RU2667345C2 - Способ изготовления матрицы детекторов тгц излучения на основе углеродных нанотрубок - Google Patents
Способ изготовления матрицы детекторов тгц излучения на основе углеродных нанотрубок Download PDFInfo
- Publication number
- RU2667345C2 RU2667345C2 RU2016141288A RU2016141288A RU2667345C2 RU 2667345 C2 RU2667345 C2 RU 2667345C2 RU 2016141288 A RU2016141288 A RU 2016141288A RU 2016141288 A RU2016141288 A RU 2016141288A RU 2667345 C2 RU2667345 C2 RU 2667345C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- matrix
- array
- cnts
- carbon nanotubes
- detectors
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims description 50
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 19
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims description 18
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000004720 dielectrophoresis Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710123675 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Использование: для изготовления высокочувствительных приемников электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что массив чувствительных элементов формируется в процессе селективного травления однородной сетки УНТ с использованием литографической маски в виде массива прямоугольников размером 8*4 мкм, сформированной в процессе фотолитографии. Технический результат - обеспечение возможности упрощения технологии изготовления детекторов, а геометрия антенн позволяет регистрировать излучение от 100 ГГц до 3 ТГц. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к области изготовления высокочувствительных приемников электромагнитного излучения терагерцевого диапазона на основе углеродных нанотрубок, и может быть использовано в медицинской и космической промышленностях, а также в системах безопасности.
Из открытых источников известен способ изготовления матрицы ИК детекторов, описанный в статье Development of noncryogenic cooled carbon nanotube-based infrared focal plane array with integrated readout circuitry (N Xi et al, Proc. of SPIE Vol. 8012 80123R-1 (2011). В основе работы единичного детектора лежит эффект генерации электрон-дырочной пары на барьере Шоттки под воздействием ИК излучения. Барьер Шоттки возникает на границе нанотрубка-металл (алюминий).
Хотя эффект фотопроводимости УНТ в ИК области изучается в течение многих лет, создание матрицы ИК детекторов на основе УНТ до сих пор является сложной задачей. Прежде всего это связано с тем, что синтезируемые УНТ обладают различающимися свойствами, что приводит к плохой воспроизводимости характеристик устройств на их основе. Кроме того, нанотрубки обладают различной шириной запрещенной зоны, что приводит к различным откликам УНТ на одной и той же частоте.
Для решения этих проблем авторами был предложен следующий метод изготовления матрицы детекторов. На первом этапе с помощью стандартного метода фотолитографии были изготовлены пары металлических электродов на кремниевой подложке. Затем на подложку наносятся УНТ методом диэлектрофореза. Суть метода заключается в следующем: небольшое количество раствора УНТ осаждают на подложку и прикладывают переменное электрическое между электродами. Под воздействием электрического поля УНТ стремятся замкнуть электроды. Так как длина УНТ, как правило, составляет около 1 мкм-10 мкм, интервал между отдельными парами электродов составляет до 2 мкм, так чтобы УНТ могли быть нанесены между ними с помощью диэлектрофореза. Для достижения более высокой вероятности синтеза устройств на основе индивидуальных УНТ подбирается подходящая концентрация раствора УНТ, а также оптимизируется частота и амплитуда переменного напряжения. Образовавшиеся в результате электрофореза жгуты и сетки УНТ авторы предлагают удалять с помощью атомного силового микроскопа. Для регулировки ИК чувствительности детекторов на различные длины волн авторы предлагают селективно электростатически выжигать УНТ, чтобы контролировать ширину запрещенной зоны устройства. Основным недостатком представленного способа изготовления матрицы является то, что он трудно реализуем на практике (например, авторы предлагают использовать такие нетехнологичные методы, как АСМ). Кроме того авторы ограничиваются ИК диапазоном. Для широкополосного детектирования в ТГц области необходимо использование антенн, что в данной метода не предусмотрено.
