RU2784496C1 - Method for forming tungsten carbide films on a tungsten-silicon heterostructure by pyrolysis of a polyamide film obtained by molecular layer deposition - Google Patents
Method for forming tungsten carbide films on a tungsten-silicon heterostructure by pyrolysis of a polyamide film obtained by molecular layer deposition Download PDFInfo
- Publication number
- RU2784496C1 RU2784496C1 RU2022115921A RU2022115921A RU2784496C1 RU 2784496 C1 RU2784496 C1 RU 2784496C1 RU 2022115921 A RU2022115921 A RU 2022115921A RU 2022115921 A RU2022115921 A RU 2022115921A RU 2784496 C1 RU2784496 C1 RU 2784496C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tungsten carbide
- tungsten
- layer deposition
- pyrolysis
- films
- Prior art date
Links
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N Tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 title claims description 11
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 title claims description 11
- 239000011528 polyamide (building material) Substances 0.000 title claims description 11
- -1 tungsten-silicon Chemical compound 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910008938 W—Si Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004760 aramid Substances 0.000 claims description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- UWCPYKQBIPYOLX-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3,5-tricarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC(C(Cl)=O)=CC(C(Cl)=O)=C1 UWCPYKQBIPYOLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 1,2-ethanediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 102000014961 Protein Precursors Human genes 0.000 description 4
- 108010078762 Protein Precursors Proteins 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N Tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing Effects 0.000 description 2
- SEBFKMXJBCUCAI-HKTJVKLFSA-N Silibinin Chemical compound C1=C(O)C(OC)=CC([C@@H]2[C@H](OC3=CC=C(C=C3O2)[C@@H]2[C@H](C(=O)C3=C(O)C=C(O)C=C3O2)O)CO)=C1 SEBFKMXJBCUCAI-HKTJVKLFSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L Tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии получения пленок карбида вольфрама и может быть использовано в технологии интегральных схем в качестве диффузионных и сверхтвердых покрытий приборов, а также в качестве наноразмерных композиционных материалов. Изобретение обеспечивает преимущество контроля толщины и однородности пленок карбида вольфрама на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении некоторых элементов полупроводниковой электроники и композитов, устойчивых к высоким температурам.The invention relates to a technology for producing tungsten carbide films and can be used in integrated circuit technology as diffusion and superhard coatings for devices, as well as nanoscale composite materials. The invention provides the advantage of controlling the thickness and uniformity of tungsten carbide-on-silicon films, which can be used as substrates in the manufacture of certain semiconductor electronics components and composites resistant to high temperatures.
Наиболее распространенным способом получения карбида вольфрама является взаимодействие вольфрама с углеродом в среде водорода при температурах 1430-1630°С (2414992 // Архипов В.А., Ворожцов А.Б., Ворожцов С.А., Давыдович В.И., Даммер В.X., Кириллов В.А., Лернер М.И. Способ получения нанопорошка карбида вольфрама. Опубликовано: 27.03.2011.). Еще одним способом получения карбида вольфрама является взаимодействие триоксида вольфрама, вольфрамовой кислоты или паравольфрамата аммония с метаном и водородом при температурах до 1000°С (Косолапова Т.Я. Карбиды. М., 1968.). Данными методами не представляется возможным получение тонкопленочных наноразмерных структур карбида вольфрама.The most common way to obtain tungsten carbide is the interaction of tungsten with carbon in a hydrogen environment at temperatures of 1430-1630 ° C (2414992 // Arkhipov V.A., Vorozhtsov A.B., Vorozhtsov S.A., Davydovich V.I., Dammer V.Kh., Kirillov V.A., Lerner M.I. Method for obtaining tungsten carbide nanopowder. Published: 27.03.2011.). Another way to obtain tungsten carbide is the interaction of tungsten trioxide, tungstic acid or ammonium paratungstate with methane and hydrogen at temperatures up to 1000 ° C (Kosolapova T.Ya. Carbides. M., 1968.). Using these methods, it is not possible to obtain thin-film nanosized structures of tungsten carbide.
