RU2725899C1 - Способ детектирования терагерцовых электромагнитных волн - Google Patents
Способ детектирования терагерцовых электромагнитных волн Download PDFInfo
- Publication number
- RU2725899C1 RU2725899C1 RU2019129596A RU2019129596A RU2725899C1 RU 2725899 C1 RU2725899 C1 RU 2725899C1 RU 2019129596 A RU2019129596 A RU 2019129596A RU 2019129596 A RU2019129596 A RU 2019129596A RU 2725899 C1 RU2725899 C1 RU 2725899C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radiation
- complex
- response
- hybrid structure
- nanotube
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 13
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Использование: для создания нанодетекторов терагерцовых электромагнитных волн. Сущность изобретения заключается в том, что способ детектирования терагерцового электромагнитного излучения включает направление потока излучения на преобразователь, регистрацию отклика, по которому судят о наличии излучения, при этом в качестве преобразователя выбирают гибридную структуру, представляющую собой эндоэдральный комплекс К+@C,где x=36 или 60 или 80, находящийся в полости одностенной углеродной нанотрубки c триммером фуллерена С, преобразователь располагают таким образом, чтобы поток электромагнитного излучения был направлен поперек оси нанотрубки, а в качестве отклика выходного параметра регистрируют изменение электропроводности гибридной структуры. Технический результат: обеспечение возможности расширения диапазона детектируемых частот и рабочих температур. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Description
Изобретение относится к области твердотельной наноэлектроники и может быть использовано для создания нанодетекторов терагерцовых электромагнитных волн, которые могут найти широкое применение в медицине, дистанционном зондировании и широкополосной связи в космосе и для обеспечения безопасности человека, в том числе для борьбы с терроризмом.
Известен способ детектирования электромагнитного излучения в гигагерцовом и терагерцовом диапазонах с помощью полупроводниковой структуры, содержащей двумерный слой носителей заряда, по меньшей мере, с одним дефектом. В рамках этого способа структуру подвергают воздействию электромагнитного излучения, посредством чего вызывают в ней возбуждение плазмонов (см. патент РФ №2507544, МПК G01V 3/12, опубл. 20.02.2014).
Недостатком данного способа является малый диапазон детектируемых частот 0.1 – 0.6 ТГц.
Известен способ детектирования терагерцового излучения с помощью массива из графеновых наноленточных матриц, размеры которых контролируются с помощью сетки (см. заявку на изобретение Китая №104795411, МПК H01L27/144; опубл. 22.07.2015). Идея способа состоит в том, что под воздействием терагерцового излучения меняется энергетическая щель графена.
Недостатком данного способа является технологическая сложность в измерении энергетической щели низкоразмерных объектов с высокой точностью, что делает обнаружение терагерцового излучения недостаточно надежным.
Для детектирования электромагнитного излучения терагерцового (ТГц) диапазона также используются углеродные нанотрубки (УНТ) (см. патент РФ на полезную модель №186169, МПК B82Y 99/00, B82Y 40/00, H01L 31/0256, опубл. 11.01.2019). В качестве основного механизма детектирования рассматривается широкополосное детектирование за счет затухающих плазменных волн. В этом случае функциональная зависимость отклика от затвора должно повторять G-1*(dG/dVg), где G - проводимость, a Vg - напряжение на затворе. Отметим также возможный вклад термоэлектрического механизма в наблюдаемый отклик. Переменный ток, возникающий под воздействием ТГц излучения, протекает преимущественно между истоком и затвором, что приводит к более сильному нагреву электронной подсистемы в окрестности истока, чем в окрестности стока. Это в свою очередь приводит к возникновению термо-ЭДС в устройствах. Третьим возможным механизмом детектирования ТГц излучения в таких устройствах является диодный эффект, связанный с выпрямлением на барьере, образующемся на границе УНТ - металл. В подобных устройствах все три механизма должны давать вклад одного знака, что приводит к усилению отклика устройства.
Существенным недостатком является невозможность детектировать терагерцовые волны на частотах свыше 2 ТГц.
Наиболее близким к предлагаемому решению является способ детектирования субтерагерцового излучения, заключающийся в направлении потока излучения на преобразователь и регистрации отклика, по которому судят о наличии излучения (см. патент РФ №2697568, МПК B82B 1/00, H01L 27/14, опубл. 15.08.2019). Способ реализуется с помощью графенового детектора, включающего двумерную электронную систему, выпрямляющий нелинейный элемент и измерительную схему. В качестве двумерного проводящего слоя используется высокоподвижный графен с реализацией нелинейного элемента в виде асимметричных проводящих затворов, с использованием туннельного эффекта, при помощи использования контактной разности потенциалов. В качестве преобразователя используется графен, который обладает рекордной подвижностью электронов при комнатной температуре.
