RU2815854C1 - Method of creating regular symmetric nanosized recesses on surface of semiconductor substrate - Google Patents
Method of creating regular symmetric nanosized recesses on surface of semiconductor substrate Download PDFInfo
- Publication number
- RU2815854C1 RU2815854C1 RU2023126129A RU2023126129A RU2815854C1 RU 2815854 C1 RU2815854 C1 RU 2815854C1 RU 2023126129 A RU2023126129 A RU 2023126129A RU 2023126129 A RU2023126129 A RU 2023126129A RU 2815854 C1 RU2815854 C1 RU 2815854C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- nano
- sized
- recesses
- sized depressions
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 17
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract description 14
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Abstract
Description
Предлагаемый способ относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использован при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе.The proposed method relates to the field of electronics and optoelectronics and can be used to create structures of active elements of nano- and optoelectronics and integrated circuits based on them.
Известен аналог заявляемого объекта «MBE method for growing locating quantum dots on patterned substrate through AFM nanoimprinting» [Патент № CN103594334A от 19 февраля 2014 года], содержащий этапы формирования массива наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки: формирование на поверхности полупроводниковой подложки массива наноразмерных углублений методом наноимпринтинга (нановыдавливания); осаждение тонкого буферного слоя на поверхность с массивом полученных наноразмерных углублений.There is a known analogue of the claimed object “MBE method for growing locating quantum dots on patterned substrate through AFM nanoimprinting” [Patent No. CN103594334A dated February 19, 2014], containing the stages of forming an array of nano-sized depressions on the surface of a semiconductor substrate: formation of an array of nano-sized depressions on the surface of a semiconductor substrate by the method nanoimprinting (nanoextrusion); deposition of a thin buffer layer on the surface with an array of resulting nano-sized depressions.
Данный способ позволяет получать регулярный массив наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки.This method makes it possible to obtain a regular array of nano-sized depressions on the surface of a semiconductor substrate.
Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками заявляемого объекта, являются: использование полупроводниковой подложки, возможность управления положением и размером наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки. The features of the analogue, which coincide with the essential features of the claimed object, are: the use of a semiconductor substrate, the ability to control the position and size of nano-sized depressions on the surface of the semiconductor substrate.
Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются: формирование наноразмерных углублений с помощью метода наноимпринтинга (нановыдавливания), что приводит к механическим нарушениям кристаллической структуры материала полупроводниковой подложки и образованию дефектов в прилегающих к наноразмерным углублениям областях, что негативно влияет на структурное совершенство материала и функциональные характеристики формируемых в наноразмерных углублениях в дальнейшем самоорганизующихся наноструктур; отсутствие огранки наноразмерных углублений приводит к неопределенности положения центра нуклеации в пределах наноразмерного углубления, что препятствует в дальнейшем получению воспроизводимых и однородных самоорганизующихся наноструктур в них; осаждение тонкого буферного слоя приводит к изменению первоначально заданной формы наноразмерных углублений и снижению их однородности, что препятствует в дальнейшем получению воспроизводимых и однородных самоорганизующихся наноструктур в них.The reasons preventing the achievement of a technical result are: the formation of nano-sized depressions using the nanoimprinting (nano-extrusion) method, which leads to mechanical disruption of the crystal structure of the semiconductor substrate material and the formation of defects in areas adjacent to the nano-sized depressions, which negatively affects the structural perfection of the material and functional characteristics self-organizing nanostructures formed in nano-sized cavities; the absence of faceting of nano-sized cavities leads to uncertainty in the position of the nucleation center within the nano-sized cavities, which prevents the further production of reproducible and homogeneous self-organizing nanostructures in them; deposition of a thin buffer layer leads to a change in the initially specified shape of nano-sized cavities and a decrease in their homogeneity, which further prevents the production of reproducible and homogeneous self-organizing nanostructures in them.
