RU2669864C1 - Method for removing over-sprayed hydrocarbon layers - Google Patents
Method for removing over-sprayed hydrocarbon layers Download PDFInfo
- Publication number
- RU2669864C1 RU2669864C1 RU2017127838A RU2017127838A RU2669864C1 RU 2669864 C1 RU2669864 C1 RU 2669864C1 RU 2017127838 A RU2017127838 A RU 2017127838A RU 2017127838 A RU2017127838 A RU 2017127838A RU 2669864 C1 RU2669864 C1 RU 2669864C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- cleaning
- discharge
- vacuum
- self
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии очистки вакуумных камер и других элементов в вакууме, находящихся в труднодоступных для очистки местах, от перенапыленных углеводородных слоев и может быть использовано в установках с обращенными к плазме элементами из углеродных материалов и в технологических установках.The invention relates to a technology for cleaning vacuum chambers and other elements in a vacuum, located in places that are difficult to access, from over-sprayed hydrocarbon layers and can be used in installations with plasma-facing elements made of carbon materials and in technological installations.
Известен способ плазменной очистки, заключающийся в создании вакуума в рабочем объеме, напуске рабочего газа, зажигании емкостного ВЧ разряда, с специальной системой для подвода потока химически активных частиц из плазмы на обрабатываемую поверхность [патент РФ №2037343].The known method of plasma cleaning, which consists in creating a vacuum in the working volume, inlet of the working gas, ignition of a capacitive RF discharge, with a special system for supplying a stream of chemically active particles from plasma to the treated surface [RF patent No. 2037343].
Недостатком данного способа является невозможность использования его для очистки поверхности с неоднородным, заранее неизвестным рельефом, в котором имеется большое количество щелей, а также крупных поверхностей, таких как стенки камеры. Как следует из описания прототипа, обработка поверхности происходит не за счет прямого воздействия плазмы на очищаемую поверхность, а за счет потока химически активных частиц, образовавшихся в плазме и попадающих на обрабатываемую поверхность уже за счет конфигурации вакуумной системы, что в общем снижает эффективность метода.The disadvantage of this method is the impossibility of using it to clean a surface with a heterogeneous, previously unknown relief, in which there are a large number of slots, as well as large surfaces, such as chamber walls. As follows from the description of the prototype, the surface treatment is not due to direct exposure of the plasma to the surface to be cleaned, but due to the flow of chemically active particles formed in the plasma and reaching the surface to be treated already due to the configuration of the vacuum system, which generally reduces the efficiency of the method.
Известен способ плазменной очистки углеводородных слоев, который был выбран в качестве прототипа, заключающийся в создании вакуума в рабочем объеме, напуске рабочего газа (кислород или оксид азота) до давления от 100 до 800 Па, в зависимости от того какую область надо очищать (стенки камеры или один из электродов), с последующим зажиганием емкостного ВЧ разряда между электродами с характерным расстоянием между ними порядка нескольких десятков мм [US патент 20070248767 А1]. В вакуумный объем может дополнительно напускаться или буферный инертный газ для изменения давления и, следовательно, свойств плазмы или же фторосодержащие соединения для изменения скорости очистки поверхности.A known method of plasma cleaning of hydrocarbon layers, which was chosen as a prototype, which consists in creating a vacuum in the working volume, inlet of the working gas (oxygen or nitric oxide) to a pressure of from 100 to 800 Pa, depending on which area needs to be cleaned (chamber walls or one of the electrodes), followed by ignition of a capacitive RF discharge between the electrodes with a characteristic distance between them of the order of several tens of mm [US patent 20070248767 A1]. An inert gas may additionally be injected into the vacuum volume to change the pressure and, therefore, the properties of the plasma, or fluorine-containing compounds to change the speed of surface cleaning.
Недостатком данного способа является, во-первых, невозможность очистки углеводородных слоев в щелях, на неоднородных поверхностях, или же в затененных от плазмы областях, поскольку сам метод ориентирован на очистку гладких поверхностей, напрямую прилегающих к области горения ВЧ разряда. Также имеют место геометрические ограничения размеров и конфигурации обрабатываемой поверхности. Кроме того, данный способ неприменим в случае, когда поверхность необходимо очищать при низком давлении.The disadvantage of this method is, firstly, the impossibility of cleaning hydrocarbon layers in crevices, on inhomogeneous surfaces, or in areas shaded from plasma, since the method itself is focused on cleaning smooth surfaces directly adjacent to the combustion region of an RF discharge. Also, there are geometric restrictions on the size and configuration of the work surface. In addition, this method is not applicable in the case when the surface must be cleaned at low pressure.
