Claims (8)
1. Способ изготовления автоэлектронного прибора, включающий формирование пленочных резистивных участков на диэлектрической поверхности подложки; эмиттеров, находящихся в контакте с резистивными участками; катодного электрода, находящегося в контакте с резистивными участками и управляющего электрода, отделенного от подложки диэлектрическим слоем, отличающийся тем, что на поверхности подложки формируют резистивные пленочные участки, наносят на поверхность подложки и резистивных пленочных участков слой катодного материала, на поверхности катодного слоя формируют маску с отверстиями, совмещенными с резистивными участками, травят слой катодного материала через маску с подтравливанием его под края отверстий в маске, вакуумным методом наносят слой материала эмиттера на поверхность структуры до полного затягивания отверстий в маске, в результате чего в них формируются эмиттеры, растворением удаляют маску вместе с покрывающим ее поверхность слоем эмитирующего материала, наносят на поверхность структуры последовательно диэлектрический проводящий и планаризующие слои, обрабатывают любыми известными методами планаризующий слой с целью уменьшения его толщины до обнажения проводящего слоя, расположенного над вершинами эмиттеров, образуя таким образом из планаризующего слоя самосовмещенную маску, травят через нее проводящий и диэлектрический слой до обнажения вершин эмиттеров, удаляют самосовмещенную маску растворением.1. A method of manufacturing an electronic device, including the formation of film resistive sections on the dielectric surface of the substrate; emitters in contact with resistive sections; a cathode electrode in contact with the resistive portions and a control electrode separated from the substrate by a dielectric layer, characterized in that resistive film portions are formed on the surface of the substrate, a layer of cathode material is applied to the surface of the substrate and resistive film portions, a mask is formed on the surface of the cathode layer holes, combined with resistive sections, etch a layer of cathode material through the mask with etching it under the edges of the holes in the mask, using the vacuum method of nano a layer of emitter material is deposited on the surface of the structure until the holes in the mask are completely tightened, as a result of which emitters are formed in them, the mask is removed by dissolution together with the layer of emitting material covering its surface, sequentially dielectric conducting and planarizing layers are applied to the surface of the structure, and planarizing is carried out using any known methods layer in order to reduce its thickness until the conductive layer located above the tops of the emitters is exposed, thus forming from a planarizing layer I self-aligned mask, are etched through it conductive and a dielectric layer to expose the emitter tip, is removed by dissolving the self-alignment mask.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что обратную маску формируют из металлического и расположенного на нем фоторезистивного слоев. 2. The method according to claim 1, characterized in that the inverse mask is formed from a metal and photoresist layers located on it.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что после формирования эмиттеров на поверхность структуры наносят слой материала, стабилизирующего эмиссионные свойства эмиттеров и обладающего высокой резистивностью. 3. The method according to claim 1, characterized in that after the formation of the emitters, a layer of material is applied to the surface of the structure, which stabilizes the emission properties of the emitters and has a high resistance.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что на поверхность эмиттеров наносят вакуумным методом слой карбида кремния. 4. The method according to claim 3, characterized in that a layer of silicon carbide is applied on the surface of the emitters by a vacuum method.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что после нанесения слоя катодного материала на его поверхность и поверхность подложки наносят последовательно диэлектрический, проводящий и маскирующие слои, формируют отверстия в маскирующем слое, травят через отверстия проводящий и диэлектрические слои до обнажения поверхности катодного слоя, травят катодный слой с подтравлением под края отверстий в диэлектрическом слое, вакуумным методом наносят слой материала эмиттера до полного затягивания отверстий в маскирующем слое, в результате чего в полостях, образованных проводящим и диэлектрическим слоями формируются эмиттеры, удаляют маскирующее покрытие вместе с покрывающим его поверхность слоем материала эмиттера растворением. 5. The method according to claim 1, characterized in that after applying a layer of cathode material on its surface and the surface of the substrate, dielectric, conducting and masking layers are applied sequentially, holes are formed in the masking layer, conductive and dielectric layers are etched through the holes until the surface of the cathode layer is exposed etch the cathode layer with etching under the edges of the holes in the dielectric layer, apply a layer of emitter material by a vacuum method until the holes in the mask layer are completely tightened, resulting in strips Emitters are formed in the conductive and dielectric layers, the masking coating is removed along with the dissolution of the emitter material layer covering it.
6. Способ по п.3, отличающийся тем, что маскирующий слой выполняют из фоторезиста. 6. The method according to claim 3, characterized in that the masking layer is made of photoresist.
7. Способ по пп.1 и 3, отличающийся тем, что проводящий слой, являющийся управляющим электродом в сформированном приборе, окисляют электрохимическим методом в области эмиттеров сохраняя часть его проводящей толщины. 7. The method according to claims 1 and 3, characterized in that the conductive layer, which is the control electrode in the formed device, is oxidized by the electrochemical method in the field of emitters while retaining part of its conductive thickness.
8. Способ по пп. 1-7, отличающийся тем, что структуру выполняют в виде матрицы, содержащей полосковые управляющие и катодные электроды, разделенные между собой слоем диэлектрика, и эмиттеры расположенные в местах их перекрестий. 8. The method according to PP. 1-7, characterized in that the structure is performed in the form of a matrix containing strip control and cathode electrodes separated by a dielectric layer, and emitters located at their crosshairs.