RU2717253C1 - Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи - Google Patents
Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи Download PDFInfo
- Publication number
- RU2717253C1 RU2717253C1 RU2019129564A RU2019129564A RU2717253C1 RU 2717253 C1 RU2717253 C1 RU 2717253C1 RU 2019129564 A RU2019129564 A RU 2019129564A RU 2019129564 A RU2019129564 A RU 2019129564A RU 2717253 C1 RU2717253 C1 RU 2717253C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- superconducting
- contacts
- coupling section
- weak coupling
- circuit
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
Использование: для сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящая цепь с участком слабой связи включает два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность монокристаллического магнитного топологического полуметалла Со3Sn2S2. Технический результат: обеспечение возможности простого изготовления сверхпроводящей цепи с участком слабой связи. 1 ил.
Description
Приборы и элементы схем, использующие сверхпроводящие цепи с участками слабой связи, то есть с участками, в которых реализуется эффект Джозефсона, в настоящее время вызывают растущий интерес, в частности, для применения в качестве сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники, а также в сверхпроводящей электронике в целом.
Известно устройство, представляющее собой сверхпроводящую цепь с участком слабой связи [J.R. Williams, A.J. Bestwick, P. Gallagher, Seung Sae Hong, Y. Cui, Andrew S. Bleich, J.G. Analytis, I.R. Fisher, D. Goldhaber-Gordon. Unconventional Josephson Effect in Hybrid Superconductor-Topological Insulator Devices. Physical Rewiew Letters, 109, 056803 (2012)] - прототип, включающее два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность монокристаллического топологического изолятора Bi2Se3, относящегося к материалам с топологически защищенным поверхностным состоянием. Между металлическими сверхпроводящими контактами имеется зазор. При охлаждении устройства, на контакты которого подан электрический ток, до гелиевых температур, металл контактов переходит в сверхпроводящее состояние, а при дальнейшем охлаждении (до 12 мК) в зазоре протекает устойчивый джозефсоновский ток. Таким образом, зазор между контактами становится участком слабой связи в сверхпроводящей цепи.
Недостатком устройства-прототипа является сложность его изготовления -для получения режима с устойчивым протеканием джозефсоновского тока в такой цепи зазор между контактами должен быть всего несколько десятков нанометров (в устройстве прототипе его длина, т.е., расстояние между металлическими контактами, составляет 45 нм), что требует использования электронной литографии при нанесении контактов на Bi2Se3.
Задача предлагаемого изобретения - создание простой в изготовлении сверхпроводящей цепи с участком слабой связи.
Поставленная задача решается тем, что в известной сверхпроводящей цепи с участком слабой связи, включающей два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность материала с топологически защищенным поверхностным состоянием, и зазор между ними, металлические сверхпроводящие контакты находятся на поверхности монокристаллического магнитного топологического полуметалла Co3Sn2S2.
Магнитный топологический полуметалл Co3Sn2S2, также как и топологические изоляторы, относится к материалам с топологически защищенным поверхностным состоянием, которое, при этом, обладает выделенным направлением распространения, что радикально подавляет многочастичные процессы рассеяния в таком состоянии.
При намагничивании Co3Sn2S2 в таком устройстве возникает протяженное поверхностное состояние, что дает возможность поддерживать устойчивый джозефсоновский ток при длине зазора до 5 мкм. Переход от субмикронных к микронным размерам элемента позволяет изготавливать устройство при помощи только процесса фотолитографии, что сокращает число технологических этапов изготовления устройства по сравнению с процессом с применением электронной литографии.
Пример исполнения устройства показан на Фиг. 1, где 1 - контакты из индия, 2 - зазор между контактами, 3 - монокристаллическая пластина Co3Sn2S2. На поверхность монокристаллической пластины Co3Sn2S2 (3), ориентированной в кристаллографической плоскости (0001), фотолитографическим способом нанесены контакты из индия (1) так, чтобы зазор между ними (2) имел длину 5 мкм.
Предлагаемое устройство работает следующим образом. Co3Sn2S2 намагничивается во внешнем магнитном поле, плавно меняющемся от - 1 Тл до +1 Тл, поле плавно выключается, на металлические сверхпроводящие контакты подается электрический ток до 1 мА, при охлаждении устройства до температур ниже 1 К в зазоре между контактами возникает устойчивый джозефсоновский ток.