Существенным недостатком изобретения является то, что использование асимметричных проводящих затворов приведёт к нагреванию графена, вследствие чего он неизбежно перестанет быть плоским и примет волнообразную форму, а это, в свою очередь, значительно изменит как его механические, так и проводящие свойства.
Техническая проблема заключается в разработке способа детектирования терагерцовых электромагнитных волн, в том числе при высоких температурах.
Технический результат, на достижение которого направлено изобретение, заключается в расширении диапазона детектируемых частот и рабочих температур за счет повышения устойчивости преобразователя, свойства которого не меняются даже при температурах свыше 1000 К.
Технический результат достигается тем, что в способе детектирования терагерцового электромагнитного излучения, включающем направление потока излучения на преобразователь, регистрацию отклика, по которому судят о наличии излучения, согласно решению, в качестве преобразователя выбирают гибридную структуру, представляющую собой эндоэдральный комплекс К+@Cx, где x=36 или 60 или 80, находящийся в полости одностенной углеродной нанотрубки (ОУНТ) c триммером фуллерена С60, преобразователь располагают таким образом, чтобы поток электромагнитного излучения был направлен поперек оси нанотрубки, а в качестве отклика регистрируют изменение электропроводности гибридной структуры. Дополнительно на преобразователь подают напряжение в диапазоне меньше - 4 В или больше 3 В.
Изобретение поясняется чертежами, где на фиг.1 изображена атомистическая модель гибридной структуры ОУНТ/С60 с заряженным комплексом К+@C60 внутри. Позициями обозначены:
1 – триммер фуллерена С60;
2 – эндоэдральный комплекс К+С60;
3 – углеродная нанотрубка длиной 9,5 нм и диаметром 1.4 нм.
На фиг. 2 изображена спектральная характеристика комплекса К+@C60, полученная в результате быстрого преобразования Фурье зависимости координаты центра масс К+@C60 поперек оси трубки от времени под воздействием температуры 300К. Из фиг. 2 видно, что собственная частота эндоэдрального комплекса составляет 0.132 ТГц.
На фиг. 3 приведён график изменения проводимости нанотрубки при различных расстояниях между комплексом К+@C60 и стенкой трубки.
На фиг. 4 представлены вольтамперные характеристики гибридной структуры ОУНТ/С60 с комплексом К+@C60 при прямом (U>0) и обратном (U<0) смещениях. Сплошная линия соответствует равновесному положению комплекса К+@C60 внутри начальной потенциальной ямы при отсутствии терагерцового электромагнитного излучения, пунктирная линия – случаю приближению комплекса К+@C60 к стенке ОУНТ на расстояние 0,17 нм.
На фиг. 5 представлена зависимость амплитуды колебания комплекса K+@C60 вдоль плоскости XY от частоты электромагнитного излучения мощностью 21,2 мкВт.
Эндоэдральная наноструктура представляет собой фрагмент ОУНТ типа armchair (10,10) диаметром 1,39 нм и длиной 9,5 нм (Фиг. 1). Вблизи каждого из краев нанотрубки расположены цепочки из трех фуллеренов С60, химически соединенных друг с другом и трубкой. Между цепочками из трех фуллеренов внутри нанотрубки также находится свободный фуллерен С60, который может нести положительный заряд и перемещаться. Химически связанные друг с другом и трубкой три фуллерена С60 создают для свободного фуллерена потенциальные ямы, из которых он не может выйти без внешней вынуждающей силы, но внутри которых он может колебаться. Глубина потенциальной ямы в области левого края нанотрубки составляет Е1=-1,979 эВ, в области правого края -Е2=-1,973 эВ. При температуре 300К собственная частота колебания эндоэдрального комплекса поперек оси трубки К+@C60 – 0.132 ТГц (Фиг.2).
Описание методики допирования фуллерена С60 ионами щелочных металлов, способ инкапсуляции эндоэдральной структуры К+@C60 в полость ОУНТ, а также методика синтеза гибридной структуры ОУНТ/С60 приведены в патенте РФ № 2546052.
Комплекс К+@C60 в полости гибридной структуры ОУНТ/С60 чувствителен к широкому диапазону частот 132 ГГц÷2.5 ТГц и даже более благодаря нелинейному поведению этой системы. Откликом на ГГц–ТГц волны является рост амплитуды колебаний комплекса К+@C60 и, как следствие, его сближение со стенкой трубки на расстояние 0.17÷0.19 нм. При этом, если мощность внешнего поля превышает 212 мкВт, то комплекс К+@C60 покидает начальную потенциальную яму и осциллирует между двумя потенциальными ямами. При мощности свыше 1060 мкВт структура разрушается.
