RU2748423C1 - Полосковая структура, защищающая от сверхкоротких импульсов в дифференциальном и синфазном режимах - Google Patents
Полосковая структура, защищающая от сверхкоротких импульсов в дифференциальном и синфазном режимах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2748423C1 RU2748423C1 RU2020126543A RU2020126543A RU2748423C1 RU 2748423 C1 RU2748423 C1 RU 2748423C1 RU 2020126543 A RU2020126543 A RU 2020126543A RU 2020126543 A RU2020126543 A RU 2020126543A RU 2748423 C1 RU2748423 C1 RU 2748423C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- conductors
- conductor
- shield
- dielectric substrate
- passive
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B15/00—Suppression or limitation of noise or interference
- H04B15/02—Reducing interference from electric apparatus by means located at or near the interfering apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полосковой структуре. Техническим результатом является ослабление помехового сигнала в дифференциальном и синфазном режимах воздействия помехи. Упомянутый технический результат достигается тем, что полосковая структура состоит из опорного проводника и двух параллельных ему проводников, а также диэлектрической среды, состоящей из диэлектрической подложки и окружающего воздуха, так что опорный и активный проводники расположены на одной стороне диэлектрической подложки, а пассивный проводник расположен симметрично активному проводнику на другой стороне диэлектрической подложки, причем значение минимального модуля разности погонных задержек мод линии, умноженное на длину линии, не меньше суммы длительностей фронта, плоской вершины и спада импульса, подающегося между сигнальным и опорным проводниками, причём со стороны пассивного проводника через воздушный зазор расположена аналогичная структура центрально-симметрично относительно центра поперечного сечения всей полосковой структуры, добавлен прямоугольный в поперечном сечении электрический экран, ширина опорных проводников больше ширины остальных, а их внешняя торцевая сторона соединена по всей длине с экраном, между экраном и проводниками в верхней и нижней частях структуры есть одинаковые воздушные зазоры, на дальнем конце пассивные проводники соединены с экраном, все проводники расположены на одинаковом расстоянии от вертикальной оси, проходящей через центр симметрии. 3 ил.
Description
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для защиты радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) от сверхкоротких импульсов (СКИ).
В настоящее время актуальной задачей является обеспечение защиты РЭА от импульсов наносекундного и субнаносекундного диапазонов. Спектр такого импульса перекрывает широкий диапазон частот, вследствие чего он способен преодолевать традиционные схемотехнические и конструктивные средства защиты от помех. Распространяясь по цепям электропитания, СКИ приводит к электрическому пробою диэлектриков и полупроводников, тем самым повреждая оборудование. Под традиционными схемотехническими средствами защиты от СКИ подразумеваются фильтры на сосредоточенных компонентах, модули гальванической развязки, ограничители помех и разрядные устройства. К конструктивным средствам защиты относят защитные экраны, методы обеспечения регулярности линий передачи, различные схемы заземления и способы уменьшения импеданса цепей питания. Известно, что такие устройства защиты обладают рядом недостатков, к которым можно отнести недостаточное быстродействие, малую рассеиваемую мощность и паразитные параметры, все эти факторы затрудняют защиту от СКИ повышенной мощности. Однако для борьбы с СКИ существуют устройства, работающие по принципу модального разложения, которые лишены указанных недостатков. Среди них выделяются различные конфигурации модальных фильтров (МФ), защищающих от помех, распространяющихся между активным и опорным проводниками. Однако ослабление помеховых импульсов целесообразно как в дифференциальном, так и в синфазном режимах, поэтому необходима разработка новых устройств защиты от СКИ, выполняющих данную функцию.
