RU5311U1 - Нагреватель - Google Patents
Нагреватель Download PDFInfo
- Publication number
- RU5311U1 RU5311U1 RU96122057/20U RU96122057U RU5311U1 RU 5311 U1 RU5311 U1 RU 5311U1 RU 96122057/20 U RU96122057/20 U RU 96122057/20U RU 96122057 U RU96122057 U RU 96122057U RU 5311 U1 RU5311 U1 RU 5311U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- heater
- heat
- dielectric
- resistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
1. Нагреватель, содержащий подложку с расположенными на ее поверхности резистором и контактными площадками, отличающийся тем, что подложка выполнена из диэлектрика толщиной 0,2-2,0 мм, а резистор выполнен из легированной алмазоподобной пленки толщиной 0,2-2,5 мкм.2. Нагреватель по п.1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрика использована теплопроводная керамика.3. Нагреватель по п.1, отличающаяся тем, что в качестве диэлектрика использовано термостойкое стекло.
Description
НАГРЕВАТЕЛЬ.
Полезная модель относится к области резистивного нагрева и может быть использована в промышленных и бытовых нагревательных устройствах.
Известен плоский электронагреватель,содержащий резистор в виде двух одинаковых полос и электрические контакты к ним,расположенные на металлической подложке со стеклоэмалевым покрытием. Аналогичным покрытием осуществлена электроизоляция и герметизация нагревателя IJ .
Известный нагреватель не обладает высокой равномерностью нагрева ине обеспечивает качественной передачи тепла.
Известен плоский электронагреватель«содержащий пленочный резистор с контактными площадками расположенный на теплопроводной подложке с соединительным покрытием.В качестве материала резистора используются вакуумноосажденные резистивные сплавы 2.
Известный нагреватель обладает однородным и равномерным нагревом покрытия прф фиксированной мощности.Однако он не обеспечивает надежную работу при высоких плотностях рассеиваемой мощности, не стоек к термоударам и недостаточно надежен.
В основу предлагаемой полезной модели положена задача создания нагревателя«который обеспечил бы надежную работу при высоких плотностях рассеиваемой мощности, обладал бы высоким коэффициентом полезного действия (КЦД) и долговечностью.
Поставленная задача решается тем,что в нагревателе,содержащем подложку с расположенными на её поверхности резисторам и
контактными площадками,подложка выполнена из диэлектрика а реТэистор из легированной адмаэоподобной пленки толщиной 0,2+2,5мкм. В зависимости от назначения нагревателя,в качестве диэлектрика
МПК6 : H 05 В 3/08.
ил ч ио u , 2.-2.|О«чи
может быть использована теплопроводная керамика или термостойкое стекло.
На Фиг.1 представлена конструкция предлагаемой полезной модели. На диэлектрической подложке I сформирован резистивннй слой 2 из легированной алмазоподобной пленки и контактные площадки 3 к резистору.
Для нагрева устройства ток пропускают через резистор 2,необходимое сопротивление которого задают в процессе формирования его на подложке. Для этого на обработанную не хуже 8 класса чистоты керамическую теплопроводную подложку с теплопроводностью 60«120 Вт/м °С или подложку из термостойкого стекла методом вакуумного плазменного осаждения из кремнеорганической фазы со скоростью-1,2 мкм/час осаждалась алмазоподобная планка толщиной 0,2-2,5 мкм с легирующими добавками Cr , U/ ,Ti. в количестве более 0,2$вес.Методом лазерной литографии создавался требуемый рисунок резистивного нагревательного элемента и вакуумным напылением формировались металлические (О ,Са,.// ) контакты к ним.
В качестве подложек могут быть использованы теплопроводные керамики из нитрида алюминия«нитрида кремния,карбида кремния, оксида алюминия,алмаза,композиционные материалы на их основе,а также термостойкое стекло на основе кварца,пирекса,
Толщина осаждаемой алмазоподобной пленки определяется механизмом процесса роста.При толщинах менее 0,2 мкм не наблюдается сплошной пленки,что приводит к перегоранию резисторов,резко увеличивает температурный коэффициент сопротивления (ТКС),а толщина более 2,5 мкм ограничивается насыщением алмазоподобной пленки. В зависимости от уровня легирования и легирующего материала задается необходимое слоевое сопротивление,определяемое величиной заданной потребляемой мощности и питающего напряжения.
