RU93033307A - Пьезоэлектрический датчик давления - Google Patents
Пьезоэлектрический датчик давленияInfo
- Publication number
- RU93033307A RU93033307A RU93033307/10A RU93033307A RU93033307A RU 93033307 A RU93033307 A RU 93033307A RU 93033307/10 A RU93033307/10 A RU 93033307/10A RU 93033307 A RU93033307 A RU 93033307A RU 93033307 A RU93033307 A RU 93033307A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- piezoelectric
- membrane
- film
- pressure sensor
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 1
Claims (1)
- Изобретение относится к пьезоэлектрическим преобразователям давления в электрический сигнал, в частности к пьезоэлектрическим электроакустическим преобразователям. Для того, чтобы повысить чувствительность пьезоэлектрического датчика давления, содержащего мембрану, на поверхности которой расположены последовательно друг над другом слой двуокиси кремния и пленки пьезоэлектрического материала с верхним и нижним электродами на обеих сторонах пленки, предложено использовать в качестве материала мембраны кремний, а в качестве двуокиси кремния - термически выращенную двуокись кремния, при этом толщины слоев датчика выбраны следующими: мембраны - (0,5-5,0) мкм, слоя двуокиси кремния - (0,1-0,3) мкм, пленки пьезоэлектрического материала - (1,0-1,5) мкм. Кроме того, для ряда применений указанного датчика использована кремниевая мембрана, легированная бором до концентрации не менее 7 101 9 см- 3. Для случаев, когда использована высоколегированная кремниевая мембрана, она представляет собой нижний электрод.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93033307A RU2066856C1 (ru) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | Пьезоэлектрический датчик давления |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93033307A RU2066856C1 (ru) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | Пьезоэлектрический датчик давления |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU93033307A true RU93033307A (ru) | 1995-10-27 |
| RU2066856C1 RU2066856C1 (ru) | 1996-09-20 |
Family
ID=20143981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU93033307A RU2066856C1 (ru) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | Пьезоэлектрический датчик давления |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2066856C1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7345410B2 (en) * | 2006-03-22 | 2008-03-18 | Agilent Technologies, Inc. | Temperature compensation of film bulk acoustic resonator devices |
| US9479139B2 (en) | 2010-04-29 | 2016-10-25 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Resonator device including electrode with buried temperature compensating layer |
| US9197185B2 (en) | 2010-04-29 | 2015-11-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Resonator device including electrodes with buried temperature compensating layers |
-
1993
- 1993-06-28 RU RU93033307A patent/RU2066856C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6586810B2 (en) | Sensor apparatus using an electrochemical cell | |
| US4443730A (en) | Biological piezoelectric transducer device for the living body | |
| US4491760A (en) | Force sensing polymer piezoelectric transducer array | |
| GB2138144A (en) | Cardio-respiration transducer | |
| US3849874A (en) | Method for making a semiconductor strain transducer | |
| US4166229A (en) | Piezoelectric polymer membrane stress gage | |
| CA2107874A1 (en) | Piezoelectric Sensor | |
| EP0768532A3 (en) | Accelerometer and manufacturing method therefor, and shock detector using such a sensor | |
| EP0402986A3 (en) | Manufacture of electrical transducer devices, particularly infrared detector arrays | |
| EP0889300A4 (en) | VIBRATION GYRO | |
| ES2027963T3 (es) | Transductor acustico. | |
| US4918666A (en) | Tubular piezo-electric sensor with high sensitivity | |
| RU93033307A (ru) | Пьезоэлектрический датчик давления | |
| JP2009133772A (ja) | 検出センサ、振動子 | |
| ES8100591A1 (es) | Mejoras en transductores electroacusticos o electro-mecanicos | |
| JPS6072277A (ja) | 感圧素子および感圧センサ | |
| JPH04500145A (ja) | 音場変換器 | |
| KR880011591A (ko) | 기체 센서 및 센싱 방법 | |
| CA2242415A1 (en) | Acceleration sensor | |
| RU96111167A (ru) | Датчик влажности | |
| GB2219171A (en) | "Vibration sensor" | |
| JPS6459326A (en) | Active device | |
| GB2222258A (en) | Tactile pressure sensor | |
| JPH0225717A (ja) | 振動センサ | |
| RU96103320A (ru) | Преобразователь давления |