Наиболее близким к заявляемому устройству является модальный фильтр с лицевой связью [Газизов А.Т., Заболоцкий А.М., Газизов Т.Р. Измерение и моделирование временного отклика печатных модальных фильтров с лицевой связью // Радиотехника и электроника. – 2018. – Т. 63. – №. 3. – С. 292-298.], состоящий из опорного проводника и двух параллельных ему проводников и диэлектрической среды, состоящей из диэлектрической подложки и окружающего воздуха, так что опорный и активный проводники расположены на одной стороне диэлектрической подложки, а пассивный проводник расположен симметрично активному проводнику на другой стороне диэлектрической подложки, толщина и относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрического слоя равны 180 мкм и 4,5, ширина всех проводников одинакова и равна 4 мм, толщина проводников равна 65 мкм, расстояние между проводниками равно 4 мм, на обоих концах устройства подключены резисторы сопротивлением 50 Ом между пассивным и опорным проводниками, значение минимального модуля разности погонных задержек мод линии, умноженное на длину линии, не меньше суммы длительностей фронта, плоской вершины и спада импульса, подающегося между сигнальным и опорным проводниками.
Недостатком устройства-прототипа является отсутствие возможности работы в дифференциальном и синфазном режимах.
Предлагается полосковая структура, состоящая из опорного проводника и двух параллельных ему проводников, а также диэлектрической среды, состоящей из диэлектрической подложки и окружающего воздуха, так что опорный и активный проводники расположены на одной стороне диэлектрической подложки, а пассивный проводник расположен симметрично активному проводнику на другой стороне диэлектрической подложки, причем значение минимального модуля разности погонных задержек мод линии, умноженное на длину линии, не меньше суммы длительностей фронта, плоской вершины и спада импульса, подающегося между сигнальным и опорным проводниками отличающаяся тем, что со стороны пассивного проводника через воздушный зазор расположена аналогичная структура центрально-симметрично относительно центра поперечного сечения всей полосковой структуры, добавлен прямоугольный в поперечном сечении электрический экран, ширина опорных проводников больше ширины остальных, а их внешняя торцевая сторона соединена по всей длине с экраном, между экраном и проводниками в верхней и нижней частях структуры есть одинаковые воздушные зазоры, на дальнем конце пассивные проводники соединены с экраном, все проводники расположены на одинаковом расстоянии от вертикальной оси, проходящей через центр симметрии.
Техническим результатом является способность ослаблять помеховый сигнал в дифференциальном и синфазном режимах воздействия помехи. Технический результат достигается за счет разложения СКИ на импульсы меньшей амплитуды с помощью выбора параметров устройства и компоновки проводников.
На фиг. 1 приведено поперечное сечение заявляемой структуры. Параметры поперечного сечения: w – ширина активных и пассивных проводников w 1 – ширина опорных проводников, s – расстояние между проводниками, t – толщина проводников, h 2, h 4 – толщины диэлектрических слоев исходной и добавленной структур, h 3 – толщина воздушного зазора между структур, h 1, h 5 – толщины воздушных зазоров в верхней и нижней частях структуры. Значения параметров: w = 10 мм, w 1 = 18 мм, t = 0,105 мм, s = 2 мм, h 2 = h 4 = 0,18 мм, h 3 = 2,54 мм, h 1 = h 5 = 10 мм, ε r 1 = 1, ε r 2 = 4,5.
Активный и опорный проводники расположены на одной стороне диэлектрической подложки, а пассивный проводник расположен симметрично активному проводнику на другой стороне диэлектрической подложки, проводники и диэлектрическая подложка добавленной структуры расположены центрально-симметрично относительно точки А, по контуру структуры расположен электрический экран, который сверху и снизу отделен воздушным зазором от проводников структуры.
На фиг. 2 приведена схема соединений структуры. Она состоит из шести проводников одинаковой длины l = 100 мм, 2 из которых (опорные) представлены на схеме обозначением корпусной земли, источников импульсных сигналов, представленных идеальными источниками э.д.с. E Г1 и E Г2 с внутренними сопротивлениями R Г, которые подсоединены к активным проводникам на ближнем конце, и нагрузочных резисторов R Н, которые подсоединены к активным проводникам на дальнем конце заявляемой структуры. Значения всех резисторов, представленных на схеме, равны 16,7 Ом. Опорные проводники соединены с электрическим экраном вдоль всей длины, а пассивные проводники соединяются с экраном только на дальнем конце. В качестве входного сигнала используется импульс, длительности фронта, спада и плоской вершины которого выбраны равными по 100 пс, а амплитуда э.д.с. источника – изменяется в зависимости от режима воздействия помехи. Для реализации дифференциального воздействия амплитуда э.д.с. источников E Г1 = 0,5 В, а E Г2 = –0,5 В. Для реализации синфазного воздействия амплитуда э.д.с. источников E Г1 = 1 В, а E Г2 = 1 В.
