RU2772930C1 - Method for measuring the thermal resistance of the junction-to-body led - Google Patents

Method for measuring the thermal resistance of the junction-to-body led Download PDF

Info

Publication number
RU2772930C1
RU2772930C1 RU2021123790A RU2021123790A RU2772930C1 RU 2772930 C1 RU2772930 C1 RU 2772930C1 RU 2021123790 A RU2021123790 A RU 2021123790A RU 2021123790 A RU2021123790 A RU 2021123790A RU 2772930 C1 RU2772930 C1 RU 2772930C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
led
radiation
leds
current pulse
junction
Prior art date
Application number
RU2021123790A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Вячеслав Андреевич Сергеев
Илья Владимирович Фролов
Олег Александрович Радаев
Сергей Александрович Зайцев
Ирина Сергеевна Козликова
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Application granted granted Critical
Publication of RU2772930C1 publication Critical patent/RU2772930C1/en

Links

Images

Abstract

FIELD: LEDs thermal characteristics controlling.
SUBSTANCE: invention relates to the technique of controlling the thermal characteristics of LEDs and can be used to control the quality of mounting LED crystals on a mounting plate, including LEDs as part of LED arrays and modules. A method for measuring the thermal resistance of the junction-LED housing, which consists in passing a heating current pulse of a given strength Im and duration t through the LED, approximately equal to the thermal time constant τTj-h the junction-LED housing, and in measuring the brightness of the LED radiation with a luxmeter, characterized in that immediately after the current pulse is turned on, the brightness value E0 of the LED radiation is measured, after a time ti/2 after the current pulse is turned on, the forward voltage Um on the diode and the brightness value E1 of the radiation are measured, and after a time ti after the current pulse is turned on, the brightness value E2 of the LED radiation and thermal resistance transition-LED housing is determined by the formula
Figure 00000027
,
where
Figure 00000028
is the heating power dissipated by the LED,
Figure 00000029
ξ is the average value of the quantum efficiency and the average temperature decay coefficient of the radiation intensity of this type of LEDs at a given current, respectively b1=ln(E1/E0); b2=ln(E2/E0).
EFFECT: LEDs thermal characteristics controlling technique improvement.
1 cl, 1 dwg

Description

Изобретение относится к технике контроля тепловых характеристик светодиодов и может быть использовано для контроля качества монтажа кристаллов светодиодов на монтажную пластину, в том числе светодиодов в составе светодиодных матриц и модулей.SUBSTANCE: invention relates to the technique of controlling the thermal characteristics of LEDs and can be used to control the quality of mounting LED crystals on a mounting plate, including LEDs as part of LED arrays and modules.

Известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов (см. ОСТ 11 0944-96. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Методы расчета, измерения и контроля теплового сопротивления. - М.: ГУП НПП Пульсар, 1997. - 110 с.), заключающийся в подаче на контролируемый диод импульса греющей мощности Р заданной длительности, в измерении приращения температуры перехода ΔTn, по изменение температурочувствительного параметра (ТЧП), например, прямого напряжения диода при пропускании через него малого измерительного тока и расчете тепловое сопротивления по формулеA known method for measuring the thermal resistance of the junction-case of semiconductor diodes (see OST 11 0944-96. Integrated circuits and semiconductor devices. Methods for calculating, measuring and controlling thermal resistance. - M.: GUP NPP Pulsar, 1997. - 110 C.), which consists in applying a heating power pulse P of a given duration to the controlled diode, measuring the junction temperature increment ΔT n , by changing the temperature-sensitive parameter (TCP), for example, the forward voltage of the diode when a small measuring current is passed through it and calculating the thermal resistance according to the formula

