RU2686449C1 - Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль - Google Patents
Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль Download PDFInfo
- Publication number
- RU2686449C1 RU2686449C1 RU2018130744A RU2018130744A RU2686449C1 RU 2686449 C1 RU2686449 C1 RU 2686449C1 RU 2018130744 A RU2018130744 A RU 2018130744A RU 2018130744 A RU2018130744 A RU 2018130744A RU 2686449 C1 RU2686449 C1 RU 2686449C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photovoltaic
- photovoltaic cells
- planar
- voltage
- module
- Prior art date
Links
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к гелиотехнике. Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль содержит электрически соединенные между собой планарные фотоэлектрические элементы, расположенные в одной плоскости в герметичной оболочке между верхним и нижним защитными покрытиями. Фотоэлектрические элементы включают пластину из полупроводникового материала, например кремния, на которой с одной или обеих сторон по всей площади пластины расположены чередующиеся слои р и n типа. Слои р и n типа расположены таким образом, что фотоэлектрические элементы представляют собой несколько расположенных друг на друге последовательно соединенных единичных фотопреобразователей. Толщина фотоэлектрических элементов соизмерима с толщиной традиционного планарного кремниевого фотопреобразователя с одним р-n переходом, а другие размеры совпадают с размерами традиционного планарного кремниевого фотопреобразователя с одним р-n переходом. Лицевая или лицевая и тыльная поверхности модуля являются рабочими. Изобретение обеспечивает работу планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля с повышенным выходным напряжением, низкой зависимостью мощности от равномерности освещения и повышенной надежности, повышенной эффективностью при концентрированном излучении за счет использования многослойных планарных высоковольтных фотоэлектрических элементов и их соединения. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к гелиотехнике, в частности к солнечным фотоэлектрическим модулям.
Известны фотоэлектрические модули, содержащие электрически соединенные между собой планарные фотоэлектрические элементы, расположенные в одной плоскости в герметичной оболочке между верхним и нижним защитным покрытиями (патент РФ №2410796, МПК H01L 31/04, опубл. 27.01.2011; патент. РФ №2526894, МПК H01L 31/042, опубл. 27.08.2014).
Недостатками известных фотоэлектрических модулей являются низкое выходное напряжение, высокая зависимость мощности от равномерности освещения и не достаточно высокая надежность.
Известен фотоэлектрический модуль на основе матричных фотоэлектрических элементов. Кремниевые фотоэлектрические элементы содержат несколько вертикальных р-n переходов и рабочая поверхность перпендикулярна р-n переходам (Стребков Д.С. Матричные солнечные элементы - М.: ГНУ ВИЭСХ, 2010. - стр. 144-147).
Недостатками известного фотоэлектрического модуля низкая технологичность, сложность массового изготовления, плохая совместимость с технологиями изготовления и использования планарных фотоэлектрических модулей, низкая эффективность при однократном излучении.
Известен фотоэлектрический модуль, содержащий двухпереходные двухсторонние фотоэлектрические элементы (патент. США №2009/0095341 А1, МПК H01L 31/048, H01L 31/052, опубл. 16.04.2009
Недостатками известного фотоэлектрического модуля низкая технологичность, плохая совместимость с технологиями изготовления и использования планарных фотоэлектрических модулей, низкое выходное напряжение и не достаточно высокая надежность.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является планарный фотоэлектрический модуль, содержащий электрически соединенные между собой планарные фотоэлектрические элементы, расположенные в одной плоскости в герметичной оболочке между верхним и нижним защитным покрытиями (Оборудование возобновляемой и малой энергетики. Справочник-каталог / под ред. П.П. Безруких - М: ООО ИД ЭНЕРГИЯ, 2005. - стр. 68-70). Фотоэлектрические элементы выполнены на кремниевой пластине и содержат один р-n переход. Большая часть фотоэлектрических элементов или все фотоэлектрические элементы соединены последовательно для получения требуемого значения выходного напряжения.
Недостатками известного технического решения являются низкое выходное напряжение, высокая зависимость мощности от равномерности освещения, не достаточно высокая надежность, низкая эффективность при концентрированном излучении.
Задачей предлагаемого изобретения является повышение выходного напряжения, снижение зависимости мощности от равномерности освещения и повышение надежности, повышение эффективности при концентрированном излучении.