Существует способ синтеза карбида кремния (А.с. №1717539 // Бутуханов В.Л., Верхотуров А.Д., Лебухова Н.В. // дата приоритета 19.07.1989 г., кл. С01В 31/34) из вольфрамсодержащего продукта полученного ликвационной плавкой, который смешивается с углеродной сажей и после термической обработки в вакууме в диапазоне температур от 1000 до 1450°С в течение 5 часов (2 часа при 1000°С и 3 часа при 1450°С, при скорости нагрева между стадиями 4-6°С/мин). Недостатком данного метода является невозможность получения конформных и равномерных тонкопленочных структур.There is a method for the synthesis of silicon carbide (A.S. No. 1717539 // Butukhanov V.L., Verkhoturov A.D., Lebukhova N.V. // Priority date 07/19/1989, class C01B 31/34) from tungsten-containing product obtained by segregation melting, which is mixed with carbon black and after heat treatment in vacuum in the temperature range from 1000 to 1450°C for 5 hours (2 hours at 1000°C and 3 hours at 1450°C, with a heating rate between stages of 4 -6°C/min). The disadvantage of this method is the impossibility of obtaining conformal and uniform thin-film structures.
В публикации (2333888 // Кузнецов Н.Т., Севастьянов В.Г., Симоненко Е.П., Игнатов Н.A., Симоненко Н.П., Ежов Ю.С. // дата приоритета 06.04.2007 г., кл. С01В 31/30, С01В 31/34) описывается способ получения высокодисперсных карбидов, включая смешанные покрытия и композиты на основе карбида вольфрама. Данный метод заключается в предварительном осаждении пленки вольфрама на поверхность полупроводниковой подложки гидролизом по золь-гель методике и последующий пиролиз полученной системы при температурах от 600 до 1200°С и давлении 10-1-104 Па, в результате которого образуется слой карбида вольфрама. Недостатками описанного метода являются наличие большого количества примесей вследствие использования матричных органических растворов металлсодержащих комплексов, многостадийное техническое исполнение, включающее осаждение и пиролиз геля при температурах 350-600°С в инертной среде, за которым следует следующий этап карботермического пиролиза при температурах до 1200°С, также невозможность получения конформных и равномерных тонкопленочных структур.In the publication (2333888 // Kuznetsov N.T., Sevastyanov V.G., Simonenko E.P., Ignatov N.A., Simonenko N.P., Yezhov Yu.S. // priority date 04/06/2007. , class C01B 31/30, C01B 31/34) describes a method for producing finely dispersed carbides, including mixed coatings and composites based on tungsten carbide. This method consists in preliminary deposition of a tungsten film on the surface of a semiconductor substrate by sol-gel hydrolysis and subsequent pyrolysis of the resulting system at temperatures from 600 to 1200°C and a pressure of 10 -1 -10 4 Pa, which results in the formation of a layer of tungsten carbide. The disadvantages of the described method are the presence of a large amount of impurities due to the use of matrix organic solutions of metal-containing complexes, multi-stage technical implementation, including precipitation and pyrolysis of the gel at temperatures of 350-600°C in an inert environment, followed by the next stage of carbothermal pyrolysis at temperatures up to 1200°C, also the impossibility of obtaining conformal and uniform thin-film structures.
Известен способ получения пленок карбида вольфрама с использованием двухэтапного процесса (2430017 // Рощин В.М., Силибин М.В., Сагунова И.В., Шевяков В.И. // дата приоритета 29.09.2009 г., кл. С01В 31/34, В82В 1/00): на первом этапе осуществляется импульсно-плазменное нанесение тонкой пленки на основе вольфрама на поверхность полупроводника; на втором этапе проводится карботермический синтез путем взаимодействия полученной гетероструктуры с графитовым столиком при температурах до 600°С и давлении не выше 5⋅10-4 Па, в результате которого формируется слой карбида вольфрама. Основным недостатком данного метода является практическая невозможность получения конформных покрытий карбида вольфрама, поскольку второй этап осуществляется путем взаимодействия плоских поверхностей углеродного столика и пленки вольфрама за счет их наложения друг на друга при высокой температуре.A known method for producing tungsten carbide films using a two-stage process (2430017 // Roshchin V.M., Silibin M.V., Sagunova I.V., Shevyakov V.I. // priority date 29.09.2009, class C01B 31/34,
В работе авторов (2540622 // Рощин В.М., Петухов И.Н., Сеньченко К.С., Басс М.В. // дата приоритета 20.05.2013 г., кл. C01B 31/00, В82В 1/00) описан способ получения ультратонких пленок карбида вольфрама двухэтапным методом: на первом этапе осуществляется импульсно-плазменное осаждение на двуканальной установке импульсного осаждения дуговой плазмы двухслойной структуры покрытия общей толщиной 5 нм. Полученная гетероструктура, состоящая из вольфрама и пленки углерода, затем подвергается пиролизу при температуре 450°С и давлении 5⋅10-4 Па. Наноразмерный слой карбида вольфрама формируется в процессе термической обработки при относительно низких температурах не более 450°С, что, однако, достаточно для обеспечения перехода пленок карбида вольфрама из некристаллического в поликристаллическое состояние.In the work of the authors (2540622 // Roshchin V.M., Petukhov I.N., Senchenko K.S., Bass M.V. // priority date 20.05.2013, class C01B 31/00, B82B 1/ 00) describes a method for obtaining ultrathin tungsten carbide films by a two-stage method: at the first stage, pulsed plasma deposition is carried out on a two-channel installation for pulsed arc plasma deposition of a two-layer coating structure with a total thickness of 5 nm. The resulting heterostructure, consisting of tungsten and a carbon film, is then subjected to pyrolysis at a temperature of 450°C and a pressure of 5⋅10 -4 Pa. A nanoscale layer of tungsten carbide is formed during heat treatment at relatively low temperatures not exceeding 450°C, which, however, is sufficient to ensure the transition of tungsten carbide films from a noncrystalline to a polycrystalline state.
