RU2815576C1 - Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы - Google Patents

Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы Download PDF

Info

Publication number
RU2815576C1
RU2815576C1 RU2023125257A RU2023125257A RU2815576C1 RU 2815576 C1 RU2815576 C1 RU 2815576C1 RU 2023125257 A RU2023125257 A RU 2023125257A RU 2023125257 A RU2023125257 A RU 2023125257A RU 2815576 C1 RU2815576 C1 RU 2815576C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
block
sensors
manufacturing
strain gauges
holes
Prior art date
Application number
RU2023125257A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Александрович Цывин
Original Assignee
Александр Александрович Цывин
Filing date
Publication date
Application filed by Александр Александрович Цывин filed Critical Александр Александрович Цывин
Application granted granted Critical
Publication of RU2815576C1 publication Critical patent/RU2815576C1/ru

Links

Images

Abstract

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано для изготовления групповым способом точных, помехозащищенных тензорезисторных датчиков силы с параллелограммными механизмами. Способ состоит в следующем: в монолитном блоке заготовок упругих элементов формируют четыре сквозных отверстия одного диаметра параллельно продольной оси симметрии блока и одно сквозное отверстие другого диаметра вдоль этой же оси; затем перпендикулярно рабочей поверхности блока с одинаковым шагом изготавливают сквозные П-образные пазы, формируя частично готовые, монолитные параллелограммные механизмы. Изготавливают матрицу тензорезисторов, делая в ней окна для освобождения при ее наклейке силовводящих узлов, после чего ее наклеивают на балки параллелограммов, и разделяют блок на полностью готовые датчики. Технический результат заключается в помехозащищенности датчиков от паразитных сил, изгибающих и крутящих моментов, стабильности, надежности и высокой точности измерений. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к технологии изготовления групповым способом тензорезисторных датчиков силы параллелограммного типа. Известен способ изготовления тензорезисторных датчиков силы, заключающийся в том, что отдельные заготовки упругих элементов на шпильках собирают в единый блок, производят его механическую и термическую обработку, закрепляют на нем матрицу тензорезисторов и разделяют блок на отдельные датчики [1]. Способ технологичен и прост, но не позволяет изготавливать групповым способом датчики с упругими элементами на основе параллелограммных механизмов, состоящих из двух идентичных, монолитно объединенных, параллелограммов. Наиболее близким по технической сущности к заявляемому является «Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы» [2]. Он перспективен во всех отношениях, но требует специального вакуумного оборудования с силозадающим приспособлением внутри камеры, что удорожает процесс изготовления датчиков.
Целью изобретения является возможность изготовления групповым способом тензорезисторных датчиков с упругими элементами на основе параллелограммных механизмов, состоящих из двух идентичных параллелограммов в монолитном исполнении. Такая конструкция позволяет создавать недорогие помехозащищенные от паразитных сил, изгибающих и крутящих моментов стабильные и надежные датчики высокой точности.
Поставленная цель достигается тем, что в процессе механической обработки монолитного блока заготовок упругих элементов в нем параллельно продольной оси симметрии блока O-O формируют четыре сквозных отверстия диаметром d, при этом пары отверстий расположены симметрично и на одинаковом расстоянии от оси симметрии сечения блока а-а и каждое отверстие расположено на равном расстоянии от оси симметрии сечения блока б-б; и одно сквозное отверстие диаметром D, расположенное вдоль продольной оси O-O, при этом величину D выбирают такой величины, чтобы расстояние δ между отверстиями D и d было технологически минимально возможным и составляло величину не более 0,3 мм; далее на рабочей поверхности блока, перпендикулярно ей, с шагом h формируют идентичные сквозные П-образные пазы, пока еще не полностью освобождающие балки параллелограммов из монолитного блока и частично формирующие из монолитного блока заготовок параллелограммные механизмы с силоприемными узлами, расположенными между параллелограммами; изготавливают матрицу тензорезисторов так, чтобы при ее наклейке на блок заготовок