В результате использования предлагаемого изобретения повышается выходное напряжение, снижается зависимость мощности от равномерности освещения и повышается надежность, повышается эффективность при концентрированном излучении за счет использования высоковольтных планарных фотоэлектрических элементов, которые представляют собой несколько расположенных друг на друге последовательно соединенных единичных фотопреобразователей, причем толщина фотоэлектрических элементов соизмерима с толщиной традиционного планарного кремниевого фотопреобразователя с одним р-n переходом, а другие размеры совпадают с размерами традиционного планарного кремниевого фотопреобразователя с одним р-n переходом, при этом лицевая или лицевая и тыльная поверхности модуля являются рабочими, все фотоэлектрические элементы могут быть соединены параллельно при обеспечении того же или большего выходного напряжения, фотоэлектрический модуль может включать элементы, концентрирующие излучение на рабочих поверхностях фотоэлектрических элементов
Вышеуказанный результат достигается тем, что в предлагаемом планарном высоковольтном фотоэлектрическом модуле, содержащем электрически соединенные между собой планарные фотоэлектрические элементы, расположенные в одной плоскости в герметичной оболочке между верхним и нижним защитным покрытиями, согласно изобретению фотоэлектрические элементы включают пластину из полупроводникового материала, например кремния, на которой с одной или обеих сторон по всей площади пластины расположены чередующиеся слои р и n типа таким образом, что фотоэлектрические элементы представляют собой несколько расположенных друг на друге последовательно соединенных единичных фотопреобразователей, причем толщина фотоэлектрических элементов соизмерима с толщиной традиционного планарного кремниевого фотопреобразователя с одним р-n переходом, а другие размеры совпадают с размерами традиционного планарного кремниевого фотопреобразователя с одним р-n переходом, при этом лицевая или лицевая и тыльная поверхности модуля являются рабочими.
В варианте планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля все фотоэлектрические элементы соединены параллельно.
В другом варианте планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля рабочей поверхностью модуля является лицевая поверхность и между лицевыми поверхностями фотоэлектрических элементов и верхним защитным покрытием расположены элементы, увеличивающие концентрацию излучения на рабочей поверхности фотоэлектрических элементов.
В другом варианте планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля лицевая и тыльная поверхности модуля являются рабочими и с обеих сторон фотоэлектрических элементов с двумя рабочими поверхностями, между ними и защитными покрытиями расположены элементы, увеличивающие концентрацию излучения на рабочих поверхностях фотоэлектрических элементов.
В другом варианте планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля защитное покрытие, расположенное над рабочими поверхностями фотоэлектрических элементов одновременно является концентратором или набором концентраторов солнечного излучения.
В другом варианте планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля рабочей поверхностью модуля является лицевая поверхность и между лицевыми поверхностями фотоэлектрических элементов и верхним защитным покрытием расположены элементы, увеличивающие концентрацию излучения на рабочей поверхности фотоэлектрических элементов, а между фотоэлектрическими элементами и нижним защитным покрытием расположены элементы, отводящие тепло от фотоэлектрических элементов.
В другом варианте планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля рабочей поверхностью модуля является лицевая поверхность, верхнее защитное покрытие, одновременно является концентратором или набором концентраторов солнечного излучения, а между фотоэлектрическими элементами и нижним защитным покрытием расположены элементы, отводящие тепло от фотоэлектрических элементов.
Сущность изобретения поясняется на фиг. 1, 2 и 3, где на фиг. 1 представлена схема конструкции планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля в поперечном разрезе с лицевой рабочей поверхностью и параллельной коммутацией всех фотоэлектрических элементов, на фиг. 2 представлен вид сверху, на фиг. 3 представлена схема конструкции фотоэлектрического элемента, входящего в состав планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля.
Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль состоит из фотоэлектрических элементов 1 с лицевой рабочей поверхностью 2, расположенных между верхним защитным покрытием 3 и нижним защитным покрытием 4. Верхнее защитное покрытие 3 выполнено из прозрачного материала. Фотоэлектрические элементы соединены параллельно с помощью верхних контактных полос 5 и нижних контактных полос 6 и, соответственно, верхней шины 7 и нижней шины 8. Верхняя 7 и нижняя 8 шины, с присоединенными к ним контактными полосами изолированы друг от друга с помощью изолирующей прокладки 9. Контакты на лицевых (верхних) поверхностях 2 фотоэлектрических элементов 1 и соединенные с ними контактные полосы 5 изолированы друг от друга с помощью диэлектрической пленки 10; тыльные поверхности 11 фотоэлектрических элементов 1 и соединенные с ними нижние контактные полосы 6 изолированы друг от друга с помощью диэлектрической пленки 12.
