RU2729169C1 - Device for measuring specific resistance of semiconductor cutting ceramic plates - Google Patents
Device for measuring specific resistance of semiconductor cutting ceramic plates Download PDFInfo
- Publication number
- RU2729169C1 RU2729169C1 RU2020105016A RU2020105016A RU2729169C1 RU 2729169 C1 RU2729169 C1 RU 2729169C1 RU 2020105016 A RU2020105016 A RU 2020105016A RU 2020105016 A RU2020105016 A RU 2020105016A RU 2729169 C1 RU2729169 C1 RU 2729169C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- case
- channels
- specific resistance
- cutting
- measuring
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники для определения удельного электрического сопротивления полупроводниковых сменных многогранных режущих пластин из оксидно-карбидной керамики с целью неразрушающего определения и контроля микроструктурных параметров материала, которые непосредственно влияют на работоспособность режущей керамики.The invention relates to the field of control and measurement technology for determining the electrical resistivity of semiconductor replaceable multifaceted cutting plates made of oxide-carbide ceramics for the purpose of non-destructive determination and control of the microstructural parameters of the material that directly affect the performance of the cutting ceramics.
Известно устройство для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводникового материла (Патент РФ №2420749, опубликован 10.06.2011), состоящее из генератора сигналов, к выходу которого присоединена первая катушка регистратора индуцированного сигнала, ко входу которого присоединена вторая катушка. При этом первая и вторая катушки размещены соосно, а перед катушками размещен объект измерения. Расстояние между первой и второй катушками фиксировано, при этом первая и вторая катушки коммутируются с генератором сигнала и регистратором индуцированного сигнала посредством дополнительно введенного в устройство двухканального электронного ключа, который с заданной скважностью попеременно соединяет первую и вторую катушки с генератором сигнала и регистратором индуцированного сигнала. Первая и вторая катушки идентичны и выполнены в виде плоских спиралей, а их каркас и обмотка выполнены из немагнитных материалов, например из пластика и медной проволоки соответственно.A device for contactless measurement of the resistivity of a semiconductor material (RF Patent No. 2420749, published 10.06.2011) is known, consisting of a signal generator, to the output of which the first coil of the induced signal recorder is connected, to the input of which the second coil is connected. In this case, the first and second coils are placed coaxially, and the measurement object is placed in front of the coils. The distance between the first and second coils is fixed, while the first and second coils are connected to the signal generator and the induced signal recorder by means of a two-channel electronic key additionally introduced into the device, which alternately connects the first and second coils with the signal generator and the induced signal recorder with a given duty cycle. The first and second coils are identical and are made in the form of flat spirals, and their frame and winding are made of non-magnetic materials, for example, plastic and copper wire, respectively.
Недостатком данного устройства является искажение индуцированного сигнала, влияющее на качество его регистрации измерительным прибором при проведении измерения удельного электрического сопротивления пластин, имеющих сквозные отверстия.The disadvantage of this device is the distortion of the induced signal, which affects the quality of its registration by the measuring device when measuring the electrical resistivity of the plates having through holes.
Известно устройство для бесконтактного измерения удельного электрического сопротивления кремниевого сырья (Патент РФ №2421742, опубликован 20.06.2011), состоящее из датчика, представляющего собой цилиндрический контейнер из немагнитного материала, внутри которого размещен объект измерений, а на наружной боковой поверхности которого размещены первая и вторая катушки, генератора сигнала, с выходом которого скоммутирована первая катушка, регистратора индуцированного сигнала, со входом которого скоммутирована вторая катушка, первая и вторая катушки выполнены из немагнитного материала и представляют собой бифилярную катушку, причем первая и вторая катушки скоммутированы с генератором сигналов и регистратором индуцированного сигнала через дополнительно введенный в устройство двухканальный электронный переключатель, обеспечивающий перекоммутацию с заданной скважностью первой и второй катушек между генератором. Внутри датчика, представляющего собой цилиндрический контейнер из немагнитного материала, на наружной боковой поверхности которого размещены первая и вторая катушки, размещен в съемном пластиковом контейнере объект измерений.A device for contactless measurement of the specific electrical resistance of silicon raw materials is known (RF Patent No. 2421742, published on 06/20/2011), consisting of a sensor, which is a cylindrical container of non-magnetic material, inside which the object of measurement is located, and on the outer side surface of which the first and second coil, a signal generator, with the output of which the first coil is connected, an induced signal recorder, with the input of which the second coil is connected, the first and second coils are made of non-magnetic material and represent a bifilar coil, and the first and second coils are connected to the signal generator and the recorder of the induced signal through an additionally introduced into the device a two-channel electronic switch, which provides re-commutation with a given duty cycle of the first and second coils between the generator. Inside the sensor, which is a cylindrical container made of nonmagnetic material, on the outer side surface of which the first and second coils are located, the object of measurement is placed in a removable plastic container.
