RU2687312C1 - Способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя втсп проводов второго поколения - Google Patents
Способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя втсп проводов второго поколения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2687312C1 RU2687312C1 RU2018126991A RU2018126991A RU2687312C1 RU 2687312 C1 RU2687312 C1 RU 2687312C1 RU 2018126991 A RU2018126991 A RU 2018126991A RU 2018126991 A RU2018126991 A RU 2018126991A RU 2687312 C1 RU2687312 C1 RU 2687312C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- sample
- superconducting layer
- thickness
- superconducting
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 81
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 17
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract 4
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000000892 gravimetry Methods 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000011197 physicochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004621 scanning probe microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001350 scanning transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
- G01B21/08—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness for measuring thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
Использование: для высокоточного определения толщины сверхпроводящего слоя на ВТСП проводах второго поколения. Сущность изобретения заключается в том, что способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя ВТСП проводов второго поколения включает следующие стадии: (А) изготовление эталонного образца из ВТСП провода, содержащего подложку, нанесенный на подложку по меньшей мере один буферный слой и нанесенный на буферный сверхпроводящий слой, где длина образца соответствует длине провода, при которой масса сверхпроводящего слоя составляет не менее 50 мг; (Б) измерение длины, ширины и массы эталонного образца; (В) растворение сверхпроводящего слоя эталонного образца в травильном растворе, не взаимодействующем с материалом буферного слоя, промывку упомянутого образца, сушку и измерение массы образца без сверхпроводящего слоя; (Г) определение толщины сверхпроводящего слоя образца с учетом растворенной массы. Технический результат: обеспечение возможности точного определения средней величины толщины слоя ВТСП на длинномерных образцах. 6 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл.
Description
Область техники.
Изобретение относится к области аналитической химии и может быть использовано для высокоточного определения толщины сверхпроводящего слоя на ВТСП проводах второго поколения, в частности, на основе РЗЭ-бариевых купратов на длинномерных металлических подложках с буферными оксидными слоями.
Предшествующий уровень техники.
Высокотемпературный сверхпроводящий (ВТСП) провод второго поколения представляет собой металлическую длинномерную ленту, на которой располагается многослойная тонкопленочная архитектура, включающую в себя нижние буферные оксидные слои, сверхпроводящий слой и верхние защитные металлические слои.
В настоящее время наиболее востребованными ВТСП материалами являются РЗЭ-бариевые купраты общего состава RBa2Cu3O7-х (R=Y, Gd). Для высокой токонесущей способности сверхпроводящего слоя его создают в виде биаксиально-текстурированных пленок (толщиной 1-2 мкм), что достигается различными технологическими методами, основанными на создании биаксиальной текстуры в буферном слое [Goyal, IBAD] и последующей трансляции двуосной ориентации за счет эпитакси-ального роста по модели «куб-на-куб» слоя ВТСП на верхнем буферном слое.
Буферные слои (общей толщиной 100-300 нм) представляют собой гетероструктуры на основе простых и сложных оксидов с параметрами кристаллической структуры, близкими к структуре сверхпроводника. Для защиты ВТСП слоя и его электродинамической стабилизации его покрывают металлическими слоями из серебра (1-3 мкм) и меди (10-20 мкм).
Современные технологии получения ВТСП проводов второго поколения (например, методом импульсного лазерного осаждения) на длинномерных лентах позволяют получать образцы длиной несколько сотен метров с величиной плотности критического тока около 3*106 А/см2 (в собственном магнитном поле, 77 К) [SuperOx]. Процесс получения ВТСП слоя является технологически сложной задачей, т.к. на его токонесущую способность влияет множество факторов: толщина слоя, разориентация кристаллитов, кислородная нестехиометрия, соотношение элементов и пр. Одним из основных параметров процесса получения ВТСП провода является толщина слоя сверхпроводника, на которую влияют такие параметры, как скорость протяжки металлической подложки через зону осаждения и скорость роста пленки на подложке. Для выявления отклонений в технологическом процессе производства ВТСП провода, влияющих на толщину сверхпроводящего слоя, необходимо периодически проводить характеризацию тестовых образцов на выбранных контрольных участках набором физико-химических методов анализа.
Для определения толщины сверхпроводящего слоя в составе ВТСП-проводов второго поколения при постоянном соотношении элементов по всей длине образца применяются стандартные методы анализа, которые можно разделить на прямые и косвенные. Косвенные методы (например, спектроскопические, масс-спектрометрические и др.) проводятся путем растворения тестового образца с последующим анализом содержания элементов в растворе. Данные методы позволяют оценить толщину пленки путем построения калибровочных графиков зависимости аналитического сигнала выбранного элемента от толщины, определенной для серии образцов прямыми методами.
