RU2758817C1 - Weak magnetic field sensor on thin magnetic films - Google Patents
Weak magnetic field sensor on thin magnetic films Download PDFInfo
- Publication number
- RU2758817C1 RU2758817C1 RU2021111990A RU2021111990A RU2758817C1 RU 2758817 C1 RU2758817 C1 RU 2758817C1 RU 2021111990 A RU2021111990 A RU 2021111990A RU 2021111990 A RU2021111990 A RU 2021111990A RU 2758817 C1 RU2758817 C1 RU 2758817C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetic
- microcontroller
- frequency synthesizer
- thin
- thin magnetic
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/24—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
Abstract
Description
Изобретение относится к измерительной технике, а более конкретно – предназначено для измерения слабых магнитных полей и может использоваться в магнитометрии.The invention relates to measuring technology, and more specifically, is intended for measuring weak magnetic fields and can be used in magnetometry.
Известен тонкопленочный магнитометр слабых магнитных полей [Патент РФ №2712926, МПК G01R33/05, опубл. 03.02.2020, Бюл. №4], содержащий тонкую магнитную пленку, размещенную в микрополосковом резонаторе, СВЧ-генератор, низкочастотный генератор, амплитудный детектор и синхронный детектор. Тонкая магнитная пленка, размещенная в микрополосковом резонаторе, размещается внутри двух пар ортогональных колец Гельмгольца, причем первые кольца формируют промодулированное поле смещение пленки, а вторые используются для формирования компенсационного поля. Сигнал с микрополоскового резонатора детектируется сначала амплитудным детектором, а затем синхронным детектором. Выходной сигнал синхронного детектора содержит информацию о величине измеряемого магнитного поля.Known thin-film magnetometer of weak magnetic fields [RF Patent No. 2712926, IPC G01R33 / 05, publ. 02/03/2020, Bul. No. 4], containing a thin magnetic film placed in a microstrip resonator, a microwave generator, a low-frequency generator, an amplitude detector and a synchronous detector. A thin magnetic film placed in a microstrip resonator is placed inside two pairs of orthogonal Helmholtz rings, and the first rings form a modulated film displacement field, and the second are used to form a compensation field. The signal from the microstrip resonator is detected first by an amplitude detector and then by a synchronous detector. The output signal of the synchronous detector contains information about the magnitude of the measured magnetic field.
Наиболее близким аналогом по совокупности существенных признаков является датчик слабых высокочастотных магнитных полей [Патент РФ №2536083, G01R33/05, G01R33/24, опубл. 20.12.2014, Бюл. №35 (прототип)], содержащий диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесены полосковые проводники двух микрополосковых резонаторов, а на нижней стороне осаждена тонкая магнитная пленка, покрытая металлическим слоем, выполняющим роль экрана. Проводники резонаторов расположены под оптимальным углом друг к другу, обеспечивающим максимальный коэффициент преобразования датчика. Мощность СВЧ-генератора подается на оба СВЧ-резонатора датчика одновременно, при этом выходной сигнал датчика формируется двумя сигналами, снимаемыми одновременно с этих двух резонаторов: сигналы резонаторов суммируются, а шумы СВЧ-генератора компенсируются.The closest analogue in terms of a set of essential features is a sensor of weak high-frequency magnetic fields [RF Patent No. 2536083, G01R33 / 05, G01R33 / 24, publ. 20.12.2014, Bul. No. 35 (prototype)], containing a dielectric substrate, on the upper side of which the strip conductors of two microstrip resonators are applied, and on the lower side a thin magnetic film is deposited, covered with a metal layer acting as a screen. The resonator conductors are located at an optimal angle to each other, providing the maximum conversion factor of the sensor. The power of the microwave generator is supplied to both microwave resonators of the sensor simultaneously, while the output signal of the sensor is formed by two signals taken simultaneously from these two resonators: the signals of the resonators are summed, and the noise of the microwave generator is compensated.
