RU69350U1 - Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения - Google Patents

Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения Download PDF

Info

Publication number
RU69350U1
RU69350U1 RU2007128425/22U RU2007128425U RU69350U1 RU 69350 U1 RU69350 U1 RU 69350U1 RU 2007128425/22 U RU2007128425/22 U RU 2007128425/22U RU 2007128425 U RU2007128425 U RU 2007128425U RU 69350 U1 RU69350 U1 RU 69350U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
voltage
diode
input
anode
transistor
Prior art date
Application number
RU2007128425/22U
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Дмитриевич Семенов
Кирилл Валерьевич Маканков
Борис Игоревич Лыков
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ГОУВПО ТУСУР)
Валерий Дмитриевич Семенов
Кирилл Валерьевич Маканков
Борис Игоревич Лыков
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ГОУВПО ТУСУР), Валерий Дмитриевич Семенов, Кирилл Валерьевич Маканков, Борис Игоревич Лыков filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ГОУВПО ТУСУР)
Priority to RU2007128425/22U priority Critical patent/RU69350U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU69350U1 publication Critical patent/RU69350U1/ru

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения относится к области преобразовательной техники, может найти применение в электрохимических технологиях, где требуется применение асимметричного синусоидального тока или напряжения с регулированием коэффициента асимметрии (симметрии). Источник содержит трансформатор, имеющий две вторичные обмотки, средние точки которых соединены между собой, с первыми выводами нагрузок и с коллекторами двух транзисторов. Начала и концы первой и второй вторичных обмоток трансформатора также соединены между собой цепочками, состоящими из двух диодов, дросселя транзистора. Управляющие входы каждого транзистора подключены к системе управления, осуществляющей регулировку коэффициента асимметрии (симметрии). Технический результат заключается в исключении изменения формы напряжения (тока), и его гармонического состава при изменении значения коэффициента асимметрии (симметрии), а также в обеспечении плавности его регулирования, удовлетворяющей требованиям электрохимической технологии. 1 н-з п., 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Полезная модель относится к области электротехники, а именно к области преобразовательной техники, более конкретно к источникам, содержащим трансформаторный формирователь асимметричного тока или напряжения (ТФАТ или ТФАН). Такие источники могут быть использованы, например, в электрохимических технологиях, где требуется регулирование соотношения величин положительной и отрицательной (большой и малой) полуволн тока или напряжения; при зарядке аккумуляторных батарей; а также в технологиях, связанных с электрообработкой растворов; гальваникой и др.
Известна схема для получения асимметричного тока, состоящая из источника переменного напряжения, двух встречно включенных диодов и регулируемого резистора (балластного резистора) в цепи одного из диодов. К входу источника переменного напряжения подключен анод первого диода и катод второго диода, анод которого через регулируемый резистор соединен с катодом первого диода и с нагрузкой. В качестве регулируемого резистора может быть использован, например, реостат. Изменяя величину сопротивления резистора, путем изменения соотношения амплитуд положительной и отрицательной (большой и малой) полуволн в пределах 1:7-1:11, регулируют величину асимметрии тока. [1. Патент РФ №2022000, опубликован 1994.10.30, МПК5 С11В 3/00, фиг 2]. Такая схема позволяет получить требуемый коэффициент асимметрии - Kas, равный отношению напряжения (тока) большой полуволны к напряжению (току) малой полуволны, или величину, обратную - коэффициент симметрии Ks (Ks=1/Kas).
Достоинством известной схемы является ее простота и высокая надежность. Недостатком - низкое значение КПД за счет потерь на регулирующем резисторе, поэтому применение такого источника асимметричного тока или напряжения нецелесообразно при мощности в нагрузке более 1 кВт. Кроме того, к недостаткам можно также отнести механическое регулирование сопротивления балластного резистора, выполненного в виде реостата, что в свою очередь отрицательно влияет на плавность и быстродействие регулирования коэффициента асимметрии.
