RU96100553A - Новейший керамический сегнетоэлектрический материал - Google Patents
Новейший керамический сегнетоэлектрический материалInfo
- Publication number
- RU96100553A RU96100553A RU96100553/03A RU96100553A RU96100553A RU 96100553 A RU96100553 A RU 96100553A RU 96100553/03 A RU96100553/03 A RU 96100553/03A RU 96100553 A RU96100553 A RU 96100553A RU 96100553 A RU96100553 A RU 96100553A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ceramic
- barium titanate
- low dielectric
- composite material
- dielectric constant
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims 15
- 239000000463 material Substances 0.000 title 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 15
- -1 strontium barium Chemical compound 0.000 claims 15
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 13
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N TiO Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 4
- QKYBEKAEVQPNIN-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxido(oxo)alumane Chemical compound [Ba+2].[O-][Al]=O.[O-][Al]=O QKYBEKAEVQPNIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N Barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 2
- CZXRMHUWVGPWRM-UHFFFAOYSA-N strontium;barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Sr+2].[Ba+2] CZXRMHUWVGPWRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 2
Claims (1)
1. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал, включающий титанат бария стронция, отличающийся тем, что он дополнительно содержит керамический материал, имеющий малую диэлектрическую проницаемость, причем упомянутые титанат бария стронция и керамический материал, имеющий малую диэлектрическую проницаемость, содержатся в таких количествах, которые обеспечивают низкую диэлектрическую проницаемость, малый тангенс потерь и высокую настраиваемость керамического сегнетоэлектрического композитного материала.
2. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.1, отличающийся тем, что упомянутый керамический материал, имеющий малую диэлектрическую проницаемость, выбран из группы, состоящей из оксидов алюминия, циркония, магния, двуокиси кремния и других оксидов с малыми диэлектрическими проницаемостями и диэлектрическими потерями.
3. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.1, отличающийся тем, что упомянутый титанат бария стронция представлен в виде Ba1 - xSrxTiO3, где x больше нуля, но меньше или равен 0,70.
4. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.3, отличающийся тем, что упомянутый титанат бария стронция представлен в виде Ba1 - xSrxTiO3, где x = 0,35 - 0,40.
5. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.4, отличающийся тем, что упомянутые титанат бария стронция и керамический материал, имеющий малую диэлектрическую проницаемость, взяты в следующем соотношении, мас.%:
Ba1 - xSrxTiO3 - 99 - 40
Керамический материал - 1 - 60
6. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.4, отличающийся тем, что в качестве упомянутого керамического материала, имеющего малую диэлектрическую проницаемость, взят оксид алюминия.
Ba1 - xSrxTiO3 - 99 - 40
Керамический материал - 1 - 60
6. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.4, отличающийся тем, что в качестве упомянутого керамического материала, имеющего малую диэлектрическую проницаемость, взят оксид алюминия.
7. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.5, отличающийся тем, что в качестве упомянутого керамического материала, имеющего малую диэлектрическую проницаемость, взят оксид алюминия.
8. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.7, отличающийся тем, что упомянутые титанат бария стронция и оксид алюминия взяты в следующем соотношении, мас.%:
Ba1 - xSrxTiO3 - 70
Al2O3 - 30
9. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал, включающий титанат бария стронция, который представлен как Ba1 - xSrxTiO3, где x больше нуля, но меньше или равен 0,70, отличающийся тем, что он содержит оксид алюминия, причем упомянутый титанат бария стронция и оксид алюминия содержатся в таких количествах, которые обеспечивают малую диэлектрическую проницаемость, малый тангенс потерь и высокую настраиваемость керамического сегнетоэлектрического композитного материала.
Ba1 - xSrxTiO3 - 70
Al2O3 - 30
9. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал, включающий титанат бария стронция, который представлен как Ba1 - xSrxTiO3, где x больше нуля, но меньше или равен 0,70, отличающийся тем, что он содержит оксид алюминия, причем упомянутый титанат бария стронция и оксид алюминия содержатся в таких количествах, которые обеспечивают малую диэлектрическую проницаемость, малый тангенс потерь и высокую настраиваемость керамического сегнетоэлектрического композитного материала.
10. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.9, отличающийся тем, что упомянутый титанат бария стронция представлен в виде Ba1 - xSrxTiO3, где x = 0,35 - 0,40.
11. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.10, отличающийся тем, что упомянутые титанат бария стронция и оксид алюминия взяты в следующем соотношении, мас.%:
Титанат бария стронция - 99 - 40
Al2O3 - 1 - 60
12. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.11, отличающийся тем, что упомянутые титанат бария стронция и оксид алюминия взяты в следующем соотношении, мас.%:
Титанат бария стронция - 70
Al2O3 - 30
13. Способ обеспечения повышенной способности сдвига фазы системы с фазированной антенной решеткой с использованием в фазосдвигающем устройстве указанной системы керамического сегнетоэлектрического композитного материала, включающего титанат бария стронция, отличающийся тем, что указанный керамический сегнетоэлектрический композитный материал содержит в своем составе керамический материал, имеющий малую диэлектрическую проницаемость, причем упомянутый титанат бария стронция и упомянутый керамический материал с малой диэлектрической проницаемостью содержатся в таких количествах, которые обеспечивают указанному композитному материалу малую диэлектрическую проницаемость, малый тангенс потерь и высокую настраиваемость.