Общим недостатком известной конструкции и конструкции-прототипа является дрейф нулевого значения на выходе устройства, что вызвано температурной нестабильностью параметров радиоэлементов СВЧ-генератора и СВЧ-резонаторов.A common disadvantage of the known design and prototype design is the zero drift at the device output, which is caused by the temperature instability of the parameters of the radioelements of the microwave generator and microwave resonators.
Техническим результатом заявляемого изобретения является снижение величины дрейфа нулевого значения на выходе устройства.The technical result of the claimed invention is to reduce the magnitude of the zero drift at the output of the device.
Заявляемый технический результат достигается тем, что в датчике слабых магнитных полей на тонких магнитных пленках, содержащем два микрополосковых резонатора, внутри которых находятся тонкие магнитные пленки, амплитудные детекторы, схему суммирования полезных сигналов и компенсации шумов СВЧ-генератора, магнитную систему, предназначенную для формирования постоянного магнитного поля смещения, новым является то, что устройство включает микроконтроллер, опорный генератор, синтезатор частот, усилители мощности, причем к аналоговым входам микроконтроллера подключены сигналы с двух амплитудных детекторов, а цифровые выходы подключены к синтезатору частот, к входу которого также подключен опорный генератор, а к выходу – усилители мощности, нагруженные на микрополосковые резонаторы.The claimed technical result is achieved by the fact that in the sensor of weak magnetic fields on thin magnetic films, containing two microstrip resonators, inside which there are thin magnetic films, amplitude detectors, a circuit for summing useful signals and compensating for noise of a microwave generator, a magnetic system designed to form a constant magnetic displacement field, the novelty is that the device includes a microcontroller, a reference oscillator, a frequency synthesizer, power amplifiers, and signals from two amplitude detectors are connected to the analog inputs of the microcontroller, and the digital outputs are connected to a frequency synthesizer, to the input of which a reference oscillator is also connected, and to the output - power amplifiers loaded on microstrip resonators.
Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что заявляемое устройство отличается наличием синтезатора частот, вход которого подключен к стабильному генератору опорной частоты.Comparative analysis with the prototype shows that the claimed device is distinguished by the presence of a frequency synthesizer, the input of which is connected to a stable reference frequency generator.
Существенным отличием является то, что синтезатор частот управляется по цифровому интерфейсу от микроконтроллера. Это позволяет хранить в памяти микроконтроллера настройки синтезатора частот и загружать их в синтезатор по необходимости.The essential difference is that the frequency synthesizer is controlled via a digital interface from the microcontroller. This allows you to store the frequency synthesizer settings in the microcontroller's memory and load them into the synthesizer as needed.
Другим существенным отличием является то, что сигналы с двух амплитудных детекторов дополнительно подключены к аналоговым входам микроконтроллера, что дает возможность автоматической настройки устройства и калибровки в процессе эксплуатации.Another significant difference is that the signals from the two amplitude detectors are additionally connected to the analog inputs of the microcontroller, which makes it possible to automatically configure the device and calibrate it during operation.
Таким образом, перечисленные выше отличительные от прототипа признаки позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна».Thus, the above-listed features distinguishing from the prototype make it possible to conclude that the proposed technical solution meets the "novelty" criterion.
Признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлены в других технических решениях и, следовательно, обеспечивают заявляемому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».The features that distinguish the claimed technical solution from the prototype are not identified in other technical solutions and, therefore, ensure compliance with the "inventive step" criterion for the claimed solution.
Сущность изобретения поясняется чертежами: на фиг. 1 показана функциональная схема датчика слабых магнитных полей на тонких магнитных пленках; на фиг. 2 показана конструкция устройства со снятой верхней крышкой; на фиг. 3 показана конструкция датчика с разнесенными составными частями.The essence of the invention is illustrated by drawings: FIG. 1 shows a functional diagram of a sensor for weak magnetic fields on thin magnetic films; in fig. 2 shows the structure of the device with the top cover removed; in fig. 3 shows the design of the sensor with spaced apart components.
