RU2681587C1 - Method of application of a nanofilm coating on a substrate - Google Patents

Method of application of a nanofilm coating on a substrate Download PDF

Info

Publication number
RU2681587C1
RU2681587C1 RU2018102453A RU2018102453A RU2681587C1 RU 2681587 C1 RU2681587 C1 RU 2681587C1 RU 2018102453 A RU2018102453 A RU 2018102453A RU 2018102453 A RU2018102453 A RU 2018102453A RU 2681587 C1 RU2681587 C1 RU 2681587C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plasma
laser
substrate
pulse
target
Prior art date
Application number
RU2018102453A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Екатерина Витальевна Тамбасова
Игорь Анатольевич Тамбасов
Виктор Григорьевич Мягков
Виктор Степанович Жигалов
Алексей Александрович Мацынин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" filed Critical Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"
Priority to RU2018102453A priority Critical patent/RU2681587C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2681587C1 publication Critical patent/RU2681587C1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

FIELD: technological processes.
SUBSTANCE: invention relates to the method of applying a nanofilm coating on a substrate and can be used to obtain nano-coatings on the surfaces of various substrates at a low temperature. Pulse-plasma spraying with laser ignition is carried out. Pulse mode of operation of an excimer UV laser and the intrinsic ions of the target material are used to create a working plasma. Ultraviolet radiation with a precisely low power is used for the initial ignition when creating a working plasma and the pulse mode of operation of the magnetron power supply with an operating time less than the repetition rate of laser pulses is used.
EFFECT: improvement of the optical and structural properties of the sprayed coatings by means of using plasma from the own ions of the spray target and the use of precision low power of laser radiation.
1 cl, 1 dwg

Description

Изобретение относится к области технологических процессов, связанных с нанесением нанопленочных покрытий и может быть использовано для получения нанопокрытий на поверхностях различных подложек при невысокой температуре.The invention relates to the field of technological processes associated with the deposition of nanofilm coatings and can be used to obtain nanocoatings on the surfaces of various substrates at a low temperature.

Тонкие пленки (полупроводниковые, металлические и диэлектрические) с различными характеристиками (прозрачность, электропроводность и адгезия) применяются во многих отраслях промышленности и устройствах. Так, полупроводниковые прозрачные оксидные тонкие пленки, такие как In2O3, ZnO, SnO2, CdO, Ga2O3, TiO2, применяются при изготовлении тонких дисплеев, органических светоизлучающих диодов, солнечных батарей, тонкопленочных транзисторов, газовых сенсоров, космических аппаратов и т.д. Так как они обладают одновременно прозрачностью (~90%) в видимом диапазоне и способностью проводить электрический ток. Металлические покрытия на основе Al, Ag и их сплавов также широко применяются в микроэлектронике, тонкопленочных транзисторах, солнечных отражателях и в космическом машиностроении.Thin films (semiconductor, metal and dielectric) with various characteristics (transparency, electrical conductivity and adhesion) are used in many industries and devices. So, semiconductor transparent oxide thin films, such as In 2 O 3 , ZnO, SnO 2 , CdO, Ga 2 O 3 , TiO 2 , are used in the manufacture of thin displays, organic light-emitting diodes, solar cells, thin-film transistors, gas sensors, space devices, etc. Since they have both transparency (~ 90%) in the visible range and the ability to conduct electric current. Metal coatings based on Al, Ag and their alloys are also widely used in microelectronics, thin-film transistors, solar reflectors and in space engineering.