К косвенным методам можно отнести способ измерения толщины и гладкости поверхности сверхпроводящей оксидной пленки (см. JPH05149720) путем облучения пленки лазерным лучом, в процессе ее формирования на подложке. Способ основан на измерении интенсивности отраженного света от облученного участка пленки и вычислении разности фаз между отраженным лучом, образующим верхнюю поверхность пленки и другим отраженным лучом из нижней поверхности пленки.
К прямым методам анализа толщины сверхпроводящего покрытия относятся методы визуализации ВТСП слоя, например, методами сканирующей электронной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии.
Так, в заявке CN 105241697 раскрывается способ исследования толщины слоев ВТСП провода с использованием сканирующего электронного микроскопа, для чего готовят образцы путем разреза ленты в продольном направлении и последующей полировки в одном направлении. В заявке оговаривается, что разрез проводится проволокой, желательно, вольфрамовой с диаметром от 0,08 до 0,2 мм. Затем образец фиксируют с помощью проводящего материала и сечение подвергают анализу с использованием сканирующего электронного микроскопа.
Технической проблемой известных технических решений является то, что методы визуализации ВТСП пленок требуют наличия дорогостоящего вакуумного оборудования, длительной пробоподготовки (в случае ПЭМ) и обладают слишком высокой локальностью (для СЭМ и ПЭМ - 10-50 мкм, что вносит высокую погрешность в определении средней величины толщины слоя ВТСП на длинномерных образцах и требует многократного повторения процедуры для сопоставления полученного результата с токонесущей способностью на длинномерных образцах.
Раскрытие сущности изобретения.
Изобретение позволяет устранить данную техническую проблему.
Способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя ВТСП проводов второго поколения, в соответствии с изобретением, включает следующие стадии:
(A) изготовление тестового образца из ВТСП провода, содержащего подложку, нанесенный на подложку, по меньшей мере, один буферный слой и нанесенный на буферный сверхпроводящий слой, где длина образца соответствует длине провода, при которой масса сверхпроводящего слоя составляет не менее 40 мг;
(Б) измерение длины, ширины и массы тестового образца;
(B) растворение сверхпроводящего слоя тестового образца в травильном растворе, не взаимодействующим с материалом буферного слоя, промывку упомянутого образца, сушку и измерение массы образца без сверхпроводящего слоя;
(Г) определение толщины сверхпроводящего слоя образца с учетом растворенной массы.
В других воплощениях изобретения на стадии А изготавливают образцы с длиной от 0,5 до 1 м.
Образец на стадии А может быть изготовлен из ВТСП провода, дополнительно содержащего, по меньшей мере, один защитный слой, расположенный на сверхпроводящем слое.
В этом случае перед стадией (В) осуществляют растворение защитного слоя тестового образца в травильном растворе, промывку упомянутого образца от раствора и продуктов растворения, сушку и измерение массы образца без защитного слоя, при этом, растворение защитного слоя осуществляют в травильном растворе, не взаимодействующим с материалом сверхпроводящего слоя.
Тестовый образец может быть изготовлен из ВТСП провода, содержащего в качестве сверхпроводящего слоя слой состава RBa2Cu3O7-х, где R=Y или Gd
В этом случае растворение на стадии В осуществляют в водном растворе азотной кислоты.
Тестовый образец может быть изготовлен из провода, на который сверхпроводящий слой нанесен методом импульсного лазерного осаждения.
Сущность изобретения состоит в следующем.
Предлагаемый способ представляет собой простой и высоко воспроизводимый метод определения толщины слоя ВТСП, основанный на прямом определении массы сверхпроводника путем постадийного растворения защитных металлических слоев и слоя ВТСП в серии растворов-травителей с взвешиванием образца на каждом этапе (см. фиг. 1).
Гравиметрический метод определения толщин толстых покрытий широко используется в промышленности (например, лакокрасочной, электрохимической), однако в случае тонких пленок он обычно не применим вследствие высокой погрешности, т.к. масса смываемых пленок (1-3 мг) сопоставима с погрешностью взвешивания даже для весов I класса точности (±0,5-1 мг).
Однако в случае ВТСП-проводов данный способ является эффективным, т.к. можно использовать тестовые образцы достаточной длины, соответствующей массе смываемой пленки сверхпроводника 40-100 мг (при длине образца около 50-100 см), что является легко измеряемым значением с высокой точностью (1-2%).
Способ осуществляли следующим образом.
Предложенный способ определения толщины слоя сверхпроводника был опробован на образцах, предоставленных ЗАО «СуперОкс».