Figure 00000001
Figure 00000001

Недостатком способа является большая относительная погрешность (до 25%) измерения, обусловленная большой неопределенностью задания длительности импульсов греющей мощности (от 3 до 5 тепловых постоянных времени «переход-корпус») и влиянием на результат измерения напряжения UТЧП(t) после окончания импульса греющей мощности переходных тепловых и электрических процессов, обусловленных рассасыванием неосновных носителей заряда после переключения диода из режима нагрева в режим измерения ТЧП (Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов - М: Сов. радио, 1980. С. 51). Известный способ не позволяет измерять тепловые сопротивления полупроводниковых диодов в составе диодных матриц и модулей.The disadvantage of this method is a large relative error (up to 25%) of the measurement, due to the large uncertainty in setting the duration of the heating power pulses (from 3 to 5 thermal time constants "transition-case") and the effect on the measurement result of the voltage U TCHP (t) after the end of the heating pulse the power of transient thermal and electrical processes caused by the resorption of minority charge carriers after switching the diode from the heating mode to the FST measurement mode (Vikulin I.M., Stafeev V.I. Physics of semiconductor devices - M: Sov. radio, 1980. P. 51) . The known method does not allow to measure the thermal resistance of semiconductor diodes in the diode arrays and modules.

Из существующего уровня техники известны дистанционные способы измерения переходной тепловой характеристики и определения тепловых параметров светодиода по сдвигу спектра излучения, регистрируемого многоэлементными фотоприемниками (ФП): фотоприемной КМОП-линейкой (по патенту РФ на изобретение №2523731) или фотоприемной КМОП-матрицей (по патенту РФ на изобретение №2608115). Недостатками указанных способов является необходимость спектрального разложения излучения светодиода с помощью диспергирующего устройства, регистрации сдвига спектра на нескольких длинах волн излучения и, как следствие, большая трудоемкость настройки и калибровки аппаратуры и сложная обработка измерительной информации. Кроме того, поскольку интенсивность излучения светодиода сильно зависит от температуры, для измерения сдвига спектра необходимо нормировать спектр, то есть делить все значения на максимальное значение. В результате, указанными известными способами практически невозможно измерить ПТХ светодиода в полевых условиях и в условиях массового контроля, в том числе в составе светодиодной матрицы или модуля.From the existing level of technology, remote methods are known for measuring the transient thermal characteristic and determining the thermal parameters of an LED by shifting the emission spectrum recorded by multi-element photodetectors (PDs): a CMOS photodetector array (according to the RF patent for invention No. 2523731) or a CMOS photodetector array (according to the RF patent for invention No. 2608115). The disadvantages of these methods are the need for spectral decomposition of the LED radiation using a dispersive device, registration of the spectrum shift at several radiation wavelengths and, as a result, the high complexity of setting and calibrating the equipment and the complex processing of measurement information. In addition, since the emission intensity of an LED strongly depends on temperature, in order to measure the shift of the spectrum, it is necessary to normalize the spectrum, that is, divide all values by the maximum value. As a result, it is practically impossible to measure the FTC of an LED in the field and under mass control conditions, including as part of an LED matrix or module, using the above known methods.

Известен способ (см. патент РФ на изобретение №2390738) измерения средней длины волны узкополосного излучения (по изменению которой, применительно к излучению светодиода, можно определить изменение температуры его активной области и рассчитать его тепловое сопротивление) без использования диспергирующего устройства с помощью двух ФП с различающимися функциями спектральной чувствительности. Способ основан на использовании линейной зависимости длины волны λmax в максимуме спектра излучения светодиодов от температуры Tn активной области (р-n-перехода):There is a known method (see RF patent for invention No. 2390738) for measuring the average wavelength of narrow-band radiation (by changing which, in relation to the radiation of an LED, one can determine the change in the temperature of its active region and calculate its thermal resistance) without using a dispersive device using two FPs with different spectral sensitivity functions. The method is based on the use of a linear dependence of the wavelength λ max at the maximum of the emission spectrum of LEDs on the temperature T n of the active region (pn junction):

Figure 00000002
Figure 00000002

где Kλ - температурный коэффициент длины волны в максимуме спектра излучения светодиода, T0 - температура перехода до саморазогрева.where K λ is the temperature coefficient of the wavelength at the maximum of the emission spectrum of the LED, T 0 is the transition temperature before self-heating.