Для получения полупроводниковых прозрачных и диэлектрических тонких пленок в основном используется радиочастотное магнетронное или магнетронное на постоянном токе напыление. Суть метода магнетронного напыления заключается в использовании плазмы инертного газа для распыления необходимого материала в вакууме. Распыляемый материал впоследствии осаждается на требуемую подложку. Магнетронное напыление позволяет получать тонкие пленки различных материалов. В данном методе применяется постоянный магнит для создания магнитных полей, которые обеспечивают более эффективную ионизацию инертного газа, тем самым понижая его концентрацию. Метод магнетронного распыления широко используется в различных областях промышленности, поскольку позволяет получать достаточно однородные покрытия на большой площади. Однако, из-за использования рабочего газа (инертный газ, например аргон) ухудшается вакуум, что негативным образом влияет на оптические и электрические свойства получаемых покрытий.To obtain semiconductor transparent and dielectric thin films, radio frequency magnetron or direct current magnetron sputtering is mainly used. The essence of the magnetron sputtering method is to use an inert gas plasma to spray the necessary material in a vacuum. The sprayed material is subsequently deposited on the desired substrate. Magnetron sputtering allows the production of thin films of various materials. This method uses a permanent magnet to create magnetic fields that provide more efficient ionization of an inert gas, thereby lowering its concentration. The method of magnetron sputtering is widely used in various fields of industry, since it allows one to obtain sufficiently uniform coatings over a large area. However, due to the use of the working gas (inert gas, for example argon), the vacuum deteriorates, which negatively affects the optical and electrical properties of the resulting coatings.

Для получения высококачественных нанопленочных покрытий с наилучшими оптическими и электрическими характеристиками предлагается использовать способ импульсно-плазменного напыления с лазерным поджигом.To obtain high-quality nanofilm coatings with the best optical and electrical characteristics, it is proposed to use a method of pulse-plasma spraying with laser ignition.

Известен способ лазерено-плазменного напыления покрытий [Патент РФ №2449048, МПК С23С 4/12, опубл. 27.11.2011 г.]. В данном способе плазмотроном создается плазменный поток, направленный на напыляемую поверхность, в который подаются частицы напыляемого порошка, а на выход из сопла плазмотрона перпендикулярно плазменному потоку подается модулированное лазерное излучение, сфокусированное на противоположной от источника лазерного излучения стороне плазменного потока. При этом лазерное излучение подается перед подачей частиц напыляемого порошка и с интенсивностью не менее пороговой, при которой происходит оптический пробой.A known method of laser-plasma spraying of coatings [RF Patent No. 2449048, IPC С23С 4/12, publ. November 27, 2011]. In this method, the plasma torch creates a plasma stream directed to the sprayed surface, into which the particles of the sprayed powder are fed, and modulated laser radiation focused on the opposite side of the plasma stream is supplied to the exit from the plasma torch nozzle perpendicular to the plasma stream. In this case, laser radiation is supplied before feeding the particles of the sprayed powder and with an intensity not less than the threshold at which optical breakdown occurs.

Основным недостатком данного способа является использование дополнительного оборудования (плазмотрон), что впоследствии увеличивает время напыления. Также недостатком метода является первоначальная подготовка мишени распыляемого материала (порошкообразный вид).The main disadvantage of this method is the use of additional equipment (plasmatron), which subsequently increases the spraying time. Another disadvantage of this method is the initial preparation of the target of the sprayed material (powder form).

Существует устройство для высокоскоростного магнетронного распыления [Патент РФ №2311492, МПК С23С 14/35, опубл. 27.11.2007 г.]. Изобретение относится к технике вакуумного нанесения металлических и диэлектрических покрытий. Анод устройства включает в себя систему газораспределения, обеспечивающую равномерную подачу рабочего газа по всей поверхности распыляемого катода и находится под положительным потенциалом. Катод состоит из системы охлаждения с установленным на ней распыляемым катодом-мишенью, расположенным между полюсами магнитной системы. Магнитная система включает в себя набор магнитов с полюсными наконечниками, расположенными на водоохлаждаемом магнитопроводе. Суть метода заключается в использовании плазмы инертного газа для распыления необходимого материала в вакууме. Распыляемый материал впоследствии осаждается на требуемую подложку за счет разности потенциалов. Самым весомым недостатком данного метода является использование рабочего газа (аргона), что ухудшает качество вакуума.There is a device for high-speed magnetron sputtering [RF Patent No. 2311492, IPC С23С 14/35, publ. November 27, 2007]. The invention relates to techniques for vacuum deposition of metal and dielectric coatings. The anode of the device includes a gas distribution system that provides a uniform supply of working gas over the entire surface of the atomized cathode and is at a positive potential. The cathode consists of a cooling system with an atomized target cathode mounted on it, located between the poles of the magnetic system. The magnetic system includes a set of magnets with pole pieces located on a water-cooled magnetic circuit. The essence of the method is to use inert gas plasma to spray the necessary material in a vacuum. The sprayed material is subsequently deposited on the desired substrate due to the potential difference. The most significant drawback of this method is the use of working gas (argon), which affects the quality of the vacuum.

