RU2792040C1 - Method for manufacturing cathode-grid unit with field-emission cathodes - Google Patents

Method for manufacturing cathode-grid unit with field-emission cathodes Download PDF

Info

Publication number
RU2792040C1
RU2792040C1 RU2022108545A RU2022108545A RU2792040C1 RU 2792040 C1 RU2792040 C1 RU 2792040C1 RU 2022108545 A RU2022108545 A RU 2022108545A RU 2022108545 A RU2022108545 A RU 2022108545A RU 2792040 C1 RU2792040 C1 RU 2792040C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field emission
cathode
cathodes
grid
holes
Prior art date
Application number
RU2022108545A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Дмитрий Николаевич Золотых
Павел Евгеньевич Новиков
Павел Данилович Шалаев
Василий Иванович Шестеркин
Original Assignee
Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз")
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") filed Critical Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз")
Application granted granted Critical
Publication of RU2792040C1 publication Critical patent/RU2792040C1/en

Links

Images

Abstract

FIELD: electronic engineering.
SUBSTANCE: creation of cathode-grid units with field emission cathodes for vacuum devices. A method for manufacturing a cathode-grid unit of an electrovacuum device includes manufacturing a multipoint field emission cathode in the form of a cone, pyramid, blade or any other shapes with pointed tops and a grid electrode with holes for each single field emission cathode and matching grid electrode holes with the centres of single field emission cathodes. Field emission cathodes are formed on a single dielectric substrate by etching or laser milling so that each single field emission cathode is electrically isolated from all the others and has an electrical output independent of the others for supplying voltages of various magnitudes. This method allows to control the currents of each single field emission cathode and, by applying voltages of different magnitudes between single cathodes and the grid electrode, select currents of the same magnitude in each field emission cell that do not result in excessive thermal heating and melting of the tops of single field emission cathodes.
EFFECT: providing the possibility of controlling the absolute values of currents from each single field emission cathode and adjusting them, that is, increasing or decreasing by supplying the corresponding values of the potential difference between the cathode and the grid in each cell within safe values that do not result in melting of the tops of the field emitters with Joule heat, thereby ensuring the reliability and durability of the CGU.
4 cl, 1 dwg

Description

Изобретение относится к электронной технике, в частности к созданию катодно-сеточных узлов с автоэмиссионными катодами для электровакуумных приборов, в том числе для приборов микроволнового диапазона с микросекундным временем готовности.The invention relates to electronic engineering, in particular to the creation of cathode-grid units with field emission cathodes for vacuum devices, including microwave devices with microsecond readiness time.

Известен способ изготовления катодно-сеточного узла (КСУ) матричного типа, состоящего из множества автоэмиссионных ячеек, каждая из которых включает молибденовый автоэмиссионный катод в форме прямого конуса и сеточную структуру с отверстием, отделенную от основания конуса пленкой диэлектрика [Spindt С.А. A Thin - Film Field - Emission Cathode // Journal of Applied Physics. 1968, Vol. 39, No 7, PP. 3504-3505]. Способ изготовления КСУ основан на использовании тонкопленочной технологии и электронно-лучевой литографии и состоит из нескольких этапов:A known method of manufacturing a cathode-grid assembly (CSU) of a matrix type, consisting of a plurality of field emission cells, each of which includes a molybdenum field emission cathode in the form of a straight cone and a grid structure with a hole, separated from the base of the cone by a dielectric film [Spindt S.A. A Thin - Film Field - Emission Cathode // Journal of Applied Physics. 1968 Vol. 39, No. 7, PP. 3504-3505]. The method of manufacturing the KSU is based on the use of thin-film technology and electron-beam lithography and consists of several stages:

Figure 00000001
На подложке из высокопроводящего кремния методом окисления формируется пленка оксида кремния толщиной 1.5 мкм.
Figure 00000001
A silicon oxide film 1.5 µm thick is formed on a high-conductivity silicon substrate by oxidation.