Указанным способом легко реализуется дистанционное измерение тепловых параметров светодиода (см., например, Ульянов А.В. Повышение точности двухканальных фотоэлектрических преобразователей для измерения параметров спектра оптических сигналов / А.В. Ульянов. - дисс. … канд. техн. наук. - Ульяновск: УлГТУ, 2016) путем измерения длины волны в максимуме спектра излучения светодиода в процессе его саморазогрева греющим током известного значения в заданные моменты времени.In this way, remote measurement of the thermal parameters of the LED is easily implemented (see, for example, Ulyanov A.V. Improving the accuracy of two-channel photoelectric converters for measuring the parameters of the spectrum of optical signals / A.V. Ulyanov. - Diss. ... Candidate of Technical Sciences. - Ulyanovsk : UlGTU, 2016) by measuring the wavelength at the maximum of the emission spectrum of the LED during its self-heating with a heating current of a known value at specified times.

Недостатками этого способа, является необходимость точного деления светового потока светодиода между ФП в процессе измерения, что достаточно сложно реализовать на практике, а также довольно сложные многоэтапные преобразования полезных сигналов ФП, что также приводит к большим аппаратным затратам и увеличению погрешности измерения.The disadvantages of this method are the need to accurately divide the LED luminous flux between the FP during the measurement process, which is quite difficult to implement in practice, as well as rather complex multi-stage conversions of useful FP signals, which also leads to high hardware costs and an increase in measurement error.

Известен способ, принятый за прототип, дистанционного измерения температуры среды или объекта по патенту №2589525 РФ по изменению яркости полупроводникового лазерного диода, который является датчиком температуры. Способ состоит в измерении калибровочной зависимости яркости Е(Т) лазерного диода от температуры при фиксированном токе с помощью люксметра, приемное устройство которого установлено на фиксированном расстоянии

Figure 00000003
от диода, в размещении лазерного диода в контролируемой среде или на контролируемом объекте, в пропускании через лазерный диод фиксированного прямого тока, регистрации яркости излучения лазерного диода Е(Т) с помощью люксметра, приемное устройство которого установлено на том же фиксированном расстоянии
Figure 00000003
от лазерного диода и определении искомой температуру среды или объекта Тх по калибровочной зависимости. По существу данным способом измеряется температура активной области лазерного диода.A known method, taken as a prototype, remote measurement of the temperature of an environment or an object according to patent No. 2589525 of the Russian Federation to change the brightness of a semiconductor laser diode, which is a temperature sensor. The method consists in measuring the calibration dependence of the brightness E(T) of the laser diode on temperature at a fixed current using a light meter, the receiving device of which is installed at a fixed distance
Figure 00000003
from the diode, in placing the laser diode in a controlled environment or on a controlled object, in passing a fixed forward current through the laser diode, recording the brightness of the laser diode radiation E(T) using a light meter, the receiving device of which is installed at the same fixed distance
Figure 00000003
from the laser diode and determining the desired temperature of the medium or object T x according to the calibration dependence. Essentially, this method measures the temperature of the active region of the laser diode.

Недостатком способа является сложность юстировки приемного устройства люксметра при калибровке и измерении, поскольку показания люксметра зависят не только от расстояния от фотоприемника до светодиода но и от угла между плоскостью фотоприемника и направлением светового потока, что затрудняет применение способа для измерения тепловых параметров светодиодов в составе светодиодных матриц и модулей.The disadvantage of this method is the complexity of adjusting the receiving device of the light meter during calibration and measurement, since the readings of the light meter depend not only on the distance from the photodetector to the LED, but also on the angle between the plane of the photodetector and the direction of the light flux, which makes it difficult to use the method for measuring the thermal parameters of LEDs in LED arrays and modules.

Техническая задача состоит в снижении аппаратных затрат и упрощении процесса дистанционного измерения тепловых параметров светодиода.The technical problem is to reduce hardware costs and simplify the process of remote measurement of the thermal parameters of the LED.

