой является плоской поверхностью или монокристаллическое острие, эпитаксиальное плоской монокристаллической поверхности.
4. Острийная структура по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что одна точка подложки является основанием по крайней мере для двух острий.
5. Острийная структура по любому из пп.1-4, отличающаяся тем, что острие имеет форму, содержащую по крайней мере одну ступень и два звена, причем ось каждого последующего звена может иметь свой угол по отношению к оси предшествующего звена, причем хотя бы одна из ступеней может являться основанием по крайней мере для двух звеньев, при этом по крайней мере одно из них может быть не эпитаксиально предшествующему.
6. Способ создания острийной структуры путем направленного выращивания острия по механизму пар-жидкость-кристалл на подложке при осаждении из паро-газовой и/или газовой смеси с использованием по крайней мере одного металла-растворителя отличающийся тем, что выращивают острийную структуру в виде острия так, что ось острия имеет угол по отношению к вертикали, проходящей через его основание.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что в качестве подложки используют монокристаллическое острие, эпитаксиальное плоской монокристаллической поверхности или монокристаллическуто пластину, определенно ориентированную по кристаллографической плоскости, позволяющую получение острийной структуры в виде острия, эпитаксиального этой пластине и под углом к ее поверхности.
8. Способ по п.6 или 7, отличающийся тем, что путем изменения температуры выращивания и/или изменения концентрации соединений в паро-газовой и/или газовой смеси и/или давления паро-газовой смеси или газовой смеси и/или путем добавления по крайней мере одного иного металла-растворителя и/или его испарения создают острийную структуру согласно пп.1-5.
9. Способ по любому из пп.6-8, отличающийся тем, что после выращивания проводят диффузию в материал острийной структуры по крайней мере одного химического элемента с сохранением структуры по крайней мере одного металла-растворителя.
10. Способ по любому из пп.6-9, отличающийся тем, что после получения острийной структуры ее погружают в аморфный материал, после затвердения которого полученную структуру шлифуют вместе с по крайней мере одной вершиной острийной структуры до получения плоской поверхности, после чего аморфный материал может быть вытравлен.
11. Способ по любому из пп.6-10, отличающийся тем, что на всю поверхность осуществляют напыление по крайней мере одного химического элемента.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что путем стравливания диффузионного слоя с поверхности острийной структуры или вытравливания аморфного слоя удаляют часть напыленного химического элемента с его сохранением по крайней мере на одной вершине.
13. Способ по любому из пп.9-12, отличающийся тем, что по крайней мере одна из процедур, описанных в пп.8-12, используют по крайней мере еще один раз.
14. Кантилевер для сканирующего прибора, содержащий по крайней мере два чередующихся плоскопараллельных слоя проводящих материалов, разделенных непроводящими слоями; по крайней мере одну изгибающуюся часть - левер, выполненный из первого проводящего слоя; зонд, расположенный на левере; по крайней мере один электрод - часть второго проводящего слоя, расположенная вдоль левера с противоположной относительно зонда стороны, и зазор между левером и электродом, отличающийся тем, что электрод содержит средство для подавления нерезонансных колебаний левера, являющееся системой с обратной связью.
15. Кантилевер по п. 14, отличающийся тем, что зонд выполнен в виде острийной структуры согласно пп.1-5.
16. Кантилевер по п. 14 или 15, отличающийся тем, что электрод также содержит средство контроля отклонений левера и/или средство принудительного отклонения левера от первоначального его положения и/или средство модуляции резонансных колебаний левера.
17. Кантилевер по любому из пп.14-16, отличающийся тем, что с противоположной от первого электрода стороны левера расположен второй электрод, выполненный из дополнительного проводящего слоя и содержащий средство контроля отклонений левера и/или средство принудительного отклонения левера от первоначального его положения и/или средство модуляции резонансных колебаний левера и/или средство для подавления не резонансных колебаний левера, являющееся системой с обратной связью.
18. Кантилевер по любому из пп.14-17, отличающийся тем, что между левером и по крайней мере одним электродом имеется вакуумный зазор, причем этот зазор может быть заполнен жидким или пластичным материалом, позволяющим взаимное смещение левера и электрода друг относительно друга.
19. Кантилевер по любому из пп.14-18, отличающийся тем, что левер имеет П-бразную и/или V-образную форму и/или продольную полость, и образованные таким образом плечи левера, разделенные продольной областью, могут иметь легированные слои проводимости типа n, n+, p, p+.