На фиг. 3 показан вариант конструкции фотоэлектрического элемента, входящего в состав планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля, например, представленного на фиг. 1.
Фотоэлектрический элемент включает пластину (подложку) 13 из полупроводникового материала р типа, например кремния, лицевую 2 и тыльную 11 поверхности. С одной стороны по всей площади пластины 13 расположены чередующиеся слои р и n типа 14, с другой стороны расположен слой р+ таким образом, что фотоэлектрические элементы представляют собой несколько расположенных друг на друге последовательно соединенных единичных фотопреобразователей 15, при этом толщина фотоэлектрического элемента соизмерима с толщиной традиционного планарного кремниевого фотопреобразователя с одним р-n переходом, а другие размеры совпадают с размерами традиционного планарного кремниевого фотопреобразователя с одним р-n переходом. Фотоэлектрический элемент односторонний: рабочей поверхностью, на которую поступает солнечное излучение, является только лицевая поверхность 2 фотоэлектрического элемента.
Когда все фотоэлектрические элементы 1 соединены параллельно, ток на выходе фотоэлектрического модуля будет равен сумме токов всех фотоэлектрических элементов 1, а напряжение - наименьшему выходному напряжению фотоэлектрических элементов 1. При этом изменение равномерности освещения фотоэлектрического модуля или ухудшение характеристик, выход из строя одного или части фотоэлектрических элементов 1 не окажет существенного влияния на работу других фотоэлектрических элементов 1.
При соединении по традиционной последовательно-параллельной схеме выходное напряжение планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля будет превышать напряжение планарного фотоэлектрического модуля аналогичной конструкции с фотоэлектрическими элементами с одним р-n переходом пропорционально количеству единичных фотопреобразователей 15 в фотоэлектрических элементах 1.
Работает планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль следующим образом.
Солнечное излучение поступает через верхнее защитное покрытие 3 на лицевую поверхностью 2 фотоэлектрических элементов 1. Толщина слоев 14 обеспечивает прозрачность и поступление излучения на все единичные фотопреобразователи 15. Происходит поглощение фотонов в единичных фотопреобразователях 15, сопровождающееся образованием электронно-дырочных пар и появлением избыточных носителей заряда. Электронно-дырочные пары разделяются полем, что вызывает фототок. Поглощение приводит к возникновению фотоЭДС и, при подключении внешней сети к выводам фотоэлектрического модуля, к току в этой сети. Электрический ток через верхние контактные полосы 5, фотоэлектрические элементы 1 и нижние контактные полосы 6 протекает по верхней шине 7 и нижней шине 8, между положительным и отрицательным выводами фотоэлектрического модуля. Выходное напряжение каждого фотоэлектрического элемента 1 будет равно сумме напряжений всех единичных фотопреобразователей 15 этого фотоэлектрического элемента 1.
Если чередующиеся слои р и n типа 14 расположены с обеих сторон пластины 13 и тыльная поверхность 11 фотоэлектрических элементов 1 также является рабочей, то на нее также поступает излучение через нижнее защитное покрытие 4, которое в этом случае также выполнено из прозрачного материала.
Предложенный фотоэлектрический модуль является и планарным, и высоковольтным, что позволяет объединить достоинства обеих конструкций, обеспечить более эффективное преобразование электромагнитного излучения, увеличить напряжение, изготавливать по планарной, наиболее отработанной технологии высоковольтные фотоэлектрические модули, эффективно использовать планарные фотоэлектрические модули для преобразования концентрированного излучения.
Пример выполнения планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля.
Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль включает 36 кремниевых фотоэлектрических элементов, каждый из которых состоит из 36 единичных фотопреобразователей n+-р-р+ и представляет собой n+-р-р+-n+-р-р+-…-n+-р-р+ структуру, в которой единичные фотопреобразователи последовательно соединены благодаря туннельным переходам между высоколегированными слоями.