Figure 00000002
Методом электронно-лучевого напыления на пленке из оксида кремния формируется пленка из молибдена толщиной 0.4 мкм, на которую наносится фото- или электронно-чувствительное соединение из полиметил-метакрила (ПММ) толщиной 1 мкм.
Figure 00000002
A molybdenum film with a thickness of 0.4 µm is formed on a silicon oxide film by electron beam sputtering, onto which a photo- or electron-sensitive compound of polymethylmethacryl (PMM) with a thickness of 1 µm is deposited.

Figure 00000003
На поверхности ПММ в вакууме экспонируются пятна диаметром 1 мкм, расположенные в углах квадрата с шагом, превышающим диаметр пятна.
Figure 00000003
Spots 1 μm in diameter are exposed in vacuum on the PMM surface, located at the corners of a square with a step exceeding the spot diameter.

Figure 00000004
Экспонированные участки (пятна) растворяются в изопропиловом спирте, и затем через образовавшиеся отверстия вытравливается пленка молибдена до диэлектрика.
Figure 00000004
The exposed areas (spots) are dissolved in isopropyl alcohol, and then a molybdenum film is etched through the holes formed to the dielectric.

Figure 00000005
Оставшаяся пленка ПММ удаляется, и через отверстия в молибденовой пленке вытравливается пленка окиси кремния до кремниевой подложки. Пленка из молибдена слегка нависает над отверстиями в диэлектрике.
Figure 00000005
The remaining PMM film is removed, and a silicon oxide film is etched through the holes in the molybdenum film to the silicon substrate. The molybdenum film hangs slightly over holes in the dielectric.

Figure 00000006
При непрерывном вращении подложки методом вакуумного напыления на молибден наносится пленка алюминия под большим углом, при котором алюминий не напыляется на внутреннюю поверхность окиси диэлектрика, а отверстие в молибденовой пленке частично закрывается.
Figure 00000006
With continuous rotation of the substrate, an aluminum film is deposited on molybdenum by vacuum deposition at a large angle, at which aluminum is not deposited on the inner surface of the dielectric oxide, and the hole in the molybdenum film is partially closed.

Figure 00000007
Через частично закрытое отверстие в алюминиевой пленке под большим углом и при вращении подложки на донья ячеек напыляют молибден таким образом, что внутри „колодца" формируется конус с вершиной, расположенной не выше пленки молибдена.
Figure 00000007
Through a partially closed hole in the aluminum film at a large angle and during rotation of the substrate, molybdenum is deposited on the bottom of the cells in such a way that a cone is formed inside the “well” with a vertex located no higher than the molybdenum film.

Figure 00000008
Алюминиевая пленка стравливается, и на подложке формируется КСУ, состоящий из автоэмиссионных ячеек с плотностью упаковки до 1×106 шт/см2.
Figure 00000008
The aluminum film is etched off, and a CCF is formed on the substrate, consisting of field emission cells with a packing density of up to 1×10 6 pieces/cm 2 .

Данная технология на каждом этапе требует применения сложного оборудования. Недостатком способа является то, что все ячейки КСУ сформированы на единой токопроводящей подложке с единой для всех ячеек сеточной структурой. Все элементы ячеек: высота и радиус кривизны вершин автоэмиттеров, диаметры отверстий в сетке имеют разброс значений геометрических размеров, обусловленный технологическими операциями. Вследствие этого при одинаковом потенциале сеточного электрода автоэмиссионные токи в ячейках имеют различные значения. Величина тока в отдельных ячейках может превышать критическое значение, при котором вершины автоэмиттеров могут разрушиться под воздействием джоулева тепла и вывести из строя КСУ в целом. Корректировка токов отдельных ячеек за счет изменения разности потенциалов в ячейках при данном способе изготовления не представляется возможной.This technology requires the use of complex equipment at each stage. The disadvantage of this method is that all cells of the KSU are formed on a single conductive substrate with a grid structure common for all cells. All elements of the cells: the height and radius of curvature of the tops of the auto-emitters, the diameters of the holes in the grid have a spread in the values of geometric dimensions due to technological operations. As a result, at the same potential of the grid electrode, the field emission currents in the cells have different values. The magnitude of the current in individual cells can exceed the critical value at which the tops of the field emitters can be destroyed under the influence of Joule heat and disable the CCU as a whole. Correcting the currents of individual cells by changing the potential difference in the cells with this manufacturing method is not possible.

