Claims (1)
Мощный СВЧ-транзистор относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов. Изобретение, способствует повышению выходной мощности при сохранении надежности работы. Мощный СВЧ-транзистор, содержащий ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса, являющемся общим выводом электродов подложки полупроводниковых кристаллов, а также два вывода других электродов, расположенные по обе стороны от фланца корпуса, и соединительные проводники, дополнительно содержит второй ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, параллельный первому и ряд пассивных элементов, расположенный между первым и вторым рядами полупроводниковых кристаллов параллельно им, с контактными площадками, размещенными напротив электродов транзисторных структур, при этом каждая контактная площадка связана с помощью соединительных проводников с одноименными электродами противолежащей пары транзисторных структур и с выводами одноименного электрода транзистора. Кроме того, мощный СВЧ-транзистор содержит дополнительный вывод, расположенный со стороны вывода одного из электродов транзистора и связанный с контактными площадками, соединенными с расположенным с противоположной стороны фланца выводом другого электрода.A powerful microwave transistor relates to semiconductor electronics, in particular to the design and production of high-power microwave transistors. The invention contributes to an increase in power output while maintaining reliability. A powerful microwave transistor containing a series of semiconductor crystals with transistor structures placed on the metal flange of the housing, which is the common terminal of the electrodes of the substrate of the semiconductor crystals, as well as two terminals of the other electrodes located on both sides of the flange of the housing, and connecting conductors, further comprises a second row semiconductor crystals with transistor structures, parallel to the first and a series of passive elements located between the first and second rows of semiconductor ristallov parallel thereto, with contact pads arranged opposite electrodes of transistor structures, wherein each contact pad is connected via connecting conductors with similar pair of opposing electrodes of transistor structures, and with the findings of the eponymous transistor electrode. In addition, a powerful microwave transistor contains an additional output located on the output side of one of the electrodes of the transistor and connected to the contact pads connected to the output of the other electrode located on the opposite side of the flange.