Техническая задача решается заявленным способом измерения.The technical problem is solved by the claimed measurement method.

Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус светодиода, состоящий в пропускании через светодиод импульса греющего тока заданной силы Im и длительности tи, примерно равной тепловой постоянной времени τтп-к переход- корпус светодиода и в измерении яркости излучения светодиода люксметром, отличающийся тем, что сразу после включения импульса тока измеряют значение яркости Е0 излучения светодиода, через время tи/2 после включения импульса тока измеряют прямое напряжение Um на диоде и значение яркости Е1 излучения, а через время tи после включения импульса тока - значение яркости Е2 излучения светодиода, и тепловое сопротивление переход-корпус светодиода определяют по формулеA method for measuring the thermal resistance of the junction-LED housing, which consists in passing a heating current pulse of a given strength I m and duration t and approximately equal to the thermal time constant τ tp-to the junction-LED housing through the LED and measuring the brightness of the LED radiation with a luxmeter, characterized in that that immediately after the current pulse is turned on, the brightness value E 0 of the LED radiation is measured, after the time t and /2 after the current pulse is turned on, the forward voltage U m on the diode and the brightness value E 1 of the radiation are measured, and after the time t and after the current pulse is turned on, the brightness value E 2 LED radiation, and the thermal resistance of the LED junction-case is determined by the formula

Figure 00000004
Figure 00000004

где

Figure 00000005
- греющая мощность рассеиваемая светодиодом,
Figure 00000006
ξ - среднее значение квантовой эффективности и средний коэффициент температурного спада интенсивности излучения данного типа светодиодов при заданном токе, соответственно, b1=ln(E1/E0); b2=ln(E2/E0).where
Figure 00000005
- heating power dissipated by the LED,
Figure 00000006
ξ - the average value of the quantum efficiency and the average coefficient of temperature decay of the radiation intensity of this type of LEDs at a given current, respectively, b 1 =ln(E 1 /E 0 ); b 2 =ln(E 2 /E 0 ).

Суть изобретения состоит в том, что мощность излучения светодиода зависит от тока и температуры. При заданном токе и небольшом (ΔTn<60 K) нагреве активной области светодиода температурный спад интенсивности излучения можно описать приближенной формулой (см. например Сергеев В.А. Анализ тепловых режимов мощных светодиодов в составе светодиодных излучателей // Известия вузов. Электроника. - 2013. - №1. - С. 85-87):The essence of the invention lies in the fact that the radiation power of the LED depends on the current and temperature. At a given current and a small (ΔT n <60 K) heating of the active region of the LED, the temperature drop in the radiation intensity can be described by an approximate formula (see, for example, Sergeev V.A. Analysis of the thermal regimes of high-power LEDs as part of LED emitters // Izvestiya vuzov. Elektronika. - 2013. - No. 1. - S. 85-87):

Figure 00000007
Figure 00000007

где ΔTn - приращение температуры активной области светодиода при разогреве по отношению к начальной температуре окружающей среды, ξ - температурный коэффициент яркости, E0(I,T0) - яркость излучения при заданном токе и температуре окружающей среды Т0.where ΔT n is the temperature increment of the active region of the LED during heating with respect to the initial ambient temperature, ξ is the temperature coefficient of brightness, E 0 (I,T 0 ) is the radiation brightness at a given current and ambient temperature T 0 .