пары тензорезисторов располагались симметрично относительно продольных осей балок в зоне максимальных деформаций, наклеивают ее на блок и с одинаковым шагом разделяют его на полностью готовые датчики. Таким образом, в каждом датчике формируется параллелограммный механизм, состоящий из двух, симметрично расположенных, одинаковых монолитно объединенных параллелограммов. В матрице на последнем этапе ее изготовления, для освобождения силоприемных узлов при ее наклейке, вырезают окна, по площади равные площади П-образных пазов, а тензорезисторы, которые расположены в вырезанных окнах, разделяют на пары или дискретно и в дальнейшем используют для создания датчиков с упругими элементами любых типов.
За один цикл в зависимости от длины блока L и шага разделки h могут быть изготовлены несколько идентичных датчиков с монолитным параллелограммным механизмом в каждом. При создании датчиков на нагрузки менее 5 кгс, четыре шунтирующих перемычки δ по всей длине L блока удаляют электроискровым способом, после чего таким же способом разделяют блок на отдельные датчики, а при создании датчиков на средние нагрузки, не меняя размеров П-образных пазов, увеличивают шаг разделки блока h на отдельные датчики, тем самым увеличивая жесткость балок сдвоенных параллелограммов к нагрузке.
На фиг. 1 показан групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы с упругими элементами в форме параллелограммных механизмов.
На фиг. 2 - датчик силы с монолитным параллелограммным механизмом, нагруженный силой F.
На фиг. 1, 2 использованы следующие обозначения: L - длина блока заготовок упругих элементов; h - шаг разделки блока на отдельные датчики; П - «П»-образные пазы; П1, П2 - параллелограммы; (а-а) - продольная ось сечения блока; (б-б) - поперечная ось сечения блока; (О-О) - продольная ось симметрии блока заготовок; 1 - четыре сквозных отверстия диаметром d; 2 - сквозное отверстие диаметром D; 3 - силовводящие узлы; 4 - матрица с вырезанными окнами; 5 - расстояние δ между D и d; F - измеряемая нагрузка; ТР - тензорезисторы. Способ реализуется следующим образом: из стали, например, 35ХГСА изготавливают монолитный блок заготовок, в блоке одним из известных способов формируют четыре сквозных отверстия диаметром, например, d=5 мм и одно сквозное отверстие диаметром, например, D=30 мм, далее с шагом h, равным ширине упругих элементов, перпендикулярно рабочей поверхности блока по всей ее длине изготавливают, например, электроискровым методом, сквозные П-образные пазы, частично формируя из блока монолитно-объединенные параллелограммные механизмы с силовводящими узлами, расположенными по центру между балками параллелограммов.
На изолирующей подложке, например, из полиамидной смолы ПАИ-2И с закрепленной на ней фольгой, например, из константана, изготавливают матрицу тензорезисторов так, чтобы продольные оси тензорезисторов при ее наклейке совпадали с продольными осями балок и находились в зонах максимальных деформаций балок.
В матрице до наклейки на блок, для высвобождения силовводящих узлов при ее наклейке, на одном из последних этапов изготовления формируют окна, по площади равные площади П-образных пазов, а тензорезисторы, которые освобождаются при этом, предварительно разделив их поэлементно, в дальнейшем используют по прямому назначению для создания любых тензорезисторных датчиков. Матрицу с окнами наклеивают на блок и затем блок с одинаковым шагом разделяют на отдельные датчики.
При создании датчиков на малые нагрузки четыре перемычки шунтирующих балок параллелограммов удаляют по всей длине блока, а при создании датчиков на средние нагрузки увеличивают шаг разделки блока, что увеличивает жесткость балок параллелограммов к нагрузке.
В сравнении с известными, предлагаемый способ имеет следующие преимущества:
1. Позволяет упростить технологию изготовления датчиков с монолитными параллелограммными механизмами, так как для этого способа изготовления не требуется специальное вакуумное оборудование с силозадающим механизмом внутри камеры, что снижает энергозатраты и, соответственно, стоимость датчиков.
2. Предложенный способ может быть автоматизирован.
Источники информации, принятые при экспертизе:
1. Авт. свидетельство СССР №1118876, кл. G01L 1/ 22, 1984, БИ №38.
2. Решение от 28.07.2023 о выдаче патента на изобретение по заявке на «Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы» за №2023102341/ 28 (004992).