Датчик слабых магнитных полей на тонких магнитных пленках содержит (фиг. 1) микроконтроллер (1), к цифровым входам которого подключены элементы управления (2), а к цифровым выходам которого подключен синтезатор частот (3). К входу синтезатора частот (3) подключен стабильный опорный генератор (4), а радиочастотный выход синтезатора частот (3) нагружен на два усилителя мощности (5), которые через емкости связи (6) нагружены на чувствительные элементы – микрополосковые резонаторы (7), включающие резонансные конденсаторы (8), полосковые индуктивности (9), внутри которых размещены тонкие магнитные пленки пермаллоя (10). К микрополосковым резонаторам (7) подключены входы амплитудных детекторов (11а, б), а их выходы подключены параллельно к двум входам сумматора (12) и к двум входам аналого-цифрового преобразователя микроконтроллера (1). Амплитудный детектор (11а) включен в прямом включении, а амплитудный детектор (11б) – в инвертирующем включении. Выход сумматора (12) подключен через сопротивление обратной связи (13) к катушке обратной связи (14) и, кроме этого, выход сумматора (12) является выходом устройства. Коэффициент усиления сумматора Kу > 103, что позволяет реализовать компенсационный режим измерений, т. е. режим, когда внешнее измеряемое поле компенсируется компенсационным полем, формируемым катушкой обратной связи (14). Постоянное магнитное поле смещения создается одной магнитной системой (15) на основе постоянных магнитов. Тонкие магнитные пленки пермаллоя (10) размещены таким образом, что их оси трудного намагничивания (ОТН) направлены под небольшим углом к высокочастотному магнитному полю H ВЧ , создаваемому полосковыми индуктивностями (9). Внешнее измеряемое поле H ИЗМ и компенсационное поле H КОМП , создаваемое катушкой обратной связи (14), направлены перпендикулярно ОТН. Создаваемое магнитной системой (15) постоянное магнитное поле смещения H СМ направлено вдоль ОТН. Радиоэлементы устройства, микрополосковые резонаторы (7) с тонкими магнитными пленками (10) размещены (фиг. 2) на печатной плате (16), закрепленной в корпусе (17). Магнитная система (15) расположена (фиг. 3) в корпусе (17) под печатной платой (16), а катушка обратной связи (14) охватывает печатную плату (16) в области размещения на ней микрополосковых резонаторов (7) с тонкими магнитными пленками (10).The sensor of weak magnetic fields on thin magnetic films contains (Fig. 1) a microcontroller (1), to the digital inputs of which control elements (2) are connected, and to the digital outputs of which a frequency synthesizer (3) is connected. A stable reference oscillator (4) is connected to the input of the frequency synthesizer (3), and the RF output of the frequency synthesizer (3) is loaded onto two power amplifiers (5), which are loaded through the coupling capacities (6) onto the sensitive elements - microstrip resonators (7), including resonant capacitors (8), strip inductors (9), inside which are placed thin magnetic films of permalloy (10). The inputs of the amplitude detectors (11 a , b ) are connected to the microstrip resonators (7), and their outputs are connected in parallel to the two inputs of the adder (12) and to the two inputs of the analog-to-digital converter of the microcontroller (1). The amplitude detector (11 a ) is included in direct connection, and the amplitude detector (11 b ) is in the inverting connection. The output of the adder (12) is connected through the feedback resistance (13) to the feedback coil (14) and, in addition, the output of the adder (12) is the output of the device. The gain of the adder K y > 10 3 , which makes it possible to implement the compensation measurement mode, i.e., the mode when the external measured field is compensated by the compensation field formed by the feedback coil (14). A constant magnetic displacement field is created by one magnetic system (15) based on permanent magnets. Thin magnetic films of permalloy (10) are placed in such a way that their axes of hard magnetization (OTN) are directed at a small angle to the high-frequency magnetic field H HF created by strip inductors (9). The external measured field H MEAS and the compensation field H of the COMP , created by the feedback coil (14), are directed perpendicular to the OTN. The constant magnetic displacement field H CM created by the magnetic system (15) is directed along the OTN. Radioelements of the device, microstrip resonators (7) with thin magnetic films (10) are placed (Fig. 2) on a printed circuit board (16) fixed in the housing (17). The magnetic system (15) is located (Fig. 3) in the housing (17) under the printed circuit board (16), and the feedback coil (14) covers the printed circuit board (16) in the area of placing on it microstrip resonators (7) with thin magnetic films (ten).