Недостатком данного устройства является то, что его конструктивные особенности в виде цилиндрической формы датчика и магнитных катушек обеспечивают минимальную погрешность измерений на объектах, форма которых наиболее приближена к цилиндрической (например, кремниевое сырье в виде частиц с размером фракции до 1 мм, помещенное в пластиковый цилиндрический контейнер, для которого и было разработано устройство), и не позволяют с достаточной точностью определять удельное электрическое сопротивление образцов нецилиндрической формы, имеющих протяженные плоские участки поверхности.The disadvantage of this device is that its design features in the form of a cylindrical shape of the sensor and magnetic coils provide a minimum measurement error on objects whose shape is closest to cylindrical (for example, silicon raw materials in the form of particles with a fraction size of up to 1 mm, placed in a plastic cylindrical container, for which the device was developed), and do not allow to determine with sufficient accuracy the electrical resistivity of non-cylindrical samples with extended flat surface areas.
Известно устройство для измерения параметров полупроводниковых пластин, представляющее собой камеру для измерения параметров полупроводниковых пластин (Авторское свидетельство СССР №779937, опубликовано 15.11.1980). Камера выполнена в виде короткозамкнутого отрезка запредельного волновода с выступом на одной из широких стенок, элементами связи и стержнями, которые установлены перпендикулярно широким стенкам короткозамкнутого отрезка запредельного волновода с возможностью осевого перемещения в отверстиях, которые дополнительно выполнены в выступе. Элементы связи служат для ввода и вывода энергии СВЧ-колебаний. Перемещение стержня осуществляется путем вращения гайки. Пружина, расположенная между цилиндрическим стаканом и цилиндрическим утолщением, обеспечивает постоянный по величине прижим стержня к поверхности исследуемой полупроводниковой пластины. Для предотвращения проворачивания стержней при вращении гаек служат шпонки, вставленные в стержни и пазы в отверстиях цилиндрического стакана. Гайки служат также для фиксирования осевого положения стержней.Known device for measuring the parameters of semiconductor wafers, which is a camera for measuring the parameters of semiconductor wafers (USSR author's certificate No. 779937, published on November 15, 1980). The camera is made in the form of a short-circuited segment of the transcendental waveguide with a protrusion on one of the wide walls, coupling elements and rods that are installed perpendicular to the wide walls of the short-circuited segment of the transcendental waveguide with the possibility of axial movement in the holes, which are additionally made in the protrusion. Coupling elements are used for input and output of microwave energy. The rod is moved by rotating the nut. The spring, located between the cylindrical glass and the cylindrical bulge, provides a constant pressure of the rod to the surface of the semiconductor wafer under study. To prevent the rods from turning during the rotation of the nuts, keys are inserted into the rods and grooves in the holes of the cylindrical glass. The nuts also serve to fix the axial position of the rods.
Недостатком устройства является ограничение области его применения для керамических пластин с высоким классом шероховатости поверхности и пластин большой толщины из-за значительного снижения качества выходного сигнала при изменении зазора между измеряемой пластиной и измерительным устройством, что приводит к погрешности полученных данных.The disadvantage of the device is the limitation of the scope of its application for ceramic plates with a high class of surface roughness and plates of large thickness due to a significant decrease in the quality of the output signal when the gap between the measured plate and the measuring device changes, which leads to an error in the data obtained.