Известен способ изготовления КСУ с множеством автоэмиссионных ячеек, содержащих автоэмиссионные катоды из плотно упакованных выровненных по высоте углеродных нанотубок (УНТ), сформированных на единой токопроводящей подложке методом их осаждения из паровой фазы в форме призм с основаниями в форме квадрата со стороной 54 мкм, отстоящие друг от друга на 31 мкм (Ulisse G., Ciceroni С, Berunetti F., Di A. Proc. IEEE Int. Vac. Electron Conf. (IVEC'13). Paris. 21-23 May. 2013. N.Y.: IEEE, 2013). Молибденовая сетка толщиной 25 мкм с квадратными отверстиями закреплялась на сеткодержателе на расстоянии 70 мкм от вершин УНТ. Совмещение вершин автоэмиссионных катодов и отверстий сеточной структуры осуществлялось с помощью оптического микроскопа.A known method of manufacturing CSC with a plurality of field emission cells containing field emission cathodes from densely packed carbon nanotubes (CNTs) aligned in height, formed on a single conductive substrate by vapor deposition in the form of prisms with bases in the form of a square with a side of 54 μm, spaced apart from each other 31 µm apart (Ulisse G., Ciceroni C, Berunetti F., Di A. Proc. IEEE Int. Vac. Electron Conf. (IVEC'13). Paris. 21-23 May. 2013. N.Y.: IEEE, 2013 ). A molybdenum grid 25 μm thick with square holes was fixed on a grid holder at a distance of 70 μm from the tops of the CNTs. The tops of the field emission cathodes and the holes of the grid structure were aligned using an optical microscope.

Данный способ изготовления, так же как и предыдущий, не позволяет получать одинаковый и не приводящий к термическому разрушению катодов автоэмиссионный ток в отдельных ячейках, поскольку катоды размещены на единой токопроводящей подложке и находятся под одинаковым потенциалом. К недостаткам способа следует отнести его трудоемкость и необходимость использования дорогостоящего оборудования.This manufacturing method, like the previous one, does not allow obtaining the same field emission current in separate cells that does not lead to thermal destruction of the cathodes, since the cathodes are placed on a single conductive substrate and are at the same potential. The disadvantages of the method include its complexity and the need to use expensive equipment.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является способ изготовления КСУ с остриями в форме иголок с большим аспектным отношением (отношением высоты к радиусу кривизны вершины), изготовленных методом микроразмерного лазерного фрезерования и единым электрически изолированным от катода сеточным электродом с отверстиями (Патент №2656879 (Российская Федерация). МПК: H01J 9/02. Способ изготовления катодно-сеточного узла с автоэмиссионным катодом / Шестеркин В.И., Шалаев П.Д., Соколова Т.Н., Сурменко Е.Л., Бессонов Д.А., Попов И.А. Заявка №201106719. Заявлено 28.02.2017. Опубликовано 07.06.2018. Бюл. №16).The closest to the proposed invention is a method for manufacturing CCU with needle-shaped tips with a large aspect ratio (the ratio of height to the radius of curvature of the top), made by micro-sized laser milling and a single grid electrode with holes electrically isolated from the cathode (Patent No. 2656879 (Russian Federation) V. I. Shesterkin, P. D. Shalaev, T. N. Sokolova, E. L. Surmenko, D. A. Bessonov, and I. Popov, MPK: H01J 9/02. A. Application No. 201106719. Claimed on February 28, 2017. Published on June 7, 2018. Bull. No. 16).