Известен источник асимметричного синусоидального напряжения или тока (в [2] назван: трансформаторный формирователь асимметричного напряжения), [2. К.В.Маканков, Ю.С.Новокшенов, В.Д.Семенов. Обзор трансформаторных формирователей асимметричного синусоидального напряжения. Научная сессия ТУСУР-2007. Тематический выпуск «Системная интеграция и безопасность». Томск: Изд-во «В-Спектр», 2007. Ч.4, с.66-69, рис.3]. Его схема состоит из трансформатора, первичная обмотка которого является входом, на который подается симметричное синусоидальное напряжение. Вторичная обмотка трансформатора имеет промежуточную точку. Начало вторичной обмотки трансформатора соединено с анодом первого тиристора, катод которого соединен с анодом второго тиристора и первым выводом нагрузки, второй вывод которой соединен с концом вторичной обмотки, а катод второго тиристора соединен с выводом промежуточной точки вторичной обмотки трансформатора.
Известная схема [2] также как и аналог [1] является простой в исполнении, но по сравнению с аналогом [1] она имеет большее значение КПД, за счет использования в схеме трансформатора, вторичная обмотка которого разделена промежуточной точкой на неравное число витков. Такая схема позволяет увеличить мощность нагрузки более 1 кВт и обеспечивает более высокое быстродействие регулирования по сравнению с аналогом [1].
Недостатком такого источника асимметричного напряжения [2] является однополупериодное потребление тока, что ведет к несимметричной
нагрузке сети, подмагничиванию трансформатора и, соответственно, ухудшает его массогабаритные показатели. Регулирование коэффициента асимметрии (симметрии) в такой схеме возможно только за счет фазового регулирования большой или малой полуволны переменного напряжения или обеих полуволн одновременно. Однако при этом будет изменяться форма выходного напряжения и его гармонический состав, что не позволяет однозначно характеризовать электрохимический процесс коэффициентом асимметрии (симметрии). В то же время для электрохимических технологий (в том числе и по аналогу [1]) необходимо обеспечить значение коэффициента асимметрии (симметрии), равное, например, 10 (0,1) относительных единиц.
Известен также источник асимметричного синусоидального напряжения (в [3] назван: трансформаторный формирователь асимметричного напряжения) [3. К.В.Маканков, Ю.С.Новокшенов, В.Д.Семенов. Обзор трансформаторных формирователей асимметричного синусоидального напряжения. Научная сессия ТУСУР-2007. Тематический выпуск «Системная интеграция и безопасность». Томск: Изд-во «В-Спектр», 2007. Ч.4, с.66-69, рис 5.], который взят за прототип как наиболее близкий по технической сути к заявляемой полезной модели.
Схема такого источника асимметричного синусоидального напряжения состоит из трансформатора, имеющего одну первичную обмотку, на которую подается входное синусоидальное напряжение, и две вторичные обмотки с разными числами витков. Средние точки вторичных обмоток соединены между собой и соответственно с первыми выводами первой и второй нагрузки. При этом концы и начала первой и второй вторичных обмоток трансформатора соединены между собой соответственно цепочками, состоящими из последовательно соединенных первого, третьего диодов и первого транзистора; и - второго, четвертого диодов и второго транзистора. При этом конец первой вторичной обмотки соединен с катодом первого диода, а анод третьего диода соединен с эмиттером первого транзистора,
коллектор которого соединен с концом второй вторичной обмотки. При этом начало первой вторичной обмотки соединено с катодом второго диода, а анод четвертого диода соединен с эмиттером второго транзистора, коллектор которого соединен с началом второй вторичной обмотки. При этом другие выводы первой и второй нагрузки соединены соответственно с анодом первого и катодом третьего диодов и соответственно с анодом второго и катодом четвертого диодов. Первый и второй транзисторы трансформаторного формирователя асимметричного напряжения управляются с помощью сигналов от системы управления (на рис.5 [3] не показанной) и работают в режиме ключа.
Данный источник асимметричного синусоидального тока или напряжения, обеспечивает двухполупериодное потребление тока, исключает подмагничивание трансформатора и улучшает за счет этого его массогабаритные показатели.
Однако регулирование коэффициента асимметрии (симметрии) по прототипу сопровождается искажением формы напряжения (тока) и соответственно изменением гармонического состава выходного напряжения (тока), что не позволяет однозначно задать требуемое значение коэффициента асимметрии (симметрии) в заданных пределах. Т.е. в данном случае плавное регулирование напряжения (тока) возможно только с искажением формы напряжения (тока).