Яркость излучения светодиода при его разогреве импульсом прямого тока в заданные моменты времени будет определяться силой тока и температурой активной области светодиода. В приближении двухзвенной тепловой эквивалентной схемы светодиода изменение температуры ΔTni(t) активной области (перехода) светодиода после подачи в момент времени t=0 импульса прямого тока будет описываться (см., например, Сергеев В.А., Ходаков A.M. Нелинейные тепловые модели полупроводниковых приборов. - Ульяновск: УлГТУ, 2012. - 156 с.) следующим выражением:The brightness of the LED radiation when it is heated by a direct current pulse at given times will be determined by the current strength and the temperature of the active region of the LED. In the approximation of a two-link thermal equivalent circuit of an LED, the change in temperature ΔT ni (t) of the active region (transition) of the LED after a direct current pulse is applied at time t=0 will be described (see, for example, Sergeev V.A., Khodakov AM Nonlinear thermal models semiconductor devices. - Ulyanovsk: UlGTU, 2012. - 156 p.) by the following expression:

Figure 00000008
Figure 00000008

где Ргр - греющая мощность рассеиваемая светодиодомwhere Р gr - heating power dissipated by the LED

При выполнении условия τтп-к~tи<<τтк-с за время действия импульса тока изменением температуры корпуса можно пренебречь, и изменение температуры перехода светодиода в заданные моменты времени: t=0; tи/2 и tи будут определяться выражениямиIf the conditions τ tp-k ~t and <<τ tk-s are met during the action of the current pulse, the case temperature change can be neglected, and the change in the LED junction temperature at given times: t=0; t and /2 and t and will be determined by the expressions

Figure 00000009
Figure 00000009

Figure 00000010
Figure 00000010

Figure 00000011
Figure 00000011

где введено обозначение

Figure 00000012
where the notation
Figure 00000012

Соответственно для яркости излучения светодиода в заданные моменты времени можно записатьAccordingly, for the brightness of the LED radiation at given times, we can write

Figure 00000013
Figure 00000013

Figure 00000014
Figure 00000014

Figure 00000015
Figure 00000015

Разделив (7б) и (7в) на (7а), получим два соотношения:Dividing (7b) and (7c) by (7a), we obtain two relations:

Figure 00000016
Figure 00000016

Figure 00000017
Figure 00000017

из которых легко выражается величина а:from which the quantity a can be easily expressed:

Figure 00000018
Figure 00000018

Подставляя (7) в (6а) получим искомое выражение для теплового сопротивления переход-корпусSubstituting (7) into (6a) we obtain the desired expression for the thermal resistance of the junction-housing

Figure 00000019
Figure 00000019

На фиг. 1 приведена структурная схема устройства, реализующего способ. Устройство содержит контролируемый светодиод 1, источник постоянного тока 2, устройство управления 3, цифровой вольтметр (или АЦП) 4, быстродействующий люксметр (или фотоприемную камеру) 5, вычислитель 6 и индикатор 7.In FIG. 1 shows a block diagram of a device that implements the method. The device contains a controlled LED 1, a constant current source 2, a control device 3, a digital voltmeter (or ADC) 4, a high-speed light meter (or photodetector) 5, a calculator 6 and an indicator 7.

Устройство работает следующим образом. В момент времени t=0 по команде «Пуск» устройство управления 3 включает источник тока 2 и через светодиод 1 начинает протекать импульс тока заданной силы Im. В этот же момент времени включается люксметр 5, который регистрирует значение Е0 до разогрева светодиода и передает это значение в вычислитель 6. В процессе саморазогрева протекающим током температура активной области светодиода будет возрастать, а яркость излучения соответственно спадать. В момент времени tи/2 по команде устройства управления люксметр 5 измеряет значение яркости Е1, а вольтметр 4 - значение напряжения Um на светодиоде 1, которые также пересылаются в вычислитель 6, а в момент времени tи люксметр 5 регистрирует и передает в вычислитель 6 значение яркости Е2. После передачи этого показания люксметра в вычислитель источник тока 2 выключается, вычислитель 6 вычисляет значение теплового сопротивления по формуле (3) и отображает результат на индикаторе 7.The device works as follows. At the time t=0 command "Start" control device 3 turns on the current source 2 and through the LED 1 begins to flow a current pulse of a given strength I m . At the same time, the luxmeter 5 turns on, which registers the value of E 0 before the LED warms up and transmits this value to the calculator 6. In the process of self-heating by the flowing current, the temperature of the active region of the LED will increase, and the brightness of the radiation will decrease accordingly. At the time t and /2, at the command of the control device, the luxmeter 5 measures the brightness value E 1 , and the voltmeter 4 measures the voltage value U m on the LED 1, which are also sent to the calculator 6, and at the time t and the luxmeter 5 registers and transmits to calculator 6 brightness value E 2 . After transferring this luxmeter reading to the calculator, current source 2 is turned off, calculator 6 calculates the thermal resistance value using formula (3) and displays the result on indicator 7.