Известно устройство для измерения сопротивления полупроводниковых материалов (Авторское свидетельство СССР №1583814, опубликовано 07.08.1990), которое содержит генератор высокой частоты и высокочастотной вольтметр. Генератор высокой частоты подключен к делителю напряжения, состоящему из соединенных последовательно образца полупроводникового материала и нагрузочного сопротивления. Сигнал, пропорциональный удельному сопротивлению полупроводника, может сниматься как с нагрузочного сопротивления, так и с образца в зависимости от диапазона измеряемых удельных сопротивлений. При этом образец включается в измерительную цепь посредством емкостной связи, образованной пластинами, и планарного конденсатора, размещенного на измерительной плате, к которой образец прижимается стопорным штифтом.Known device for measuring the resistance of semiconductor materials (USSR author's certificate No. 1583814, published on 08/07/1990), which contains a high-frequency generator and a high-frequency voltmeter. The high frequency generator is connected to a voltage divider consisting of a semiconductor sample and a load resistance connected in series. A signal proportional to the resistivity of the semiconductor can be read from both the load resistance and the sample, depending on the range of measured resistivity. In this case, the sample is connected to the measuring circuit by means of a capacitive coupling formed by the plates and a planar capacitor placed on the measuring board, against which the sample is pressed with a locking pin.
Недостатком данного устройства является то, что из-за конструктивных особенностей прибора, а именно действия реактивного сопротивления контактных емкостей, снижается точность измерения пластин из оксидно-карбидной керамики.The disadvantage of this device is that due to the design features of the device, namely the action of the reactance of the contact capacities, the measurement accuracy of the oxide-carbide ceramic plates decreases.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство локального контроля удельного сопротивления полупроводников (Авторское свидетельство СССР №1822972, опубликовано 23.06.1993), состоящее из источника тока, плоского конденсатора со сквозным отверстием посередине, металлические обкладки которого разделены слоем диэлектрика. Верхняя обкладка этого конденсатора является одновременно базовым электродом, нижняя обкладка через средство регистрации импульсного тока и высокоомный резистор подключена к зондирующему электроду, который расположен в отверстии плоского конденсатора, при этом расстояние от острия электрода до исследуемого образца 0,1 мм. Электрическая цепь устройства замыкается плазменным шнуром в воздушном зазоре между острием зондирующего электрода и поверхностью образца, который можно рассматривать, как идеальный контакт к поверхности любого полупроводника. Идеальность контакта характеризуется тем, что плазма искрового разряда смачивает поверхность полупроводника независимо от качества ее обработки, при этом не возникает никаких механических напряжений.The closest in technical essence and the achieved result is a device for local control of the resistivity of semiconductors (USSR author's certificate No. 1822972, published on 06/23/1993), consisting of a current source, a flat capacitor with a through hole in the middle, the metal plates of which are separated by a dielectric layer. The upper plate of this capacitor is at the same time the base electrode, the lower plate is connected to the probe electrode, which is located in the hole of the flat capacitor, through the means for recording a pulsed current and a high-resistance resistor, and the distance from the tip of the electrode to the test sample is 0.1 mm. The electrical circuit of the device is closed by a plasma cord in the air gap between the tip of the probe electrode and the surface of the sample, which can be considered as ideal contact to the surface of any semiconductor. The ideality of the contact is characterized by the fact that the spark discharge plasma wets the semiconductor surface, regardless of the quality of its processing, while no mechanical stresses arise.
Недостатками устройства являются то, что в связи с конструктивными особенностями электродов измерительного устройства при исследовании образца пластины из оксидно-карбидной керамики протекание тока будет происходить исключительно по поверхности исследуемого образца, а также необходимость предварительного определения характеристик инжекционного тока, различного для разных полупроводниковых материалов, в связи с выведением удельного электрического сопротивления из амплитуды импульса тока.The disadvantages of the device are that, due to the design features of the electrodes of the measuring device, when examining a sample of an oxide-carbide ceramic plate, the current will flow exclusively over the surface of the sample under study, as well as the need to preliminary determine the characteristics of the injection current, which is different for different semiconductor materials, due to with the derivation of the specific electrical resistance from the amplitude of the current pulse.