Для проведения анализа требуются аналитические лабораторные весы I класса точности по ГОСТ Р 53228-2008 и OIML R 76-1-201 (d=0,0001 г, е=0,001 г) с максимально допустимой массой взвешивания не менее 10 г.
При проведении анализа требуется соблюдать правила работы с аналитическими весами, предусмотренные инструкцией к прибору. В качестве тары для помещения образца можно использовать емкости массой не более 10 г.
Для апробации изобретения использовались аналитические весы Vibra НТ 224RCE (I класс точности).
Тестовый образец изготавливали из стандартного ВТСП провода со следующим расположением слоев: Ag/ВТСП/Буферные слои/подложка из сплава Hastelloy.
Для послойного удаления металлических защитных слоев на основе меди и серебра, а также для удаления ВТСП слоя использовали реагенты, приведенные в таблице 1.
Общая методика определения толщины сверхпроводящего слоя (lx) для данного ВТСП провода известной ширины (l1, см) образом с двумя защитными последовательно расположенными слоями меди и серебра выглядела следующим:
1 - Изготовление образца, масса ВТСП слоя которого составляла более 40 -45 мг.
2 - Измерение длины образца (l2>50±0,05 см).
3 - Определение начальной массы образца (m1, ±0,0001 г).
4 - Растворение защитного слоя меди в насыщенном растворе FeCl3 при температуре 50°С в течение 15 мин. Промывка образца от раствора и продуктов травления сначала дистилированной водой, затем спиртом (этиловым или пропиловым). Сушка образца до полного удаления остатков жидкости с его поверхности.
5 - Определение массы образца без защитного слоя меди (m2, ±0,0001 г).
6 - Растворение защитного слоя серебра в растворе смеси Н2О2 (10%) и NH3 (5%) в течение 5 мин (температура <40°С). Промывка образца от раствора и продуктов травления сначала дистилированной водой, затем спиртом (этиловым или пропиловым). Сушка образца до полного удаления остатков жидкости с его поверхности.
7 - Определение массы образца без защитного слоя серебра (m3, ±0,0001 г).
8 - Растворение слоя ВТСП в растворе HNO3 (5%) до образования однородной поверхности слоя буферного оксида (0,5-1 мин). Промывка образца от раствора и продуктов травления сначала дистилированной водой, затем спиртом (этиловым или пропиловым). Сушка образца до полного удаления остатков жидкости с его поверхности.
9 - Определение массы образца без слоя ВТСП (m4, ±0,0001 г).
На фиг. 1 приведена схема, иллюстрирующая процесс гравиметрического определения толщины (mn - масса образца на каждой стадии) сверхпроводящего слоя в ВТСП проводе второго поколения.
На верхнем рисунке фиг. 1 показан образец ВТСП провода с массой m1, который содержит защитный слой на основе меди (1), защитный слой на основе серебра (2), слой ВТСП (3), буферные слои (4) и металлическую подложку (5). Следующий за этим рисунок на фиг. 1 показывает образец с растворенным слоем на основе меди, затем -образец с растворенным защитным слоем на основе серебра и, наконец, последний рисунок - образец с растворенным слоем ВТСП.
Каждое измерение повторялось несколько раз (не менее трех) для повышения точности анализа.
Для расчета толщин слоев использовались следующие формулы:
Для GdBa2Cu3O7 ρВТСП=6,88 г/см3.
Погрешность определения толщины сверхпроводящего слоя (нм) гравиметрическим методом без учета влияния внешних факторов рассчитывали следующим образом:
l1 - длина образца, см
l2 - ширина образца, см
lx - толщина сверхпроводящего слоя, мкм
Δ1 - погрешность взвешивания, указанная производителем весов, г.
Δ2 - погрешность определения длины, см.
Оценка погрешности определения толщины на основе формулы (4) для стандартного ВТСП провода шириной 12 мм на основе сверхпроводника GdBa2Cu3O7-x представлена в таблице 2.
Таким образом, при использовании тестовых образцов длиной 50 см при стандартной толщине сверхпроводящего слоя в диапазоне 1-2 мкм гравиметрический способ позволяет определить его толщину с погрешностью не более 30 нм (менее 3%), что полностью удовлетворяет техническим требованиям и сопоставимо с результатами просвечивающей электронной микроскопии.
В качестве примеров конкретного выполнения способа осуществляли расчет толщины ВТСП слоя по вышеописанной методике для образцов с защитным слоем из серебра (примеры 1 и 3, см. таблицу 3) и без защитного слоя (пример 2, табл. 3).
Как следует из данных таблицы 3, предложенное техническое решение позволяет достаточно просто и легко, а также с высокой точностью измерить толщину сверхпроводящего слоя.