Предлагается фиксировать факт взаимодействия с ГГц÷ТГц-волнами по изменению электропроводности гибридной структуры, которое обусловлено перераспределением электронной плотности в моменты приближения эндоэдрального комплекса к стенкам ОУНТ/С60 на расстояние 0,17÷0,19 нм. В эти моменты происходит перетекание электронного заряда с ОУНТ на комплекс К+@C60, что приводит к изменению электропроводности гибридной структуры ОУНТ/С60. График величины относительного изменения электропроводности в зависимости от приложенного напряжения для трех различных величин расстояния между комплексом К+@C60 и стенкой трубки показывает, что с уменьшением расстояния между нанотрубкой и комплексом К+@С60 электропроводность гибридной структуры ОУНТ/С60 становится более чувствительной к приложенному напряжению (Фиг. 3). Наиболее заметный всплеск проводимости наблюдается при величине напряжения 4В в момент приближения К+@C60 к стенкам трубки на расстояние 0.17 нм. В этом случае изменение электропроводности достигает 9%. Надо отметить, что подобные колебания электропроводности могут наблюдаться как в случае вынужденных колебаний в потенциальной яме, так и в случае вынужденных колебаний между потенциальными ямами. Основную роль в этом процессе играет расстояние между комплексом К+@С60 и нанотрубкой.
В результате изменения электропроводности гибридной структуры ОУНТ/С60 меняется и её вольтамперная характеристика (Фиг. 4). Полученные ВАХ при прямом и обратном смещениях показывают, что в области омического участка видимых изменений характеристики не наблюдается. Напротив, в области насыщения (меньше -4В и больше 3В) появляется разброс значений тока. В отдельных точках кривой величина отклонения тока с изменением расстояния достигает 10÷12 мкА. Таким образом, приложение вышеупомянутого напряжения усиливает изменение электропроводности структуры, а значит, упрощает детектирование терагерцового сигнала.
В качестве элемента преобразователя может также использоваться эндоэдральный комплекс К+@C36 и К+@C80. Фуллерен С80 обладает большим количеством атомов по сравнению с фуллереном С60 и при сближении со стенками структуры ОУНТ/С60 может передать больше количество заряда, что значительнее изменит электропроводность объекта, а значит, упростит процесс детектирования. Фуллерен С36 обладает меньшим количеством атомов по сравнению с фуллереном С60, а значит, изначально находится в потенциальной яме с меньшей энергией, следовательно, привести его в движение может терагерцовое излучение меньшей мощности.
Следствием нелинейности исследуемой системы является существование резонанса на частотах высших гармоник внешней силы. Эти частоты удовлетворяют условию ω=nω0, где n – целое число, а ω0 – основная частота. Следует отметить, что амплитуда вынужденных колебаний практически не уменьшается при переходе к частотам высших гармоник вследствие малых размеров потенциальной ямы, внутри которой колеблется комплекс K+@C60 (фиг. 5). В связи с этим детектирование возможно во всем терагерцовом диапазоне (до 10 ТГц).
Осциллиривание внутреннего эндоэдрального комплекса возможно при температуре вплоть до 1500 К (см. Michail M. Slepchenkov, Anna S. Kolesnikova, George V. Savostyanov, Igor S. Nefedov, Ilya V. Anoshkin, Albert G. Nasibulin, Olga E. Glukhova. Giga - and terahertz range nanoemitter based on a peapod structure // Nano Research. 2015. Vol. 8. I. 8. P. 2595-2602).
