RU2723029C1 - METHOD FOR SYNTHESIS OF METASTABLE COMPOUNDS (In,Ga)N IN FILAMENTARY NANOCRYSTALS - Google Patents

METHOD FOR SYNTHESIS OF METASTABLE COMPOUNDS (In,Ga)N IN FILAMENTARY NANOCRYSTALS Download PDF

Info

Publication number
RU2723029C1
RU2723029C1 RU2019127849A RU2019127849A RU2723029C1 RU 2723029 C1 RU2723029 C1 RU 2723029C1 RU 2019127849 A RU2019127849 A RU 2019127849A RU 2019127849 A RU2019127849 A RU 2019127849A RU 2723029 C1 RU2723029 C1 RU 2723029C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nanocrystals
gacl
gas
precursors
reactor
Prior art date
Application number
RU2019127849A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Владимирович Сибирёв
Юрий Сергеевич Бердников
Владимир Германович Дубровский
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования " Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики"( Университет ИТМО)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования " Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики"( Университет ИТМО) filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования " Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики"( Университет ИТМО)
Priority to RU2019127849A priority Critical patent/RU2723029C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2723029C1 publication Critical patent/RU2723029C1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009—Forming specific nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/005—Growth of whiskers or needles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C30B25/165—Controlling or regulating the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/62—Whiskers or needles

Abstract

FIELD: manufacturing technology.SUBSTANCE: invention relates to material science of semiconductors and can be used to produce segments of filament-like nanocrystals of InGaN. Method of forming filamentary nanocrystals InGaN, where x=0.2–0.8, stable in the region of metastable compositions, is carried out using metal chloride epitaxy from the gas phase at atmospheric pressure in the reactor using gas precursors GaCl and InCl, during which maintaining temperature in reactor 660 °C with allowable deviation ± up to 10 °C and monitoring the In content in the solid phase inside the filamentary nanocrystals by varying the ratio of precursor gas streams of group III GaCl and InClelementsand maintaining flow ratio of NHgroup precursor V to total flow of said group III precursors within 26.EFFECT: high stability of the nanocrystalline structure while increasing indium content in the structure.1 cl, 3 dwg, 1 tbl

Description

Область техникиTechnical field

Изобретение относится к области материаловедения полупроводников и может быть использовано для получения однородных по составу сегментов нитевидных нанокристаллов InxGa1-xN, с произвольным составом по In, с использованием эпитаксии металлоорганических соединений из газовой фазы, в том числе в области метастабильных составов.The invention relates to the field of materials science of semiconductors and can be used to obtain segments of composition homogeneous In x Ga 1-x N nanocrystals with an arbitrary composition in In, using epitaxy of organometallic compounds from the gas phase, including in the field of metastable compositions.

Уровень техникиState of the art

В настоящее время известна технология выращивания слоя нитрида галлия с использованием эпитаксии металлоорганических соединений из газовой фазы, что существенно улучшило морфологию поверхности слоя нитрида галлия за счет снижения количества раковин, образуемых на его поверхности и используется для изготовления нитридного полупроводникового устройства с улучшенными рабочими характеристиками (патент RU 2414549). Существует также технология получения слоев полупроводника, содержащих одну или более структуру с квантовыми ямами со встроенными квантовыми точками с высоким содержанием индия в нитриде индий-галлия, предложенная Чуа (Chua) и др. (патент США 6645885). Высокая концентрация индия в данном случае достижима только в малых объемах внутри квантовой точки. Технология использования металорганической гидридной эпитаксии из газовой фазы для получения светодиодных структур, представленная Ким и др. (патент США US 7132677 В2) позволяет получать слои нитрида индий-галлия In0.25Ga0.75N содержащие 25% атомов индия.Currently, the known technology of growing a gallium nitride layer using epitaxy of organometallic compounds from the gas phase, which significantly improved the surface morphology of the gallium nitride layer by reducing the number of shells formed on its surface and is used to manufacture a nitride semiconductor device with improved performance (RU patent 2414549). There is also a technology for producing semiconductor layers containing one or more quantum well structures with embedded quantum dots with a high indium content in indium gallium nitride, proposed by Chua et al. (US Pat. No. 6,645,885). In this case, a high concentration of indium is achievable only in small volumes inside the quantum dot. The technology of using organometallic hydride epitaxy from the gas phase to obtain LED structures presented by Kim et al. (US Pat. No. 7,132,677 B2) makes it possible to obtain indium gallium nitride layers In 0.25 Ga 0.75 N containing 25% indium atoms.