- 2 ПРИМЕР.
На подложку из нитрида кремния с теплопроводностью 100 Вт/м °С, обработанную до 9 класса чистоты,осаждалась алмазоподобная пленка толщиной 1 мкм,легированная хромом 0,8/&вес.При помощи лазерного луча формировался рисунок резистивного нагревательного элемента и металлических контактов.
В процессе работы изготовленный таким образом нагреватель обладал следующими техническими характеристиками: максимальная рабочая температура450°С
Термоудар800°
максимальная плотность мощности70-80 Вт/см
диапазон слоевых сопротивлений0,5-10 Ом/а
допустимая плотность токов4 10 А./&Г
ТКС(2-8)
сопротивление изоляции подложек 10
пробивное напряжение 4 кВ/мм
($
Толщина диэлектрика0,2, - 2,0 мм
Таким образом, предлагаемая полезная модель позволяет в случае
с керамической теплопроводнвй подложкой, повысить плотность рассеиваемой мощности,повысить допустимые токовые нагрузки,повысить стойкость к термоударам.расширить рабочий диапазон слоевых сопротивлений под необходимое питающее напряжение,уменьшить ТКС,уве личить КОД.В случае с подложкой из темостойкого стекла позволяет понизить стоимость нагревателей,создать неплосвие нагреватели, контактные трущиеся нагреватели,например в множительной технике, где важным является высокая износостойкость алмазоподобных пленок.
Источники информации, принятые во внимание:
%J «w
Claims (3)
1. Нагреватель, содержащий подложку с расположенными на ее поверхности резистором и контактными площадками, отличающийся тем, что подложка выполнена из диэлектрика толщиной 0,2-2,0 мм, а резистор выполнен из легированной алмазоподобной пленки толщиной 0,2-2,5 мкм.
2. Нагреватель по п.1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрика использована теплопроводная керамика.
3. Нагреватель по п.1, отличающаяся тем, что в качестве диэлектрика использовано термостойкое стекло.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU96122057/20U RU5311U1 (ru) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Нагреватель |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU96122057/20U RU5311U1 (ru) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Нагреватель |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU5311U1 true RU5311U1 (ru) | 1997-10-16 |
Family
ID=48267443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU96122057/20U RU5311U1 (ru) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Нагреватель |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU5311U1 (ru) |
-
1996
- 1996-11-14 RU RU96122057/20U patent/RU5311U1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4859835A (en) | Electrically resistive tracks | |
US6736997B2 (en) | Sol-gel derived resistive and conductive coating | |
GB2109911A (en) | Resistance heated boat for metal vaporization | |
RU2464744C2 (ru) | Саморегулируемый нагревательный элемент с электросопротивлением | |
JPS60140693A (ja) | 抵抗膜加熱器具 | |
US4716279A (en) | Self-temperature controlling type heating device | |
US4118112A (en) | Method for reducing power dissipation in tapered resistor devices | |
EP3253177B1 (en) | Double-sided thick film heating element having high thermal conductivity | |
JPH07282961A (ja) | ヒーター | |
RU5311U1 (ru) | Нагреватель | |
GB2174038A (en) | Thermal recording head | |
RU2074520C1 (ru) | Электронагревательное устройство и материал резистивного слоя для реализации устройства | |
EP1120014A1 (en) | Thin film heating element | |
JP2002110321A5 (ru) | ||
US4113978A (en) | Evaporation source for vacuum deposition | |
JPS62109664A (ja) | サ−マルヘツド | |
JP2680103B2 (ja) | セラミック・ヒータ | |
JPS6317628B2 (ru) | ||
JPS5955042A (ja) | 液相を熱移動する方法および装置 | |
AU751515B2 (en) | Thin film heating element | |
RU2011313C1 (ru) | Плоский электронагреватель | |
JPS5936468Y2 (ja) | 感熱記録ペン | |
JPH02129883A (ja) | 加熱体 | |
CN117616872A (zh) | 加热器和用于制造加热器的方法 | |
JPH0340390A (ja) | ヒータの製造方法 |