Недостатком данного способа является то, что острия с большим аспектным отношением формируются из единой заготовки из токопроводящего материала, имеют для всех автоэмиттеров общее основание и электрически не отделены друг от друга, что не позволяет подавать на каждый из катодов различные по величине потенциалы относительно общей сетки и тем самым создавать одинаковые эмиссионные токи в каждой ячейке и контролировать их величину в пределах безопасного значения для устойчивой и долговечной работы КСУ в целом.The disadvantage of this method is that the tips with a large aspect ratio are formed from a single billet of conductive material, have a common base for all auto-emitters and are not electrically separated from each other, which does not allow applying different potentials to each of the cathodes relative to the common grid and thereby creating the same emission currents in each cell and controlling their value within a safe value for stable and durable operation of the CCU as a whole.

Задача настоящего изобретения заключается в создании способа изготовления КСУ с множеством ячеек, в которых автоэмиссионные катоды электрически изолированы друг от друга и имеют отдельные и независимые друг от друга электрические выводы. Создание такого способа изготовления позволит обеспечить возможность измерения токов в каждой ячейке и их подстройки (увеличения или уменьшения путем подачи различных по величине разностей потенциалов в каждой ячейке) в пределах безопасных значений, не приводящих к расплавлению вершин автоэмиттеров теплом Джоуля, тем самым обеспечивая надежность и долговечность работы КСУ.The objective of the present invention is to provide a method for manufacturing a multi-cell CCU in which the field emission cathodes are electrically isolated from each other and have separate and independent electrical leads. The creation of such a manufacturing method will make it possible to measure currents in each cell and adjust them (increase or decrease by supplying potential differences of different magnitudes in each cell) within safe values that do not lead to melting of the auto-emitter tops with Joule heat, thereby ensuring reliability and durability. work of the KSU.

Поставленная задача достигается тем, что в способе изготовления КСУ с автоэмиссионными катодами, содержащем изготовление многоострийного автоэмиссионного катода из единой заготовки, изготовление сеточного электрода с числом отверстий, равным числу единичных автоэмиссионных катодов, закрепление сеточного электрода с отверстиями в КСУ через диэлектрическое кольцо, согласно предлагаемому изобретению, каждый единичный автоэмиссионный катод размещен на диэлектрической подложке, неразъемно соединен с нею методом пайки или склеивания, электрически изолирован от других единичных автоэмиссионных катодов и имеет независимый от других катодов электрический вывод.The task is achieved by the fact that in the method for manufacturing a CCU with field emission cathodes, which includes manufacturing a multipoint field emission cathode from a single workpiece, manufacturing a grid electrode with a number of holes equal to the number of single field emission cathodes, fixing a grid electrode with holes in the CCU through a dielectric ring, according to the present invention , each single field emission cathode is placed on a dielectric substrate, permanently connected to it by soldering or gluing, electrically isolated from other single field emission cathodes and has an electrical output independent of other cathodes.

Предлагаемое изобретение поясняется чертежами. Позициями обозначены:The present invention is illustrated by drawings. The positions are marked:

1 - диэлектрическая подложка; 2 - отверстия для электрических выводов; 3 - пленка-припой или слой токопроводящего клея; 4 - электрические выводы; 5 - заготовка для изготовления многоострийного автоэмиссионного катода; 6 - единичные автоэмиссионные катоды; 7 - диэлектрическое кольцо; 8 - сеточный электрод; 9 - отверстия сеточного электрода.1 - dielectric substrate; 2 - holes for electrical leads; 3 - film-solder or a layer of conductive glue; 4 - electrical conclusions; 5 - workpiece for the manufacture of multipoint field emission cathode; 6 - single field emission cathodes; 7 - dielectric ring; 8 - grid electrode; 9 - mesh electrode holes.