Задача полезной модели состоит в том, чтобы обеспечить заданное значение коэффициента асимметрии (симметрии) и его плавное регулирование в заданном диапазоне в соответствии с требованиями электрохимической технологии.
При решении поставленной задачи достигается технический результат, заключающийся в исключении искажения формы напряжения (тока), и его гармонического состава при обеспечении плавного регулирования значения коэффициента асимметрии (симметрии), удовлетворяющего требованиям электрохимической технологии.
Для достижения технического результата полезная модель, как и прототип, содержит четыре диода, два транзистора, управляющие входы которых соединены с выводами системы управления, трансформатор, первичная обмотка которого является входом, две вторичные обмотки которого, имеющие средние точки, соединенные между собой и с первыми выводами первой и второй нагрузки соответственно. При этом конец первой вторичной обмотки соединен с катодом первого диода, анод которого соединен с другим выводом первой нагрузки. Конец второй вторичной обмотки соединен с коллектором первого транзистора, эмиттер которого соединен с анодом третьего диода. Начало первой вторичной обмотки соединено с катодом второго диода, анод которого соединен с другим концом второй нагрузки. Начало второй вторичной обмотки соединено с коллектором второго транзистора, эмиттер которого соединен с анодом четвертого диода.
В отличие от прототипа полезная модель, дополнительно содержит два дросселя; пятый, шестой диоды; третий и четвертый транзисторы, управляющие входы которых соединены с системой управления. Катод пятого и катод шестого диодов соединены соответственно с катодом третьего и катодом четвертого диодов и соответственно с одним из выводов первого и второго дросселя. При этом другой вывод первого дросселя соединен с анодом первого диода и вторым выводом первой нагрузки. Другой вывод второго дросселя соединен с анодом второго диода и вторым выводом второй нагрузки. При этом анод пятого диода соединен с эмиттером третьего транзистора, а анод шестого диода соединен с эмиттером четвертого транзистора, коллектор которого соединен с коллектором третьего транзистора, со средними точками первой и второй вторичных обмоток трансформатора и с первыми выводами первой и второй нагрузок. Система управления СУ имеет пятый и шестой выводы, при этом на пятый вывод подается входное синусоидальное напряжение Uвx, а на шестой вывод - управляющее напряжение Uупр.
Кроме того, система управления содержит:
генератор пилообразного напряжения ГПН, компаратор, генератор прямоугольных импульсов ГПИ, два логических инвертора, четыре логических элемента «И». При этом вывод ГПН соединен с инверсным входом компаратора, на прямой вход которого подается управляющее напряжение Uупр. Вывод компаратора соединен с входом первого логического инвертора и первыми входами третьего и четвертого логических элементов «И». Выход первого логического инвертора соединен с первыми входами первого и второго логических элементов «И». Вход ГПИ является синхронизирующим входом системы управления СУ, на который подается входное синусоидальное напряжение Uвx, а выход ГПИ соединен с входом второго логического инвертора, а также со вторыми входами второго и четвертого логических элементов «И». Выход второго логического инвертора соединен со вторыми входами первого и третьего логических элементов «И». Выходы всех логических элементов «И» подключены соответственно к управляющим входам транзисторов.
Совокупность существенных признаков заявляемой полезной модели, не известна заявителям из уровня техники, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию «новизна» полезной модели.
Отличительные признаки заявляемой полезной модели в совокупности с известными признаками обеспечивают указанный выше технический результат. Это достигается введением двух дросселей, пятого, шестого диодов; третьего и четвертого транзисторов, базы которых подключены к соответствующим выводам системы управления, что позволяет исключить изменение формы напряжения (тока) и его гармонического состава при плавном регулировании значения коэффициента асимметрии (симметрии) в широких пределах.
Это достигается следующим образом.