Технический результат изобретения направлен на расширение возможностей по удалению углеводородных пленок в местах, где это практически невозможно сделать с использованием известных на данный момент технологий, то есть способ можно использовать для обработки поверхностей различных размеров и конфигураций, в том числе, для очистки в щелях и затененных от плазмы областях, при этом очистка происходит за счет прямого воздействия плазмы на обрабатываемую поверхность. При этом способ можно использовать, когда есть необходимость очистки при низком давлении порядка 10-1-10-2 Па.The technical result of the invention is aimed at expanding the ability to remove hydrocarbon films in places where it is almost impossible to do using currently known technologies, that is, the method can be used to treat surfaces of various sizes and configurations, including cleaning in crevices and shaded from plasma areas, while cleaning occurs due to direct exposure to plasma on the treated surface. The method can be used when there is a need for cleaning at low pressure of the order of 10 -1 -10 -2 Pa.
Технический результат достигается за счет того, что в предложенном способе удаления перенапыленных углеводородных слоев, включающем в себя создание вакуума в рабочем объеме, зажигание ВЧ плазмы в атмосфере рабочего газа при давлении достаточном для генерации плазмы, используемой для удаления перенапыленных углеводородных слоев, ВЧ плазму создают с помощью электронного пучка в продольном магнитном поле не менее 1000 Гс, направленного на приемный электрод с коэффициентом вторичной эмиссии >1, при этом на приемный электрод подают напряжение смещения, необходимое для перехода разряда в автоколебательный режим. После перехода разряда в автоколебательный режим в примыкающих к разряду стенках наводятся высокочастотные токи, а в полостях и щелях возникают сильные переменные поля, способствующие появлению химически активных радикалов как в прилегающих к стенкам областях, так и в щелях и затененных от плазмы областях. Взаимодействие химически активных радикалов с углеводородными пленками приводит к появлению летучих соединений и соответственно очистке поверхности.The technical result is achieved due to the fact that in the proposed method for removing over-sprayed hydrocarbon layers, which includes creating a vacuum in the working volume, igniting the HF plasma in the atmosphere of the working gas at a pressure sufficient to generate the plasma used to remove over-sprayed hydrocarbon layers, the HF plasma is created with using an electron beam in a longitudinal magnetic field of at least 1000 G, directed to the receiving electrode with a secondary emission coefficient> 1, while voltage is applied to the receiving electrode e bias required for the transition of the discharge into self-oscillating mode. After the transition of the discharge into a self-oscillating mode, high-frequency currents are induced in the walls adjacent to the discharge, and strong alternating fields appear in the cavities and gaps, which contribute to the appearance of chemically active radicals both in the regions adjacent to the walls and in the gaps and areas shaded from the plasma. The interaction of chemically active radicals with hydrocarbon films leads to the appearance of volatile compounds and, accordingly, surface cleaning.
Конкретнее, в предложенном способе плазма инициируется электронным пучком, источником которого может служить электронная пушка, в простейшем варианте состоящая из прямонакального катода и анода. Разряд зажигается в продольном магнитном поле не менее 1000 Гс, это необходимо для того, чтобы плазменный шнур равномерно распространялся вдоль линий магнитного поля. Электроны ускоряются приложенной между катодом и анодом разностью потенциалов в несколько кВ вдоль линий магнитного поля. Прохождение электронного пучка через рабочий газ приводит к появлению пучково-плазменного разряда, обеспечивающего присутствие высокоэнергетичных электронов и достижение требуемого порога по плотности для распространения волн внутри замагниченной плазмы. Приемником пучка является электрод с коэффициентом вторичной эмиссии выше единицы (это может быть охлаждаемый электрод из алюминия (вольфрама, тантала) с тонкой диэлектрической пленкой на поверхности). Вольт-амперная характеристика (ВАХ) такого электрода при контакте с плазмой пучково-плазменного разряда, в котором присутствует высокоэнергетичная группа электронов, будет иметь N-образную форму (Фиг. 1). На приемный электрод с блока питания подается отрицательное смещение, которое изменяет рабочую точку. С ростом величины отрицательного смещения, увеличивается ток разряда, а после достижения порогового значения, которое соответствует началу области отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) N-образной ВАХ (это значение зависит от материала, из которого изготовлен приемный электрод) происходит переход от устойчивого режима к неустойчивому. При дальнейшем увеличении смещения (до значений, соответствующих середине области ОДС участка N-образной ВАХ) устанавливается автоколебательный режим.More specifically, in the proposed method, the plasma is initiated by an electron beam, the source of which can be an electron gun, in the simplest version consisting of a direct-heating cathode and anode. The discharge is ignited in a longitudinal magnetic field of at least 1000 G. This is necessary so that the plasma cord propagates uniformly along the lines of the magnetic field. The electrons are accelerated by a potential difference of several kV applied between the cathode and anode along the lines of the magnetic field. The passage of an electron beam through a working gas leads to the appearance of a beam-plasma discharge, which ensures the presence of high-energy electrons and the achievement of the required threshold in density for wave propagation inside a magnetized plasma. The beam receiver is an electrode with a secondary emission coefficient above unity (this can be a cooled electrode of aluminum (tungsten, tantalum) with a thin dielectric film on the surface). The current-voltage characteristic (CVC) of such an electrode in contact with a plasma beam-plasma discharge, in which there is a high-energy group of electrons, will have an N-shape (Fig. 1). A negative bias is applied to the receiving electrode from the power supply, which changes the operating point. With an increase in the negative bias value, the discharge current increases, and after reaching the threshold value, which corresponds to the beginning of the region of negative differential resistance (NDS) of the N-shaped I – V characteristic (this value depends on the material from which the receiving electrode is made), the transition from stable to unstable . With a further increase in the bias (to values corresponding to the middle of the ODS region of the N-shaped I – V characteristic), the self-oscillating mode is established.