Технический результат достигается за счет того, что в предлагаемом способе измерение производится в едином измерительном цикле, кроме устройств, задающих режим работы светодиода, для реализации способа используется одно регистрирующее устройство - люксметр; регистрация яркости излучения светодиода производится дистанционно, при этом не требуется установка приемного устройства люксметра на фиксированном расстоянии от светодиода, что позволяет применять способ для измерения тепловых параметров светодиодов в составе светодиодных матриц и модулей, в том числе в полевых условиях.The technical result is achieved due to the fact that in the proposed method the measurement is carried out in a single measuring cycle, in addition to devices that set the operating mode of the LED, one recording device is used to implement the method - a light meter; registration of the brightness of the LED radiation is performed remotely, it does not require the installation of a light meter receiver at a fixed distance from the LED, which allows the method to be used to measure the thermal parameters of LEDs as part of LED matrices and modules, including in the field.

Заметим также, что при реализации данного способа не требуется выполнения точного равенства τтп-к=tи, достаточно лишь приближенного соотношения tи~τтп-к. Примерное значение тепловой постоянно времени переход-корпус светодиода можно взять из справочных данных, можно оценить аналитически при известных размерах и материалах элементов конструкции светодиода либо определить экспериментально по характеру изменения температуры на небольшой выборки светодиодов данного типа.Note also that when implementing this method, it is not required to fulfill the exact equality τ tp-k =t and , only an approximate ratio of t and ~τ tp-k is sufficient. The approximate value of the thermal time constant transition-body of the LED can be taken from the reference data, can be estimated analytically with known dimensions and materials of the LED structural elements, or determined experimentally by the nature of the temperature change on a small sample of LEDs of this type.

Для конкретного типа светодиодов квантовая эффективность и температурный коэффициент яркости излучения, как правило, известны и имеют незначительный разброс от образца к образцу и в условиях массового контроля можно использовать их среднее значение.For a specific type of LEDs, the quantum efficiency and temperature coefficient of radiation brightness are usually known and have a slight spread from sample to sample, and under mass control conditions, their average value can be used.

Claims (3)

Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус светодиода, состоящий в пропускании через светодиод импульса греющего тока заданной силы Im и длительности tи, примерно равной тепловой постоянной времени τтп-к переход-корпус светодиода, и в измерении яркости излучения светодиода люксметром, отличающийся тем, что сразу после включения импульса тока измеряют значение яркости Е0 излучения светодиода, через время tи/2 после включения импульса тока измеряют прямое напряжение Um на диоде и значение яркости Е1 излучения, а через время tи после включения импульса тока - значение яркости Е2 излучения светодиода и тепловое сопротивление переход-корпус светодиода определяют по формулеA method for measuring the thermal resistance of the junction-LED housing, which consists in passing a heating current pulse of a given strength I m and duration t and approximately equal to the thermal time constant τ tp-to the junction-LED housing through the LED, and in measuring the brightness of the LED radiation with a luxmeter, characterized in that that immediately after the current pulse is turned on, the brightness value E 0 of the LED radiation is measured, after the time t and /2 after the current pulse is turned on, the direct voltage U m on the diode and the brightness value E 1 of the radiation are measured, and after the time t and after the current pulse is turned on, the value brightness E 2 of the LED radiation and the thermal resistance of the junction-case of the LED is determined by the formula
Figure 00000020
Figure 00000020
 где
Figure 00000021
- греющая мощность, рассеиваемая светодиодом,
Figure 00000022
ξ - среднее значение квантовой эффективности и средний коэффициент температурного спада интенсивности излучения данного типа светодиодов при заданном токе соответственно b1=ln(E1/E0); b2=ln(Е2/Е0).where
Figure 00000021
- heating power dissipated by the LED,
Figure 00000022
ξ - the average value of the quantum efficiency and the average coefficient of temperature decay of the radiation intensity of this type of LEDs at a given current, respectively b 1 =ln(E 1 /E 0 ); b 2 =ln(E 2 /E 0 ).
RU2021123790A 2021-08-06 Method for measuring the thermal resistance of the junction-to-body led RU2772930C1 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2772930C1 true RU2772930C1 (en) 2022-05-27