Помимо этого, метод роста InGaN метастабильных составов был описан при использовании подложек с соответствующим согласованием параметров решетки (N. Li Journal of Crystal Growth vol. 311 p. 4628).In addition, the method of growth of InGaN metastable compositions was described using substrates with appropriate matching of lattice parameters (N. Li Journal of Crystal Growth vol. 311 p. 4628).

Ни один из приведенных выше методов и технологий не позволяет контролировать содержание в составе кристалла атомов индия в широких пределах за счет регулировки ростовых параметров, таких как температура подложки или потоки газовых прекурсоров.None of the above methods and technologies allows controlling the content of indium atoms in the crystal over a wide range by adjusting growth parameters, such as substrate temperature or gas precursor flows.

Раскрытие изобретенияDisclosure of invention

Настоящее изобретение предлагает решение задачи по синтезу структур InxGa1-xN в форме нитевидных нанокристаллов с долей индия варьируемой в пределах от 0.2 до 0.8 при изменении температуры роста и соотношения потоков газовых прекурсоров.The present invention provides a solution to the problem of the synthesis of In x Ga 1-x N structures in the form of whisker nanocrystals with an indium fraction ranging from 0.2 to 0.8 with a change in the growth temperature and the ratio of the fluxes of gas precursors.

Техническим результатом является повышение стабильности нанокристаллической структуры при увеличении в структуре доли индия.The technical result is to increase the stability of the nanocrystalline structure with an increase in the proportion of indium in the structure.

Заявленный технический результат достигается за счет осуществления способа формирования нитевидных нанокристаллов InxGa1-xN, с произвольным составом по In, устойчивых в области метастабильных составов, с помощью металхлоридной эпитаксии из газовой фазы при атмосферном давлении в реакторе с использованием газовых прекурсоров GaCl и InCl3, при выполнении которого поддерживают температуру в реакторе 660°С с допустимым отклонением ± до 10°С и осуществляют контроль за содержанием In в твердой фазе внутри нитевидных нанокристаллов за счет изменения соотношения потоков газовых прекурсоров элементов III группы GaCl и InCl3, и поддержания соотношения потока прекурсора V группы NH3 к суммарному потоку упомянутых прекурсоров III группы в пределах 26.The claimed technical result is achieved through the implementation of the method of forming whisker nanocrystals In x Ga 1-x N, with an arbitrary composition in In, stable in the region of metastable compositions, using metal chloride epitaxy from the gas phase at atmospheric pressure in a reactor using gas precursors GaCl and InCl 3 , during which the temperature in the reactor is maintained at 660 ° C with a tolerance of ± 10 ° C and the In content in the solid phase inside the whisker nanocrystals is controlled by changing the ratio of the gas precursor fluxes of elements of group III of GaCl and InCl 3 , and maintaining the ratio the precursor stream of group V NH 3 to the total stream of said precursors of group III within 26.

Состав нитевидных нанокристаллов в метастабильной области предлагается стабилизировать за счет плавного изменения концентрации индия вдоль аксиального направления. При послойном росте нитевидных нанокристаллов плавное изменение состава приводит к плавному изменению параметра решетки, что обеспечивает стабилизацию каждого последующего слоя кристаллической решетки за счет предыдущих.The composition of whisker nanocrystals in the metastable region is proposed to be stabilized due to a smooth change in the indium concentration along the axial direction. With layer-by-layer growth of whisker nanocrystals, a smooth change in composition leads to a smooth change in the lattice parameter, which ensures the stabilization of each subsequent layer of the crystal lattice due to the previous ones.