Техническим результатом является создание устройства для определения и контроля микроструктурных параметров материала, которые влияют на работоспособность режущей оксидно-карбидной керамики.The technical result is the creation of a device for determining and monitoring the microstructural parameters of the material, which affect the performance of cutting oxide-carbide ceramics.
Технический результат достигается тем, что в корпусе устройства выполнены два канала цилиндрической формы с резьбой, сообщающиеся с камерами и заполненные токопроводящим жидким материалом, в которые с внешней стороны установлены резьбовые элементы, при этом металлические шарики находятся внутри каналов, в корпусе устройства выполнен паз прямоугольной формы, в который установлен разъемный пенал, выполненный в виде двух частей, корпуса и крышки, со сквозными квадратными отверстиями, к которым подведены электроды, при этом на внешних сторонах крышки и корпуса пенала установлены уплотнительные кольца, исследуемый образец керамической режущей пластины установлен в пенале.The technical result is achieved by the fact that two cylindrical threaded channels are made in the device body, communicating with the chambers and filled with a conductive liquid material, into which threaded elements are installed from the outside, while metal balls are inside the channels, a rectangular groove is made in the device body , in which a split case is installed, made in the form of two parts, a body and a lid, with through square holes to which the electrodes are connected, while on the outer sides of the lid and the case of the case, there are sealing rings, the test sample of the ceramic cutting plate is installed in the case.
Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых режущих керамических пластин поясняется следующими фигурами: фиг. 1 - корпус прибора в разрезе; фиг. 2 - пенал в разрезе; фиг. 3 - общий вид прибора в разрезе; фиг. 4 - схема работы устройства, где:A device for measuring the resistivity of semiconductor cutting ceramic plates is illustrated by the following figures: FIG. 1 - sectional view of the device body; fig. 2 - sectional pencil case; fig. 3 - General view of the device in section; fig. 4 is a diagram of the device operation, where:
1 - корпус;1 - case;
2 - пенал;2 - pencil case;
3 - канал;3 - channel;
4 - паз;4 - groove;
5 - корпус пенала;5 - case body;
6 - отверстие в корпусе пенала;6 - hole in the case of the case;
7 - уплотнительная прокладка;7 - a sealing gasket;
8 - крышка пенала;8 - case cover;
9 - отверстие в крышке пенала;9 - hole in the case cover;
10 - винт;10 - screw;
11 - зондирующие электроды;11 - probing electrodes;
12 - Омметр;12 - Ohmmeter;
13 - уплотнительное кольцо;13 - a sealing ring;
14 - резьбовой элемент;14 - threaded element;
15 - металлический шарик;15 - metal ball;
16 - камера;16 - camera;
17 - испытываемый образец;17 - test sample;
18 - жидкий токопроводящий материал.18 - liquid conductive material.