Изобретение позволяет удешевить и ускорить настройку технологического оборудования для нанесения сверхпроводящих слоев и обеспечить контроль за производственным процессом при изготовлении длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) проводов второго поколения.
Текст ниже иллюстрирует примеры использования предложенной методики гравиметрического определения толщины слоя ВТСП для настройки установки нанесения сверхпроводящего слоя методом импульсного лазерного осаждения
Необходимо также отметить, что заявленный гравиметрический метод показал высокую эффективность при исследовании влияния параметров нанесения ВТСП слоя методом импульсного лазерного осаждения на толщину ВТСП слоя (фиг.2).
В исследовании представлены зависимости толщины получаемого слоя сверхпроводника (d) в зависимости от энергии (Е) и частоты (w) импульсов лазера и скорости движения ленты (v). В теории d~E*w/v, что позволяет провести линеаризацию зависимостей толщин слоя ВТСП в координатах d-E, d-w, d-1/v. В случае зависимости d-E результаты, полученные методом гравиметрии, сопоставлены с данными толщин, полученных методом сканирующей микроскопии по 5-6 точкам на образцах.
Видно, что в случае гравиметрического метода анализа толщины слоя сверхпроводника достигается высокая точность полученных данных, что позволяет определить зависимость толщины ВТСП слоя от энергии импульсов лазера с коэффициентом линейной корреляции 0,998. Аналогично высокая корреляция данных достигается в координатах d-w и d-1/v, что позволяет провести точную настройку оборудования и повысить производительность технологического процесса изготовления ВТСП-провода.
Табл. 2. Рассчитанные величины погрешности гравиметрического анализа толщины сверхпроводящего слоя (нм) от геометрических характеристик образца ВТСП провода (шириной 12 мм) на основе GdBa2Cu3O7-x (Δ1=0,0005 г, Δ2=0,05 см).
* - в скобках указана величина стандартного отклонения.
Claims (11)
1 Способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя ВТСП проводов второго поколения, характеризующийся тем, что включает следующие стадии:
(A) изготовление тестового образца из ВТСП провода, содержащего подложку, нанесенный на подложку по меньшей мере один буферный слой и нанесенный на буферный сверхпроводящий слой, где длина образца соответствует длине провода, при которой масса сверхпроводящего слоя составляет не менее 40 мг;
(Б) измерение длины, ширины и массы тестового образца;
(B) растворение сверхпроводящего слоя тестового образца в травильном растворе, не взаимодействующем с материалом буферного слоя, промывку упомянутого образца, сушку и измерение массы образца без сверхпроводящего слоя;
(Г) определение толщины сверхпроводящего слоя образца с учетом растворенной массы.
2 Способ по п. 1, характеризующийся тем, что на стадии А изготавливают образцы с длиной от 0,5 до 1 м.
3 Способ по п. 1, характеризующийся тем, что образец на стадии А изготавливают из ВТСП провода, дополнительно содержащего по меньшей мере один защитный слой, расположенный на сверхпроводящем слое.
4 Способ по п. 3, характеризующийся тем, что перед стадией (В) осуществляют растворение защитного слоя тестового образца в травильном растворе, промывку упомянутого образца от раствора и продуктов растворения, сушку и измерение массы образца без защитного слоя, при этом растворение защитного слоя осуществляют в травильном растворе, не взаимодействующем с материалом сверхпроводящего слоя.
5 Способ по п. 1, характеризующийся тем, что тестовый образец изготавливают из ВТСП провода, содержащего в качестве сверхпроводящего слоя слой состава RBa2Cu3O7-x, где R=Y или Gd.
6 Способ по п. 5, характеризующийся тем, что растворение на стадии В осуществляют в водном растворе азотной кислоты.