На фиг. 3 представлены результаты вычислительного эксперимента, из которых видно, ослабление воздействующего импульсного сигнала с помощью его разложения на импульсы меньшей амплитуды. Максимальное напряжение импульсов на выходе составило 107 мВ для дифференциального и 101 мВ для синфазного режимов. Вносимые потери составили 13,4 дБ и 13,9 дБ для дифференциального и синфазного режимов соответственно.
Устройство работает следующим образом: в дифференциальном режиме на вход устройства между активными проводниками подается помеховый импульсный сигнал малой длительности, который, распространяясь вдоль заявляемой структуры раскладывается на последовательность импульсов, амплитуда которых становится меньше за счет модального разложения сигнала; в синфазном режиме на вход устройства на активные проводники относительно опорных подается помеховый импульсный сигнал малой длительности, который, распространяясь вдоль структуры, раскладывается на последовательность импульсов, амплитуда которых также становится меньше за счет модального разложения сигнала. Таким образом, устройство способно ослаблять помеховый сигнал в дифференциальном и синфазном режимах воздействия помехи.
Claims (1)
- Полосковая структура, состоящая из опорного проводника и двух параллельных ему проводников, а также диэлектрической среды, состоящей из диэлектрической подложки и окружающего воздуха, так что опорный и активный проводники расположены на одной стороне диэлектрической подложки, а пассивный проводник расположен симметрично активному проводнику на другой стороне диэлектрической подложки, причем значение минимального модуля разности погонных задержек мод линии, умноженное на длину линии, не меньше суммы длительностей фронта, плоской вершины и спада импульса, подающегося между сигнальным и опорным проводниками, отличающаяся тем, что со стороны пассивного проводника через воздушный зазор расположена аналогичная структура центрально-симметрично относительно центра поперечного сечения всей полосковой структуры, добавлен прямоугольный в поперечном сечении электрический экран, ширина опорных проводников больше ширины остальных, а их внешняя торцевая сторона соединена по всей длине с экраном, между экраном и проводниками в верхней и нижней частях структуры есть одинаковые воздушные зазоры, на дальнем конце пассивные проводники соединены с экраном, все проводники расположены на одинаковом расстоянии от вертикальной оси, проходящей через центр симметрии.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020126543A RU2748423C1 (ru) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | Полосковая структура, защищающая от сверхкоротких импульсов в дифференциальном и синфазном режимах |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020126543A RU2748423C1 (ru) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | Полосковая структура, защищающая от сверхкоротких импульсов в дифференциальном и синфазном режимах |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2748423C1 true RU2748423C1 (ru) | 2021-05-25 |
Family
ID=76034058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020126543A RU2748423C1 (ru) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | Полосковая структура, защищающая от сверхкоротких импульсов в дифференциальном и синфазном режимах |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2748423C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2767975C1 (ru) * | 2021-06-18 | 2022-03-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» | Меандровая линия с лицевой связью и пассивным проводником, защищающая от сверхкоротких импульсов |
RU2772792C1 (ru) * | 2021-06-21 | 2022-05-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» | Усовершенствованная меандровая микрополосковая линия с двумя пассивными проводниками, защищающая от сверхкоротких импульсов |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7187060B2 (en) * | 2003-03-13 | 2007-03-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with shield |
US7478474B2 (en) * | 2005-05-25 | 2009-01-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing shielded electronic circuit units |
JP2013197565A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-30 | Murata Mfg Co Ltd | 複合モジュールおよびその製造方法 |
EP2533252B1 (en) * | 2010-02-05 | 2014-09-17 | Yazaki Corporation | Wire harness |
RU2603850C1 (ru) * | 2015-07-16 | 2016-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ трассировки печатных проводников цепей с резервированием |
