Изобретение относитс к электронике 1СВЧ. а более конкретно к мощным электровакуумным приборам 0-типа. Известны СВЧ приборы 0-типа с магнитной фокусировкой, в которых дл пред1 отвращени значительных пульсаций электронов в предколлекторной области, обуславливаемых наличием магнитных полей рассе ни посто нных магнитов на участке областью взаимодействи и коллекторной системой, и ббеспечени равномерного токооседани на поверхности коллектора используют вспомогательные магниты и магнитные экраны, охватывающие коллектор. Недостаток таких конструкций - большой вес и габариты коллекторной системы и, следовательно, всего прибора в целбЙ. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому вл етс СВЧ прибор 0-типа, содержащий магнитную фокусирующую систему с полюсными наконечниками, коллек торнуюсистему,устройство преобразовани магнитного пол , расположенное соосно пучку на участке между коллекторной .системой и ближайшим к ней полюсным наконечником. В приведенной конструкции с уровнем полей рассе ни основного магнита пор дка 0,05 Тл с помощью вспомогательного магнита с весом, составл ющим 25% веса основного магнита, удаетс осуществить реверс пол в межполюсном зазоре вспомогательного магнита и Снизить уровень полей в остальной части коллекторной системы до значений 0.001 Тл. Однако в р де мощных СВЧ приборов 0-типа, когда величины полей в рабочей области .составл ют 0,6-0,7 Тл и более, в пол рассе ни 0,25-0,35 Тл и более, т.е. при существенно более высоком уровне полей и соизмеримости полей рассе ни и полей в рабочей области, не удйетс осуществить хороший реверс магнитного пол . Это. в частности, св зано с тем, что при таких величинах индукции магнитных полей про вл етс насыщение полюсных наконечников , что не позвол ет обеспечить резкий переход в точке смены пол рностей . полей от рабочей области в область полей рассе ни . Кроме того, если бы даже и удалось осуществить реверс магнитного пол , то это дл рассматриваемых полей потребовало бы использовать дополнительные магниты из дорогосто щего материала (преимущественно самарий-кобальтопые сплавы). Следует также отметить существенные конструктивные трудности в размещении дополнительных посто нных магнитов. Целью изобретени вл етс увеличение значений преобразуемых магнитных полей рассе ни . Указанна цель достигаетс тем. что в СВЧ приборе 0-типа, содержащем магнитную фокусирующую систему с полюсными наконечниками, коллекторную систему, устройство преобразовани магнитного пол , расположенное соосно на участке между коллекторной системой и ближайшим к ней полюсным наконечником, устройство преобразовани магнитного пол , расположенное соосно пучку на участке между коллекторной системой и ближайшим к ней наконечником, устройство преобразовани магнитного пол выполнено формирующим магнитное поле рассе ни по следующему закону: В (0,15-0,3) Во (на кра х участка преобразовани и прот женностью 10-30% указанного участка): В (0,05-0,15) Во (в остальной,, части участка преобразовани ), где Во - величина магнитного пол в рабо- х чем зазоре прибора: В - величина магнитного Гюл рассе ни . . В случае преобразованного пол по предложенному закону электронный пучок по выходе из области взаимодействи Нроходйт переходный участок, на котором величина пол сначала уменьшаетс от его значени в рабочей области (0,6-0,7 Тл) до нул и затем снова нарастает. На этом переходном участке происходит увеличение диаметра пучка, что, в свою очередь, приводит к резким пульсаци м пучка. Дл предотвращени возникновени пульсаций (с помощью введени в эту область еще одного устройства, например тонкостенного профилированного цилиндра), распределение магнитного пол рассе ни видоизмен ют так, что на начальном участке устройства магнитного пол создаетс узка зона с уровнем пол , большим, чем в остальной части указанного участка (всплеск) по°л ). Максимальное значение уровн поли в узкой зоне составл ет 1530% от максимального значени пол в рабочем зазоре (0,1-0,15 Тл). Величина всплеска пол подбираетс такой, чтобы расход щийс электронный пучок в этой зоне фокусировалс и обеспечивалс бы параллельный впод (или слегка сход щийс ) его в ост.чл MVH:I ч.