Известен аналог заявляемого объекта «Способ получения регулярных массивов квантовых точек» [RU Патент № 2748938 С1 от 1 июня 2021 года], содержащий этапы формирования регулярного массива наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки: формирование на полупроводниковой подложке методом фотолитографии маски с окнами в ней; жидкостное химическое травление полупроводниковой подложки через окна в маске и формирование наноразмерных углублений; удаление слоя фоторезиста и химическая очистка поверхности; осаждение тонкого буферного слоя на поверхность с массивом полученных наноразмерных углублений.There is a known analogue of the claimed object “Method of obtaining regular arrays of quantum dots” [RU Patent No. 2748938 C1 dated June 1, 2021], containing the stages of forming a regular array of nano-sized depressions on the surface of a semiconductor substrate: forming a mask with windows in it on a semiconductor substrate using photolithography; liquid chemical etching of the semiconductor substrate through windows in the mask and the formation of nano-sized depressions; removal of the photoresist layer and chemical cleaning of the surface; deposition of a thin buffer layer on the surface with an array of resulting nano-sized depressions.
Данный способ позволяет получать регулярный массив наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки.This method makes it possible to obtain a regular array of nano-sized depressions on the surface of a semiconductor substrate.
Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками заявляемого объекта, являются: использование полупроводниковой подложки, возможность управления положением и размерами наноразмерных углублений на поверхности.The features of the analogue, which coincide with the essential features of the claimed object, are: the use of a semiconductor substrate, the ability to control the position and size of nano-sized depressions on the surface.
Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются: использование метода фотолитографии для формирования наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки через окна в маске приводит к необратимому химическому загрязнению поверхности на этапах формирования маски, травления и удаления маски, что отрицательно влияет на структурные и функциональные свойства формируемых в наноразмерных углублениях самоорганизующихся наноструктур в дальнейшем; осаждение буферного слоя на поверхность с массивом полученных наноразмерных углублений приводит к изменению первоначально заданной формы наноразмерных углублений и снижению их однородности, что препятствует в дальнейшем получению воспроизводимых и однородных самоорганизующихся наноструктур в них; отсутствие огранки наноразмерных углублений приводит к неопределенности положения центра нуклеации в пределах углубления, что препятствует в дальнейшем получению воспроизводимых и однородных самоорганизующихся наноструктур в них.The reasons preventing the achievement of the technical result are: the use of the photolithography method to form nano-sized depressions on the surface of the semiconductor substrate through windows in the mask leads to irreversible chemical contamination of the surface at the stages of mask formation, etching and mask removal, which negatively affects the structural and functional properties of the formed in nano-sized depressions of self-organizing nanostructures in the future; deposition of a buffer layer on the surface with an array of resulting nano-sized depressions leads to a change in the initially specified shape of the nano-sized depressions and a decrease in their homogeneity, which prevents the further production of reproducible and homogeneous self-organizing nanostructures in them; the absence of faceting of nano-sized depressions leads to an uncertainty in the position of the nucleation center within the depression, which prevents the further production of reproducible and homogeneous self-organizing nanostructures in them.
Из известных аналогов наиболее близким по технической сущности к заявляемому объекту является «Method for epitaxially growing GeSi quantum dots» [Патент № CN111834206A (B) от 27 октября 2020 года], содержащий этапы формирования регулярного массива наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки: формирование на полупроводниковой подложке методом фотолитографии маски с окнами; анизотропное жидкостное химическое травление полупроводниковой подложки через окна в маске и формирование симметричных наноразмерных углублений в форме усеченной пирамиды; удаление маски и химическая очистка поверхности полупроводниковой подложки.Of the known analogues, the closest in technical essence to the claimed object is the “Method for epitaxially growing GeSi quantum dots” [Patent No. CN111834206A (B) dated October 27, 2020], containing the stages of forming a regular array of nano-sized depressions on the surface of a semiconductor substrate: formation on a semiconductor substrate using mask photolithography with windows; anisotropic liquid chemical etching of the semiconductor substrate through windows in the mask and the formation of symmetrical nano-sized depressions in the shape of a truncated pyramid; removal of the mask and chemical cleaning of the surface of the semiconductor substrate.