Мощность вкладывается в разряд через поддерживаемый источником напряжения смещения ток вторичных электронов с приемного электрода, который играет роль холодного катода, а также за счет возникновения переменных полей и ускорения ионов в приповерхностном слое. В автоколебательном режиме величина среднего тока с приемного электрода в несколько раз превышает величину тока в режиме без колебаний. Плазменный шнур транспортируется вдоль магнитного поля, заполняя весь промежуток от электронной пушки до приемного электрода. Наличие переменных полей в плазме повышает эффективность передачи энергии, приводя к возрастанию плотности плазмы.Power is injected into the discharge through a current of secondary electrons supported by the bias voltage source from the receiving electrode, which plays the role of a cold cathode, as well as due to the appearance of alternating fields and ion acceleration in the surface layer. In the self-oscillating mode, the average current from the receiving electrode is several times higher than the current in the non-oscillating mode. The plasma cord is transported along the magnetic field, filling the entire gap from the electron gun to the receiving electrode. The presence of alternating fields in the plasma increases the efficiency of energy transfer, leading to an increase in plasma density.
На Фиг. 2 показано схематичное изображение токов, электрических и магнитных полей, возбуждаемых в разряде в автоколебательном режиме. Радиус плазменного шнура будет определяться размерами приемного электрода. Примыкание к плазме проводящей поверхности не влияет на автоколебательный режим. При этом в примыкающих к разряду областях наводятся высокочастотные токи, которые генерируют химически активные радикалы. В полостях и щелях примыкающих элементов возникает сильное переменное электромагнитное поле, которое также приводит к появлению химически активных радикалов. Таким способом решается проблема доставки радикалов как к очищаемым от перенапыленных слоев углеводородов прилегающим стенкам, так и к щелям и затененным от плазмы областям. Взаимодействие химически активных радикалов с углеводородными пленками приводит к появлению летучих соединений и соответственно очистке поверхности.In FIG. 2 shows a schematic representation of currents, electric and magnetic fields excited in a discharge in a self-oscillating mode. The radius of the plasma cord will be determined by the size of the receiving electrode. Adhering to the plasma of the conductive surface does not affect the self-oscillation regime. In this case, high-frequency currents that generate chemically active radicals are induced in areas adjacent to the discharge. A strong alternating electromagnetic field arises in the cavities and crevices of adjacent elements, which also leads to the appearance of chemically active radicals. In this way, the problem of the delivery of radicals both to the adjacent walls being cleaned from the over-sprayed layers of hydrocarbons and to gaps and areas shaded from the plasma is solved. The interaction of chemically active radicals with hydrocarbon films leads to the appearance of volatile compounds and, accordingly, surface cleaning.