20. Кантилевер по любому из пп.14-19, отличающийся тем, что левер имеет пьезорезистивиый слой и/или полупроводниковую пленку, легированную до уровня р++.
21. Кантилевер по п.19 или 20, отличающийся тем, что плечи левера являются соответственно стоком и истоком системы контроля отклонений кантилевера, при этом они разделены участком левера с иной проводимостью, при этом один из электродов выполняет функцию затвора, являясь средством контроля.
22. Способ изготовления кантилевера для сканирующих приборов, включающий создание композиционной пластины, состоящей по крайней мере из двух чередующихся плоскопараллельных слоев проводящих материалов, разделенных непроводящими слоями; формирование из первого проводящего слоя по крайней мере одного левера и создания на левере зонда, отличающийся тем, что из второго проводящего слоя формируют электрод, расположенный вдоль левера с противоположной относительно зонда стороны.
23. Способ по п.22, отличающийся тем, что зонд выполняют в виде острийной структуры согласно пп.1-5.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00935762A EP1190206A2 (en) | 1999-05-31 | 2000-05-31 | Tip structures, devices on their basis, and methods for their preparation |
| RU2001135713/28A RU2240623C2 (ru) | 1999-05-31 | 2000-05-31 | Острийные структуры, приборы на их основе и методы их изготовления |
| US09/980,432 US7161148B1 (en) | 1999-05-31 | 2000-05-31 | Tip structures, devices on their basis, and methods for their preparation |
| AU51174/00A AU5117400A (en) | 1999-05-31 | 2000-05-31 | Tip structures, devices on their basis, and methods for their preparation |
| PCT/RU2000/000209 WO2000074107A2 (en) | 1999-05-31 | 2000-05-31 | Tip structures, devices on their basis, and methods for their preparation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU99111432A true RU99111432A (ru) | 2001-08-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Betts et al. | Growth of thin-film lithium niobate by molecular beam epitaxy | |
| Liu et al. | Organic–inorganic hybrid perovskite nanowire laser arrays | |
| CN206894003U (zh) | 辐射源 | |
| Zhou et al. | Inch-scale grain boundary free organic crystals developed by nucleation seed-controlled shearing method | |
| US8921152B2 (en) | Method for manufacturing organic semiconductor film, and organic semiconductor film array | |
| Tsivion et al. | Guided growth of horizontal GaN nanowires on spinel with orientation-controlled morphologies | |
| Luna et al. | Dry etching of high aspect ratio 4H-SiC microstructures | |
| CN108227244A (zh) | 一种调控太赫兹波振幅的调制器及制作方法 | |
| Xu et al. | Heteroepitaxial writing of silicon-on-sapphire nanowires | |
| RU99111432A (ru) | Мультилевер для сканирующего прибора, способ его создания и устройство на его основе | |
| US20170309484A1 (en) | Carbon Vacancy Defect Reduction Method for SiC | |
| Skibitzki et al. | Reduced-pressure chemical vapor deposition growth of isolated Ge crystals and suspended layers on micrometric Si pillars | |
| Herranz et al. | Study of growth parameters for single InAs QD formation on GaAs (001) patterned substrates by local oxidation lithography | |
| Maier et al. | Fabrication of nanocrystal superlattice microchannels by soft-lithography for electronic measurements of single-crystalline domains | |
| SU722509A3 (ru) | Поверхностный лазер | |
| RU2001135713A (ru) | Острийные структуры, приборы на их основе и методы их изготовления | |
| KR100208474B1 (ko) | 전계 방출용 마이크로-팁 및 그 제조방법 | |
| CN102213844A (zh) | 一种腔内掩埋金属加热电极的可调谐光学滤波器 | |
| CN115349099A (zh) | Iii族氮化物中的孔隙率的控制和定位及其使用和制造方法 | |
| Wachter et al. | Beam geometrical effects on planar selective area epitaxy of InPGaInAs heterostructures | |
| JPH0453902A (ja) | 半導体レンズの形成方法 | |
| Liu et al. | Reduction of threading dislocation density in sputtered Ge/Si (100) epitaxial films by continuous-wave diode laser-induced recrystallization | |
| CN101150057B (zh) | 薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法 | |
| FI78782C (fi) | Foerfarande foer framstaellning av ett piezoresistivt motstaondselement samt en anordning som tillaempar foerfarandet och en med foerfarandet framstaelld givare speciellt en tryckgivare eller motsvarande. | |
| KR20140064374A (ko) | 인듐 나노 와이어, 인듐 나노 와이어 소자 및 인듐 나노 와이어 제조 방법 |