RU92009727A - Полупроводниковый термосенсор - Google Patents

Полупроводниковый термосенсор

Info

Publication number
RU92009727A
RU92009727A RU92009727/07A RU92009727A RU92009727A RU 92009727 A RU92009727 A RU 92009727A RU 92009727/07 A RU92009727/07 A RU 92009727/07A RU 92009727 A RU92009727 A RU 92009727A RU 92009727 A RU92009727 A RU 92009727A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
thermosensor
semiconductor
single crystal
gases
dielectric layer
Prior art date
Application number
RU92009727/07A
Other languages
English (en)
Inventor
В.А. Крячков
Ю.А. Детчуев
А.В. Соколова
С.Е. Хряпенков
Н.Г. Санжарлинский
М.И. Самойлович
Original Assignee
Акционерное общество "Алмазные технологии и компоненты"
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Алмазные технологии и компоненты" filed Critical Акционерное общество "Алмазные технологии и компоненты"
Publication of RU92009727A publication Critical patent/RU92009727A/ru

Links

Claims (1)

  1. Использование: в качестве датчиков, работа которых основана на тепловых принципах преобразования информации и которые широко используются для контроля таких параметров внешней среды, как расход жидкостей и газов, разреженности газов, концентрации, температуры, влаги и др. Сущность изобретения: в полупроводниковом термосенсоре чувствительный элемент и диэлектрический слой являются составными частями единого монокристалла алмаза, при этом диэлектрический слой монокристалла расположен вокруг чувствительного элемента, причем в диэлектрическом слое выполнены окна, через которые омические контакты и выводы присоединены к чувствительному элементу.
RU92009727/07A 1992-12-04 Полупроводниковый термосенсор RU92009727A (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU92009727A true RU92009727A (ru) 1996-12-27

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0376721A3 (en) Moisture-sensitive device
DE58904290D1 (de) Sensorelement fuer grenzstromsensoren zur bestimmung des -g(l)-wertes von gasgemischen.
ATE163092T1 (de) Gassensor basierend auf halbleiteroxiden, zur bestimmung von gasförmigen kohlenwasserstoffen
TW375744B (en) Resistor having at least two coupled contact springs arranged on a ceramic base and process for the same
DE3679663D1 (de) Druckempfindlicher durchflusssensor.
DE58907625D1 (de) Sensorelement für grenzstromsensoren zur bestimmung des lambda-wertes von gasgemischen.
US5786608A (en) Semiconductor chemical sensor device with specific heater structure
GB1536305A (en) Catalytic gas detector
KR970002295A (ko) 가스센서
DE3785925D1 (de) Temperaturfuehlerelement.
RU92009727A (ru) Полупроводниковый термосенсор
DE3582104D1 (de) Halbleiter-temperatursensor.
JPS54102147A (en) Temperature and humidity sensor
EP0384409A3 (en) Infrared sensor comprising a liquid crystal chopper
NO862937D0 (no) Termoelement til maaling av temperaturer i vakuumovner.
Watson The stannic oxide gas sensor
KR970070997A (ko) 질소산화물 센서 및 그 제조방법
DE3767023D1 (de) Verzoegerungs- und druckempfindliches zumessventil mit niedriger verzoegerungs-ansprechempfindlichkeit.
JPS54102146A (en) Temperature and humidity sensor
JPS63263426A (ja) センサ素子
JPH0220681Y2 (ru)
RU94014978A (ru) Датчик для определения концентрации компонентов в газовой смеси
RU93048472A (ru) Датчик влажности
RU1786413C (ru) Устройство дл определени концентрации газов
JPS5810642A (ja) 結露センサ