Пример конкретной реализации предложенного способа очистки был продемонстрирован на установке ПР-2 (НИЯУ МИФИ) (Фиг. 3) [K.М. Gutorov et al. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, June 2016, Vol. 10, No. 3, pp. 612-616] состоящей из вакуумного объема 1, системы откачки 2, системы газонапуска 3, служащей для напуска рабочего газа до давления 10-2-10-1 Па, катушек магнитного поля 4, создающих продольное магнитное поле более 1000 Гс, электронной пушки 5, алюминиевого охлаждаемого приемного электрода 6.An example of a specific implementation of the proposed cleaning method was demonstrated on the installation of PR-2 (NRNU MEPhI) (Fig. 3) [K.M. Gutorov et al. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, June 2016, Vol. 10, No. 3, pp. 612-616] consisting of a
Для проверки эффективности способа очистки из молибденовых пластин, покрытых 15 мкм углеводородной пленкой, была сделана следующая сборка (Фиг. 4), которая имитировала щелевые и затененные от плазмы области. Сборка помещалась в рабочий объем, после чего вакуумная камера откачивалась до давления 10-5 Па. Через систему газонапуска в рабочий напускался кислород до давления 10-2 Па. С помощью электронной пушки в рабочем объеме зажигался пучково-плазменный разряд (который является частным случаем ВЧ разряда) в магнитном поле порядка 1000 Гс. Перевод разряда в автоколебательный режим осуществляется подачей отрицательного напряжения на приемный электрод до достижения порогового значения. Автоколебательный режим поддерживался в течение 15 минут.To verify the effectiveness of the cleaning method from molybdenum plates coated with a 15 μm hydrocarbon film, the following assembly was made (Fig. 4), which imitated slit and plasma shaded areas. The assembly was placed in the working volume, after which the vacuum chamber was pumped out to a pressure of 10 -5 Pa. Through the gas inlet system, oxygen was introduced into the worker to a pressure of 10 -2 Pa. Using an electron gun in the working volume, a beam-plasma discharge (which is a special case of an RF discharge) was ignited in a magnetic field of the order of 1000 G. The discharge is transferred to the self-oscillating mode by applying a negative voltage to the receiving electrode until a threshold value is reached. Self-oscillation mode was maintained for 15 minutes.
По прошествии 15 минут сборка вынималась и с помощью сканирующего электронного микроскопа VEGA 3 SBH Tescan с системой рентгеновского энергодисперсионного микроанализа с безазотным детектором INCA X-Act анализировалась толщина углеводородной пленки. Указанная система позволила оценить элементный состав поверхностного слоя образца толщиной несколько десятков микрометров. Для целей данного исследования достаточно отслеживать величину сигнала углерода при постоянных условиях анализа, которая будет пропорциональна толщине углеводородной пленки на поверхности молибдена. После оценки толщины исследуемая сборка помещалась обратно в камеру, после чего вышеуказанный процесс повторялся.After 15 minutes, the assembly was removed and the thickness of the hydrocarbon film was analyzed using a VEGA 3 SBH Tescan scanning electron microscope with an X-ray energy dispersive microanalysis system with a nitrogen-free INCA X-Act detector. The indicated system made it possible to estimate the elemental composition of the surface layer of the sample several tens of micrometers thick. For the purposes of this study, it is sufficient to monitor the magnitude of the carbon signal under constant analysis conditions, which will be proportional to the thickness of the hydrocarbon film on the surface of the molybdenum. After evaluating the thickness, the test assembly was placed back into the chamber, after which the above process was repeated.
На Фиг. 5 показана зависимость относительного сигнала пиков углерода в щелях от времени очистки в автоколебательном разряде. В вышеописанном режиме достигается полное удаление углеводородных пленок толщиной 15 мкм за 60 минут в щелях и за 30 минут на открытых поверхностях.In FIG. Figure 5 shows the dependence of the relative signal of the carbon peaks in the gaps on the time of cleaning in a self-oscillating discharge. In the above-described mode, complete removal of hydrocarbon films of a thickness of 15 μm is achieved in 60 minutes in slots and in 30 minutes on open surfaces.