Введение указанных транзисторов и диодов позволяет осуществить широтно-импульсное регулирование тока во введенных дросселях за счет
плавного изменения относительной длительности включенного состояния упомянутых транзисторов. Длительность открытого состояния транзистора VT1 или VT2 зависит от управляющего напряжения Uупр, поэтому, меняя управляющее напряжение, мы можем плавно регулировать ток дросселя и, следовательно, амплитуду формируемой отрицательной (малой) полуволны и, как следствие, коэффициент симметрии (асимметрии) выходного тока (напряжения). При этом форма выходного напряжения является квазисинусоидальной и не меняется при изменении коэффициента симметрии (асимметрии) выходного тока (напряжения), что не приводит к изменению спектрального состава выходного тока (напряжения). При этом переключение транзисторов с большой частотой (что позволяют сделать современные технологии) обеспечивает максимально возможное многократное нарастание и падение тока на нагрузке в течение полупериода формируемого синусоидального сигнала. Такое высокочастотное переключение транзисторов дает нам возможность как можно сильнее приблизить получаемую квазисинусоидальную форму отрицательной (малой) полуволны тока (напряжения) на нагрузке к синусоидальной и в идеале получить неискаженную синусоидальную отрицательную (малую) полуволну тока (напряжения) на нагрузке.
Таким образом, введение дополнительных элементов, перечисленных выше, позволяет достичь указанного технического результата.
Сущность полезной модели поясняется чертежами, где на фиг.1 приведена функциональная схема источника асимметричного синусоидального тока или напряжения. На фиг.2 приведен пример выполнения системы управления. На фиг.3 приведены диаграммы токов, напряжений и управляющих сигналов транзисторов, поясняющих работу источника.
Источник асимметричного синусоидального тока (напряжения) на фиг.1 содержит шесть диодов VD1 - VD6; четыре транзистора VT1 - VT4 управляющие входы которых соединены с соответствующими выводами
системы управления СУ; два дросселя L1 - L2 и трансформатор, первичная обмотка TV 1.1 которого является входом, на который подается входное синусоидальное напряжение Uвx. Две вторичные обмотки трансформатора TV1.2 и TV1.3 имеют средние точки, которые соединены между собой, с первыми выводами первой Rн1 и второй Rн2 нагрузок соответственно и с коллекторами третьего VT3 и четвертого VT4 транзисторов. Конец первой вторичной обмотки TV1.2 соединен с концом второй вторичной обмотки TV1.3 через цепочку: VD1 - L1 - VD3 - VT1. При этом конец первой вторичной обмотки TV1.2 соединен с катодом первого диода VD1, анод которого соединен с первым выводом дросселя L1 и другим выводом первой нагрузки Rн1. Второй вывод дросселя L1 соединен с катодами диодов VD3 и VD5. Анод диода VD3 соединен с эмиттером транзистора VT1, коллектор которого соединен с концом второй вторичной обмотки TV1.3. Начало первой вторичной обмотки TV1.2 соединено с началом второй вторичной обмотки TV1.3 через цепочку: VD2 - L2 - VD4 - VT2. При этом начало первой вторичной обмотки TV1.2 соединено с катодом второго диода VD2, анод которого соединен с другим выводом нагрузки Rн2 и первым выводом дросселя L2, второй вывод которого соединен соответственно с катодами четвертого VD4 и шестого VD6 диодов, при этом анод четвертого диода соединен с эмиттером второго транзистора VT2, коллектор которого соединен с началом второй вторичной обмотки TV1.3. Анод шестого диода VD6 соединен с эмиттером четвертого транзистора VT4, а анод пятого диода VD5 соединен с эмиттером третьего транзистора VT3, при этом коллекторы третьего VT3 и четвертого VT4 транзисторов соединены между собой. Система управления СУ имеет пятый и шестой выводы, при этом на пятый вывод подается входное синусоидальное напряжение Uвx, а на шестой вывод - управляющее напряжение Uупр.
Кроме того, система управления СУ (фиг.2) содержит:
генератор пилообразного напряжения (ГПН) 1, компаратор 2, генератор прямоугольных импульсов (ГПИ) 3, логические инверторы 4, 5; логические
элементы «И» 6, 7, 8, 9. При этом вывод ГПН 1 соединен с инверсным входом компаратора 2, прямой вход которого является шестым выводом (входом) СУ, на который подается управляющее напряжение Uупр. Выход компаратора 2 соединен с входом логического инвертора 4 и первыми входами логических элементов «И» 8 и 9. Выход логического инвертора 4 соединен с первыми входами логических элементов «И» 6 и 7. Вход ГПИ 3 является пятым выводом СУ, на который подается входное синусоидальное напряжение Uвx, а выход ГПИ 3 соединен с входом логического инвертора 5 и со вторыми входами логических элементов «И» 7 и 9. Выход логического инвертора 5 соединен со вторыми входами логических элементов «И» 6 и 8. Выходы всех логических элементов «И» 6, 7, 8, 9 являются соответственно третьим, четвертым, первым и вторым выводами (выходами) СУ и соединены соответственно с управляющими входами транзисторов VT3, VT4, VT1, VT2.