Датчик слабых магнитных полей на тонких магнитных пленках работает следующим образом. Рассмотрим режим настройки датчика слабых магнитных полей на тонких магнитных пленках. По командам от элементов управления (2) микроконтроллер (1) входит в режим настройки. В этом режиме микроконтроллер по цифровому интерфейсу устанавливает начальное значение выходной частоты синтезатора частот (3). Синтезатор частот (3) имеет дробный коэффициент деления, что позволяет формировать мелкий шаг сетки синтезируемых частот. Опорным сигналом синтезатора частот (3) является сигнал стабильного опорного генератора (4), частота которого, как правило, выбирается в диапазоне от 10 до 100 МГц. Выходной сигнал синтезатора частот (3) усиливается с помощью усилителей мощности (5), а затем поступает через емкости связи (6) на микрополосковые резонаторы (7), содержащие тонкие магнитные пленки (10). Начальное значение частоты возбуждения микрополосковых резонаторов (7) для тонких магнитных пленок (10) пермаллоя выбирается в диапазоне 400–800 МГц. При отсутствии внешнего измеряемого поля H ИЗМ на выходах амплитудных детекторов (11а, б) наблюдается постоянные значения напряжений, которые преобразуются в цифровой вид аналого-цифровым преобразователем микроконтроллера (1). В режиме настройки устройство производит плавную подстройку выходной частоты синтезатора частот (3) до достижения максимальных значений напряжений на выходах амплитудных детекторов (11а, б), после чего найденное значение резонансной частоты сохраняется в энергонезависимую память микроконтроллера (1). При необходимости, микроконтроллер (1) может изменять настройки работы синтезатора частот в зависимости от каких-либо внешних параметров, например, температуры.The sensor of weak magnetic fields on thin magnetic films works as follows. Consider the tuning mode of a sensor of weak magnetic fields on thin magnetic films. By commands from the control elements (2), the microcontroller (1) enters the setting mode. In this mode, the microcontroller sets the initial value of the output frequency of the frequency synthesizer via the digital interface (3). The frequency synthesizer (3) has a fractional division factor, which makes it possible to form a fine grid step of the synthesized frequencies. The reference signal of the frequency synthesizer (3) is the signal of the stable reference oscillator (4), the frequency of which, as a rule, is selected in the range from 10 to 100 MHz. The output signal of the frequency synthesizer (3) is amplified using power amplifiers (5), and then enters through the coupling capacities (6) to microstrip resonators (7) containing thin magnetic films (10). The initial value of the excitation frequency of microstrip resonators (7) for thin magnetic films (10) of permalloy is selected in the range of 400–800 MHz. In the absence of an external measured field H MEZ , constant voltage values are observed at the outputs of the amplitude detectors (11 a , b ), which are converted into digital form by an analog-to-digital converter of the microcontroller (1). In the tuning mode, the device smoothly adjusts the output frequency of the frequency synthesizer (3) until the maximum voltage values at the outputs of the amplitude detectors (11 a , b ) are reached, after which the found value of the resonance frequency is stored in the non-volatile memory of the microcontroller (1). If necessary, the microcontroller (1) can change the settings of the frequency synthesizer depending on any external parameters, for example, temperature.