Подавление распада метастабильного состояния происходит за счет накопления упругой энергии в формирующемся эпитаксиальном слое. В этом сходство с подходом в (N. Li Journal of Crystal Growth vol. 311 p. 4628), который, однако, подразумевает удачный выбор подложки с нужным параметром решетки (позволяет растить конкретный состав). В предлагаемом методе вместо подбора подложки изменение параметра решетки происходит внутри нитевидного нанокристалла, а геометрия структуры позволяет избежать возникновения дефектов.The suppression of the decay of the metastable state occurs due to the accumulation of elastic energy in the emerging epitaxial layer. This is similar to the approach in (N. Li Journal of Crystal Growth vol. 311 p. 4628), which, however, implies the successful selection of a substrate with the desired lattice parameter (allows you to grow a specific composition). In the proposed method, instead of selecting a substrate, a change in the lattice parameter occurs inside the whisker nanocrystal, and the geometry of the structure avoids defects.

Особенность данного метода заключается в его применимости лишь в одномерных или квазиодномерных структурах, нитевидных нанокристаллах в частности с достаточно малым поперечным размером. В таких структурах эффективная релаксация упругих напряжений на боковой поверхности приводит к тому, что основной вклад в накопление упругих энергий дает только участок структуры высотой в несколько радиусов наноструктуры [1, 2]. Таким образом, при увеличении поперечных размеров возрастает толщина переходного слоя, требуемая для стабилизации метастабильных составов. Использование нитевидных нанокристаллах диаметром менее 200 нанометров позволяет изменять постоянную решетки на 1% на расстоянии, сопоставимом с диаметром.A feature of this method lies in its applicability only in one-dimensional or quasi-one-dimensional structures, whisker nanocrystals in particular with a sufficiently small transverse size. In such structures, effective relaxation of elastic stresses on the lateral surface leads to the fact that the main contribution to the accumulation of elastic energies is made only by a portion of the structure with a height of several radii of the nanostructure [1, 2]. Thus, with an increase in the transverse dimensions, the thickness of the transition layer required to stabilize the metastable compositions increases. The use of whisker nanocrystals with a diameter of less than 200 nanometers allows you to change the lattice constant by 1% at a distance comparable to the diameter.

Краткое описание чертежейBrief Description of the Drawings

Фиг. 1-3 иллюстрируют изображения нитевидных нанокристаллов, полученные методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ).FIG. 1-3 illustrate images of whisker nanocrystals obtained by transmission electron microscopy (TEM).

Осуществление изобретенияThe implementation of the invention

Формирование структур на подложках кремния осуществляется методом металхлоридной эпитаксии из газовой фазы при атмосферном давлении в реакторе с использованием газовых прекурсоров GaCl и InCl3. Пары GaCl образуются при высокой температуре (более 600°С) в результате реакции HCl в газовой фазе с галлием в жидкой фазе. Пары InCl3 получаются в результате сублимации кристаллического InCl3 при 500°С под воздействием потока азота.The formation of structures on silicon substrates is carried out by the method of metal chloride epitaxy from the gas phase at atmospheric pressure in a reactor using gas precursors GaCl and InCl 3 . GaCl vapors are formed at high temperatures (over 600 ° C) as a result of the reaction of HCl in the gas phase with gallium in the liquid phase. InCl 3 vapors are obtained by sublimation of crystalline InCl 3 at 500 ° C under the influence of a nitrogen flow.