На фиг.3 представлены диаграммы, поясняющие работу источника асимметричного синусоидального тока или напряжения. На этих диаграммах используются следующие обозначения: Uвx - входное синусоидальное напряжение; Uупр - управляющее напряжение; Uгпн - напряжение ГПН; UVT1 - UVT4 - импульсы напряжения, подаваемые системой управления на каждый из четырех транзисторов соответственно; IRн1 - ток формируемый на нагрузке Rн1; IRн2 - ток формируемый на нагрузке Rн2; Iвх - входной ток; t -временная ось.
Работа источника рассмотрена на конкретном примере, в котором трансформатор выполнен в виде многообмоточного понижающего трансформатора. Использованы биполярные транзистора n-р-n типа, полупроводниковые диоды и сглаживающие дроссели с заданной индуктивностью, обеспечивающей синусоидальную форму выходного тока (напряжения). Нагрузка является симметричной и представлена в виде двух резисторов Rн1, Rн2. Система управления СУ выполнена, например, по схеме, представленной на фиг.2, где ГПН 1 выполнен по классической схеме
генератора линейно-нарастающего напряжения; ГПИ 3 выполнен на компараторе и имеет два выходных состояния (0 - при отрицательном входном напряжении Uвx и 1 - при положительном Uвx). Компаратор 2, инверторы 4 и 5 и логические элементы «И» 6, 7, 8, 9 являются стандартными логическими элементами.
Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения работает следующим образом:
Входное синусоидальное напряжение Uвx поступает на первичную обмотку TV1.1 трансформатора (а - фиг.3) и повторяется с учетом соответствующих коэффициентов трансформации Ктp1 и Ктр2 на первой VT1.2 и второй VT1.3 вторичных обмотках трансформатора. Причем при положительной полярности входного напряжения Uвx (обозначено на фиг.1 без скобок) диод VD1 открывается и по контуру: средняя точка первой вторичной обмотки TV1.2 - Rн1 - VD1 - конец первой вторичной обмотки TV1.2 - к нагрузке Rн1 прикладывается напряжение половины вторичной обмотки TV1.2 трансформатора. Тем самым на нагрузке Rн1 формируется положительная (большая) полуволна, причем за положительное значение напряжения на нагрузке принята полярность, при которой плюс напряжения приложен к общим выводам первой Rн1 и второй Rн2 нагрузок (ж - фиг.3). При этом к диоду VD2 приложено напряжение другой половины первой вторичной обмотки VT1.2 в обратном направлении, поэтому он закрыт и не пропускает это напряжение на нагрузку Rн2.
Одновременно с формированием положительной (большой) полуволны на нагрузке Rн1 управляющее напряжение Uупр подается на шестой вывод системы управления СУ и в компараторе 2 сравнивается с линейно-нарастающим напряжением ГПН 1. При положительной разности управляющего напряжения Uупр и линейно-нарастающего напряжения ГПН 1 (б - фиг 3.) на выходе ГПН 1 формируется импульс управления высокого уровня (логическая единица). В это же время на пятый вывод системы управления СУ подается входное синусоидальное напряжение Uвx, из
которого с помощью ГПИ 3 формируются прямоугольные импульсы с частотой и фазой входного напряжения Uвx. Указанные прямоугольные импульсы с помощью логических элементов «И» 6-9 разрешают прохождение управляющих импульсов от компаратора 2 на транзистор VT2 при положительной (на фиг.1 обозначено знаками «плюс», «минус» без скобок) полярности входного сигнала Uвx (в - фиг.3), и - на транзистор VT1 при отрицательной (на фиг.1 обозначено знаками «плюс», «минус» в скобках) полярности входного сигнала Uвx (г - фиг.3). При этом на транзисторы VT2 и VT4 поступают инвертированные управляющие импульсы с выхода соответственно инверторов 4 и 5 (фиг.2) и соответственно полярности входного сигнала Uвх (д, е - фиг.3).