Известен способ получения покрытий в вакууме [Патент РФ №2176681, МПК С23С 14/00, опубл. 10.12.2001]. Сущность изобретения заключается в поджиге разряда в области генерирования с помощью лазерного излучения. Недостатками данного способа является появление капельной фазы в момент распыления и необходимость ее сепарации до момента осаждения на требуемую подложку.A known method of producing coatings in vacuum [RF Patent No. 2176681, IPC С23С 14/00, publ. 12/10/2001]. The essence of the invention is to ignite a discharge in the field of generation using laser radiation. The disadvantages of this method is the appearance of the droplet phase at the time of spraying and the need for its separation until the moment of deposition on the desired substrate.

Наиболее близким аналогом является способ лазерно-термовакуумного конденсационного напыления покрытия [Патент РФ №2170284, МПК С23С 14/24, опубл. 10.07.2001]. Суть способа заключается в одновременном нагреве тигля с помощью резистивного нагрева и лазерного излучения. В последствии происходит испарении материала с тигля и его конденсация на подложку.The closest analogue is the method of laser-thermal condensation vapor deposition of a coating [RF Patent No. 2170284, IPC С23С 14/24, publ. 07/10/2001]. The essence of the method lies in the simultaneous heating of the crucible using resistive heating and laser radiation. Subsequently, evaporation of the material from the crucible and its condensation on the substrate.

Основным недостатком способа является использование большой мощности лазерного излучения и высоких температур для нагрева тигля. Это приводит к появлению капельной фазы на образующейся пленке.The main disadvantage of this method is the use of high power laser radiation and high temperatures for heating the crucible. This leads to the appearance of a droplet phase on the resulting film.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является улучшения оптических и структурных свойств напыляемых покрытий за счет использования плазмы из собственных ионов распылительной мишени и использовании прецизионно низкой мощности лазерного излучения.The technical result of the invention is to improve the optical and structural properties of the sprayed coatings by using plasma from the intrinsic ions of the spray target and using a precision low laser power.

Технический результат достигается тем, что в способе нанесения нанопленочного покрытия на подложку, включающем напыление пленочного материала на подложку с использованием лазерного излучения, новым является то, что осуществляют импульсно-плазменное напыление материала мишени на подложку в высоком вакууме с созданием плазмы лазерным излучением и с использованием магнетрона, на который импульсно подают напряжение от источника питания с внутренним конденсатором, при этом мишень устанавливают на магнетрон, для зажигания плазмы используют импульсный эксимерный ультрафиолетовый лазер и ионы материала мишени, а время зарядки и разрядки конденсатора источника питания устанавливают меньше времени следования лазерного импульса.The technical result is achieved by the fact that in the method of applying a nanofilm coating to a substrate, including the deposition of film material on a substrate using laser radiation, it is new that pulsed plasma spraying of the target material on the substrate in high vacuum with the creation of plasma by laser radiation and using a magnetron, to which the voltage is pulsed from a power source with an internal capacitor, while the target is mounted on a magnetron, to ignite the plasma using dissolved pulsed excimer UV laser and ions of the target material, and time of charging and discharging the power source capacitor is set less time following the laser pulse.

Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается тем, что осуществляют импульсно-плазменное напыление материала мишени на подложку в высоком вакууме с созданием плазмы лазерным излучением и с использованием магнетрона, на который импульсно подают напряжение от источника питания с внутренним конденсатором, при этом мишень устанавливают на магнетрон, для зажигания плазмы используют импульсный эксимерный ультрафиолетовый лазер и ионы материала мишени, а время зарядки и разрядки конденсатора источника питания устанавливают меньше времени следования лазерного импульса.Comparative analysis with the prototype shows that the inventive method is different in that they carry out a pulse-plasma spraying of the target material on the substrate in high vacuum with the creation of a plasma by laser radiation and using a magnetron, which is pulsed from a power source with an internal capacitor, while the target mounted on a magnetron, for ignition of the plasma using a pulsed excimer ultraviolet laser and ions of the target material, and the charging and discharging time of the source capacitor Itani repetition time is set smaller than the laser pulse.

Перечисленные выше признаки позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна».The above signs allow us to conclude that the proposed technical solution meets the criterion of "novelty."

При изучении других известных технических решений в данной области техники, эти признаки, отличающие заявляемое изобретение от прототипа, не выявлены и потому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».When studying other well-known technical solutions in this technical field, these features that distinguish the claimed invention from the prototype are not identified and therefore they provide the claimed technical solution with the criterion of "inventive step".

На чертеже представлена блок-схема установки для реализации способа импульсно-плазменного напыления с лазерным поджигом.The drawing shows a block diagram of an installation for implementing the method of pulse-plasma spraying with laser ignition.

Блок схема включает: вакуумную камеру 1, магнетрон с установленной на нем мишенью из алюминия высокой чистоты 2, а также подложкодержатель с подложкой из покровного материала 3, импульсный эксимерный лазер 4, фокусирующую линзу установленную на оптической скамье 5, фланец с кварцевым окном 6, импульсный источник питания магнетрона 7, персональный компьютер 8.The block diagram includes: a vacuum chamber 1, a magnetron with a target of high purity aluminum 2 mounted on it, as well as a substrate holder with a substrate of coating material 3, a pulse excimer laser 4, a focusing lens mounted on an optical bench 5, a flange with a quartz window 6, and a pulse magnetron power supply 7, personal computer 8.

Способ реализуется следующим образом:The method is implemented as follows:

Внутри вакуумной камеры 1 располагают магнетрон с установленной на нем мишенью из алюминия высокой чистоты 2, а также подложкодержатель с подложкой из покровного стекла 3. Подложка предварительно не нагревается. Производят откачку вакуумной камеры с остаточным давление не более чем 10-6 Торр. В качестве источника лазерного излучения используют импульсный эксимерный ультрафиолетовый лазер 4. Лазерное излучение в вакуумную камеру подводят с помощью фокусирующей линзы 5 через кварцевое окно фланца 6, расположенного на камере. Лазер работает в импульсном режиме, один импульс длится 30 наносекунд. Частота импульсов 10 Гц. На мишень 3 падает лазерное излучение с длиной волны 308 нм длительностью 30 не с частотой следования импульсов 10 Гц. Мощность каждого импульса 10~20 мДж. Для питания магнетронной системы используют импульсный источник питания с регулируемым напряжением 7. При помощи источника питания на мишень (катод) подают напряжение -700 В относительно корпуса камеры. При подаче лазерного излучения на мишень происходит стравливание собственных атомов алюминия и зажигание плазмы на их основе. Продолжительность горения плазмы на основе ионов алюминия ~1 мс. После прекращения горения плазмы происходит зарядка внутреннего конденсатора источника питания за время ~1 мс. Далее данный процесс повторяют за счет следования очередного импульса лазерного излучения. Время заряда (разряда) конденсатора подобрано таким образом, чтобы оно было меньше времени следования очередного импульса. Для настройки и контроля процесса напыления используют стационарный персональный компьютер 8. При данных условиях за 2 минуты получают тонкую пленку алюминия толщиной ~100 нм. Интегральный коэффициент отражения в видимой области спектра определяют на оптическом спектрофотометре. Коэффициент отражения тонкой пленки алюминия составлял ~97%. Визуально, получившаяся тонкая пленка не содержала капельной фазы.Inside the vacuum chamber 1, a magnetron with a target of high purity aluminum 2 mounted on it, as well as a substrate holder with a cover of glass cover 3. The substrate does not preheat. The vacuum chamber is pumped out with a residual pressure of not more than 10 -6 Torr. A pulsed excimer ultraviolet laser 4 is used as a source of laser radiation. Laser radiation is brought into the vacuum chamber using a focusing lens 5 through a quartz window of a flange 6 located on the camera. The laser operates in a pulsed mode, one pulse lasts 30 nanoseconds. The pulse frequency is 10 Hz. Laser radiation with a wavelength of 308 nm and a duration of 30 nsec with a pulse repetition rate of 10 Hz is incident on target 3. The power of each pulse is 10 ~ 20 mJ. To power the magnetron system, a pulsed power supply with a regulated voltage of 7 is used. Using a power source, a voltage of -700 V relative to the camera body is supplied to the target (cathode). When laser radiation is applied to a target, etching of its own aluminum atoms and ignition of plasma based on them occurs. The duration of plasma combustion based on aluminum ions is ~ 1 ms. After the plasma combustion ceases, the internal capacitor of the power source is charged for a time of ~ 1 ms. Further, this process is repeated by following the next pulse of laser radiation. The charge (discharge) time of the capacitor is selected in such a way that it is less than the time of the next pulse. To set up and control the spraying process, a stationary personal computer is used 8. Under these conditions, a thin film of aluminum with a thickness of ~ 100 nm is obtained in 2 minutes. The integrated reflection coefficient in the visible spectrum is determined on an optical spectrophotometer. The reflection coefficient of a thin aluminum film was ~ 97%. Visually, the resulting thin film did not contain a droplet phase.