7 Способ по п. 1, характеризующийся тем, что тестовый образец изготавливают из ВТСП провода, на который сверхпроводящий слой нанесен методом импульсного лазерного осаждения.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018126991A RU2687312C1 (ru) | 2018-07-23 | 2018-07-23 | Способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя втсп проводов второго поколения |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018126991A RU2687312C1 (ru) | 2018-07-23 | 2018-07-23 | Способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя втсп проводов второго поколения |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2687312C1 true RU2687312C1 (ru) | 2019-05-13 |
Family
ID=66578669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018126991A RU2687312C1 (ru) | 2018-07-23 | 2018-07-23 | Способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя втсп проводов второго поколения |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2687312C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113008185A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-06-22 | 四川东钢新材料股份有限公司 | 线缆包覆层厚度检测方法及铝包钢线的铝层均厚检测方法 |
| CN114018199A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-02-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种薄膜厚度的测量方法以及测量装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102003952A (zh) * | 2009-09-01 | 2011-04-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 硅片厚度测量方法 |
| US8176777B2 (en) * | 2006-11-08 | 2012-05-15 | Mtu Aero Engines Gmbh | Device and method for measuring layer thicknesses |
| CN105241697A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-01-13 | 富通集团（天津）超导技术应用有限公司 | 一种高温超导涂层导体断面测试样品的制备方法 |
| RU2611632C2 (ru) * | 2015-05-28 | 2017-02-28 | Акционерное общество "Кумертауское авиационное производственное предприятие" | Способ определения толщины покрытия в ходе процесса твердого анодирования |
| WO2017120160A1 (en) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | Arkema Inc. | Optical method to measure the thickness of coatings deposited on substrates |
-
2018
- 2018-07-23 RU RU2018126991A patent/RU2687312C1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8176777B2 (en) * | 2006-11-08 | 2012-05-15 | Mtu Aero Engines Gmbh | Device and method for measuring layer thicknesses |
| CN102003952A (zh) * | 2009-09-01 | 2011-04-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 硅片厚度测量方法 |
| RU2611632C2 (ru) * | 2015-05-28 | 2017-02-28 | Акционерное общество "Кумертауское авиационное производственное предприятие" | Способ определения толщины покрытия в ходе процесса твердого анодирования |
| CN105241697A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-01-13 | 富通集团（天津）超导技术应用有限公司 | 一种高温超导涂层导体断面测试样品的制备方法 |
| WO2017120160A1 (en) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | Arkema Inc. | Optical method to measure the thickness of coatings deposited on substrates |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113008185A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-06-22 | 四川东钢新材料股份有限公司 | 线缆包覆层厚度检测方法及铝包钢线的铝层均厚检测方法 |
| CN114018199A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-02-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种薄膜厚度的测量方法以及测量装置 |
| CN114018199B (zh) * | 2022-01-07 | 2022-03-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种薄膜厚度的测量方法以及测量装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2687312C1 (ru) | Способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя втсп проводов второго поколения | |
| Fang et al. | Comparison of Si surface roughness measured by atomic force microscopy and ellipsometry | |
| Shewchun et al. | Ellipsometric technique for obtaining substrate optical constants | |
| Yakovlev et al. | An Interface Enhanced Spectroscopic Ellipsometry Technique: Application to Si‐SiO2 | |
| CN114819767A (zh) | 一种电容器引出线化成质量检测方法 | |
| Wang et al. | Consistent refractive index parameters for ultrathin SiO 2 films | |
| De Laet et al. | Spectroscopic ellipsometry characterization of anodic films on aluminium correlated with transmission electron microscopy and Auger electron spectroscopy | |
| Shanley et al. | Differential reflectometry—a new optical technique to study corrosion phenomena | |
| Heine et al. | The Distribution of Defects in Aluminum Oxide Films near the Metal-to-Oxide Interface | |
| Heyd et al. | Monitoring ion etching of GaAs/AlGaAs heterostructures by real time spectroscopic ellipsometry: Determination of layer thicknesses, compositions, and surface temperature | |
| Chao et al. | Ellipsometric study on the film formation of nickel in phosphate solutions | |
| Rhiger | Use of ellipsometry to characterize the surface of HgCdTe | |
| Kang et al. | An ellipsometric study on the early stage of passive film formation on nickel in acidic solutions | |
| JP3629694B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法 | |
| Anderson et al. | Penetration depth and flux creep in thin superconducting indium films | |
| Tompkins | Use of surface and thin film analysis techniques to study metal-organic and metal-polymer interaction: A review | |
| RU2798708C1 (ru) | Способ анализа эволюции нановключений в тонкопленочных нанокомпозитах | |
| CN1350700A (zh) | 测绘在硅晶片表面上金属杂质浓度的工艺方法 | |
| JPH06163662A (ja) | 半導体基板表面ラフネス値の測定方法 | |
| Rikel et al. | Simplified Procedure for Estimating Epitaxy of ${\rm La} _ {2}{\rm Zr} _ {2}{\rm O} _ {7} $-Buffered NiW RABITS Using XRD | |
| Muller | Recent advances in some optical experimental methods | |
| Garriga et al. | Ellipsometry on very thick multilayer structures | |
| Sopori et al. | Silicon solar cell process monitoring by PV-reflectometer | |
| Avrahami et al. | Diffusion and structural modification of Ti: LiNbO 3, studied by high-resolution x-ray diffraction | |
| JP3544229B2 (ja) | 化合物半導体層の評価方法 |