RU972786C - Способ синтеза алмазов - Google Patents

Способ синтеза алмазов

Info

Publication number
RU972786C
RU972786C SU803239280A SU3239280A RU972786C RU 972786 C RU972786 C RU 972786C SU 803239280 A SU803239280 A SU 803239280A SU 3239280 A SU3239280 A SU 3239280A RU 972786 C RU972786 C RU 972786C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
diamonds
synthesis
pitch
pressure
Prior art date
Application number
SU803239280A
Other languages
English (en)
Inventor
Е.Н. Яковлев
В.И. Костиков
В.Ф. Романов
О.А. Воронов
Е.П. Хлыбов
В.Г. Нагорный
С.А. Лисовский
Original Assignee
Институт физики высоких давлений АН СССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт физики высоких давлений АН СССР filed Critical Институт физики высоких давлений АН СССР
Priority to SU803239280A priority Critical patent/RU972786C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU972786C publication Critical patent/RU972786C/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25Diamond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25Diamond
    • C01B32/26Preparation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

СПОСОБ СИНТЕЗА АЛМАЗОВ, включающий возлействие высокого давлени  при нагрёве в области стабильности алмаза с выдержкой на заготовку из угиеродсодержащего материала, от личаю1цийс  тем, что, с целью упрощени  процесса ..синтеза монокристаллов и снижени  их зольности, в качестве углеродсодержащего материала используют пек и выдерживают в течение 1-5 мин.. ,

Description

Изобретение относитс  к способам пЬ:лучени  синтетических алмазов и мо .жет быть ис.пользовано в абразивной промышленности.
Известен способ непосредственного воздействи  на каменно-угольный пек давлением кбар при нагреве до 800-160П°С с выдержкой Т-5 мин.
Недостатком указанного способа  вл етс  то, что в указанном иНтервале давлений и температур не происходит образовани  алмазной фазы.
Наиболее близким к изобретению  вл етс  способ синтеза алмазов, вклю-. чающий термообработку смеси сплавакатализатора с нефт ным или каменноугольным пеком в инертной среде при ЗОО-ПОО С и последуюи1ее воздействие на карбонизированную заготовку, давлени  60-G5 кбар при нагреве до 1200I OO C (в области стабильности алмаза .) в течение t-8 с. При этом выход алмаза составл ет 25-30 мас. с одного спекани . Зольность алмаза достигает 0,8-1,2 мас.%.
Недостатками указанного с.посрба
 вл ютс  многостадийност а и невысокий выход монокристаллов алмаза,.значительное содержание в алмазах метал-. лических примесей (т.е. высока  зольность ) , что осложн ет выделение алмазов из спека. . /
Целью изобретени   вл етс  упрощеО XI ние процесса синтеза монокристаллов и снижение их зольности.
INJ VI
Поставленна  цель достигаетс  тем, что воздействию давлени  и нагрева в 00 o6jiacTH стабильности алмаза в течеON ние 1-5 мин подвергают-заготовку из пека.
Отличие изобретени  заключаетс  в том, что в качестве углеродсодержащего материала используют пек и вы- держивают в течение 1-5 мин.
Нефт ной и камменоугольный пек  вл ютс  смесью угдеводородных молекул, некоторые из которых в результате термической деструкции склонны при указанных давлени х и температурах к кристаллизации в алмазную решетку и, соедин  сь, привод т к по влению алмазных заролькией. Этим они отличаютс  от других углеродсодержащих материалов (коксов, графитов, саж и подобных ), имеющих устойчивую кристаллическую решетку углеродных атомов, перестройка которой в алмазную решет ку затруднена. Пределы режимов синтеза определ ютс  Р-Т кривой термодинамической стабильности алмазной решетки. Возможность синтеза алмазов без металлов-катализаторов св зана с методом обработки углеводородов под давлением и осуществлением пр мого перехода углеводорода в алмаз и графит с выделением водорода. При этом водород, вызыва  кратковременное повышение давлени  в реакционной камере , удал етс  через ее стенки и газо проницаемые уплотнени . Деструкци  молекул углеводородов начинаетс  в самых гор чих точках  чейки. Так как давление превосходит критическое (по кривой .-термодинамического равновеси ) , вблизи этих точек образуютс  возбужденные молекулы и радикалы с ЗРЗ-св з ми, которые-дают зародыши с алмазной решеткой, а возбужденные MO лекулы ароматических соединений с SP -св з ми соедин ютс  непосредственно в решетку совершенного термодинамически стабильного графита, мину  стадию кокса и промежуточное энергетическое состо ние, свойственное техническому графиту. В таком процессе не требуетс  применение сплава-катализатора. г фронт алмазсодержащейзоны движет с  от более нагретых к менее нагретым част м камеры. Если по мере деструкции молекул давление в камере удаетс  поддерживать выше критического значени  по кривой термодинамического равновеси , то превращение будет полным, В противном случае падение Р приводит к тому, что термодинамически устойчивой окажетс  решетка графита и дальнейша  деструкци  будет сопровождатьс  графитацией исходного сырь . На чертеже показан общий вид полученного в процессе синтеза алмазсодержащего образца, содержащего три зоны-. Зона 1 состоит из монокристалльных зерен алмаза с правильной огранкой, размером 1-50 мкм, преимущественно 20-30 мкм. Содержание примесей в алмазах не превышает 0,1 мас.%. Зона 2  вл етс  переходной и имеет толщину несколько сотых миллиметра. При исследовании дифрактограмм обнаружено, что получаемый материал характеризуетс  решеткой гексагонального типа. Зона 3 содержит сверхплотный беспористый графит с пик нометрической плотностью,близкой к рентгеновской, межслоевым рассто нием d(,,35 А и полушириной дифракционных линий (А ОО2 - 0,18 ), близкой -к полуширине алмазных линий. П р и м е р 1. Берут каменноугольный пек с содержанием, мас.: углерод 93,02, водород ,75, сера 0,,8, азот 1,41, зола - остальное, с плотностью 1,2-1,3 г/см и температурой плавлени  l80°C. Затем его расплавл ют , заливают в графитовый нагревательный элемент и помещают в камеру высокого давлени  типа из катлинита. Исходный вес заготовки составл ет 65 мг. На заготовку воздействуют давлением 80 кбар и затем нагревают до со скоростью 60 град/с и выдерживают в течение 1 мин. После выключени  тока через нагреватель образец охлаждают. При этих параметрах образуетс  сплошна  алмазна  зона весом 30 мг, легко отдел ема  от графита механическим путем . Идентификацию алмаза проводили по дифракционному спектру рентгеновских лучей, путем исследовани  сколов образца на сканирующем электронHCJM микроскопе и по абразивным свойствам . БОЛЬШИНСТВО монокристаллов имеет форму правильного октаэдра с острыми гран ми и желтоватым оттенком. Встречаютс  монокристаллы без окраски, с интенсивной оранжевой и красной окраской . Количество металлических примесей (зольность) менее 0,1. Размер монокристаллов 1-50 мкм. Выход алмазов составл ет от массы пека. 1 Пример 2. То же, что и в примере 1. На заготовку из каменноугольного пека воздействуют давлением 130 кбар при в течение 5 мин. При этом выход алмазов составл ет 50 от массы пека. Зольность алмазов менее 0,1 мас.. Пример 3. В качестве исходного сырь  берут- нефт ной пек.. На заготовку из пека воздействуют давлением 80 кбар при в течение 3 мин. Выход алмаза составл ет 40 от массы пека. Полученные монокристаллы алмаза имеют такую же характеристику , что и алмазы из каменноугольного пека. Как следует из приведенных примеров , предложенный бескатализный способ синтеза алмазов позвол ет получать совершенные по форме монокристаллы алмазов с выходом до 50 мас,% от исходного веса пека с содержанием приме сей не более 0,1 мае./о. Процесс значи ельно проще и дешевле суш,ествую1цих спо 66 собой получени  синтетических алмазов с использованием дорогосто щих металлов-растворителей углерода. Кроме того зона, содержаща  алмаз, легко механическим методом отдел етс  от зоны графита (не требуетс  применени  агрессивных кислот). Получаемый в процессе синтеза графит превосходит по качеству известные виды природных и искусственных графитов , его можно использовать в качество эталонного материала в рентгеновских измерени х.
SU803239280A 1980-12-18 1980-12-18 Способ синтеза алмазов RU972786C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803239280A RU972786C (ru) 1980-12-18 1980-12-18 Способ синтеза алмазов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803239280A RU972786C (ru) 1980-12-18 1980-12-18 Способ синтеза алмазов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU972786C true RU972786C (ru) 1993-02-23