В рабочем режиме работы датчика слабых магнитных полей на основе тонких магнитных пленок микроконтроллер (1) при запуске загружает из энергонезависимой памяти значение резонансной частоты и устанавливает его в синтезаторе частот (3). Тонкие магнитные пленки одновременно находятся под воздействием следующих полей: постоянного магнитного поля смещения H СМ , сформированного магнитной системой (15); высокочастотного переменного магнитного поля H ВЧ , сформированного полосковыми индуктивностями (9); внешнего измеряемого поля H ИЗМ ; компенсационного магнитного поля H КОМП , созданного катушкой обратной связи (14). Под воздействием постоянного магнитного поля смещения Н СМ и высокочастотного переменного магнитного поля Н ВЧ в тонких магнитных пленках (10) возбуждается ферромагнитный резонанс, причем величина поглощения электромагнитной энергии микрополосковых резонаторов (7) тонкими магнитными пленками (10) существенно зависит от величины внешнего измеряемого поля Н ИЗМ . Таким образом, изменение измеряемого поля Н ИЗМ приводит к изменению вносимых в микрополосковые резонаторы (7) потерь, что детектируется амплитудными детекторами (11а, б). Поскольку полосковые индуктивности (9) расположены под углами ±φ° к ОТН, полезный сигнал с микрополосковых резонаторов находится в противофазе, а так как амплитудный детектор (11б) включен в инвертирующем включении, на сумматоре (12) происходит сложение полезных сигналов с двух амплитудных детекторов (11а, б), вычитание постоянной составляющей и вычитание собственных шумов синтезатора частот (3). Поскольку сумматор имеет большой коэффициент усиления, обратная связь замыкается через сопротивление обратной связи (13), катушку обратной связи (14) и через магнитное поле, за счет чего реализуется компенсационный режим измерений устройства.In the operating mode of the sensor of weak magnetic fields based on thin magnetic films, the microcontroller (1) at startup loads the value of the resonance frequency from the nonvolatile memory and sets it in the frequency synthesizer (3). Thin magnetic films are simultaneously under the influence of the following fields: constant magnetic displacement field H CM , formed by the magnetic system (15); high-frequency alternating magnetic field H HF , formed by strip inductors (9); external measured field H MEAS ; compensation magnetic field H COMP , created by the feedback coil (14). Ferromagnetic resonance is excited in thin magnetic films (10) under the influence of a constant magnetic bias field H CM and a high-frequency alternating magnetic field H HF , and the magnitude of the absorption of electromagnetic energy of microstrip resonators (7) by thin magnetic films (10) significantly depends on the magnitude of the external measured field H CHANGE Thus, a change in the measured field H ISM leads to a change in the losses introduced into the microstrip resonators (7), which is detected by amplitude detectors (11 a , b ). Since the strip inductances (9) are located at angles ± φ ° to the OTN, the useful signal from the microstrip resonators is in antiphase, and since the amplitude detector (11 b ) is included in the inverting connection, the adder (12) adds useful signals from two amplitude detectors (11 a , b ), subtraction of the constant component and subtraction of the intrinsic noise of the frequency synthesizer (3). Since the adder has a large gain, the feedback is closed through the feedback resistance (13), the feedback coil (14) and through the magnetic field, due to which the compensation mode of the device measurements is realized.