Устройство выполнено из диэлектрического материала, например, из органического стекла и состоит из двух, соединяемых между собой частей -корпуса 1 (фиг. 1) и пенала 2 (фиг. 2). В корпусе 1 выполнены два канала 3 цилиндрической формы с резьбой, расположенные под углом не менее 90 градусов к боковым поверхностям выступающей части корпуса и проходящие от паза 4 прямоугольной формы насквозь к верхней части корпуса. Каналы 3 образуют сообщающиеся камеры 16, заполненные токопроводящим жидким материалом 18. Металлические шарики 15 размещены в каналах 3. Пенал 2 прямоугольной формы включает корпус пенала 5 с отверстием в корпусе пенала 6 квадратной формы в центре, по периметру которого жестко закреплены уплотнительные прокладки 7, выполненные из эластичного гидроизоляционного материала, например из резины, и крышку пенала 8 прямоугольной формы с квадратным отверстием крышки пенала 9 в центре. Корпус пенала 5 и крышка пенала 8 соединены между собой винтами 10. К пеналу 2 подведены зондирующие электроды 11 (фиг. 4), выполненные в виде медных контактов, для подключения Омметра 12. На внешних поверхностях корпуса пенала 5 и крышки пенала 8 установлены съемные уплотнительные кольца 13, выполненные из эластичного гидроизоляционного материала, например из резины. Резьбовые элементы 14 (фиг. 3), изготовленные из диэлектрического материала, например из органического стекла, закрывают каналы 3 в верхней части.The device is made of a dielectric material, for example, of organic glass and consists of two interconnected parts - the case 1 (Fig. 1) and the case 2 (Fig. 2). In the
Процесс испытания происходит следующим образом. Испытываемый образец 17, например пластина из оксидно-карбидной керамики, вкладывается между корпусом пенала 5 и крышкой пенала 8. Части пенала соединятся винтами 10, фиксируя положение испытываемого образца 17 керамической режущей пластины таким образом, что пластина образует в пенале две камеры 16, герметичность которых обеспечивается уплотнительными кольцами 13. После этого пенал вместе с образцом помещается в паз 4 в корпусе 1 измерительного устройства. Через каналы 3 на верхней части корпуса 1 измерительного устройства поочередно сначала в один, а потом во второй канал 3 заливается жидкий токопроводящий материал 18, например сплав индия, галлия и олова, который заполняет камеры 16 в пенале 2 и контактирует с испытываемым образцом 17 по всей его площади с двух сторон. Для обеспечения необходимого давления жидкого токопроводящего материала в каналы 3 помещаются металлические шарики 15. Металлические шарики 15 создают своей силой тяжести необходимое давление в каналах 3, так как скользящая посадка не дает им возможности полностью погрузиться в жидкость. Герметичность каналов 3 измерительного устройства обеспечивается установкой в них резьбовых элементов 14. К медным токопроводящим зондирующим электродам 11 подключается Омметр 12, являющийся источником тока и средством регистрации удельного сопротивления испытываемого образца 17. На шкале Омметра 12 фиксируется полученное значение удельного электрического сопротивления, позволяющее косвенно определить микроструктурные параметры и пористость испытуемого образца оксидно-карбидной режущей керамики, влияющие на его физико-механические свойства и работоспособность. Для проведения повторного испытания необходимо отсоединить Омметр 12, перевернуть прибор зондирующим электродам 11 вверх, достать пенал 2 и произвести замену испытуемого образца 17 без утечек жидкого токопроводящего материала 18, под силой тяжести опускающегося в каналы 3.The testing process is as follows. The
Устройство для измерения удельного электрического сопротивления полупроводниковых оксидно-карбидных керамических режущих пластин позволяет точно определить значение удельного электрического сопротивления и физико-механические свойства испытываемой пластины без нарушения ее геометрии и работоспособного состояния.A device for measuring the resistivity of semiconductor oxide-carbide ceramic cutting plates allows you to accurately determine the value of the resistivity and the physical and mechanical properties of the test plate without violating its geometry and working condition.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020105016A RU2729169C1 (en) | 2020-02-03 | 2020-02-03 | Device for measuring specific resistance of semiconductor cutting ceramic plates |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020105016A RU2729169C1 (en) | 2020-02-03 | 2020-02-03 | Device for measuring specific resistance of semiconductor cutting ceramic plates |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2729169C1 true RU2729169C1 (en) | 2020-08-04 |
Family