Claims (3)

1. Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы параллелограммного типа, включающий изготовление в блоке заготовок упругих элементов с шагом h идентичных сквозных П-образных пазов, наклейке на рабочую поверхность блока матрицы тензорезисторов и разделке блока на отдельные датчики, отличающийся тем, что перед изготовлением П-образных пазов параллельно продольной оси симметрии блока O-O формируют четыре сквозных отверстия диаметром d, при этом пары отверстий расположены симметрично и на одинаковом расстоянии от оси симметрии сечения блока а-а и каждое отверстие расположено на равном расстоянии от оси симметрии сечения блока б-б; и одно сквозное отверстие диаметром D расположено вдоль продольной оси О-О, при этом величину D выбирают такой величины, чтобы расстояние между отверстиями D и d было технологически минимально возможным и составляло величину менее или равную 0,3 мм.
2. Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы по п. 1, отличающийся тем, что для создания датчиков на нагрузки менее 5 кгс четыре шунтирующих перемычки по всей длине блока L удаляют электроискровым способом, после чего таким же способом разделяют блок на отдельные датчики.
3. Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы по п. 1, отличающийся тем, что для создания датчиков на средние нагрузки, не меняя размеров П-образных пазов, увеличивают шаг разделки блока h на отдельные датчики, тем самым увеличивая жесткость балок сдвоенных параллелограммов к нагрузке.
RU2023125257A 2023-10-03 Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы RU2815576C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2815576C1 true RU2815576C1 (ru) 2024-03-18

Family

ID=

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1118876A1 (ru) * 1983-06-10 1984-10-15 Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Испытательных Машин,Приборов И Средств Измерения Масс (Никимп) Способ изготовлени тензорезисторных датчиков силы
SU1198398A1 (ru) * 1984-05-24 1985-12-15 Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Испытательных Машин,Приборов И Средств Измерения Масс Тензорезисторный датчик силы
SU1247693A1 (ru) * 1984-12-06 1986-07-30 Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Испытательных Машин,Приборов И Средств Измерения Масс Полупроводниковое измерительное устройство
RU2803391C1 (ru) * 2023-02-02 2023-09-12 Александр Александрович Цывин Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1118876A1 (ru) * 1983-06-10 1984-10-15 Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Испытательных Машин,Приборов И Средств Измерения Масс (Никимп) Способ изготовлени тензорезисторных датчиков силы
SU1198398A1 (ru) * 1984-05-24 1985-12-15 Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Испытательных Машин,Приборов И Средств Измерения Масс Тензорезисторный датчик силы
SU1247693A1 (ru) * 1984-12-06 1986-07-30 Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Испытательных Машин,Приборов И Средств Измерения Масс Полупроводниковое измерительное устройство
RU2803391C1 (ru) * 2023-02-02 2023-09-12 Александр Александрович Цывин Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20150135856A1 (en) Force torque sensor, force torque sensor frame, and force torque measurement method
US4763531A (en) Force-torque sensor
CN110514341B (zh) 一种航天机械臂用具有容错能力的六维力和力矩传感器
US11433550B2 (en) Sensor arrangement for force or torque measurement, and a method for the production thereof
US7536923B2 (en) Force sensor chip
US11085838B2 (en) Force/torque sensor having serpentine or coiled deformable beams and overload beams
CN100552910C (zh) 一种多层薄膜基体结构高温力学行为的在线测量装置
US6662659B2 (en) Acceleration sensor
RU2815576C1 (ru) Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы
JP2011504589A (ja) 内部応力を測定するためのロゼット歪ゲージ
CN109342181A (zh) 脆性材料三向拉应力试验方法及可更换式粘接拉伸工装
RU2813092C1 (ru) Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы
US4196337A (en) Method of fabricating a torque sensor
US4419902A (en) Constant strain load cell
RU2803391C1 (ru) Групповой способ изготовления тензорезисторных датчиков силы
US5821431A (en) Measurement sensor for a linking wrench between two mechanical parts, as well as its manufacturing process
KR101442426B1 (ko) 스트레인 게이지 및 이의 제조 방법
JP3985215B2 (ja) 半導体加速度センサー
QIN et al. Multiple objective structural optimization on “machining deformation-fatigue life” of aeronautical monolithic components
CN110526200B (zh) 一种具有纯轴向变形敏感梁的面外压阻式加速度计芯片及其制备方法
US3871216A (en) Dynamometer apparatus
CN112834782A (zh) 分布式质量块结构mems压阻式加速度传感器芯片
Rizal et al. Design and optimization of a cross-beam force transducer for a stationary dynamometer for measuring milling cutting force
Ho et al. Design and analysis of a displacement sensor-integrated compliant microgripper based on parallel structure
CN101542256A (zh) 负载传感器