На фиг. 1 представлена последовательность технологических операций изготовления КСУ, где: а) - изготовление диэлектрической подложки (1); б) - формирование отверстий для электрических выводов (2); в) - формирование пленки-припоя или слоя токопроводящего клея (3) и размещение в отверстиях электрических выводов (4) из отрезков металлической проволоки; г) - размещение заготовки для изготовления многоострийного автоэмиссионного катода (5) и пайка; д) - формирование единичных автоэмиссионных катодов (6); е) - удаление пленки-припоя или слоя токопроводящего клея (3) в зазорах между основаниями катодов с диэлектрической подложки; ж) - изготовление, размещение и закрепление диэлектрического кольца (7) для крепления сеточного электрода (8); з) - размещение и закрепление сеточного электрода (8) с отверстиями (9).In FIG. 1 shows the sequence of technological operations for the manufacture of KSU, where: a) - the manufacture of a dielectric substrate (1); b) - formation of holes for electrical outlets (2); c) - formation of a solder film or a layer of conductive glue (3) and placement of electrical leads (4) from pieces of metal wire in the holes; d) - placement of a workpiece for the manufacture of a multipoint field emission cathode (5) and soldering; e) - formation of single field emission cathodes (6); f) - removal of a solder film or a layer of conductive glue (3) in the gaps between the bases of the cathodes from the dielectric substrate; g) - manufacturing, placement and fixing of the dielectric ring (7) for fixing the grid electrode (8); h) - placement and fixing of the grid electrode (8) with holes (9).

Единичные автоэмиссионные катоды (6) в форме конуса, треугольной либо многоугольной пирамиды, в форме лезвия с плоской либо заостренной вершиной формируются любым известным способом, например, химическим травлением либо лазерным фрезерованием. Припой либо токопроводящий клей для приклеивания единичных автоэмиссионных катодов из углеродных материалов между основаниями автоэмиттеров затем удаляется с поверхности диэлектрической подложки. Заготовка для изготовления многоострийного автоэмиссионного катода (5) закрепляется на диэлектрической подложке (1) с вставленными в ее отверстия (2) электрическими выводами (4) из металлической проволоки методом пайки либо с помощью токопроводящего клея. Сеточный электрод (8) закрепляется на диэлектрическом кольце (7) таким образом, чтобы вершины единичных автоэмиссионных катодов (6) располагались по центру отверстий (9) на уровне наружной плоскости сеточного электрода (8) для предотвращения оседания автоэмиссионного тока на сеточный электрод.Single field emission cathodes (6) in the form of a cone, a triangular or polygonal pyramid, in the form of a blade with a flat or pointed top are formed by any known method, for example, chemical etching or laser milling. Solder or conductive adhesive for gluing single field emission cathodes made of carbon materials between the bases of field emitters is then removed from the surface of the dielectric substrate. The workpiece for the manufacture of a multipoint field emission cathode (5) is fixed on a dielectric substrate (1) with electrical leads (4) inserted into its holes (2) made of metal wire by soldering or using conductive glue. The grid electrode (8) is fixed on the dielectric ring (7) in such a way that the tops of single field emission cathodes (6) are located in the center of the holes (9) at the level of the outer plane of the grid electrode (8) to prevent the field emission current from settling on the grid electrode.

Источники информацииInformation sources

1. Spindt С.А. A Thin - Film Field - Emission Cathode // Journal of Applied Physics. 1968, Vol.39, No 7, PP. 3504-3505.1. Spindt S.A. A Thin - Film Field - Emission Cathode // Journal of Applied Physics. 1968, Vol. 39, No 7, PP. 3504-3505.

2. Ulisse G., Ciceroni C, Berunetti F., Di A. Proc. IEEE Int. Vac. Electron Conf. (IVEC'13). Paris. 21-23 May. 2013. N.Y.: IEEE, 20132. Ulisse G., Ciceroni C, Berunetti F., Di A. Proc. IEEE Int. vac. Electron Conf. (IVEC'13). Paris. 21-23 May. 2013. N.Y.: IEEE, 2013

3. Патент №2656879 (Российская Федерация). МПК:Н0и 9/02. Способ изготовления катодно-сеточного узла с автоэмиссионным катодом / Шестеркин В.И., Шалаев П.Д., Соколова Т.Н., Сурменко Е.Л., Бессонов Д.А., Попов И.А.3. Patent No. 2656879 (Russian Federation). IPC: H0i 9/02. A method of manufacturing a cathode-grid unit with a field emission cathode / Shesterkin V.I., Shalaev P.D., Sokolova T.N., Surmenko E.L., Bessonov D.A., Popov I.A.