-
2020
- 2020-08-10 RU RU2020126543A patent/RU2748423C1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7187060B2 (en) * | 2003-03-13 | 2007-03-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with shield |
US7478474B2 (en) * | 2005-05-25 | 2009-01-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing shielded electronic circuit units |
EP2533252B1 (en) * | 2010-02-05 | 2014-09-17 | Yazaki Corporation | Wire harness |
JP2013197565A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-30 | Murata Mfg Co Ltd | 複合モジュールおよびその製造方法 |
RU2603850C1 (ru) * | 2015-07-16 | 2016-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ трассировки печатных проводников цепей с резервированием |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2767975C1 (ru) * | 2021-06-18 | 2022-03-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» | Меандровая линия с лицевой связью и пассивным проводником, защищающая от сверхкоротких импульсов |
RU2772792C1 (ru) * | 2021-06-21 | 2022-05-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» | Усовершенствованная меандровая микрополосковая линия с двумя пассивными проводниками, защищающая от сверхкоротких импульсов |
RU2773640C1 (ru) * | 2021-10-01 | 2022-06-06 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» | Усовершенствование устройства, защищающего от сверхкоротких импульсов в дифференциальном и синфазном режимах |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Surovtsev et al. | Possibility of protection against UWB pulses based on a turn of a meander microstrip line | |
RU2606709C1 (ru) | Меандровая линия задержки с лицевой связью, защищающая от сверхкоротких импульсов | |
RU2748423C1 (ru) | Полосковая структура, защищающая от сверхкоротких импульсов в дифференциальном и синфазном режимах | |
Chernikova et al. | Evaluating the influence of the magnetic permeability of the microstrip modal filter substrate on its frequency characteristics | |
RU2624465C2 (ru) | Четырехпроводная зеркально-симметричная структура, защищающая от сверхкоротких импульсов | |
JP6843312B1 (ja) | 回路基板及び電子機器 | |
Nosov et al. | Revealing new possibilities of ultrashort pulse decomposition in a turn of asymmetrical meander delay line | |
RU2691844C1 (ru) | Усовершенствованная меандровая микрополосковая линия задержки, защищающая от электростатического разряда | |
RU2724970C1 (ru) | Меандровая линия задержки с лицевой связью из двух витков, защищающая от сверхкоротких импульсов | |
Samoylichenko et al. | Single modal reservation of flexible printed cables | |
RU2823269C1 (ru) | Полосковая структура с лицевой связью, защищающая от сверхкоротких импульсов в синфазном и дифференциальном режимах | |
Nosov et al. | Investigation of possibility of protection against electrostatic discharge using meander microstrip line | |
TWI287960B (en) | One/multi layer printed circuit board capable of preventing electrostatic discharge and routing method thereof | |
Chernikova et al. | Comparative analysis of an LC-filter and a reflection symmetric modal filter | |
RU2750393C1 (ru) | Способ трассировки проводников модального фильтра | |
Samoylichenko | Influence of boundary conditions and coupling enhancement on the attenuation of a modal filter with a passive conductor in the reference plane cutout | |
Samoylichenko et al. | Reflection symmetrical modal filter on a double-sided PCB | |
RU2769104C1 (ru) | Меандровая микрополосковая линия с двумя пассивными проводниками, защищающая от сверхкоротких импульсов | |
RU2781266C1 (ru) | Способ исполнения модального фильтра с уголковым пассивным проводником | |
Chernikova et al. | Time response analysis for reflection symmetric meander lines using quasistatic and electrodynamic approaches | |
RU2773640C1 (ru) | Усовершенствование устройства, защищающего от сверхкоротких импульсов в дифференциальном и синфазном режимах | |
RU2742049C1 (ru) | Меандровая линия задержки с лицевой связью, защищающая от сверхкоротких импульсов с увеличенной длительностью | |
RU2814217C1 (ru) | Устройство защиты от импульсных сигналов с выравниванием временных интервалов между импульсами разложения, включая комбинационные | |
RU2747104C1 (ru) | Способ трассировки проводников модального фильтра с круговым сечением | |
RU2784040C1 (ru) | Зеркально-симметричный модальный фильтр на двухсторонней печатной плате, защищающий от сверхкоротких импульсов |