Рост нитевидных нанокристаллов InxGa1-xN на подложке кремния (111) проходит при температуре 660°С. Контроль за составом нитевидных нанокристаллов, в частности содержанием индия в твердой фазе внутри нитевидных нанокристаллов, осуществляется за счет изменения соотношения потоков прекурсоров. При этом доля индия в газовой фазе, определяемая соотношением потоков прекурсоров третьей группы, может меняться от 0.2 до 0.8, а отношение потока пятой группы к суммарному потоку третьей группы поддерживается около 26. В таблице 1 приведены значения давлений в потоке GaCl (PGaCl) и соотношения давлений GaCl и InCl3 (PGaCl/PInCl3) вместе с полученной долей индия (х) внутри нитевидных нанокристаллов.The growth of In x Ga 1-x N whisker nanocrystals on a silicon (111) substrate takes place at a temperature of 660 ° С. The composition of whisker nanocrystals, in particular, the content of indium in the solid phase inside the whisker nanocrystals, is controlled by changing the ratio of precursor fluxes. In this case, the fraction of indium in the gas phase, determined by the ratio of the fluxes of the precursors of the third group, can vary from 0.2 to 0.8, and the ratio of the flux of the fifth group to the total flux of the third group is maintained at about 26. Table 1 shows the pressure values in the GaCl (P GaCl ) and pressure ratios of GaCl and InCl 3 (P GaCl / P InCl3 ) together with the obtained fraction of indium (x) inside the whisker nanocrystals.

На Фиг. 1-3 приведены изображения нитевидных нанокристаллов, полученные методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) в высоком разрешении, на которых видно высокое кристаллическое качество полученных наноструктур. На вставках приведены картины электронной дифракции.In FIG. Figures 1-3 show high resolution images of filamentous nanocrystals obtained by transmission electron microscopy (TEM), which show the high crystalline quality of the obtained nanostructures. The insets show electron diffraction patterns.

Таким образом, осуществляется возможность управления составом нитевидных нанокристаллов, в том числе в пределах области сегрегации объемных фаз, за счет регулировки потоков газовых прекурсоров. Увеличение отношения давлений в потоках прекурсоров галлия и индия позволяет получать доли индия внутри нитевидных нанокристаллов в диапазоне от 0,2 до 0,8.Thus, it is possible to control the composition of whisker nanocrystals, including within the region of segregation of bulk phases, by adjusting the flow of gas precursors. An increase in the pressure ratio in the flows of gallium and indium precursors makes it possible to obtain indium fractions inside whisker nanocrystals in the range from 0.2 to 0.8.

Figure 00000001
Figure 00000001

Claims (1)

Способ формирования нитевидных нанокристаллов InxGa1-xN, где х=0,2-0,8, устойчивых в области метастабильных составов, с помощью металхлоридной эпитаксии из газовой фазы при атмосферном давлении в реакторе с использованием газовых прекурсоров GaCl и InCl3, при выполнении которого поддерживают температуру в реакторе 660°С с допустимым отклонением ± до 10°С и осуществляют контроль за содержанием In в твердой фазе внутри нитевидных нанокристаллов за счет изменения соотношения потоков газовых прекурсоров элементов III группы GaCl и InCl3, и поддержания соотношения потока прекурсора V группы NH3 к суммарному потоку упомянутых прекурсоров III группы, равным 26:1.The method of forming whisker In x Ga 1-x N nanocrystals, where x = 0.2-0.8, stable in the field of metastable compositions, using metal chloride epitaxy from the gas phase at atmospheric pressure in a reactor using GaCl and InCl 3 gas precursors, during which the temperature in the reactor is maintained at 660 ° C with a tolerance of ± 10 ° C and the In content in the solid phase inside the whisker nanocrystals is controlled by changing the ratio of the gas precursor fluxes of the elements of group III of GaCl and InCl 3 , and maintaining the ratio of the precursor flux V groups of NH 3 to the total flow of said precursors of group III, equal to 26: 1.
RU2019127849A 2019-09-04 2019-09-04 METHOD FOR SYNTHESIS OF METASTABLE COMPOUNDS (In,Ga)N IN FILAMENTARY NANOCRYSTALS RU2723029C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019127849A RU2723029C1 (en) 2019-09-04 2019-09-04 METHOD FOR SYNTHESIS OF METASTABLE COMPOUNDS (In,Ga)N IN FILAMENTARY NANOCRYSTALS

