RU639389C - Высокочастотный плазмотрон - Google Patents

Description

(Л

с

о

СА) О Ы 00 О

Изобретение относитс  к электротехнике , а именно к конструированию ВЧ-плазмотроноа , и может быть использовано при создании подогревателей газа с чистым потоком дл  ведени  различных технологическихпроцессЬв .проведени  плазмохимических реакций и т.п.

Известны индукционные высокочастотные плазмотроны. Недостатком этого типа плазмотронов  вл етс  то, что мощность, выдел ема  в индукцирнном разр де, имеет минимум на ос1Л разр дной камеры и увеличиваетс  в направлении к ее стенке. Такое распределение объ сн етс  конфигурацией ВЧ-пол  и обуславливает большие тепловые потоки на стенки камеры. Это уменьшает КПД плазмотрона и приводит к необходимости конструировани  сложных водоохлаждаемых камер.

Известны также ВЧ-плазмотроны с емкостным разр дом дугового типа, содержащие разр дную камеру и кольцевые электроды, охватывающие концевые участки камеры и подсоединенные к ВЧ генератору .

Однако, в цепи питани  плазмотрона по вл етс  реактивна  составл юща  мощности , обусловленна  наличием емкости, образованной внешними электродами. Это ухудшает cosf цепи и уменьшает КПД плазмотрона .

Целью изобретени   вл етс  увеличение cosf устройства и повышение КПД ВЧплазмотрона . Это достигаетс  тем, что плазмотрон снабжен индуктором, размещенным на камере между электродами и подсоединенным к ВЧ-генератору.

На чертеже показано предлагаемое устройство .

На разр дной камере 1 размещены кольцевые электроды 2 и индуктор 3. С одного конца разр дной камеры размещена система подачи плазмообразующего газа 4,

ВЧ-плазмотрон по вышеприведенной схеме имеетвысокий КПД ввода жидкости в струю плазмы и минимальные тепловые нагрузки на стенки разр дной камеры за счет теплоизолирующего действи  потока газа вдоль стенок камеры.

Плазмотрон может работать на л.юбых газах, в любой среде и обладает хорошей устойчивостью при-расходах до 1000 л/мин. Длина разр дной зоны регулируетс  изменением рассто ни  между электродами и может достигать величины 1000 мм и более.

Повышение КПД предлагаемого устройства обусловлено следующим:

а)введение в цепь питани  катушки индуктивности повышает мощность, вводимую в плазму, а, следовательно, и КПД установки.

б)расположение катушки на разр дной камере приводит к дополнительному нагреву плазмы в зоне катушки за счет ее электромагнитного высокочастотного пол .

Включение катушки индуктивности в цепь питани  ВЧ-плазмотрона оказывает стабилизирующее действие на частоту 84генератора ,

(56) Фарнасов Г.А. и др. Плазменна  плавка. М.: Металлурги , 1968, с. 62.

Гончар Н.И. и др. Безэлектродный плазмотрон с емкостным разр дом дугового типа . - ЖТФ. 1975, N2 3, с. 657.

О N

О

о к д ч-генератору О1