Данный способ по своей технической сущности и достигаемому результату является наиболее близким к предлагаемому и выбран нами в качестве прототипа. Однако данный прототип имеет недостаток по сравнению с предлагаемым нами способом.This method in its technical essence and the achieved result is the closest to the proposed one and was chosen by us as a prototype. However, this prototype has a drawback compared to our proposed method.
Недостатком прототипа является:The disadvantage of the prototype is:
1. Невозможность конформного осаждения пленок карбида вольфрама, поскольку осаждение углерода и вольфрама на поверхность осуществляется физическим путем.1. The impossibility of conformal deposition of tungsten carbide films, since the deposition of carbon and tungsten on the surface is carried out in a physical way.
Задача предлагаемого изобретения заключается в разработке способа получения пленок карбида вольфрама с использованием технологии молекулярно-слоевого осаждения (МСО). Сущность изобретения заключается в обеспечении контроля толщины и однородности пленок карбида вольфрама на кремнии на нанометровом уровне посредством контролируемого МСО исходных полимеров.The objective of the present invention is to develop a method for producing films of tungsten carbide using the technology of molecular layer deposition (MLD). The essence of the invention lies in providing control of the thickness and uniformity of films of tungsten carbide on silicon at the nanometer level by means of a controlled MSO of the initial polymers.
Достижение результата технически осуществляется двухэтапным процессом: на первом этапе проводится подготовка подложки к осаждению и осаждение МСО полимера из газовой фазы на поверхность коммерческой гетероструктуры тинкой пленки вольфрам на кремний (W-Siподл) с подбором необходимых реагентов, выбором необходимых параметров температуры, времени дозирования реагентов и временем продувки; на втором этапе осуществляется пиролиз полимерных пленок на осажденной гетероструктуре W-Siподл в вакууме, инертной или реакционной среде при температурах от 600 до 1200°С.The achievement of the result is technically carried out by a two-stage process: at the first stage, the substrate is prepared for deposition and the MSO polymer is deposited from the gas phase on the surface of a commercial heterostructure of a thin film of tungsten on silicon (W-Si low ) with the selection of the necessary reagents, the selection of the necessary temperature parameters, and the dosing time of the reagents and purge time; at the second stage, polymer films are pyrolyzed on the deposited W-Si heterostructure under vacuum, inert or reaction medium at temperatures from 600 to 1200°C.
Пример конкретного выполненияExample of a specific implementation
Способ получения пленок карбида вольфрама на кремнии пиролизом полимерных пленок на W-Siподл, полученных методом молекулярно-слоевого осаждения в описываемом примере, состоит из 2-х основных этапов:The method of obtaining films of tungsten carbide on silicon by pyrolysis of polymer films on W-Si low , obtained by molecular layer deposition in the described example, consists of 2 main stages:
1. Молекулярно-слоевое осаждение полимера на W-Siподл;1. Molecular layer deposition of polymer on W- Si
2. Пиролиз пленок полимера в вакууме или инертной среде.2. Pyrolysis of polymer films in vacuum or inert atmosphere.
Стоит отметить, что в данном примере в качестве источника вольфрама служит подложка W-Siподл для наглядной демонстрации возможности формирования равномерных и конформных нанопленок карбида вольфрама с использованием технологии молекулярно-слоевого осаждения. Однако реализовать способ получения наноразмерных пленок карбида вольфрама представляется возможным также с использованием любой нано-микро структурированной подложки содержаший на поверхности вольфрам.It should be noted that in this example, the W-Si substrate serves as a source of tungsten to clearly demonstrate the possibility of forming uniform and conformal tungsten carbide nanofilms using the molecular layer deposition technology. However, it seems possible to implement the method of obtaining nanoscale films of tungsten carbide using any nano-microstructured substrate containing tungsten on the surface.