Claims (4)

1. Способ изготовления катодно-сеточного узла с автоэмиссионными катодами, включающий изготовление многоострийного автоэмиссионного катода и электрически отделенного от катодов сеточного электрода с отверстиями, отличающийся тем, что заготовка для изготовления многоострийного автоэмиссионного катода размещается на диэлектрической подложке с отверстиями через разделяющую их токопроводящую пленку-припой или токопроводящий клей, в отверстия диэлектрической подложки вставляют отрезки металлической проволоки до упора с пленкой-припоем или токопроводящим клеем и осуществляют неразъемное соединение заготовки многоострийного автоэмиссионного катода с диэлектрической подложкой и электропроводящее неразъемное соединение с отрезками металлической проволоки методом пайки или склеивания токопроводящим клеем, затем из заготовки многоострийного автоэмиссионного катода формируют единичные автоэмиссионные катоды таким образом, чтобы их основания были отделены друг от друга зазорами и располагались над отверстиями в диэлектрической подложке, а припой или токопроводящий клей в зазорах между основаниями катодов удаляют.1. A method for manufacturing a cathode-grid assembly with field emission cathodes, including the manufacture of a multipoint field emission cathode and a mesh electrode with holes electrically separated from the cathodes, characterized in that the workpiece for the manufacture of a multipoint field emission cathode is placed on a dielectric substrate with holes through a conductive solder film separating them or conductive glue, segments of metal wire are inserted into the holes of the dielectric substrate until they stop with a solder film or conductive glue and a permanent connection of the workpiece of a multi-pointed field-emission cathode with a dielectric substrate and an electrically conductive permanent connection with pieces of metal wire by soldering or gluing with conductive glue are carried out, then from the workpiece of a multipoint field emission cathode, single field emission cathodes are formed in such a way that their bases are separated from each other by gaps and located above holes in the dielectric substrate, and the solder or conductive adhesive in the gaps between the bases of the cathodes is removed. 2. Способ изготовления катодно-сеточного узла с автоэмиссионными катодами по п. 1, отличающийся тем, что единичные автоэмиссионные катоды могут иметь форму лезвий.2. A method for manufacturing a cathode-grid assembly with field emission cathodes according to claim 1, characterized in that single field emission cathodes can be in the form of blades. 3. Способ изготовления катодно-сеточного узла с автоэмиссионными катодами по п. 1, отличающийся тем, что единичные автоэмиссионные катоды могут иметь форму лезвий, свернутых в цилиндры.3. A method for manufacturing a cathode-grid assembly with field emission cathodes according to claim 1, characterized in that single field emission cathodes can be in the form of blades rolled into cylinders. 4. Способ изготовления катодно-сеточного узла с автоэмиссионными катодами по п. 1, отличающийся тем, что заготовка многоострийного автоэмиссионного катода изготавливается из углеродного материала.4. A method for manufacturing a cathode-grid assembly with field emission cathodes according to claim 1, characterized in that the workpiece of a multipoint field emission cathode is made of carbon material.
RU2022108545A 2022-03-29 Method for manufacturing cathode-grid unit with field-emission cathodes RU2792040C1 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2792040C1 true RU2792040C1 (en) 2023-03-16

Family

ID=

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4915309B2 (en) * 2007-08-02 2012-04-11 Ｊｆｅエンジニアリング株式会社 Electron emitting device, manufacturing method thereof, and apparatus equipped with the same
US8400052B2 (en) * 2010-12-24 2013-03-19 Tsinghua University Field emission cathode device and method for making the same
WO2014007680A2 (en) * 2012-07-04 2014-01-09 Evlashin Stanislav Aleksandrovich Three-dimensionally structured semiconductor substrate for a field emission cathode, means for producing same, and field emission cathode
RU2653531C1 (en) * 2017-03-07 2018-05-11 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий"" Electronic device with field emission cathode-mesh assembly manufacturing method
RU2656150C1 (en) * 2017-02-21 2018-05-31 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук Field emission element and method of its manufacture
RU2656879C1 (en) * 2017-02-28 2018-06-07 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") Cathode mesh assembly with field emission cathode manufacturing method
RU2661345C1 (en) * 2017-03-06 2018-07-16 АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Научно-исследовательский институт оптико-электронного приборостроения" (АО "НИИ ОЭП") Method for simulation of a shock-compressed layer in arc discharge conditions
RU2703292C1 (en) * 2019-03-26 2019-10-16 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") Method for fabrication of cathode-mesh assembly with carbon auto emitters
RU2713381C1 (en) * 2019-07-01 2020-02-05 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") Method for fabrication of cathode-grid assembly with field-emission cathode