Титанат бария стронция - 99 - 40
Al2O3 - 1 - 60
12. Керамический сегнетоэлектрический композитный материал по п.11, отличающийся тем, что упомянутые титанат бария стронция и оксид алюминия взяты в следующем соотношении, мас.%:
Титанат бария стронция - 70
Al2O3 - 30
13. Способ обеспечения повышенной способности сдвига фазы системы с фазированной антенной решеткой с использованием в фазосдвигающем устройстве указанной системы керамического сегнетоэлектрического композитного материала, включающего титанат бария стронция, отличающийся тем, что указанный керамический сегнетоэлектрический композитный материал содержит в своем составе керамический материал, имеющий малую диэлектрическую проницаемость, причем упомянутый титанат бария стронция и упомянутый керамический материал с малой диэлектрической проницаемостью содержатся в таких количествах, которые обеспечивают указанному композитному материалу малую диэлектрическую проницаемость, малый тангенс потерь и высокую настраиваемость.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что упомянутый керамический материал, имеющий малую диэлектрическую проницаемость, выбран из группы, состоящей из оксидов алюминия, циркония, магния, двуокиси кремния и других оксидов с малыми диэлектрическими проницаемостями и диэлектрическими потерями.
15. Способ по п. 13, отличающийся тем, что упомянутый титанат бария стронция представлен в виде Ba1 - xSrxTiO3, где x больше нуля, но меньше или равен 0,70.
16. Способ по п. 15, отличающийся тем, что упомянутый титанат бария стронция представлен в виде Ba1 - xSrxTiO3, где x = 0,35 - 0,40.
17. Способ по п. 16, отличающийся тем, что упомянутые титанат бария стронция и керамический материал, имеющий малую диэлектрическую проницаемость взяты в следующем соотношении, мас.%:
Ba1 - xSrxTiO3 - 99 - 40
Керамический материал - 1 - 60
18. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве упомянутого керамического материала, имеющего малую диэлектрическую проницаемость, взят оксид алюминия.
Ba1 - xSrxTiO3 - 99 - 40
Керамический материал - 1 - 60
18. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве упомянутого керамического материала, имеющего малую диэлектрическую проницаемость, взят оксид алюминия.
19. Способ по п.17, отличающийся тем, что в качестве упомянутого керамического материала, имеющего малую диэлектрическую проницаемость, взят оксид алюминия.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что упомянутые титанат бария стронция и оксид алюминия взяты в следующем соотношении, мас.%:
Титанат бария стронция - 70
Al2O3 - 30з
Титанат бария стронция - 70
Al2O3 - 30з
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/076,291 | 1993-06-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU96100553A true RU96100553A (ru) | 1998-03-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR880001530A (ko) | 티탄산바륨 기재 유전체 조성물 | |
| EP0615262A3 (en) | Non-reducing dielectric ceramic composition | |
| CA2208698A1 (en) | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same | |
| WO2003049172B1 (en) | Lanthanide series layered superlattice materials for integrated circuit applications | |
| EP0986076A3 (en) | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts | |
| AU605586B2 (en) | Abrasive grits formed of ceramic containing oxides of aluminum and rare earth metal, method of making and products made therewith | |
| GB8813739D0 (en) | A piezoelectric ceramic material including processes for preparation thereof and applications thereof | |
| US4948767A (en) | Ferroelectric ceramic material | |
| JPS55113623A (en) | Fibrous titanic acid metal salt and manufacture thereof | |
| CA1198277A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| US4861736A (en) | Semiconductive ceramic composition | |
| RU96100553A (ru) | Новейший керамический сегнетоэлектрический материал | |
| KR970065769A (ko) | 산화 티탄을 기제로 하는 안정화된 증착 물질 | |
| RU96100214A (ru) | Новейший составной керамический сегнетоэлектрический материал bsto-mgo | |
| US3440067A (en) | Ceramic dielectrics | |
| KR940021468A (ko) | 전자파 장해 필터용 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법 | |
| US4764492A (en) | Lead calcium titanate piezoelectric ceramic element | |
| JPS6298503A (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物 | |
| RU2165116C1 (ru) | Пьезокерамический материал | |
| JPS6050006B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS5986101A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS5453298A (en) | Ferrodielectric piezo-electric porcelain material | |
| SU1191442A1 (ru) | Диэлектрический керамический материал | |
| RU96102514A (ru) | Способ получения корундовой керамики | |
| Xiao et al. | STUDY ON PHASE STRUCTURE AND DIELECTRIC PROPERTIES OF CERAMICS IN Nd2 Ti 2 O 7-BaTiO 3-TiO 2 SYSTEM |