Claims (2)
1. Способ детектирования терагерцового электромагнитного излучения, включающий направление потока излучения на преобразователь, регистрацию отклика, по которому судят о наличии излучения, отличающийся тем, что в качестве преобразователя выбирают гибридную структуру, представляющую собой эндоэдральный комплекс К+@Cx, где x=36 или 60 или 80, находящийся в полости одностенной углеродной нанотрубки c триммером фуллерена С60, преобразователь располагают таким образом, чтобы поток электромагнитного излучения был направлен поперек оси нанотрубки, а в качестве отклика регистрируют изменение электропроводности гибридной структуры.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дополнительно на преобразователь подают напряжение в диапазоне меньше - 4 В или больше 3 В.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019129596A RU2725899C1 (ru) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | Способ детектирования терагерцовых электромагнитных волн |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019129596A RU2725899C1 (ru) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | Способ детектирования терагерцовых электромагнитных волн |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2725899C1 true RU2725899C1 (ru) | 2020-07-07 |
Family
ID=71509853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019129596A RU2725899C1 (ru) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | Способ детектирования терагерцовых электромагнитных волн |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2725899C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2795746C1 (ru) * | 2022-12-26 | 2023-05-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Энергонезависимая троичная ячейка памяти на основе углеродного нанокомпозита |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007121598A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Eth Zurich | Broadband terahertz radiation generation and detection system and method |
| WO2010050637A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Snu R&Db Foundation | A nanogap device for field enhancement and a system for nanoparticle detection using the same |
| RU2448399C2 (ru) * | 2009-12-16 | 2012-04-20 | Государственное учебно-научное учреждение физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (Физический факультет МГУ) | Способ детектирования электромагнитных волн в терагерцовом диапазоне и устройство для его осуществления |
| RU2546052C1 (ru) * | 2013-11-21 | 2015-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" | Способ получения электромагнитного излучения гига- и терагерцового диапазона частот |
| RU2599332C1 (ru) * | 2015-05-13 | 2016-10-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН") | Способ детектирования электромагнитных волн в терагерцовом диапазоне |
| RU186169U1 (ru) * | 2018-06-22 | 2019-01-11 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский педагогический государственный университет" | Детектор терагерцового излучения на основе углеродных нанотрубок |
-
2019
- 2019-09-20 RU RU2019129596A patent/RU2725899C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007121598A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Eth Zurich | Broadband terahertz radiation generation and detection system and method |
| WO2010050637A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Snu R&Db Foundation | A nanogap device for field enhancement and a system for nanoparticle detection using the same |
| RU2448399C2 (ru) * | 2009-12-16 | 2012-04-20 | Государственное учебно-научное учреждение физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (Физический факультет МГУ) | Способ детектирования электромагнитных волн в терагерцовом диапазоне и устройство для его осуществления |
| RU2546052C1 (ru) * | 2013-11-21 | 2015-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" | Способ получения электромагнитного излучения гига- и терагерцового диапазона частот |
| RU2599332C1 (ru) * | 2015-05-13 | 2016-10-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН") | Способ детектирования электромагнитных волн в терагерцовом диапазоне |
| RU186169U1 (ru) * | 2018-06-22 | 2019-01-11 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский педагогический государственный университет" | Детектор терагерцового излучения на основе углеродных нанотрубок |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2795746C1 (ru) * | 2022-12-26 | 2023-05-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Энергонезависимая троичная ячейка памяти на основе углеродного нанокомпозита |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5473616B2 (ja) | テラヘルツ電磁波検出装置とその検出方法 | |
| Ivanov et al. | Role of edge engineering in photoconductivity of graphene nanoribbons | |
| Liu et al. | Direct-current triboelectricity generation by a sliding Schottky nanocontact on MoS2 multilayers | |
| Zhang et al. | Performance and service behavior in 1-D nanostructured energy conversion devices | |
| Wang et al. | 2D piezotronics in atomically thin zinc oxide sheets: Interfacing gating and channel width gating | |
| Zhou et al. | Mechanical− electrical triggers and sensors using piezoelectric micowires/nanowires | |
| Fei et al. | Piezoelectric potential gated field-effect transistor based on a free-standing ZnO wire | |
| Jensen et al. | Ultrafast photoconductivity of graphene nanoribbons and carbon nanotubes | |
| Leek et al. | Charge pumping in carbon nanotubes | |
| US8766330B2 (en) | Method and system for generating a photo-response from MoS2 Schottky junctions | |
| Kibis et al. | Generation of terahertz radiation by hot electrons in carbon nanotubes | |
| Suzuki et al. | Fermi-level-controlled semiconducting-separated carbon nanotube films for flexible terahertz imagers | |
| JP5107183B2 (ja) | テラヘルツ光検出装置とその検出方法 | |
| Akturk et al. | Electron transport and velocity oscillations in a carbon nanotube | |
| Foxe et al. | Graphene field-effect transistors on undoped semiconductor substrates for radiation detection | |
| Bergfield et al. | Probing Maxwell’s demon with a nanoscale thermometer | |
| Girit et al. | Tunable graphene dc superconducting quantum interference device | |
| Zhang et al. | Flexible piezoelectric nanogenerators based on a CdS nanowall for self-powered sensors | |
| Borunda et al. | Imaging universal conductance fluctuations in graphene | |
| Zhang et al. | High performance piezotronic devices based on non-uniform strain | |
| Panth et al. | Flexible zinc oxide nanowire array/graphene nanohybrid for high-sensitivity strain detection | |
| Sun et al. | Effect of flexoelectricity on a bilayer molybdenum disulfide Schottky contact | |
| RU2725899C1 (ru) | Способ детектирования терагерцовых электромагнитных волн | |
| Ke et al. | Complementary doping of van der Waals materials through controlled intercalation for monolithically integrated electronics | |
| Chudow et al. | Terahertz spectroscopy of individual single-walled carbon nanotubes as a probe of luttinger liquid physics |