Claims (1)

Способ нанесения нанопленочного покрытия на подложку, включающий напыление пленочного материала на подложку с использованием лазерного излучения, отличающийся тем, что осуществляют импульсно-плазменное напыление материала мишени на подложку в высоком вакууме с созданием плазмы лазерным излучением и с использованием магнетрона, на который импульсно подают напряжение от источника питания с внутренним конденсатором, при этом мишень устанавливают на магнетрон, для зажигания плазмы используют импульсный эксимерный ультрафиолетовый лазер и ионы материала мишени, а время зарядки и разрядки конденсатора источника питания устанавливают меньше времени следования лазерного импульса.A method of applying a nanofilm coating to a substrate, comprising spraying a film material onto a substrate using laser radiation, characterized in that the plasma material is pulsed-plasma spraying the target material on the substrate in high vacuum with the creation of a plasma by laser radiation and using a magnetron to which voltage is applied from a power source with an internal capacitor, while the target is mounted on a magnetron, a pulsed excimer ultraviolet laser is used to ignite the plasma ep and ions of the target material, and time of charging and discharging the power source capacitor is set less time following the laser pulse.
RU2018102453A 2018-01-22 2018-01-22 Method of application of a nanofilm coating on a substrate RU2681587C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018102453A RU2681587C1 (en) 2018-01-22 2018-01-22 Method of application of a nanofilm coating on a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018102453A RU2681587C1 (en) 2018-01-22 2018-01-22 Method of application of a nanofilm coating on a substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2681587C1 true RU2681587C1 (en) 2019-03-11

Family

ID=65805649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018102453A RU2681587C1 (en) 2018-01-22 2018-01-22 Method of application of a nanofilm coating on a substrate

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2681587C1 (en)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04191358A (en) * 1990-11-26 1992-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd Production of boron nitride film
WO1998010115A1 (en) * 1996-09-03 1998-03-12 Monsanto Company Silicon-doped diamond-like carbon coatings for magnetic transducers and for magnetic recording media
RU2170284C2 (en) * 1999-07-28 2001-07-10 Самарский государственный аэрокосмический университет им. акад. С.П. Королева Process of laser-thermal vacuum condensation deposition of coat
RU2176681C2 (en) * 1989-11-22 2001-12-10 Волков Валерий Венедиктович Method of making coats in vacuum, device for making such coats and method of manufacture of said device
RU2271409C2 (en) * 2001-12-06 2006-03-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева" Apparatus for deposition of coatings in vacuum
JP4191358B2 (en) * 2000-03-17 2008-12-03 富士フイルム株式会社 Photothermographic material
US20090017217A1 (en) * 2004-01-08 2009-01-15 Hass Derek D Apparatus and method for applying coatings onto the interior surfaces of components and related structures produced therefrom
CN103255369A (en) * 2013-06-07 2013-08-21 上海超导科技股份有限公司 Simplified baffle layer suitable for IBAD-MgO (ion beam assisted deposition-magnesium oxide) growth on metal substrate and preparation method thereof