чс. FIELD: electronics. and more specifically to powerful 0-type electrovacuum appliances. Microwave 0-type devices with magnetic focusing are known, in which auxiliary magnets of the permanent magnets in the region of the interaction region and the collector system are used to prevent large pulsations of electrons in the pre-collector region and to ensure uniform current flow on the collector surface. magnetic screens covering the collector. The disadvantage of such structures is the large weight and dimensions of the collector system and, consequently, the entire device in tselby. The closest in technical essence and the achieved result to the proposed is a 0-type microwave device containing a magnetic focusing system with pole tips, a collecting system, a magnetic field conversion device located coaxially with the beam in the area between the collector pole and the pole tip. In the above construction, with the level of fields of the main magnet dispersion of the order of 0.05 T, using the auxiliary magnet with a weight of 25% of the weight of the main magnet, it is possible to reverse the field in the interpolar gap of the auxiliary magnet and Reduce the level of the fields in the rest of the collector system to values of 0.001 Tesla. However, in a number of powerful 0-type microwave devices, when the field values in the working area are 0.6-0.7 T or more, the field dissipates 0.25-0.35 T and more, i.e. with a significantly higher level of fields and commensurability of fields of scattering and fields in the working area, it is not possible to carry out a good reversal of the magnetic field. It. in particular, due to the fact that with such magnitudes of magnetic field induction, pole tips become saturated, which does not allow for a sharp transition at the point of polarity change. fields from the working area to the field of fields scattered. In addition, even if we were able to reverse the magnetic field, this would require the use of additional magnets from expensive materials (mainly samarium – cobalt alloys) for the fields in question. It should also be noted significant structural difficulties in the placement of additional permanent magnets. The aim of the invention is to increase the values of convertible scattered magnetic fields. This goal is achieved by that in a 0-type microwave device containing a magnetic focusing system with pole pieces, a collector system, a magnetic field conversion device located coaxially between the collector system and the nearest pole tip, a magnetic field device coaxially located in the section between the collector system the system and the tip nearest to it, the magnetic field conversion device is made by forming a magnetic field dissipated according to the following law: B (0.15-0.3) In (at the edges of conversion rate and 10–30% of the specified area): B (0.05–0.15) B (in the rest of the conversion area), where B is the magnetic field in the device than the device gap: B - the magnitude of the magnetic Gul is scattered. . In the case of a transformed field according to the proposed law, the electron beam, after leaving the Nrohodit interaction region, has a transition region in which the field size first decreases from its value in the working area (0.6-0.7 T) to zero and then increases again. In this transition region, an increase in the beam diameter occurs, which, in turn, leads to sharp pulsations of the beam. To prevent the occurrence of pulsations (by introducing another device into this area, for example, a thin-walled profiled cylinder), the distribution of the stray magnetic field is modified so that in the initial part of the device the magnetic field creates a narrow area with specified area (surge) in ° l). The maximum level of poly in a narrow area is 1530% of the maximum value of the field in the working gap (0.1-0.15 T). The magnitude of the burst field is chosen such that the diverging electron beam in this zone is focused and provided parallel to the flow (or slightly converging) of it in the MVH: I h.ch.
преобразовани пол рассе ни и тем самым предотвращалось бы возникновение резких пульсаций пучка.converting the field of scattering and thus would prevent the occurrence of sharp pulsations of the beam.
Одновременно со всплеском пол на начальном участке образуют примерно такой же по величине всплеск пол на конце устройства преобразовани пол рассе ни , который обеспечивает фокусировку и ввод пучка в коллектор прибора.Simultaneously with the splash, the field in the initial part forms a similarly large splash field at the end of the scattering field conversion device, which provides focusing and input of the beam into the collector of the device.
СВЧ прибор 0-типа с указанным распределением магнитного пол вл етс более экономичным за счет того, чтоA 0-type microwave device with a specified magnetic field distribution is more economical due to the fact that