Claims (1)
- Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи, включающая два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность материала с топологически защищенным поверхностным состоянием, и зазор между ними, отличающаяся тем, что металлические сверхпроводящие контакты находятся на поверхности монокристаллического магнитного топологического полуметалла Co3Sn2S2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019129564A RU2717253C1 (ru) | 2019-09-18 | 2019-09-18 | Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019129564A RU2717253C1 (ru) | 2019-09-18 | 2019-09-18 | Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2717253C1 true RU2717253C1 (ru) | 2020-03-19 |
Family
ID=69898397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019129564A RU2717253C1 (ru) | 2019-09-18 | 2019-09-18 | Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2717253C1 (ru) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63306678A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ジョセフソン素子 |
JPH04171874A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ジョセフソン素子およびその製造方法 |
JPH06338639A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ジョセフソン素子の製造方法 |
JP4171874B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2008-10-29 | Nok株式会社 | 密封装置 |
RU2554612C2 (ru) * | 2013-06-17 | 2015-06-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Высокочастотный сверхпроводящий элемент памяти |
RU2601775C2 (ru) * | 2015-03-02 | 2016-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Джозефсоновский магнитный поворотный вентиль |
JP6338639B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2018-06-06 | エスアールジータカミヤ株式会社 | ソーラーパネル用架台 |
-
2019
- 2019-09-18 RU RU2019129564A patent/RU2717253C1/ru active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63306678A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ジョセフソン素子 |
JPH04171874A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ジョセフソン素子およびその製造方法 |
JPH06338639A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ジョセフソン素子の製造方法 |
JP4171874B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2008-10-29 | Nok株式会社 | 密封装置 |
RU2554612C2 (ru) * | 2013-06-17 | 2015-06-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Высокочастотный сверхпроводящий элемент памяти |
RU2601775C2 (ru) * | 2015-03-02 | 2016-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Джозефсоновский магнитный поворотный вентиль |
JP6338639B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2018-06-06 | エスアールジータカミヤ株式会社 | ソーラーパネル用架台 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20230187401A1 (en) | Pillars as stops for precise chip-to-chip separation | |
WO2011149274A2 (ko) | 자기적으로 연결되고 수직 자기 이방성을 갖도록 하는 비정질 버퍼층을 가지는 자기 터널 접합 소자 | |
Bilmes et al. | In-situ bandaged Josephson junctions for superconducting quantum processors | |
JP3258241B2 (ja) | 単一電子制御磁気抵抗素子 | |
RU2717253C1 (ru) | Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи | |
Kononov et al. | Evidence on the macroscopic length scale spin coherence for the edge currents in a narrow HgTe quantum well: In memory of VF Gantmakher | |
US9627023B2 (en) | Magneto-optical device | |
JP2007535167A (ja) | スピントロニクス応用のための磁気電気電界効果トランジスタ | |
US10014396B2 (en) | Spin control electronic device operable at room temperature | |
US6879012B2 (en) | Giant planar hall effect in epitaxial ferromagnetic semiconductor devices | |
Schüler et al. | Observation of quantum states without a semiclassical equivalence bound by a magnetic field gradient | |
US20170256707A1 (en) | Method for fabricating spin logic devices from in-situ deposited magnetic stacks | |
Boone et al. | Mesoscopic EMR Device Magnetic Sensitivity in $ I $–$ V $–$ I $–$ V $ Configuration | |
Daqiq | Influence of a ZnO layer on Seebeck coefficients in asymmetric double-barrier tunnel junctions | |
Verhage et al. | Switchable-magnetisation planar probe MFM sensor | |
Kobayashi et al. | Dynamics of bubbles in field access devices studied using a high speed optical sampling microscope | |
JP5030397B2 (ja) | スピントランジスタ | |
US4094006A (en) | Gapless magnetic bubble propagation circuit | |
Wong | Enhanced spin-orbit torque (SOT) and spin accumulation quantification in perpendicularly magnetised systems | |
Ogi et al. | Single-electron tunnelling via quantum dot cavities built on a silicon suspension nanobridge | |
Hong et al. | Temperature-controllable spin-polarized current and spin polarization in a Rashba three-terminal double-quantum-dot device | |
JPH10294499A (ja) | Squidおよびその製造方法 | |
Soriano Baguet | Magnetoelectric Effects in MnBi2Te4, an antiferromagnetic topological insulator | |
Vas et al. | Direct visualization of local magnetic domain dynamics in a 2D Van der Walls material/ferromagnet interface | |
Krantz | Low Temperature Electrical Transport Behavior of AlOx/KTaO3 Based Two Dimensional Electron Gases |