Для практической проверки работоспособности заявляемого датчика слабых магнитных полей на тонких магнитных пленках был изготовлен экспериментальный макет (фиг. 2, фиг. 3). Экспериментальные исследования показали, что устройство обеспечивает меньший дрейф нулевого значения в сравнении с прототипом. Кроме этого, в устройстве реализован режим калибровки, который может быть запущен в процессе работы при существенном изменении каких-либо из внешних условий, например, температуры.For practical verification of the performance of the proposed sensor of weak magnetic fields on thin magnetic films, an experimental model was made (Fig. 2, Fig. 3). Experimental studies have shown that the device provides less zero drift compared to the prototype. In addition, the device implements a calibration mode, which can be launched during operation with a significant change in any of the external conditions, for example, temperature.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021111990A RU2758817C1 (en) | 2021-04-27 | 2021-04-27 | Weak magnetic field sensor on thin magnetic films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021111990A RU2758817C1 (en) | 2021-04-27 | 2021-04-27 | Weak magnetic field sensor on thin magnetic films |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2758817C1 true RU2758817C1 (en) | 2021-11-02 |
Family
ID=78466634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021111990A RU2758817C1 (en) | 2021-04-27 | 2021-04-27 | Weak magnetic field sensor on thin magnetic films |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2758817C1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU43654U1 (en) * | 2004-10-19 | 2005-01-27 | ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗАВОД имени Г.И. ПЕТРОВСКОГО | MAGNETIC FIELD SENSOR |
| RU2536083C1 (en) * | 2013-07-16 | 2014-12-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | Sensor of weak high-frequency magnetic fields |
| RU2682076C1 (en) * | 2018-04-28 | 2019-03-14 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Sensor of weak magnetic fields |
| US20200116811A1 (en) * | 2018-10-16 | 2020-04-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for Measuring Saturation magnetization of Magnetic Films and Multilayer Stacks |
-
2021
- 2021-04-27 RU RU2021111990A patent/RU2758817C1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU43654U1 (en) * | 2004-10-19 | 2005-01-27 | ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗАВОД имени Г.И. ПЕТРОВСКОГО | MAGNETIC FIELD SENSOR |
| RU2536083C1 (en) * | 2013-07-16 | 2014-12-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | Sensor of weak high-frequency magnetic fields |
| RU2682076C1 (en) * | 2018-04-28 | 2019-03-14 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" | Sensor of weak magnetic fields |
| US20200116811A1 (en) * | 2018-10-16 | 2020-04-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for Measuring Saturation magnetization of Magnetic Films and Multilayer Stacks |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Johnson et al. | Active stabilization of ion trap radiofrequency potentials | |
| Bernard et al. | A detector of small harmonic displacements based on two coupled microwave cavities | |
| RU163174U1 (en) | SMALL HIGH FREQUENCY MAGNETOMETER | |
| Xing et al. | Modeling and detection of quasi-static nanotesla magnetic field variations using magnetoelectric laminate sensors | |
| Rubiola et al. | Flicker noise measurement of HF quartz resonators | |
| RU2682076C1 (en) | Sensor of weak magnetic fields | |
| Babitskii et al. | A magnetometer of weak quasi-stationary and high-frequency fields on resonator microstrip transducers with thin magnetic fields | |
| Ivanov et al. | Advanced phase noise suppression technique for next generation of ultra low-noise microwave oscillators | |
| RU2758817C1 (en) | Weak magnetic field sensor on thin magnetic films | |
| RU2536083C1 (en) | Sensor of weak high-frequency magnetic fields | |
| Babitskii et al. | Low noise wideband thin-film magnetometer | |
| Chzhan et al. | A tunable reentrant resonator with transverse orientation of electric field forin vivoEPR spectroscopy | |
| Gravel et al. | On the conception and analysis of a 12-GHz push-push phase-locked DRO | |
| Zhang et al. | An ultrasensitive 14-GHz 1.12-mW EPR spectrometer in 28-nm CMOS | |
| RU2712926C1 (en) | Thin-film magnetic field of weak magnetic fields | |
| Yamaguchi et al. | Development of multilayer planar flux sensing coil and its application to 1 MHz–3.5 GHz thin film permeance meter | |
| Náfrádi et al. | Microwave frequency modulation in continuous-wave far-infrared ESR utilizing a quasi-optical reflection bridge | |
| US5451874A (en) | Method and system for providing heterodyne pumping of magnetic resonance | |
| Walczak et al. | L-band electron paramagnetic resonance spectrometer for use in vivo and in studies of aqueous biological samples | |
| Levy et al. | Bell–Bloom magnetometer linearization by intensity modulation cancellation | |
| RU2687557C1 (en) | Thin-film gradiometer | |
| Hoult et al. | A ‘Hi-Fi’Cartesian feedback spectrometer for precise quantitation and superior performance | |
| RU2743321C1 (en) | Magnetometer on thin magnetic film | |
| Zverev et al. | Multipurpose portable q-band bridge | |
| US20120306583A1 (en) | Apparatus and method for oscillator resonator power control |