Фотоэлектрические элементы квадратной формы, со стороной квадрата 100 мм. Слои созданы на кремниевой пластине n- типа методом эпитаксиального выращивания и последовательно соединены благодаря туннельным переходам между высоколегированными слоями. Рабочей поверхностью является только лицевая поверхность фотоэлектрических элементов, при этом толщина фотоэлектрических элементов сопоставима с толщиной планарного фотоэлектрического элемента 100×100 мм с одним р-n переходом, а толщина фотоэлектрического модуля с толщиной традиционных планарных фотоэлектрических модулей
Фотоэлектрические элементы расположены в одной плоскости в девять рядов в каждом из которых по четыре фотоэлектрических элемента. К контактной сетке на лицевой поверхности и контакту на тыльной поверхности каждого фотоэлектрического элемента присоединены, соответственно, верхние и нижние контактные полосы. Верхние контактные полосы соединяют каждый фотоэлектрический элемент с верхней шиной, и нижние контактные полосы соединяют каждый фотоэлектрический элемент с нижней шиной. Таким образом все фотоэлектрические элементы в фотоэлектрическом модуле соединены параллельно. Верхняя и нижняя шины соединены с отрицательным и положительным выводами фотоэлектрического модуля.
В результате получается планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль, представленный на фиг. 1 с фотоэлектрическими элементами, аналогичными фотоэлектрическому элементу, представленному на фиг. 2.
Размер планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля 428×968 мм, площадь рабочей поверхности составляет 0,3772 м2, толщина 30 мм. Выходной ток планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля равен сумме токов всех фотоэлектрических элементов:
где IФМ - выходной ток фотоэлектрического модуля; IФЭi - выходной ток i-го фотоэлектрического элемента. Выходное напряжение планарного высоковольтного фотоэлектрического модуля составляет 80 В и равно выходному напряжению одного фотоэлектрического элемента с наименьшим напряжением, которое в свою очередь равно сумме напряжений 36 единичных фотопреобразователей этого фотоэлектрического элемента.
Claims (7)
1. Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль, содержащий электрически соединенные между собой планарные фотоэлектрические элементы, расположенные в одной плоскости в герметичной оболочке между верхним и нижним защитными покрытиями, отличающийся тем, что фотоэлектрические элементы включают пластину из полупроводникового материала, например кремния, на которой с одной или обеих сторон по всей площади пластины расположены чередующиеся слои р и n типа таким образом, что фотоэлектрические элементы представляют собой несколько расположенных друг на друге последовательно соединенных единичных фотопреобразователей, причем толщина фотоэлектрических элементов соизмерима с толщиной традиционного планарного кремниевого фотопреобразователя с одним р-n переходом, а другие размеры совпадают с размерами традиционного планарного кремниевого фотопреобразователя с одним р-n переходом, при этом лицевая или лицевая и тыльная поверхности модуля являются рабочими.
2. Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль по п. 1, отличающийся тем, что все фотоэлектрические элементы соединены параллельно.
3. Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль по п. 1, отличающийся тем, что рабочей поверхностью модуля является лицевая поверхность и между лицевыми поверхностями фотоэлектрических элементов и верхним защитным покрытием расположены элементы, увеличивающие концентрацию излучения на рабочей поверхности фотоэлектрических элементов.
4. Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль по п. 1, отличающийся тем, что лицевая и тыльная поверхности модуля являются рабочими и с обеих сторон фотоэлектрических элементов с двумя рабочими поверхностями, между ними и защитными покрытиями расположены элементы, увеличивающие концентрацию излучения на рабочих поверхностях фотоэлектрических элементов.
5. Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль по п. 1, отличающийся тем, что защитное покрытие, расположенное над рабочими поверхностями фотоэлектрических элементов, одновременно является концентратором или набором концентраторов солнечного излучения.
6. Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль по п. 1, отличающийся тем, что рабочей поверхностью модуля является лицевая поверхность и между лицевыми поверхностями фотоэлектрических элементов и верхним защитным покрытием расположены элементы, увеличивающие концентрацию излучения на рабочей поверхности фотоэлектрических элементов, а между фотоэлектрическими элементами и нижним защитным покрытием расположены элементы, отводящие тепло от фотоэлектрических элементов.
7. Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль по п. 1, отличающийся тем, что рабочей поверхностью модуля является лицевая поверхность, верхнее защитное покрытие одновременно является концентратором или набором концентраторов солнечного излучения, а между фотоэлектрическими элементами и нижним защитным покрытием расположены элементы, отводящие тепло от фотоэлектрических элементов.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018130744A RU2686449C1 (ru) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018130744A RU2686449C1 (ru) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2686449C1 true RU2686449C1 (ru) | 2019-04-25 |
Family
ID=66314541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018130744A RU2686449C1 (ru) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2686449C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728230A (en) * | 1995-08-15 | 1998-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell and method for manufacturing the same |
| US20090095341A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Ultradots, Inc. | Solar Modules With Enhanced Efficiencies Via Use of Spectral Concentrators |
| RU2373607C1 (ru) * | 2008-05-06 | 2009-11-20 | Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийскй научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) | Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления |
| RU2410796C1 (ru) * | 2010-01-19 | 2011-01-27 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Конструкция фотоэлектрического модуля |
| RU2431786C1 (ru) * | 2010-03-11 | 2011-10-20 | Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российская академия сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) | Солнечный фотоэлектрический модуль и способ его изготовления |
| RU2513658C2 (ru) * | 2012-07-20 | 2014-04-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Кремниевый многопереходный фотоэлектрический преобразователь с наклонной конструкцией и способ его изготовления |
-
2018
- 2018-08-24 RU RU2018130744A patent/RU2686449C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728230A (en) * | 1995-08-15 | 1998-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell and method for manufacturing the same |
| US20090095341A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Ultradots, Inc. | Solar Modules With Enhanced Efficiencies Via Use of Spectral Concentrators |
| RU2373607C1 (ru) * | 2008-05-06 | 2009-11-20 | Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийскй научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) | Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления |
| RU2410796C1 (ru) * | 2010-01-19 | 2011-01-27 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Конструкция фотоэлектрического модуля |
| RU2431786C1 (ru) * | 2010-03-11 | 2011-10-20 | Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российская академия сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) | Солнечный фотоэлектрический модуль и способ его изготовления |
| RU2513658C2 (ru) * | 2012-07-20 | 2014-04-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Кремниевый многопереходный фотоэлектрический преобразователь с наклонной конструкцией и способ его изготовления |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| СПРАВОЧНИК РЕСУРСОВ ВОЗОБНОВЛЯЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ЭНЕРГИИ РОССИИ. ПОД РЕД. БЕЗРУКИХ П.П. М.: ЭНЕРГИЯ, 2007, с.68-70. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20240030864A1 (en) | High voltage solar modules | |
| CN205609547U (zh) | 具有二极管器件的高密度太阳能模块 | |
| US4513168A (en) | Three-terminal solar cell circuit | |
| US4283589A (en) | High-intensity, solid-state solar cell | |
| US20100078056A1 (en) | Optical tandem photovoltaic cell panels | |
| US20210376174A1 (en) | Solar cell module and photovoltaic power generation system | |
| KR20120080336A (ko) | 백색 백시트를 구비한 태양전지 모듈 | |
| US8466582B2 (en) | Method and apparatus for applying an electric field to a photovoltaic element | |
| US11482633B2 (en) | Voltage matched multijunction solar cell | |
| US4914044A (en) | Method of making tandem solar cell module | |
| RU2376679C1 (ru) | Полупроводниковый многопереходный солнечный элемент | |
| CN103280465A (zh) | 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件 | |
| CN106098830A (zh) | 一种同侧互联的太阳能电池串及制备方法和组件及系统 | |
| JP2000164910A (ja) | 太陽電池モジュ―ル | |
| CN201584423U (zh) | 新型太阳能电池组件 | |
| RU2686449C1 (ru) | Планарный высоковольтный фотоэлектрический модуль | |
| KR101626929B1 (ko) | 화합물 박막을 이용한 다중접합 태양전지 제조 방법 및 다중접합 태양전지 | |
| CN115000224A (zh) | 一种双面叠层太阳电池、电池组件和光伏系统 | |
| CN209822650U (zh) | 一种太阳电池铝背场结构 | |
| Naseri et al. | An efficient double junction CIGS solar cell using a 4H-SiC nano layer | |
| US20130008481A1 (en) | Electrically connecting element and photovoltaic module | |
| US20130312821A1 (en) | Solar cell | |
| CN220044083U (zh) | 一种优化组件背面发电量的光伏组件 | |
| CN215680705U (zh) | 大尺寸切片电池光伏组件 | |
| Latreche et al. | New design of ferroelectric solar cell combined with luminescent solar concentrator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200825 |