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4915309B2 (en) * 2007-08-02 2012-04-11 Ｊｆｅエンジニアリング株式会社 Electron emitting device, manufacturing method thereof, and apparatus equipped with the same
US8400052B2 (en) * 2010-12-24 2013-03-19 Tsinghua University Field emission cathode device and method for making the same
WO2014007680A2 (en) * 2012-07-04 2014-01-09 Evlashin Stanislav Aleksandrovich Three-dimensionally structured semiconductor substrate for a field emission cathode, means for producing same, and field emission cathode
RU2656150C1 (en) * 2017-02-21 2018-05-31 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук Field emission element and method of its manufacture
RU2656879C1 (en) * 2017-02-28 2018-06-07 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") Cathode mesh assembly with field emission cathode manufacturing method
RU2661345C1 (en) * 2017-03-06 2018-07-16 АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Научно-исследовательский институт оптико-электронного приборостроения" (АО "НИИ ОЭП") Method for simulation of a shock-compressed layer in arc discharge conditions
RU2653531C1 (en) * 2017-03-07 2018-05-11 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий"" Electronic device with field emission cathode-mesh assembly manufacturing method
RU2703292C1 (en) * 2019-03-26 2019-10-16 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") Method for fabrication of cathode-mesh assembly with carbon auto emitters
RU2713381C1 (en) * 2019-07-01 2020-02-05 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") Method for fabrication of cathode-grid assembly with field-emission cathode

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100314094B1 (en) Method for fabricating a carbon nanotube field emitter using electrophoresis process
US3755704A (en) Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
US3789471A (en) Field emission cathode structures, devices utilizing such structures, and methods of producing such structures
US7777404B1 (en) Field emission type electron gun comprising single fibrous carbon electron emitter and operating method for the same
JPH0635405A (en) Cathode luminescent display device
US6903499B2 (en) Electron gun and a method for using the same
US3458745A (en) Thin wafer-channel multiplier
EP0520780A1 (en) Fabrication method for field emission arrays
JP4029289B2 (en) Manufacturing method of conductive needle and conductive needle manufactured by the method
JP3982558B2 (en) Electron source having carbon nanotubes, electron microscope and electron beam drawing apparatus using the same
Dvorson et al. Double-gated Spindt emitters with stacked focusing electrode
RU2792040C1 (en) Method for manufacturing cathode-grid unit with field-emission cathodes
US6626720B1 (en) Method of manufacturing vacuum gap dielectric field emission triode and apparatus
KR20020038696A (en) Compact field emission electron gun and focus lens
US6084339A (en) Field emission device having an electroplated structure and method for the fabrication thereof
EP0068111B1 (en) Method of forming a cathode structure
Ngoc Minh et al. Microelectron field emitter array with focus lenses for multielectron beam lithography based on silicon on insulator wafer
JP7295974B2 (en) Electron source, electron beam apparatus, and method for manufacturing electron source
RU2187860C2 (en) Autoemission cathode and electron device built on its base ( variants )
Mousa Effect of lacomit films on cold-cathode hot-electron emission
RU2697193C1 (en) Cathode-mesh assembly with field-emission cathode and control mesh, divided into elements
JP3198362B2 (en) Electron emitting device and image forming apparatus
JP2630990B2 (en) Electron emitting device and light emitting device using the same
JPH10223128A (en) Electron emitter
RU183913U1 (en) TRIODE ELECTRON GUN WITH AUTOCATODE