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2176681C2 (en) * 1989-11-22 2001-12-10 Волков Валерий Венедиктович Method of making coats in vacuum, device for making such coats and method of manufacture of said device
JPH04191358A (en) * 1990-11-26 1992-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd Production of boron nitride film
WO1998010115A1 (en) * 1996-09-03 1998-03-12 Monsanto Company Silicon-doped diamond-like carbon coatings for magnetic transducers and for magnetic recording media
RU2170284C2 (en) * 1999-07-28 2001-07-10 Самарский государственный аэрокосмический университет им. акад. С.П. Королева Process of laser-thermal vacuum condensation deposition of coat
JP4191358B2 (en) * 2000-03-17 2008-12-03 富士フイルム株式会社 Photothermographic material
RU2271409C2 (en) * 2001-12-06 2006-03-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева" Apparatus for deposition of coatings in vacuum
US20090017217A1 (en) * 2004-01-08 2009-01-15 Hass Derek D Apparatus and method for applying coatings onto the interior surfaces of components and related structures produced therefrom
CN103255369A (en) * 2013-06-07 2013-08-21 上海超导科技股份有限公司 Simplified baffle layer suitable for IBAD-MgO (ion beam assisted deposition-magnesium oxide) growth on metal substrate and preparation method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3625848A (en) Arc deposition process and apparatus
EP3228161B1 (en) Plasma source utilizing a macro-particle reduction coating and method of using a plasma source utilizing a macro-particle reduction coating for deposition of thin film coatings and modification of surfaces
JP2021193213A (en) Method and apparatus for forming fine particle layer on substrate
Sidelev et al. Aluminum films deposition by magnetron sputtering systems: Influence of target state and pulsing unit
RU2681587C1 (en) Method of application of a nanofilm coating on a substrate
CN101509122B (en) Process for producing microwave plasma of cuprous iodide semi-conducting film
TWI381063B (en) High-power pulse magnetron sputtering apparatus and surface treatment apparatus
Yukimura et al. High-power inductively coupled impulse sputtering glow plasma
RU2752334C1 (en) Gas-discharge sputtering apparatus based on planar magnetron with ion source
CN108368599B (en) Method for pretreating surface for coating
RU154033U1 (en) DEVICE FOR APPLICATION OF THIN FILM COATINGS
RU173348U1 (en) DEVICE FOR APPLICATION OF THIN FILM COATINGS
RU2350686C2 (en) Method for production of thin silicon carbide films by method of vacuum laser ablation
Junghähnel et al. Thin‐Film Deposition on Flexible Glass by Plasma Processes
RU144198U1 (en) DEVICE FOR APPLICATION OF THIN FILM COATINGS
KR100375333B1 (en) Apparatus and Method for Coating And Surface Modification Using Single Source
Metel et al. A magnetron sputtering device with generation of pulsed beams of high-energy gas atoms
JP4370949B2 (en) Deposition method
US20220351952A1 (en) A magnetron plasma sputtering arrangement
CN114182212A (en) Method for improving ionization rate in vapor deposition process by using vacuum ultraviolet light
Costin et al. Fast imaging investigation on pulsed magnetron discharge
KR20140074687A (en) sputtering apparatus
RU2063472C1 (en) Method and apparatus for plasma treatment of pieces
Kawakami et al. Characteristics of TiO2 surfaces etched by capacitively coupled radio frequency N2 and He plasmas
TWI655315B (en) Plasma deposition apparatus and thin film deposition method