Данный способ позволяет формировать регулярный массив симметричных наноразмерных углублений в форме усеченной пирамиды на поверхности полупроводниковой подложки.This method makes it possible to form a regular array of symmetrical nano-sized depressions in the shape of a truncated pyramid on the surface of a semiconductor substrate.
Признаками прототипа, совпадающими с существенными признаками заявляемого объекта, являются: использование полупроводниковой подложки, возможность управления положением и размерами наноразмерных углублений на поверхности, отсутствие необходимости формирования буферного слоя, возможность получения симметричных ограненных кристаллографическими плоскостями наноразмерных углублений.The features of the prototype, which coincide with the essential features of the claimed object, are: the use of a semiconductor substrate, the ability to control the position and size of nano-sized depressions on the surface, the absence of the need to form a buffer layer, the possibility of obtaining symmetrical nano-sized depressions faceted with crystallographic planes.
Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются: использование метода фотолитографии для формирования наноразмерных углублений приводит к необратимому химическому загрязнению поверхности на этапах формирования маски, травления и удаления маски, что негативным образом влияет на характеристики формируемых в наноразмерных углублениях самоорганизующихся наноструктур в дальнейшем; форма наноразмерных углублений в виде усеченной пирамиды предполагает наличие четырех вершин, образуемых гранями и выступающих в качестве центров нуклеации, что в дальнейшем приводит к неопределенности положения центра нуклеации и/или формирования сразу нескольких самоорганизующихся наноструктур в пределах одного углубления, что препятствует в дальнейшем получению воспроизводимых и однородных самоорганизующихся наноструктур в них. The reasons preventing the achievement of the technical result are: the use of the photolithography method for the formation of nano-sized cavities leads to irreversible chemical contamination of the surface at the stages of mask formation, etching and mask removal, which negatively affects the characteristics of self-organizing nanostructures formed in nano-sized cavities in the future; the shape of nano-sized depressions in the form of a truncated pyramid suggests the presence of four vertices formed by the faces and acting as nucleation centers, which subsequently leads to uncertainty in the position of the nucleation center and/or the formation of several self-organizing nanostructures within one depression, which prevents the further obtaining of reproducible and homogeneous self-organizing nanostructures in them.
Технический результат предлагаемого способа - формирование без необходимости использования масочных слоев и иных литографических операций регулярных симметричных ограненных кристаллографическими плоскостями наноразмерных углублений в форме пирамиды, имеющих одну вершину, выступающую в качестве единственного центра нуклеации, что в дальнейшем однозначно задает положение точки формирования и способствует получению воспроизводимых и однородных самоорганизующихся наноструктур в них.The technical result of the proposed method is the formation, without the need to use mask layers and other lithographic operations, of regular symmetrical pyramid-shaped nano-sized depressions faceted with crystallographic planes, having one vertex, acting as a single nucleation center, which further unambiguously sets the position of the formation point and contributes to obtaining reproducible and homogeneous self-organizing nanostructures in them.
Технический результат достигается за счет того, что для формирования регулярных симметричных наноразмерных углублений в заданных точках поверхности используется метод фокусированных ионных пучков, с помощью которого сначала в заданных точках поверхности полупроводниковой подложки формируются наноразмерные углубления заданных размеров, а затем производится высокотемпературный отжиг полупроводниковой подложки, в ходе которого сформированные углубления приобретают симметричную форму пирамиды, ограненную кристаллографическими плоскостями, с одной вершиной, выступающей в качестве единственного центра нуклеации, а также устраняются генерируемые фокусированным ионным пучком в полупроводниковой подложке радиационные дефекты и восстанавливается кристаллическая структура материала подложки в области наноразмерных углублений, что в дальнейшем однозначно задает положение точки формирования и способствует получению воспроизводимых и однородных самоорганизующихся наноструктур в них.The technical result is achieved due to the fact that to form regular symmetrical nano-sized depressions at specified points on the surface, the method of focused ion beams is used, with the help of which, first, nano-sized depressions of specified sizes are formed at specified points on the surface of the semiconductor substrate, and then high-temperature annealing of the semiconductor substrate is performed, during in which the formed depressions acquire a symmetrical pyramid shape, faceted by crystallographic planes, with one vertex acting as the only nucleation center, and also radiation defects generated by a focused ion beam in the semiconductor substrate are eliminated and the crystal structure of the substrate material in the region of nano-sized depressions is restored, which is further unambiguous sets the position of the formation point and contributes to the production of reproducible and homogeneous self-organizing nanostructures in them.
