RU2750315C1 - Method for deep cleaning surface of silicon wafers - Google Patents
Method for deep cleaning surface of silicon wafers Download PDFInfo
- Publication number
- RU2750315C1 RU2750315C1 RU2020136144A RU2020136144A RU2750315C1 RU 2750315 C1 RU2750315 C1 RU 2750315C1 RU 2020136144 A RU2020136144 A RU 2020136144A RU 2020136144 A RU2020136144 A RU 2020136144A RU 2750315 C1 RU2750315 C1 RU 2750315C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solution
- silicon
- deionized water
- wafer
- rinsing
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title abstract description 28
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical class F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 241000089750 Gotra Species 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Substances OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых чувствительных элементов микромеханических датчиков, таких как акселерометры, датчики угловой скорости, давления и пр.The invention relates to the field of instrumentation and can be used in the manufacture of silicon sensitive elements of micromechanical sensors, such as accelerometers, angular velocity sensors, pressure, etc.
Очистка кремниевых пластин в технологии изготовления микромеханических датчиков является одной из самых важных технологических операций, напрямую влияющих на работоспособность изготавливаемых приборов. Современные датчики используются в особо важных, критичных приложениях, таких как системы управления объектами, где недопустимы отказы используемого оборудования. В этой связи поиск оптимальных вариантов технологий химической очистки кремниевых пластин является актуальной задачей.Cleaning of silicon wafers in the technology of manufacturing micromechanical sensors is one of the most important technological operations that directly affect the performance of the manufactured devices. Modern sensors are used in mission-critical applications such as asset management systems, where equipment failures are unacceptable. In this regard, the search for optimal variants of technologies for chemical cleaning of silicon wafers is an urgent task.
Известен способ [Патент Российской Федерации №2586266 С2, H01L 31/18, H01L 21/306, опубл. 10.06.2016, бюл. №16] обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов. Способ включает травление кремния с полным удалением остатков окисла с поверхности обратной стороны кремниевой пластины, перед напылением обратной стороны, согласно способа, в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят фтористоводородная кислотами деионизованная вода, компоненты раствора выбираются в следующем соотношении: HF:H2O 1:30.The known method [Patent of the Russian Federation No. 2586266 C2, H01L 31/18, H01L 21/306, publ. 10.06.2016, bul. No. 16] surface treatment of wafers to form solar cells. The method includes etching silicon with complete removal of oxide residues from the surface of the reverse side of the silicon wafer, before sputtering the reverse side, according to the method, a solution is used as an etchant, which includes deionized water, hydrofluoric acids, the components of the solution are selected in the following ratio: HF: H 2 O 1:30.
Недостатком указанного способа является невозможность удаления металлических атомарных примесей, содержащихся в приповерхностных слоях кремния, что ведет к повышению поверхностных токов утечек, приводя к увеличению температурной погрешности измерений.The disadvantage of this method is the impossibility of removing metal atomic impurities contained in the near-surface layers of silicon, which leads to an increase in surface leakage currents, leading to an increase in the temperature measurement error.
Известен способ [Патент Российской Федерации №2419175 С2, H01L 21/306, опубл. 20.05.2011, бюл. №14] обработки подложек в жидкостном травителе. Способ включает обработку поверхности подложек травителем, в состав которого входят фтористоводородная кислота (HF), фторид аммония (NH4F) и деионизованная вода H2O, подложки подвергают обработке в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (H2O) при соотношении компонентов 1:2:5 и времени, равном 4±1 мин.The known method [Patent of the Russian Federation No. 2419175 C2, H01L 21/306, publ. 20.05.2011, bul. No. 14] processing of substrates in a liquid etchant. The method includes treating the surface of the substrates with an etchant containing hydrofluoric acid (HF), ammonium fluoride (NH 4 F) and deionized water H 2 O, the substrates are treated in an etchant consisting of hydrofluoric acid (HF), ammonium fluoride (NH 4 F) and deionized water (H 2 O) at a ratio of 1: 2: 5 and a time of 4 ± 1 min.
Недостатком указанного способа является невозможность удаления металлических атомарных примесей, содержащихся в приповерхностных слоях кремния, что ведет к повышению поверхностных токов утечек, приводя к увеличению температурной погрешности измерений.The disadvantage of this method is the impossibility of removing metal atomic impurities contained in the near-surface layers of silicon, which leads to an increase in surface leakage currents, leading to an increase in the temperature measurement error.