Таким образом, из вышесказанного следует, что предлагаемый способ позволяет эффективно удалять перенапыленные углеводородные слои в частности в щелях и затененных от плазмы областях. При этом способ можно использовать, когда есть необходимость очистки при низком давлении порядка 10-1-10-2 Па.Thus, from the foregoing, it follows that the proposed method can effectively remove overspray hydrocarbon layers in particular in crevices and areas shaded from the plasma. The method can be used when there is a need for cleaning at low pressure of the order of 10 -1 -10 -2 Pa.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017127838A RU2669864C1 (en) | 2017-08-03 | 2017-08-03 | Method for removing over-sprayed hydrocarbon layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017127838A RU2669864C1 (en) | 2017-08-03 | 2017-08-03 | Method for removing over-sprayed hydrocarbon layers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2669864C1 true RU2669864C1 (en) | 2018-10-16 |
Family
ID=63862566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017127838A RU2669864C1 (en) | 2017-08-03 | 2017-08-03 | Method for removing over-sprayed hydrocarbon layers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2669864C1 (en) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU745560A1 (en) * | 1978-06-28 | 1980-07-05 | Предприятие П/Я М-5618 | Plant for cleaning components |
| EP0416400A1 (en) * | 1989-08-25 | 1991-03-13 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method for semiconductor wafer processing apparatus |
| RU2037343C1 (en) * | 1991-06-28 | 1995-06-19 | Ахмедов Валерий Юлдашевич | Device for cleaning inner surfaces of cylindrical parts (cup- type) |
| US5676759A (en) * | 1993-08-09 | 1997-10-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma dry cleaning of semiconductor processing chambers |
| RU2094960C1 (en) * | 1996-02-23 | 1997-10-27 | Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" | Method and device for plasma treatment of surfaces |
| US20070248767A1 (en) * | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Asm Japan K.K. | Method of self-cleaning of carbon-based film |
| RU2626636C2 (en) * | 2015-04-17 | 2017-07-31 | Андрей Евгеньевич Сенокосов | Method for cleaning tubing and device for its implementation |
-
2017
- 2017-08-03 RU RU2017127838A patent/RU2669864C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU745560A1 (en) * | 1978-06-28 | 1980-07-05 | Предприятие П/Я М-5618 | Plant for cleaning components |
| EP0416400A1 (en) * | 1989-08-25 | 1991-03-13 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method for semiconductor wafer processing apparatus |
| RU2037343C1 (en) * | 1991-06-28 | 1995-06-19 | Ахмедов Валерий Юлдашевич | Device for cleaning inner surfaces of cylindrical parts (cup- type) |
| US5676759A (en) * | 1993-08-09 | 1997-10-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma dry cleaning of semiconductor processing chambers |
| RU2094960C1 (en) * | 1996-02-23 | 1997-10-27 | Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" | Method and device for plasma treatment of surfaces |
| US20070248767A1 (en) * | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Asm Japan K.K. | Method of self-cleaning of carbon-based film |
| RU2626636C2 (en) * | 2015-04-17 | 2017-07-31 | Андрей Евгеньевич Сенокосов | Method for cleaning tubing and device for its implementation |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| МАТЕРИАЛЫ XVIII КОНФЕРЕНЦИИ "ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПЛАЗМЫ С ПОВЕРХНОСТЬЮ". НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИФИ", СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. М.: НИЯУ МИФИ, 2015, С. 102-105. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4073174B2 (en) | Neutral particle beam processing equipment | |
| US9209032B2 (en) | Electric pressure systems for control of plasma properties and uniformity | |
| JP7206286B2 (en) | Linearized Energy Radio Frequency Plasma Ion Source, Thin Film Deposition Apparatus, and Plasma Ion Beam Generation Method | |
| JP2006505906A (en) | Method and apparatus for generating high density plasma | |
| US20080060579A1 (en) | Apparatus of triple-electrode dielectric barrier discharge at atmospheric pressure | |
| US6909087B2 (en) | Method of processing a surface of a workpiece | |
| Zolotukhin et al. | Generation of uniform electron beam plasma in a dielectric flask at fore-vacuum pressures | |
| US10224181B2 (en) | Radio frequency extraction system for charge neutralized ion beam | |
| JP4042817B2 (en) | Neutral particle beam processing equipment | |
| Zolotukhin et al. | Beam-plasma discharge in a dielectric cavity by electron beam injection | |
| JP5105729B2 (en) | Processing method with gas cluster ion beam | |
| RU2669864C1 (en) | Method for removing over-sprayed hydrocarbon layers | |
| KR100250547B1 (en) | Arrangement for coating or etching substrates | |
| Ranjan et al. | Simulations of hybrid direct current radiofrequency (dc/rf) capacitively coupled plasmas | |
| JPS61177728A (en) | Apparatus for irradiation with low-energy ionized particle | |
| Jorns et al. | Foundations of plasmas as ion sources | |
| RU2757210C1 (en) | Wave plasma source of electrons | |
| Liu et al. | Self-neutralized ion implantation into insulators | |
| RU2778246C1 (en) | Device for processing products with fast atoms | |
| JP2006261066A (en) | Doping device and doping method | |
| Zolotukhin | Diagnostics of beam plasma produced in dielectric cavity at fore-vacuum pressures | |
| Fiala et al. | Two-dimensional, hybrid model of glow discharge in hollow cathode geometries | |
| Hirbu | Plasma formation in the air medium under ordinary pressure and its interaction with solid metal surfaces | |
| Pletnev et al. | Energy spectra of electrons in a dc glow discharge with a semitransparent anode | |
| RU2544830C1 (en) | Method for recovery of powerful vacuum shf-device of gyrotron type |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190804 |