Family

ID=20939873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU803239280A RU972786C (ru) 1980-12-18 1980-12-18 Способ синтеза алмазов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU972786C (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101253064B1 (ko) 규소 함유 생성물을 제조하기 위한 조성물 및 방법
US4615875A (en) Process for preparing high purity alpha-alumina
CN103209923A (zh) 碳化硅单晶制造用碳化硅粉体及其制造方法
Gorthy Production of silicon carbide from rice husks
JPH06154578A (ja) ダイヤモンド合成用反応容器
US4469802A (en) Process for producing sintered body of boron nitride
US3714334A (en) Process for epitaxial growth of diamonds
US4122152A (en) Process for preparing silicon nitride powder having a high α-phase content
Liu et al. Diamond crystallization and growth in N–H enriched environment under HPHT conditions
JPS5935099A (ja) 炭化けい素結晶成長法
US4409193A (en) Process for preparing cubic boron nitride
Kinney et al. Carbonization of anthracene and graphitization of anthracene carbons
RU972786C (ru) Способ синтеза алмазов
Kubota et al. Synthesis of cubic and hexagonal boron nitrides by using Ni solvent under high pressure
US4045186A (en) Method for producing large soft hexagonal boron nitride particles
Rodriguez-Lugo et al. Synthesis of silicon carbide from rice husk
JP5987629B2 (ja) 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法
US8916125B2 (en) Graphite material for synthesizing semiconductor diamond and semiconductor diamond produced by using the same
US20020071803A1 (en) Method of producing silicon carbide power
Hong et al. Diamond formation from a system of SiC and a metal
Agarwala et al. A study of graphite-diamond conversion using nickel, invar and monel as catalyst-solvents
Ekimov et al. Diamond crystallization in the system B 4 C–C
JPS61146797A (ja) 窒化珪素ならびに炭化珪素の連続的製造方法
SU687761A1 (ru) Способ получени алмаза
Otani et al. Effect of W doping on the growth of TiC crystal by the floating zone method