Family

ID=

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3253221A (en) * 1962-02-07 1966-05-24 Rca Corp Method of measuring the thermal resistance of a semiconductor device by providing a stabilized temperature difference between the case and a pn junction therein and thereafter obtaining measurements of a temperature sensitive parameter
CN103076551A (en) * 2013-01-01 2013-05-01 北京工业大学 Thermal resistance composition test device and method for LED (light emitting diode) lamp
RU2556315C2 (en) * 2013-01-15 2015-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Уникальные системы и технологии" Method to measure thermal impedance of light diodes
RU2617148C1 (en) * 2016-02-01 2017-04-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН) Led testing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3253221A (en) * 1962-02-07 1966-05-24 Rca Corp Method of measuring the thermal resistance of a semiconductor device by providing a stabilized temperature difference between the case and a pn junction therein and thereafter obtaining measurements of a temperature sensitive parameter
CN103076551A (en) * 2013-01-01 2013-05-01 北京工业大学 Thermal resistance composition test device and method for LED (light emitting diode) lamp
RU2556315C2 (en) * 2013-01-15 2015-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Уникальные системы и технологии" Method to measure thermal impedance of light diodes
RU2617148C1 (en) * 2016-02-01 2017-04-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН) Led testing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7339173B2 (en) Method for stabilizing the temperature dependency of light emission of an LED
US8075182B2 (en) Apparatus and method for measuring characteristic and chip temperature of LED
US20240061091A1 (en) Method for measuring reflectivity of target object by using lidar, and lidar
CN102116829A (en) Method and device for measuring thermal resistance of diode
CN101354287A (en) Spectrometer and method for correcting the same
CN103234656B (en) Measuring method for junction temperature of LED (light emitting diode)
CN107024648A (en) LED junction temperature measurement device and method based on impulse method
KR101209082B1 (en) Real time aging test equipment for LED device
RU2772930C1 (en) Method for measuring the thermal resistance of the junction-to-body led
Bonanno et al. Characterization measurements methodology and instrumental set-up optimization for new SiPM detectors—Part I: Electrical tests
Saucke et al. Stabilizing scintillation detector systems with pulsed LEDs: A method to derive the LED temperature from pulse height spectra
US11519782B2 (en) Offset nulling for optical power meters
RU2609815C2 (en) Method of light-emitting diode transient thermal characteristics measuring
Susinni et al. A non-invasive SiC MOSFET Junction temperature estimation method based on the transient light Emission from the intrinsic body diode
Chong et al. Novel optical scanner using photodiodes array for two-dimensional measurement of light flux distribution
Borras et al. Laser diodes optical output power model
RU2624406C1 (en) Method of measuring the thermal impedance of leds
Iero et al. A technique for the direct measurement of the junction temperature in power light emitting diodes
RU2445587C1 (en) Method of calibrating pulsed pyrometer
Ghioni et al. Monolithic dual-detector for photon-correlation spectroscopy with wide dynamic range and optical 70-ps resolution
RU2610073C2 (en) Photometer
Heidemann et al. Optical test setup for Silicon Photomultipliers
Cattaneo et al. Characterization of Hamamatsu 14160 series of Silicon Photo-Multipliers
Porwal Development of vacuum compatible, multi-mode operation light source
RU2654353C1 (en) Method of measuring component of thermal resistance of powerful semiconductor instruments