Для достижения необходимого технического результата предложен способ создания регулярных симметричных наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки, состоящий из этапа формирования методом фокусированных ионных пучков в заданных точках поверхности полупроводниковой подложки наноразмерных углублений и последующего этапа высокотемпературного отжига полупроводниковой подложки со сформированными наноразмерными углублениями.To achieve the required technical result, a method is proposed for creating regular symmetrical nano-sized depressions on the surface of a semiconductor substrate, consisting of the stage of forming nano-sized depressions at specified points on the surface of the semiconductor substrate using the method of focused ion beams and the subsequent stage of high-temperature annealing of the semiconductor substrate with the formed nano-sized depressions.
На Фиг. 1 изображена схема этапов способа создания регулярных симметричных наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки.In FIG. 1 is a diagram of the steps of a method for creating regular symmetrical nano-sized depressions on the surface of a semiconductor substrate.
Изготовление регулярных симметричных наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки происходит следующим образом.The production of regular symmetrical nano-sized depressions on the surface of a semiconductor substrate occurs as follows.
На полупроводниковой подложке 1 (Фиг. 1, шаг 1) методом фокусированных ионных пучков в заданных точках формируются первичные наноразмерные углубления заданных размеров 2 (Фиг. 1, шаг 2), размер которых определяется интенсивностью воздействия фокусированного ионного пучка. При этом прилегающие к первичным наноразмерным углублениям области материала подложки в процессе воздействия фокусированного ионного пучка насыщаются радиационными дефектами 3, вследствие чего их кристаллическая структура нарушается вплоть до полной аморфизации (Фиг. 1, шаг 2). Затем проводится высокотемпературный отжиг полупроводниковой подложки с первичными наноразмерными углублениями на поверхности, в ходе которого сформированные на ней первичные наноразмерные углубления приобретают симметричную форму пирамиды, ограненную кристаллографическими плоскостями с одной вершиной 4 (Фиг. 1, шаг 3), выступающей в качестве единственного центра нуклеации, а также устраняются генерируемые фокусированным ионным пучком в полупроводниковой подложке радиационные дефекты и восстанавливается кристаллическая структура материала подложки в области наноразмерных углублений, что в дальнейшем однозначно задает положение точки формирования и способствует получению воспроизводимых и однородных самоорганизующихся наноструктур в них.On the semiconductor substrate 1 (Fig. 1, step 1), using the method of focused ion beams, primary nano-sized depressions of given sizes 2 (Fig. 1, step 2) are formed at specified points, the size of which is determined by the intensity of the impact of the focused ion beam. In this case, the areas of the substrate material adjacent to the primary nano-sized depressions during exposure to a focused ion beam are saturated with radiation defects 3, as a result of which their crystal structure is disrupted until complete amorphization (Fig. 1, step 2). Then, high-temperature annealing of the semiconductor substrate with primary nano-sized depressions on the surface is carried out, during which the primary nano-sized depressions formed on it acquire a symmetrical pyramid shape, faceted by crystallographic planes with one vertex 4 (Fig. 1, step 3), acting as the only nucleation center, and also, radiation defects generated by a focused ion beam in the semiconductor substrate are eliminated and the crystal structure of the substrate material in the area of nano-sized depressions is restored, which further unambiguously sets the position of the formation point and contributes to the production of reproducible and homogeneous self-organizing nanostructures in them.