Таким образом, на управляющие входы транзисторов VT1-VT4 (фиг.1) подаются управляющие сигналы так, как показано на фиг.3, в), г), д), е). Причем высокий уровень управляющего сигнала, поданного на управляющий вход транзистора, соответствует открытому состоянию транзистора, а низкий - закрытому. Как видно из фиг.3, при положительной полярности входного сигнала транзисторы VT1 и VT3 закрыты, предотвращая тем самым шунтирование нагрузки Rн1. При этом транзисторы VT2 и VT4 переключаются с частотой много большей частоты входной сети в противотакте на всем полупериоде входного синусоидального напряжения Uвx. При открытом транзисторе VT2 (транзистор VT4 при этом закрыт, в соответствии с фиг.3 - в, д) к дросселю L2 прикладывается напряжение по контуру: начало вторичной обмотки TV 1.3 - VT2 - VD4 - L2 - Rн2 - средняя точка вторичной обмотки TV 1.3. В результате чего ток в дросселе L2 и соответственно в нагрузке Rн2 начинает нарастать (з - фиг.3). При закрытом транзисторе VT2 транзистор VT4 открыт (в, д - фиг.3), и ток дросселя L2, протекает по контуру L2 - Rн2 - VT4 - VD6. Энергия дросселя передается в нагрузку вследствие чего ток дросселя L2 и, соответственно, нагрузки Rн2 начинает спадать (з - фиг.3). Таким образом, на нагрузке Rн2 сформирована отрицательная (малая) полуволна квазисинусоидального тока.
При смене полярности входного сигнала процессы повторяются: формирование положительной (большой) полуволны происходит на нагрузке Rн2, а формирование отрицательной (малой) полуволны с помощью транзисторов VT1 и VT3 происходит на нагрузке Rн1.
Таким образом, плавно изменяя относительную длительность включенного состояния транзисторов VT1 - VT2 в пределах от 0 до 1, можно плавно изменить амплитуду малой полуволны напряжения (тока) от нуля до его максимального значения, определяемого коэффициентом трансформации вторичной обмотки VT1.3 трансформатора и, следовательно, коэффициент симметрии (асимметрии) выходного асимметричного синусоидального напряжения в заданных пределах. При этом форма обратной полуволны выходного напряжения (тока) не меняется (с точностью до пульсаций, которые при достаточно большой частоте переключения транзистора как угодно малы) вследствие фильтрующих свойств дросселя.
Приведенный пример выполнения заявляемого источника не ограничивает другие возможные примеры реализации данного источника асимметричного тока или напряжения.
Полезная модель промышленно применима и может быть многократно реализована на известной элементной базе, (например, IGBT или полевых транзисторах). Заявляемая полезная модель может быть использована в различных технологических процессах, где требуются источники асимметричного синусоидального тока или напряжения с плавной регулировкой величины коэффициента асимметрии (симметрии).

Claims (2)

1. Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения, содержащий четыре диода, два транзистора, управляющие входы которых связаны с системой управления, трансформатор, первичная обмотка которого является входом, а две вторичные обмотки, имеющие средние точки, соединены между собой и с первыми выводами первой и второй нагрузки соответственно; при этом конец первой вторичной обмотки соединен с катодом первого диода, анод которого соединен с другим выводом первой нагрузки, а конец второй вторичной обмотки соединен с коллектором первого транзистора, эмиттер которого соединен с анодом третьего диода; начало первой вторичной обмотки соединено с катодом второго диода, анод которого соединен с другим выводом второй нагрузки, а начало второй вторичной обмотки соединено с коллектором второго транзистора, эмиттер которого соединен с анодом четвертого диода, отличающийся тем, что дополнительно введены два дросселя, третий и четвертый транзисторы, управляющие входы которых связаны с соответствующими выводами системы управления и пятый, шестой диоды; при этом катод пятого диода соединен с катодом третьего диода и с одним из выводов первого дросселя, второй вывод которой соединен со вторым выводом первой нагрузки и анодом первого диода; а катод шестого диода соединен с катодом четвертого диода и с одним из выводов второго дросселя, второй вывод которой соединен с вторым выводом второй нагрузки и анодом второго диода; при этом анод пятого диода соединен с эмиттером третьего транзистора, а анод шестого диода соединен с эмиттером четвертого транзистора, коллектор которого соединен с коллектором третьего транзистора со средними точками первой и второй вторичных обмоток трансформатора, а также с первыми выводами первой и второй нагрузок; кроме того, система управления имеет пятый и шестой выводы, при этом пятый вывод связан с входом сети, а шестой вывод является управляющим.
2. Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения по п.1, отличающийся тем, что система управления содержит генератор пилообразного напряжения, компаратор, генератор прямоугольных импульсов, два логических инвертора, четыре логических элемента «И», при этом выход генератора пилообразного напряжения соединен с инверсным входом компаратора, прямой вход которого является входом системы управления, на который подается управляющее напряжение; выход компаратора соединен с входом первого логического инвертора и первыми входами третьего и четвертого логических элементов «И»; выход первого логического инвертора соединен с первыми входами первого и второго логических элементов «И»; вход генератора прямоугольных импульсов является синхронизирующим входом системы управления, на который подается входное синусоидальное напряжение, а выход генератора прямоугольных импульсов соединен с входом второго логического инвертора и со вторыми входами второго и четвертого логических элементов «И»; выход второго логического инвертора соединен со вторыми входами первого и третьего логических элементов «И», при этом выходы всех логических элементов «И» являются выходами системы управления и соединены соответственно с управляющими входами транзисторов.
Figure 00000001
RU2007128425/22U 2007-07-23 2007-07-23 Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения RU69350U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007128425/22U RU69350U1 (ru) 2007-07-23 2007-07-23 Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007128425/22U RU69350U1 (ru) 2007-07-23 2007-07-23 Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU69350U1 true RU69350U1 (ru) 2007-12-10

Family

ID=38904545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007128425/22U RU69350U1 (ru) 2007-07-23 2007-07-23 Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU69350U1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU203341U1 (ru) * 2020-11-23 2021-04-01 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» Система электропитания асимметричным током

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU203341U1 (ru) * 2020-11-23 2021-04-01 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» Система электропитания асимметричным током

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112928919B (zh) 宽输出电压范围的隔离型高频谐振式直流-直流变换器及方法
Huang et al. Adaptive zero-voltage-switching control and hybrid current control for high efficiency GaN-based MHz Totem-pole PFC rectifier
US11996789B2 (en) Bridgeless single-phase PFC multi-level totem-pole power converter
CN108880268B (zh) 电压源型半有源桥dc-dc变换器的多模式控制方法
CN110768549A (zh) 一种单相零电压软开关充电器拓扑及其调制方法
RU105091U1 (ru) Высоковольтный преобразователь частоты
Li et al. Hybrid three-level full-bridge isolated buck–boost converter with clamped inductor for wider voltage range application
Chen et al. Differential buck DC–DC chopper mode inverters with high-frequency link
Zhang et al. A modulation scheme with full range ZVS and natural power factor correction for bridgeless single-stage isolated AC–DC converter
CN111817412B (zh) 一种基于串联数字化稳压器的中高压充电系统控制方法
CN107147303B (zh) 一种单相x型互错式三电平交流调压电路
Li et al. Soft-switching single stage isolated AC-DC converter for single-phase high power PFC applications
CN111464057B (zh) 一种多电平单级dc/ac变换器及实现的方法
RU69350U1 (ru) Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения
CN115955122B (zh) 一种双桥串联谐振变换器的无回流调制方法及系统
Zhang et al. Soft-switching single-stage current-fed full-bridge isolated converter for high power AC/DC applications
Boora et al. A new general topology for asymmetrical multilevel inverter with reduced number of switching components
Shi et al. A secondary-side semiactive 3-phase interleaved resonant converter employing multimode modulation scheme for fast EV charger applications
Jain et al. A V2G-enabled seven-level buck PFC rectifier for EV charging application
RU77518U1 (ru) Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения
Yao et al. A Trapezoidal Current Mode to Reduce Peak Current in Near-CRM for Three-Level DC-DC Converter
RU79357U1 (ru) Источник асимметричного синусоидального тока или напряжения
Guo et al. Three-level dual active bridge with auxiliary inductor for wide zero voltage switching for energy storage system in DC microgrid
Kumar et al. Comparative evaluation of SPS and EPS based dual active bridge converter based on transistor-clamped H-bridge inverter
CN209767394U (zh) 自跟随飞跨电容五电平ac-ac变换器

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20090724