Известен способ [Патент Российской Федерации №2323503 С2, H01L 21/306, опубл. 27.04.2008, бюл. №12. Прототип] обработки поверхности монокристаллической пластины кремния, ориентированной по плоскости Si (100) или Si (111). Способ включает очистку указанной поверхности с последующим пассивированием атомами водорода. Очистку поверхности кремния осуществляют сначала в кипящем растворе трихлорэтилена в течение 10-20 мин - двухкратная обработка с промывкой деионизованной водой по 5-10 мин после каждой обработки, а затем в водном аммиачно-пероксидном растворе состава: 5 объемов H2O, 1 объем H2O2 30%, 1 объем NH4OH 25% при 75-82°С или в водном соляно-пероксидном растворе состава: 6 объемов H2O, 1 объем H2O2 30%, 1 объем HCl 37% при 75-82°С с последующей ступенчатой трехкратной промывкой деионизованной водой по 5-10 мин на каждой ступени, а пассивирование атомами водорода осуществляют обработкой сначала в 5-10 мас. % растворе HF, а затем водным раствором смеси NH4OH и NH4F с рН 7,6-7,7 в течение 40-60 с с последующей промывкой деионизованной водой и сушкой при нормальных условиях.The known method [Patent of the Russian Federation No. 2323503 C2, H01L 21/306, publ. 04/27/2008, bul. No. 12. Prototype] surface treatment of a single-crystal silicon wafer oriented along the Si (100) or Si (111) plane. The method includes cleaning the specified surface with subsequent passivation with hydrogen atoms. Cleaning of the silicon surface is carried out first in a boiling solution of trichlorethylene for 10-20 minutes - double treatment with rinsing with deionized water for 5-10 minutes after each treatment, and then in an aqueous ammonia-peroxide solution of the composition: 5 volumes of H 2 O, 1 volume of H 2 O 2 30%, 1 volume NH 4 OH 25% at 75-82 ° C or in an aqueous salt-peroxide solution of the composition: 6 volumes of H 2 O, 1 volume of H 2 O 2 30%, 1 volume of HCl 37% at 75 -82 ° C, followed by three-step stepwise washing with deionized water for 5-10 minutes at each step, and passivation with hydrogen atoms is carried out by treatment first in 5-10 wt. % HF solution, and then an aqueous solution of a mixture of NH 4 OH and NH 4 F with a pH of 7.6-7.7 for 40-60 s, followed by washing with deionized water and drying under normal conditions.
Недостатком указанного способа применительно к микромеханическим датчикам является увеличение температурной погрешности измерений и снижение температурного диапазона измерений за счет повышенных токов утечек, обусловленных присутствием в приповерхностных слоях кремния металлических атомарных примесей.The disadvantage of this method as applied to micromechanical sensors is an increase in the temperature measurement error and a decrease in the temperature range of measurements due to increased leakage currents due to the presence of atomic metal impurities in the near-surface layers of silicon.
Целью изобретения является снижение температурной погрешности измерений и увеличение температурного диапазона измерений микромеханических датчиков за счет снижения поверхностных токов утечек.The aim of the invention is to reduce the temperature measurement error and increase the temperature range of measurements of micromechanical sensors by reducing surface leakage currents.
Поставленная цель достигается тем, что в способе обработки поверхности монокристаллической пластины кремния, ориентированной по плоскости Si (100), включающем очистку указанной поверхности в растворе HF, в водном аммиачно-пероксидном растворе, промывку деионизованной водой и сушкой при нормальных условиях, согласно способа, перед очисткой поверхности пластины в растворе HF проводят окисление поверхности пластины кремния при температуре (950-1150)°С в течение времени не менее 90 мин, после чего поверхность пластины последовательно очищают в растворе HF, водном аммиачно-пероксидном растворе с последующей промывкой деионизованной водой и сушкой при нормальных условиях.This goal is achieved by the fact that in the method of surface treatment of a monocrystalline silicon wafer oriented along the Si (100) plane, including cleaning the specified surface in an HF solution, in an aqueous ammonia-peroxide solution, rinsing with deionized water and drying under normal conditions, according to the method, before By cleaning the surface of the plate in a solution of HF, the surface of the silicon plate is oxidized at a temperature of (950-1150) ° C for at least 90 minutes, after which the surface of the plate is sequentially cleaned in an HF solution, an aqueous ammonia-peroxide solution, followed by rinsing with deionized water and drying under normal conditions.