Предлагаемый способ прошел экспериментальную апробацию авторами, поскольку в его основе лежат оригинальные результаты экспериментальных исследований. Нами было показано, что после формирования наноразмерных углублений на полупроводниковой подложке GaAs(001) методом фокусированного ионного пучка и последующего ее высокотемпературного отжига, наноразмерные углубления изменяют свою форму и размер (диаметр и глубина) пропорционально интенсивности воздействия фокусированного ионного пучка. При этом наноразмерные углубления изменяют свою форму с чашеобразной на симметричную пирамидальную, ограненную кристаллографическими плоскостями с единственной вершиной. Результаты исследования кристаллической структуры полупроводниковой подложки с наноразмерными углублениями до и после отжига методом спектроскопии комбинационного рассеяния света с микроразрешением показали, что нарушенная кристаллическая структура подложки в области воздействия фокусированного ионного пучка восстанавливается после этапа отжига. The proposed method has been experimentally tested by the authors, since it is based on the original results of experimental studies. We have shown that after the formation of nano-sized depressions on a GaAs(001) semiconductor substrate using the focused ion beam method and subsequent high-temperature annealing, the nano-sized depressions change their shape and size (diameter and depth) in proportion to the intensity of exposure to the focused ion beam. In this case, the nano-sized cavities change their shape from cup-shaped to symmetrical pyramidal, faceted by crystallographic planes with a single vertex. The results of studying the crystal structure of a semiconductor substrate with nano-sized depressions before and after annealing using micro-resolution Raman spectroscopy showed that the damaged crystal structure of the substrate in the region of exposure to a focused ion beam is restored after the annealing stage.
Таким образом, предлагаемый способ представляет собой способ, позволяющий формировать без необходимости использования масочных слоев и иных литографических операций регулярные симметричные ограненные кристаллографическими плоскостями наноразмерные углубления в форме пирамиды, имеющие одну вершину, выступающую в качестве единственного центра нуклеации, что в дальнейшем однозначно задает положение точки формирования и способствует получению воспроизводимых и однородных самоорганизующихся наноструктур в них.Thus, the proposed method is a method that makes it possible to form, without the need to use mask layers and other lithographic operations, regular symmetrical nano-sized depressions in the shape of a pyramid, faceted with crystallographic planes, having one vertex, acting as a single nucleation center, which subsequently uniquely sets the position of the formation point and contributes to the production of reproducible and homogeneous self-organizing nanostructures in them.
Таким образом, по сравнению с аналогичными способами, предлагаемый способ создания регулярных симметричных наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки позволяет формировать регулярные симметричные ограненные кристаллографическими плоскостями наноразмерные углубления в форме пирамиды, имеющие одну вершину, выступающую в качестве единственного центра нуклеации, за счет использования метода фокусированных ионных пучков и следующего за ним высокотемпературного отжига полупроводниковой подложки.Thus, in comparison with similar methods, the proposed method for creating regular symmetrical nano-sized depressions on the surface of a semiconductor substrate makes it possible to form regular symmetrical pyramid-shaped nano-sized depressions faceted with crystallographic planes, having one vertex acting as a single nucleation center, through the use of the focused ion method beams and subsequent high-temperature annealing of the semiconductor substrate.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2815854C1 true RU2815854C1 (en) | 2024-03-22 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2828622C1 (en) * | 2024-04-09 | 2024-10-14 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" | Method of forming symmetric quantum dots |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2056672C1 (en) * | 1993-06-08 | 1996-03-20 | Евгений Макарович Соколов | Method for processing the surface of silicon plates for solar batteries |