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019127849A RU2723029C1 (en) 2019-09-04 2019-09-04 METHOD FOR SYNTHESIS OF METASTABLE COMPOUNDS (In,Ga)N IN FILAMENTARY NANOCRYSTALS

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2723029C1 true RU2723029C1 (en) 2020-06-08

Family

ID=71067475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019127849A RU2723029C1 (en) 2019-09-04 2019-09-04 METHOD FOR SYNTHESIS OF METASTABLE COMPOUNDS (In,Ga)N IN FILAMENTARY NANOCRYSTALS

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2723029C1 (en)

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MOHAMMED ZEGHOUANE et al. Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90%, Nanotechnology, 2019 Jan 25; 30(4):044001, стр.3-6, 8, 9, 13, 14, фиг.1, 2. *
MOHAMMED ZEGHOUANE et al. Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90%, Nanotechnology, 2019 Jan 25; 30(4):044001, стр.3-6, 8, 9, 13, 14, фиг.1, 2. NAOYUKI TAKAHASHI et al. Vapor-phase epitaxy of InxGa1−xN using chloride sources, "Journal of Crystal Growth", 1998, 189/190, 37-41. SYRKIN A.et al., First all-HVPE grown InGaN/InGaN MQW LED structures for 460-510 nm, "Phys. stat. sol. (c)", 2008, 5, No. 6, 2244-2246. *
NAOYUKI TAKAHASHI et al. Vapor-phase epitaxy of InxGa1−xN using chloride sources, "Journal of Crystal Growth", 1998, 189/190, 37-41. *
SYRKIN A.et al., First all-HVPE grown InGaN/InGaN MQW LED structures for 460-510 nm, "Phys. stat. sol. (c)", 2008, 5, No. 6, 2244-2246. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5010908B2 (en) Method for selective masking of III-N layer, method for manufacturing freestanding III-N layer or device, and product obtained by the method
Bae et al. Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with an AlN seed layer by pulsed-mode metal–organic vapor deposition
KR20140024303A (en) Method for surfactant crystal growth of a metal-nonmetal compound
US7625447B2 (en) Method of growing semiconductor crystal
US20070238211A1 (en) Growing lower defect semiconductor crystals on highly lattice-mismatched substrates
WO2019155444A1 (en) Semiconductor devices with two iii‑oxide layers having different phases and method of production
JP2007515791A (en) Method for growing nitride semiconductor layer and nitride semiconductor light emitting device using the same
CN108767055A (en) A kind of p-type AlGaN epitaxial films and its preparation method and application
Wu et al. Crystallographic orientation control and optical properties of GaN nanowires
Ra et al. Growth characteristics of uniaxial InGaN/GaN MQW/n-GaN nanowires on Si (111) using MOCVD
CN112490112A (en) Gallium oxide film and heteroepitaxial growth method and application thereof
JP4535935B2 (en) Nitride semiconductor thin film and manufacturing method thereof
RU2723029C1 (en) METHOD FOR SYNTHESIS OF METASTABLE COMPOUNDS (In,Ga)N IN FILAMENTARY NANOCRYSTALS
KR20020065892A (en) Method of fabricating group-ⅲ nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device
Scholz et al. Investigations on structural properties of GaInN–GaN multi quantum well structures
Yeom et al. Growth behavior of GaN epilayers on Si (111) grown by GaN nanowires assisted epitaxial lateral overgrowth
KR100699739B1 (en) Iii-v compound semiconductor
EP2668662B1 (en) Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal
US10854719B2 (en) Platform of large metal nitride islands with lateral orientations and low-defect density
Sallet Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition Growth of ZnO Nanowires
Rafique et al. Chemical vapor deposition of m-plane and c-plane InN nanowires on Si (100) substrate
Xu et al. Synthetics of ZnO nanowires on GaN micro-pyramids by gold catalyst
Kobayashi et al. Growth and characterization of in-plane heterostructures based on two-dimensional materials
Suzuki et al. Effects of nitrogen precursor on the Au-assisted vapor–liquid–solid growth of GaAs (N) nanostructures
Horikoshi Migration-Enhanced Epitaxy and its Application