Окисление поверхности кремниевой пластины перед последующей очисткой имеет следующие преимущества.Oxidizing the surface of the silicon wafer before subsequent cleaning has the following advantages.
Известно, что загрязнения различной природы на поверхности кремниевых пластин, предназначенных для изготовления кремниевых кристаллов микромеханических датчиков, могут возникать как в процессе хранения пластин, так и при выполнении различных технологических операций. В общем случае, поверхностные загрязнения кремниевых пластин можно условно разделить на механические, ионные и атомарные загрязнения. Механические загрязнения, такие как микрочастицы пыли, и ионные, такие как ионы натрия Na+ на поверхности пластин, относительно легко удаляются промывкой в традиционных для микроэлектронного производства растворах [Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. - М.: Радио и связь. 1991. - 528 с.]. Атомарные загрязнения в виде атомов различных металлов, привносимые на поверхность пластин при выполнении различных технологических операций (например, из-за осаждения на поверхность пластин из водных растворов реактивов, применяемых в технологическом процессе за счет гальванического эффекта), имеют высокую проникающую способность, могут диффундировать в кремниевой подложке при последующих высокотемпературных обработках, приводя к появлению центров генерации/рекомбинации в объеме кремниевой пластины, созданию неуправляемого потенциала поверхности и дополнительных энергетических уровней в запрещенной зоне кремния, что ведет к появлению поверхностной проводимости, увеличению поверхностных токов утечек и, как следствие, повышению температурной погрешности измерений и снижению температурного диапазона измерений.It is known that contamination of various natures on the surface of silicon wafers intended for the manufacture of silicon crystals of micromechanical sensors can arise both during the storage of the wafers and during various technological operations. In general, surface contamination of silicon wafers can be roughly divided into mechanical, ionic and atomic contamination. Mechanical contamination, such as dust microparticles, and ionic, such as sodium ions Na + on the surface of the plates, are relatively easily removed by washing in solutions traditional for microelectronic production [Gotra Z.Yu. Microelectronic Device Technology: A Handbook. - M .: Radio and communication. 1991. - 528 s.]. Atomic contaminants in the form of atoms of various metals introduced to the surface of the plates during various technological operations (for example, due to the deposition on the surface of the plates from aqueous solutions of reagents used in the technological process due to the galvanic effect), have a high penetrating ability, can diffuse into silicon substrate during subsequent high-temperature treatments, leading to the appearance of generation / recombination centers in the bulk of the silicon wafer, the creation of an uncontrolled surface potential and additional energy levels in the silicon band gap, which leads to the appearance of surface conductivity, an increase in surface leakage currents and, as a consequence, an increase in measurement errors and a decrease in the temperature range of measurements.
Окисление поверхности кремниевых пластин способствует росту оксидной пленки на ее поверхности и, как следствие, переводу продиффундировавших металлических атомарных загрязнений в приповерхностные слои кремниевой пластины в пленку оксида кремния. Дальнейшая очистка в растворе HF удаляет пленку оксида кремния с металлическими примесями, непосредственно следующая за этим очистка в водном аммиачно-пероксидном растворе с последующей промывкой деионизованной водой и сушкой удаляет с поверхности кремниевых пластин металлические примеси, адсорбируемые на поверхности пластин из раствора HF, не позволяя им диффундировать вглубь пластины.Oxidation of the surface of silicon wafers promotes the growth of an oxide film on its surface and, as a consequence, the transfer of diffused metallic atomic contaminants into the near-surface layers of a silicon wafer into a silicon oxide film. Further cleaning in HF solution removes the silicon oxide film with metal impurities, immediately following cleaning in aqueous ammonia-peroxide solution followed by washing with deionized water and drying removes metal impurities adsorbed on the surface of the wafers from the HF solution from the surface of the silicon wafers, preventing them diffuse deep into the plate.
Таким образом, сама поверхность и приповерхностные слои кремниевых пластин становятся свободными от металлических атомарных примесей, без появления дополнительных энергетических уровней, приводящих к появлению поверхностных токов утечек, увеличивающих температурную погрешность измерений и снижающих температурный диапазон измерений.Thus, the surface itself and the near-surface layers of silicon wafers become free from metallic atomic impurities, without the appearance of additional energy levels, leading to the appearance of surface leakage currents, increasing the temperature measurement error and reducing the temperature range of measurements.