В качестве примера полимера для молекулярно-слоевого осаждения используется ароматический полиамид, для получения которого выбраны реагенты тримезоилхлорид (ТМХ)) и 1,2-этилендиамин (ЭДА). Молекулярно-слоевое осаждение ароматического полиамида с использованием прекурсоров ТМХ и ЭДА выполняется на установке молекулярно-слоевого осаждения. Процесс МСО осуществляется в вакууме в потоке вязкого инертного газа N2. Поток азота используется для транспортировки химических реагентов 1,2-этилендиамина (ЭДА) и тримезоилхлорида (ТМХ) в реактор, а также для продувки системы от продуктов реакций и избытка непрореогировавших реагентов. Для процесса МСО осуществляется вакуумирование системы с помощью пластинчато-роторного насоса. Попеременным напуском химических реагентов осуществляется контролируемой рост пленок в реакторе. Допускается использование иных конфигураций МСО системы. Более детальный процесс молекулярно-слоевого осаждения полиамида с использованием прекурсоров тримезоилхлорида (ТМХ) и 1,2-этилендиамина (ЭДА) описан в работе авторов (R.R. Amashaev, I.M. Abdulagatov, M.Kh. Rabadanov, A.I. Abdulagatov, Molecular Layer Deposition and Pyrolysis of Polyamide Films on Si(111) with Formation of β-SiC. Russian Journal of Physical Chemistry A 95, pages1439-1448, 2021).As an example of a polymer for molecular layer deposition, an aromatic polyamide is used, for the preparation of which the reagents trimesoyl chloride (TMC)) and 1,2-ethylenediamine (EDA) are selected. Molecular layer deposition of aromatic polyamide using TMX and EDA precursors is performed on a molecular layer deposition unit. The MCO process is carried out in a vacuum in a flow of viscous inert gas N2. The nitrogen flow is used to transport the
Для процесса МСО полиамида производят следующие работы:For the MCO process of polyamide, the following works are performed:
Молекулярно-слоевое осаждение пленки полиамида с использованием прекурсоров тримезоилхлорида (ТМХ) и 1,2-этилендиамина (ЭДА).Molecular layer deposition of a polyamide film using trimesoyl chloride (TMC) and 1,2-ethylenediamine (EDA) precursors.
1. Пиролиз пленок полиамида, полученного методом молекулярно- слоевого осаждения (МСО полиамид). Пиролиз МСО полиамида может проводиться в вакууме, в инертной или реакционной среде.1. Pyrolysis of polyamide films obtained by molecular layer deposition (MLD polyamide). Pyrolysis of MSO polyamide can be carried out in a vacuum, in an inert or reactive environment.
Схематически общий процесс поверхностных реакций поликонденсации с использованием прекурсоров ТМХ и ЭДА и процесс пиролиза с образованием карбида вольфрама (WC) представлен на фигуре 1.Schematically, the general process of surface reactions of polycondensation using TMX and EDA precursors and the process of pyrolysis with the formation of tungsten carbide (WC) is shown in figure 1.
На фигуре 2 представлено изображение сканирующей электронной микроскопии пленки WC, полученной в результате пиролиза пленки МСО полиамида на поверхности гетероструктуры W-Siподл при температуре 1200°С, где также, в результате побочных процессов, наблюдается образование промежуточного слоя WxSiy.Figure 2 shows an image of a scanning electron microscopy of a WC film obtained by pyrolysis of an MCO polyamide film on the surface of a W-Si heterostructure at a temperature of 1200°C, where also, as a result of side processes, the formation of an intermediate layer of W x Si y is observed.