| CN103594334A (en) * | 2013-11-21 | 2014-02-19 | 中国科学院半导体研究所 | MBE method for growing locating quantum dots on patterned substrate through AFM nanoimprinting |
| RU2611552C2 (en) * | 2015-07-17 | 2017-02-28 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Photodetector (versions) and production method thereof |
| CN111834206A (en) * | 2019-04-17 | 2020-10-27 | 中国科学院物理研究所 | Method for extending GeSi quantum dots |
| RU2748938C1 (en) * | 2020-02-21 | 2021-06-01 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) | Method for generation of regular quantum dot arrays |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2056672C1 (en) * | 1993-06-08 | 1996-03-20 | Евгений Макарович Соколов | Method for processing the surface of silicon plates for solar batteries |
| CN103594334A (en) * | 2013-11-21 | 2014-02-19 | 中国科学院半导体研究所 | MBE method for growing locating quantum dots on patterned substrate through AFM nanoimprinting |
| RU2611552C2 (en) * | 2015-07-17 | 2017-02-28 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Photodetector (versions) and production method thereof |
| CN111834206A (en) * | 2019-04-17 | 2020-10-27 | 中国科学院物理研究所 | Method for extending GeSi quantum dots |
| RU2748938C1 (en) * | 2020-02-21 | 2021-06-01 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) | Method for generation of regular quantum dot arrays |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| АГЕЕВ О.А. и др. Формирование наноразмерных структур на кремниевой подложке методом фокусированных ионных пучков, Известия вузов, электроника, в.1, 2011, с.29-31. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2828622C1 (en) * | 2024-04-09 | 2024-10-14 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" | Method of forming symmetric quantum dots |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11598905B2 (en) | Inverted nanocone structure for optical device and method of producing the same | |
| Kitajima et al. | Two-dimensional periodic alignment of self-assembled Ge islands on patterned Si (001) surfaces | |
| US6924023B2 (en) | Method of manufacturing a structure having pores | |
| JP5721545B2 (en) | Device having group III nitride and method of manufacturing device having group III nitride | |
| JP5255081B2 (en) | Three-dimensional nanostructure array and manufacturing method thereof | |
| US20090180188A1 (en) | Broadband antireflective optical components with curved surfaces and their production | |
| US11037794B2 (en) | Methods for multiple-patterning nanosphere lithography for fabrication of periodic three-dimensional hierarchical nanostructures | |
| JP2009521391A (en) | A simple method for producing epitaxially grown structures | |
| Chien et al. | Silicon nanostructures fabricated by scanning probe oxidation and tetra-methyl ammonium hydroxide etching | |
| US20130280893A1 (en) | Method for production of selective growth masks using imprint lithography | |
| JP2004103718A (en) | Near field light mask, near field exposure device using it, method for forming dot pattern using it, and device fabricated using them | |
| US11802043B2 (en) | Nanoassembly methods for producing quasi-three-dimensional nanoarrays | |
| US11592462B2 (en) | Diamond probe hosting an atomic sized defect | |
| RU2815854C1 (en) | Method of creating regular symmetric nanosized recesses on surface of semiconductor substrate | |
| Xu et al. | Deep-reactive ion etching of silicon nanowire arrays at cryogenic temperatures | |
| Chu et al. | Fabrication and Raman scattering studies of one‐dimensional nanometer structures in (110) silicon | |
| Petter et al. | Fabrication of large periodic arrays of AlGaAs microdisks by laser-interference lithography and selective etching | |
| Ono et al. | Fabrication of high-intensity light-emitting diodes using nanostructures by ultraviolet nanoimprint lithography and electrodeposition | |
| CN111453693B (en) | Preparation method of nano ring | |
| JP2009117829A (en) | Method for making quantum dots | |
| JP2005217390A (en) | Forming method for nanostructure | |
| US8895412B2 (en) | Nano-structure manufacturing method using sacrificial etching mask | |
| US20200075348A1 (en) | Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using | |
| Alyobi et al. | Electron beam lithography and plasma etching to fabricate supports for studying nanomaterials | |
| RU2748938C1 (en) | Method for generation of regular quantum dot arrays |