Пример реализации предложенного способа.An example of the implementation of the proposed method.
Предварительно подготовленную к проведению технологического процесса монокристаллическую пластину кремния, ориентированную по плоскости Si (100), окисляют термическим способом при температуре (950-1150)°С в течение времени не менее 90 мин, создавая на поверхности пластин слой диоксида кремния толщиной не менее 0,1 мкм. Растущий слой окисла инкорпорирует атомарные металлические примеси из приповерхностных слоев кремния. После этого пластины последовательно очищают в растворе HF концентрации (10-20)%, при этом пленка диоксида кремния стравливается с поверхности. Далее пластины очищают в аммиачно-пероксидном растворе NH4OH:H2O2:Н2О с соотношением компонентов, находящихся в пределах 1:(1-2):(1-5) при температуре (50-70)°С в течение времени не менее 8 мин. При этих условиях между двумя химическими компонентами - NH4OH и Н2О2 происходит сложное непрерывное взаимодействие - перекись водорода (Н2О2) окисляет кремний и образует тонкий слой оксида кремния непосредственно на поверхности пластин, аммиак (NH4OH) подтравливает образовавшийся тонкий слой оксида. Результатом протекания указанных процессов является постоянное образование и удаление тонкого слоя оксида кремния, что способствует полному удалению загрязнений с поверхности пластин и возникновению препятствия для адсорбции и диффузии атомарных металлических примесей, неизбежно содержащихся в технологических реактивах в микроскопических количествах, вглубь кремниевой пластины. Далее пластины промывают деионизованной водой и сушат при нормальных условиях.A single-crystal silicon wafer, previously prepared for carrying out the technological process, oriented along the Si (100) plane, is thermally oxidized at a temperature of (950-1150) ° C for at least 90 minutes, creating a layer of silicon dioxide on the surface of the wafers with a thickness of at least 0, 1 micron. The growing oxide layer incorporates atomic metallic impurities from the surface layers of silicon. After that, the plates are sequentially cleaned in a solution of HF concentration (10-20)%, while the silicon dioxide film is etched from the surface. Next, the plates are cleaned in an ammonia-peroxide solution NH 4 OH: H 2 O 2 : H 2 O with a ratio of components within 1: (1-2) :( 1-5) at a temperature of (50-70) ° C in for at least 8 minutes. Under these conditions, a complex continuous interaction occurs between the two chemical components - NH 4 OH and Н 2 О 2 - hydrogen peroxide (Н 2 О 2 ) oxidizes silicon and forms a thin layer of silicon oxide directly on the surface of the wafers, ammonia (NH 4 OH) etches the formed thin oxide layer. The result of these processes is the constant formation and removal of a thin layer of silicon oxide, which contributes to the complete removal of impurities from the surface of the wafers and the emergence of an obstacle to the adsorption and diffusion of atomic metallic impurities, which are inevitably contained in technological reagents in microscopic amounts, deep into the silicon wafer. The plates are then washed with deionized water and dried under normal conditions.