На фигуре 3 представлена рентгеновская дифрактограмма полученной в результате пиролиза гетероструктуры. Имеется один пик, соответствующие WC при 2θ=33.8°. Также наблюдается широкий пик при 2θ от 10 до 40°, который характерен для углерода. Наличие данного пика свидетельствует о присутствии на поверхности помимо пленки WC, определенного количества непрореагировавшего, графитизированного углерода. Пик при 2θ=69° относится к подложке (3С-Si (111) ориентация). Стоит, однако, отметить, что пиков характерных для силицидов кремния обнаружено не было, возможно, вследствие их аморфного состояния.The figure 3 shows the x-ray diffraction pattern obtained as a result of pyrolysis of the heterostructure. There is one peak corresponding to WC at 2θ=33.8°. There is also a broad peak at 2θ from 10 to 40°, which is characteristic of carbon. The presence of this peak indicates the presence on the surface, in addition to the WC film, of a certain amount of unreacted, graphitized carbon. The peak at 2θ=69° refers to the substrate (3C-Si (111) orientation). However, it should be noted that no peaks characteristic of silicon silicides were found, possibly due to their amorphous state.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2784496C1 true RU2784496C1 (en) | 2022-11-28 |
Family
ID=
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863595A (en) * | 1996-10-04 | 1999-01-26 | Dow Corning Corporation | Thick ceramic coatings for electronic devices |
| US20050285117A1 (en) * | 1998-07-08 | 2005-12-29 | Advanced Power Technology, Inc., A Delaware Corporation | Adhesion and/or encapsulation of silicon carbide-based semiconductor devices on ceramic substrates |
| RU2430017C2 (en) * | 2009-09-29 | 2011-09-27 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Технология" | Formation method of thin tungsten carbide films |
| RU2540622C2 (en) * | 2013-05-20 | 2015-02-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли РФ | Method of forming nanosized film of tungsten carbide |
| CN111216034A (en) * | 2020-02-26 | 2020-06-02 | 中国科学院微电子研究所 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863595A (en) * | 1996-10-04 | 1999-01-26 | Dow Corning Corporation | Thick ceramic coatings for electronic devices |
| US20050285117A1 (en) * | 1998-07-08 | 2005-12-29 | Advanced Power Technology, Inc., A Delaware Corporation | Adhesion and/or encapsulation of silicon carbide-based semiconductor devices on ceramic substrates |
| RU2430017C2 (en) * | 2009-09-29 | 2011-09-27 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Технология" | Formation method of thin tungsten carbide films |
| RU2540622C2 (en) * | 2013-05-20 | 2015-02-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли РФ | Method of forming nanosized film of tungsten carbide |
| CN111216034A (en) * | 2020-02-26 | 2020-06-02 | 中国科学院微电子研究所 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102088540B1 (en) | High quality large scale single and multilayer graphene production by chemical vapor deposition | |
| Besling et al. | Laser-induced chemical vapor deposition of nanostructured silicon carbonitride thin films | |
| US7192626B2 (en) | Methods for producing silicon nitride films and silicon oxynitride films by thermal chemical vapor deposition | |
| Hämäläinen et al. | Atomic layer deposition of rhenium disulfide | |
| Jeong et al. | Wafer-scale and selective-area growth of high-quality hexagonal boron nitride on Ni (111) by metal-organic chemical vapor deposition | |
| CN109196139B (en) | Boron nitride material and preparation method thereof | |
| JP2012519777A (en) | Atomic layer deposition process | |
| Zhuiykov et al. | Interfacial engineering of two-dimensional nano-structured materials by atomic layer deposition | |
| Zhou et al. | Nanocrystalline TiO2 thin film prepared by low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition for photocatalytic applications | |
| Liu et al. | Atomic layer deposition and post-growth thermal annealing of ultrathin MoO3 layers on silicon substrates: Formation of surface nanostructures | |
| Lushington et al. | A novel approach in controlling the conductivity of thin films using molecular layer deposition | |
| RU2784496C1 (en) | Method for forming tungsten carbide films on a tungsten-silicon heterostructure by pyrolysis of a polyamide film obtained by molecular layer deposition | |
| Abdulagatov et al. | Molecular layer deposition and thermal transformations of titanium (aluminum)-vanadium hybrid organic-inorganic films | |
| Lu et al. | Pd–Ag alloy films prepared by metallorganic chemical vapor deposition process | |
| You et al. | Effects of laser power on the growth of polycrystalline AlN films by laser chemical vapor deposition method | |
| RU2612247C1 (en) | Method of producing hybrid material based on multi-walled carbon nanotubes with titanium carbide coating | |
| RU2749573C1 (en) | Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation | |
| Lee et al. | Effect of carbon on the growth of TaC crystal derived from organometallic precursors | |
| JPH0790588A (en) | Production of nitrigen containing carbon film | |
| Apátiga et al. | Surface morphology of nanostructured anatase thin films prepared by pulsed liquid injection MOCVD | |
| KR20190128062A (en) | Method for producing yttrium-containing thin film by atomic layer deposition | |
| Norin et al. | Chemical vapour deposition of molybdenum carbides using C60 as a carbon source | |
| RU2149215C1 (en) | Method of preparing pyrolytic carbon | |
| RU2694297C1 (en) | Nanostructured coatings from the refractory metals carbides obtaining method | |
| US20230088084A1 (en) | Method of preparing graphyne |