RU97120933A - METHOD FOR FORMING THE RELIEF ON THE SURFACE OF THE FUNCTIONAL LAYER - Google Patents

METHOD FOR FORMING THE RELIEF ON THE SURFACE OF THE FUNCTIONAL LAYER

Info

Publication number
RU97120933A
RU97120933A RU97120933/12A RU97120933A RU97120933A RU 97120933 A RU97120933 A RU 97120933A RU 97120933/12 A RU97120933/12 A RU 97120933/12A RU 97120933 A RU97120933 A RU 97120933A RU 97120933 A RU97120933 A RU 97120933A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
relief
functional layer
photoresistive
forming
Prior art date
Application number
RU97120933/12A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
А.М. Дыхне
Ю.К. Низиенко
Original Assignee
А.М. Дыхне
Ю.К. Низиенко
Filing date
Publication date
Application filed by А.М. Дыхне, Ю.К. Низиенко filed Critical А.М. Дыхне
Publication of RU97120933A publication Critical patent/RU97120933A/en

Links

Claims (2)

1. Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя, включающий создание на подложке фоторезистивного слоя заданной толщины, экспонирование фоторезистивного слоя посредством электромагнитного излучения, проявление полученного в фоторезистивном слое скрытого изображения жидкостным способом посредством растворения и удаление проэкспонированного материала фоторезиста из зоны экспонирования, а также сушку образованного профильного фоторезистивного слоя и последующее формирование рельефа на поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что фоторезистивный слой создают с толщиной не менее максимальной высоты структур формируемого на поверхности функционального слоя рельефа, в качестве электромагнитного излучения используют импульсы лазерного излучения, которые генерируют с периодом времени между последовательными импульсами не меньшим периода времени, необходимомого для удаления проэкспонированного, посредством одного импульса, материала фоторезиста из зоны экспонирования в процессе проявления скрытого изображения, который начинают осуществлять одновременно с экспонированием, формирование рельефа на поверхности функционального слоя осуществляют одновременно с созданием этого слоя, который формируют непосредственно на образованной профильной поверхности фоторезистивного слоя, после чего осуществляют разрушение фоторезистивного слоя и удаление остатков фоторезиста со сформированной профильной поверхности функционального слоя.1. The method of forming a relief on the surface of the functional layer, including creating a photoresistive layer of a given thickness on the substrate, exposing the photoresistive layer by means of electromagnetic radiation, manifesting the latent image obtained in the photoresistive layer by a liquid method by dissolving and removing the exposed photoresist material from the exposure zone, and also drying the formed profile photoresistive layer and subsequent relief formation on the surface of the functional layer, characterized in that the photoresistive layer is created with a thickness of not less than the maximum height of the structures formed on the surface of the functional layer of the relief, laser radiation pulses are used as electromagnetic radiation, which generate with a period of time between successive pulses not less than the period of time required to remove the exposed , by means of a single pulse, the photoresist material from the exposure zone in the process of developing a latent image that begins to exist simultaneously with exposure, the formation of a relief on the surface of the functional layer is carried out simultaneously with the creation of this layer, which is formed directly on the formed profile surface of the photoresistive layer, after which the photoresist layer is destroyed and the residual photoresist is removed from the formed profile surface of the functional layer. 2. Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя по п. 1, отличающийся тем, что проявление полученного в фоторезистивном слое скрытого изображения осуществляют в ламинарном потоке проявителя. 2. The method of forming a relief on the surface of the functional layer according to claim 1, characterized in that the manifestation of the latent image obtained in the photoresistive layer is carried out in a laminar flow of the developer.
RU97120933/12A 1997-12-17 METHOD FOR FORMING THE RELIEF ON THE SURFACE OF THE FUNCTIONAL LAYER RU97120933A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU97120933A true RU97120933A (en) 1999-11-10

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2554935C2 (en) * 2011-04-21 2015-07-10 Макдермид Принтинг Солюшнз, Ллк Light-sensitive layered polymer and heat treatment thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2554935C2 (en) * 2011-04-21 2015-07-10 Макдермид Принтинг Солюшнз, Ллк Light-sensitive layered polymer and heat treatment thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0361907A3 (en) Photoresist compositions for deep uv image reversal
KR940015692A (en) Formation method of pattern
JPH04115515A (en) Forming method of pattern
JPS61200537A (en) Method of elevating quality of picture for photoresist of positive by inversion of vapor diffusion image
JPS5933971B2 (en) Circuit pattern forming method and device
RU97120933A (en) METHOD FOR FORMING THE RELIEF ON THE SURFACE OF THE FUNCTIONAL LAYER
ES2123304T3 (en) METHOD AND APPARATUS FOR THE PRODUCTION OF A PRINTING TEMPLATE.
US6806005B2 (en) Method and apparatus for forming resist pattern
KR950024260A (en) Phase inversion mask formation method
ATE47631T1 (en) PROCESS FOR MAKING PHOTORESIST STRUCTURES.
RU97116741A (en) METHOD FOR FORMING THE RELIEF ON THE SURFACE OF THE FUNCTIONAL LAYER
KR910006782A (en) Manufacturing Method of Semiconductor Device
FR2637428A1 (en) FORBIDDEN ELECTRODE FOR SURFACE WAVE DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US6896997B2 (en) Method for forming resist pattern
RU2164706C1 (en) Process of formation of relief on surface of functional layer
JPH06105684B2 (en) Resist pattern formation method
RU2096935C1 (en) Process of photolithography
JPS5654440A (en) Photosensitive lithographic material and plate making method
JPH03237458A (en) Fine pattern forming method
JPS58132926A (en) Formation of pattern
KR940016570A (en) Bridge Removal Method Using Phase Inversion Mask
KR950021047A (en) Method of forming fine pattern of photoresist
JPH06275514A (en) Resist pattern forming method
JPS55163841A (en) Method for electron beam exposure
KR960026311A (en) Wafer Photoresist Removal Method