ID=72085874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020105016A RU2729169C1 (en) | 2020-02-03 | 2020-02-03 | Device for measuring specific resistance of semiconductor cutting ceramic plates |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2729169C1 (en) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2611316A1 (en) * | 1976-03-17 | 1977-09-22 | Siemens Ag | Nondestructive local conduction distribution measurement - is performed in high resistance silicon semiconductor crystal plate and uses oscillator and voltmeter |
SU1583814A1 (en) * | 1988-03-24 | 1990-08-07 | Завод Чистых Металлов Им.50-Летия Ссср | Device for measuring specific resistance of semiconductor materials |
JPH1092666A (en) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Fuji Electric Co Ltd | Through type chalk coil device |
RU2420749C1 (en) * | 2010-04-06 | 2011-06-10 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Device for noncontact measurement of specific resistance of semiconductor materials |
RU2421742C1 (en) * | 2010-01-27 | 2011-06-20 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Device for contactless measurement of resistivity of silicon material |
RU2611980C1 (en) * | 2015-11-23 | 2017-03-01 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет" | Method of forecasting operability of tools equipped with cutting ceramics |
-
2020
- 2020-02-03 RU RU2020105016A patent/RU2729169C1/en active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2611316A1 (en) * | 1976-03-17 | 1977-09-22 | Siemens Ag | Nondestructive local conduction distribution measurement - is performed in high resistance silicon semiconductor crystal plate and uses oscillator and voltmeter |
SU1583814A1 (en) * | 1988-03-24 | 1990-08-07 | Завод Чистых Металлов Им.50-Летия Ссср | Device for measuring specific resistance of semiconductor materials |
JPH1092666A (en) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Fuji Electric Co Ltd | Through type chalk coil device |
RU2421742C1 (en) * | 2010-01-27 | 2011-06-20 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Device for contactless measurement of resistivity of silicon material |
RU2420749C1 (en) * | 2010-04-06 | 2011-06-10 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Device for noncontact measurement of specific resistance of semiconductor materials |
RU2611980C1 (en) * | 2015-11-23 | 2017-03-01 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет" | Method of forecasting operability of tools equipped with cutting ceramics |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3400331A (en) | Gaging device including a probe having a plurality of concentric and coextensive electrodes | |
US3234461A (en) | Resistivity-measuring device including solid inductive sensor | |
Espina-Hernandez et al. | Rapid estimation of artificial near-side crack dimensions in aluminium using a GMR-based eddy current sensor | |
US3182255A (en) | Instrument for capacitively testing the condition of lubricating oil | |
Rahman et al. | A novel application of the cross-capacitive sensor in real-time condition monitoring of transformer oil | |
JP7071723B2 (en) | Circuit for measuring complex permittivity, device for measuring complex permittivity, and method for measuring complex permittivity | |
Siratori et al. | Magnetoelectric effect of Fe3O4 at 77 KI Crystal symmetry | |
US20230094478A1 (en) | Measurement Device and Measurement Method for Measuring Permeability and Permittivity | |
Bartnikas et al. | Electrical Properties of Solid Insulating Materials | |
RU2729169C1 (en) | Device for measuring specific resistance of semiconductor cutting ceramic plates | |
JPH0249155A (en) | Apparatus and method for describing characteristic of conductivity of substance | |
US5012197A (en) | Apparatus and method for determining the relative percentages of components in a mixture | |
US3739265A (en) | Test instrument and method for isolating and measuring the capacitance due to a particular functional group in a liquid | |
US3876916A (en) | Capacitor for sensing contaminated oil | |
US2489092A (en) | High-frequency surface testing instrument | |
Gerhardt | What is impedance and dielectric spectroscopy? | |
Gilev et al. | The development of a method of measuring a condensed matter electroconductivity for investigation of dielectric-metal transitions in a shock wave | |
US3315156A (en) | Method for determining the electrical resistance of a body of extremely pure semiconductor material for electronic purposes | |
US3212000A (en) | Methods of determining semiconductor thickness and resistivity by loss in a transmission line | |
RU2247365C1 (en) | Device for measuring liquid media conductivity | |
Fan et al. | Design and analysis of power frequency electric field sensing unit with reduce edge effect | |
Golnabi et al. | Simultaneous measurements of the resistance and capacitance using a cylindrical sensor system | |
Noras | Charge detection methods for dielectrics–Overview | |
Kakimoto et al. | Precise measurement of dielectric properties at very high frequencies | |
RU2063023C1 (en) | Device measuring specific conductance of liquid media |