Claims (9)
1. Способ изготовления солнечного элемента, содержащего полупроводниковый слой (12), внутри которого в направлении толщины имеется p-n-запирающий слой, облучаемый светом по меньшей мере с одной стороны, и контакты (14,16) для электрического контактирования полупроводникового слоя с каждой стороны p-n-запирающего слоя, отличающийся тем, что полупроводниковый слой изготовляют путем измельчения полупроводникового материала в порошок (8), нагрева порошка и спекания в прессе для спекания в полупроводниковый слой (12).1. A method of manufacturing a solar cell containing a semiconductor layer (12), inside which in the thickness direction there is a pn-locking layer irradiated with light from at least one side, and contacts (14,16) for electrical contacting the semiconductor layer on each side of pn a barrier layer, characterized in that the semiconductor layer is made by grinding the semiconductor material into powder (8), heating the powder and sintering in a press for sintering into the semiconductor layer (12).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового материала применяют высокочистый кремний. 2. The method according to claim 1, characterized in that high-purity silicon is used as the semiconductor material.
3. Способ по одному из пп.1 и 2, отличающийся тем, что полупроводниковый материал перед спеканием легируют. 3. The method according to one of claims 1 and 2, characterized in that the semiconductor material is doped before sintering.
4. Способ по одному из пп.1 - 3, отличающийся тем, что предусмотренную для облучения светом поверхность полупроводникового слоя выполняют с рифлением путем выполнения пресса для спекания с внутренней поверхностью соответствующей формы. 4. The method according to one of claims 1 to 3, characterized in that the surface of the semiconductor layer provided for irradiation with light is performed with corrugation by making a sintering press with an internal surface of an appropriate shape.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что рифление (18) образовано пирамидами (20). 5. The method according to claim 4, characterized in that the corrugation (18) is formed by pyramids (20).
6. Способ по одному из пп. 1 - 5, отличающийся тем, что полупроводниковый слой (12) наносят спеканием на установленную в спекальной форме (2,4) металлическую пластину (6), образующую контактирование полупроводникового слоя. 6. The method according to one of paragraphs. 1 to 5, characterized in that the semiconductor layer (12) is sintered onto a metal plate (6) installed in the sintered form (2,4), which forms the contacting of the semiconductor layer.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что металлическая пластина (6) рассчитана таким образом, что образует несущую структуру для полупроводникового слоя (12). 7. The method according to p. 6, characterized in that the metal plate (6) is designed so that it forms a supporting structure for the semiconductor layer (12).
8. Солнечный элемент, содержащий полупроводниковый слой (12) с p-n-запирающим слоем в направлении глубины и контакт (14,16) с каждой стороны запирающего слоя для электрического контактирования полупроводникового слоя, отличающийся тем, что полупроводниковый слой (12) состоит из спеченного полупроводникового материала. 8. A solar cell comprising a semiconductor layer (12) with a pn-locking layer in the depth direction and contact (14.16) on each side of the locking layer for electrical contacting the semiconductor layer, characterized in that the semiconductor layer (12) consists of a sintered semiconductor layer material.
9. Элемент по п.8, отличающийся тем, что полупроводниковый слой (12) нанесен спеканием на металлическую пластину (6), к которой присоединен один из электрических контактов. 9. An element according to claim 8, characterized in that the semiconductor layer (12) is sintered on a metal plate (6) to which one of the electrical contacts is connected.