RU95114069A - SEMICONDUCTOR MAGNETIC FIELD SENSOR - Google Patents

SEMICONDUCTOR MAGNETIC FIELD SENSOR

Info

Publication number
RU95114069A
RU95114069A RU95114069/25A RU95114069A RU95114069A RU 95114069 A RU95114069 A RU 95114069A RU 95114069/25 A RU95114069/25 A RU 95114069/25A RU 95114069 A RU95114069 A RU 95114069A RU 95114069 A RU95114069 A RU 95114069A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field
effect transistor
terminal
drain
magnetic field
Prior art date
Application number
RU95114069/25A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2092933C1 (en
Inventor
В.С. Осадчук
Е.В. Осадчук
А.В. Осадчук
Original Assignee
Винницкий государственный технический университет
Filing date
Publication date
Application filed by Винницкий государственный технический университет filed Critical Винницкий государственный технический университет
Priority to RU95114069A priority Critical patent/RU2092933C1/en
Priority claimed from RU95114069A external-priority patent/RU2092933C1/en
Publication of RU95114069A publication Critical patent/RU95114069A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2092933C1 publication Critical patent/RU2092933C1/en

Links

Claims (1)

Полупроводниковый датчик магнитного поля, содержащий два магниточувствительных диода, электрически связанных с двумя последовательно включенными источниками электропитания, отличающийся тем, что в него введены два полевых транзистора, два резистора, конденсатор и пассивная индуктивность, причем затвор первого полевого транзистора через первый магнитодиод, первый резистор и первый источник электропитания соединен со стоком второго полевого транзистора, а затвор второго полевого транзистора через второй магнитодиод и второй резистор соединен со стоком первого полевого транзистора, истоки первого и второго полевых транзисторов соединены между собой, первый вывод пассивной индуктивности подключен к стоку первого полевого транзистора, первому выводу второго магнитодиода и первому полюсу второго источника электропитания, а второй вывод пассивной индуктивности соединен с первым выводом конденсатора, к которому подключается первая выходная клемма, а второй вывод конденсатора подключен к стоку второго полевого транзистора, вторым полюсам первого и второго источников электропитания, которые образуют общую шину, к которой подключена вторая выходная клемма.A semiconductor magnetic field sensor containing two magnetically sensitive diodes electrically connected to two series-connected power sources, characterized in that two field-effect transistors, two resistors, a capacitor and a passive inductance are introduced into it, the gate of the first field-effect transistor through the first magnetodiode, the first resistor and the first power supply is connected to the drain of the second field-effect transistor, and the gate of the second field-effect transistor through a second magnetodiode and a second resistor p is connected to the drain of the first field-effect transistor, the sources of the first and second field-effect transistors are interconnected, the first terminal of the passive inductance is connected to the drain of the first field-effect transistor, the first terminal of the second magnetodiode and the first pole of the second power source, and the second terminal of the passive inductance is connected to the first terminal of the capacitor to which the first output terminal is connected, and the second output of the capacitor is connected to the drain of the second field-effect transistor, to the second poles of the first and second source into power supplies that form a common bus to which a second output terminal is connected.
RU95114069A 1995-08-08 1995-08-08 Semiconductor magnetic field sensor RU2092933C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95114069A RU2092933C1 (en) 1995-08-08 1995-08-08 Semiconductor magnetic field sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95114069A RU2092933C1 (en) 1995-08-08 1995-08-08 Semiconductor magnetic field sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95114069A true RU95114069A (en) 1997-08-27
RU2092933C1 RU2092933C1 (en) 1997-10-10

Family

ID=20171055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95114069A RU2092933C1 (en) 1995-08-08 1995-08-08 Semiconductor magnetic field sensor

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2092933C1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69324871D1 (en) High voltage MIS field effect transistor and semiconductor integrated circuit
DE3682388D1 (en) FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CIRCUIT AND VOLTAGE REGULATOR.
DE69900372D1 (en) Supply voltage switch
DE69404500D1 (en) High voltage MOS transistor with an extended drain
DK0450797T3 (en) Charge Pump Device
DE69124346D1 (en) Sensing amplifier circuit implemented by bipolar transistor with improved power consumption
RU95114069A (en) SEMICONDUCTOR MAGNETIC FIELD SENSOR
RU95114270A (en) SEMICONDUCTOR TEMPERATURE SENSOR
RU95114269A (en) SEMICONDUCTOR MICROPHONE
RU95114065A (en) SEMICONDUCTOR OPTICAL SENSOR
KR910010705A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH0348330U (en)
DE68909621D1 (en) Charge amplifier circuit with junction field effect transistor.
UA33118A (en) Semiconductor indicator of humidity
RU96111868A (en) ELECTRICALLY CONTROLLED HARMONIC OSCILLATOR GENERATOR
SU1070529A1 (en) Current limiter
SU789991A1 (en) Counter
SU1437846A1 (en) D.c. voltage stabilizer
SU824403A1 (en) Phase sign inverter
SU1281270A1 (en) Apparatus for searching acupuncture points
RU2003125782A (en) SEMICONDUCTOR KEY DEVICE
IT8947593A0 (en) INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING LOGIC AND POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
JP2001078440A5 (en)
JPS6441150U (en)
RU96106265A (en) TEMPERATURE CONVERTER