Таким образом, предложенное техническое решение позволяет снизить температурную погрешность измерений и увеличить температурный диапазон измерений микромеханических датчиков за счет снижения поверхностных токов утечек путем удаления металлических атомарных примесей в приповерхностных слоях кремниевых пластин.Thus, the proposed technical solution makes it possible to reduce the temperature measurement error and increase the temperature range of measurements of micromechanical sensors by reducing surface leakage currents by removing metallic atomic impurities in the near-surface layers of silicon wafers.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020136144A RU2750315C1 (en) | 2020-11-02 | 2020-11-02 | Method for deep cleaning surface of silicon wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020136144A RU2750315C1 (en) | 2020-11-02 | 2020-11-02 | Method for deep cleaning surface of silicon wafers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2750315C1 true RU2750315C1 (en) | 2021-06-25 |
Family
ID=76504760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020136144A RU2750315C1 (en) | 2020-11-02 | 2020-11-02 | Method for deep cleaning surface of silicon wafers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2750315C1 (en) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1813303A3 (en) * | 1990-07-31 | 1995-04-30 | Научно-исследовательский институт "Восток" | Semiconductor structure manufacturing process |
| RU2118013C1 (en) * | 1997-01-21 | 1998-08-20 | Хаханина Татьяна Ивановна | Method for continuous chemical liquid cleaning of surfaces of primarily semiconductor plates |
| RU2119693C1 (en) * | 1996-04-03 | 1998-09-27 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Method for treatment of single-crystalline silicon plates |
| RU2228563C2 (en) * | 2001-09-26 | 2004-05-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт материаловедения" | Method for chemical treatment of silicon wafers |
| US9231062B2 (en) * | 2012-04-27 | 2016-01-05 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method for treating the surface of a silicon substrate |
| RU2658105C1 (en) * | 2017-06-19 | 2018-06-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ" (КНИТУ-КАИ) | Method for preliminary preparation of surface of silicon substrate for technological processes |
| CN109087853B (en) * | 2018-07-03 | 2020-07-31 | 昆明理工大学 | Method for smoothing surface of silicon wafer subjected to copper catalytic etching texturing |
-
2020
- 2020-11-02 RU RU2020136144A patent/RU2750315C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1813303A3 (en) * | 1990-07-31 | 1995-04-30 | Научно-исследовательский институт "Восток" | Semiconductor structure manufacturing process |
| RU2119693C1 (en) * | 1996-04-03 | 1998-09-27 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Method for treatment of single-crystalline silicon plates |
| RU2118013C1 (en) * | 1997-01-21 | 1998-08-20 | Хаханина Татьяна Ивановна | Method for continuous chemical liquid cleaning of surfaces of primarily semiconductor plates |
| RU2228563C2 (en) * | 2001-09-26 | 2004-05-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт материаловедения" | Method for chemical treatment of silicon wafers |
| US9231062B2 (en) * | 2012-04-27 | 2016-01-05 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method for treating the surface of a silicon substrate |
| RU2658105C1 (en) * | 2017-06-19 | 2018-06-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ" (КНИТУ-КАИ) | Method for preliminary preparation of surface of silicon substrate for technological processes |
| CN109087853B (en) * | 2018-07-03 | 2020-07-31 | 昆明理工大学 | Method for smoothing surface of silicon wafer subjected to copper catalytic etching texturing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100248113B1 (en) | Cleaning and etching compositions for electrical display device and substrate | |
| US6513538B2 (en) | Method of removing contaminants from integrated circuit substrates using cleaning solutions | |
| EP0718873A2 (en) | Cleaning process for hydrophobic silicon wafers | |
| KR100832944B1 (en) | Manufacturing process for annealed wafer and annealed wafer | |
| CN101399196B (en) | Coarsening processing method for backing side of wafer | |
| JP2643814B2 (en) | Semiconductor substrate cleaning method | |
| RU2750315C1 (en) | Method for deep cleaning surface of silicon wafers | |
| US20080308122A1 (en) | Process For Cleaning, Drying and Hydrophilizing A Semiconductor Wafer | |
| JP2002329691A (en) | Method of cleaning silicon wafer | |
| KR100505175B1 (en) | Ruthenium silicide processing methods | |
| JP2776583B2 (en) | Semiconductor substrate processing solution and processing method | |
| EP0171186A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device involving the etching of a polycrystalline silicon layer | |
| US20020175143A1 (en) | Processes for polishing wafers | |
| JP3109083B2 (en) | Etching solution for silicon oxide film and method for etching silicon oxide film | |
| KR900001065B1 (en) | Surface treatment of semiconductor device | |
| JP3436696B2 (en) | Method and product for preventing edge contamination of silicon wafer by ozone immersion | |
| JP4288112B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing liquid | |
| JP2004343013A (en) | Etching method of silicon material | |
| JPS62115833A (en) | Surface treating agent for semiconductor substrate | |
| JPH0750281A (en) | Cleaning method for silicon wafer | |
| WO2023032488A1 (en) | Method for cleaning silicon wafer and method for producing silicon wafer | |
| JPH03201533A (en) | Anisotropic etchant for silicon | |
| KR19990075903A (en) | Electronic display device and cleaning and etching composition for substrate | |
| JPH0992636A (en) | Washing liquid and washing method using it | |
| CN110634730B (en) | Method for reworking gate oxide interruption after groove Schottky polysilicon deposition |