В патенте US 8269169 B1 описан поляриметрический датчик электромагнитного излучения, который включает в себя подложку и матрицы ориентированных сеток нанотрубок, расположенных на подложке. Каждая из множества сеток нанотрубок ориентирована на подложке так, чтобы детектировать определенно ориентированную составляющую электромагнитного излучения. При этом, по меньшей мере два электрода выполнены так, чтобы вывести во внешнюю цепь электрический сигнал, выработанный на соответствующей сетке УНТ при воздействии определенно ориентационной составляющей электромагнитного излучения.
Каждая из сеток содержит углеродные нанотрубки, выровненные параллельно друг с другом. Диаметр УНТ (ширина запрещенной), используемых в сетке, может быть выбран так, чтобы соответствовать требуемому диапазону электромагнитного спектра (например, инфракрасного). Существуют ряд методов для изготовления ориентированных сеток углеродных нанотрубок. Вертикально ориентированные УНТ пленки могут быть выращены из островков катализатора, нанесенных на подложку. Эти вертикально выращенные УНТ пленки могут быть перенесены на вторую подложку так, что окажутся параллельны поверхности второй подложки. Альтернативные методы включают в себя рост массивов УНТ на материалах, таких как сапфир, и в порах других наноструктурированных материалов.
Наиболее близкий аналог описан в патенте US 20120182178. Система формирования изображения включает в себя источник ВЧ излучения, антенную решетку в фокальной плоскости и устройство для фокусировки излучения от ВЧ-источника. Антенная решетка в фокальной плоскости включает в себя множество смесителей на основе углеродных нанотрубок для захвата ВЧ сигналов. Устройство фокусирует ВЧ сигнал от указанного источника на фокальной плоскости. Система формирования изображения представляет собой массив смесителей на основе углеродных нанотрубок, которые включают в себя по меньшей мере, пару диодов, формирующихся за счет создания p-n-перехода в УНТ. Для согласования с излучением авторы предлагают использовать дипольную антенну.
В основе предлагаемого авторами метода создания систем получения изображения лежит технология изготовления диодов на основе УНТ.
Для синтеза УНТ авторы предлагают модифицированный метод CVD. УНТ могут быть выращены из катализатора, нанесенного на металлические контактные площадки. Площадки могут быть сформированы с помощью электронно-лучевой литографии и подключены к макроскопическим электродам, сформированным фотолитографически и служащим для связи с излучением. Авторы синтезируют массив параллельно ориентированных УНТ, идущих от одного электрода к другому. Ориентацией нанотрубок можно управлять с помощью направления газового потока во время CVD синтеза и/или направлением электрического поля. Длина ОСНТ должна быть меньше, чем ~700 нм для обеспечения баллистического транспорта, а контактные площадки имеют минимальную размер 250 нм.
Критерием правильной ориентации для одной нанотрубки в диодной матрице является то, что она начинает расти на одной контактной площадке и доходит до другой так, чтобы сформировался контакт. Основным критерием правильной ориентации массивов нанотрубок является то, что УНТ не пересекаются друг с другом на своем пути от одного электрода к другому. Допустимый угол наклона будет зависеть от расстояния между нанотрубками и контактными электродами. Например, при длине 500 нм отклонение УНТ составляет ±2,5°, что вполне приемлемо.
Для создания диодов на основе УНТ необходимо создать р-n переход вдоль ее длины. Для этого авторы предлагают использовать метод селективного легирования УНТ с образованием области р-n перехода. Один из способов легирования УНТ является АСМ нанолитография. В этом процессе допирующий элемент точечно распыляется на нанотрубке с помощью зонда атомно-силового микроскопа (АСМ) с образованием p-n-перехода. Альтернативный метод заключается в выборочном депонировании легирующей примесью с использованием стандартных методов литографии.
Основным недостатком способа-прототипа является то, что в процессе изготовления устройства требуется проведение дополнительного легирования УНТ для образования области р-n перехода с помощью метода нанолитографии. Кроме того, проведение CVD синтеза после нанесения контактов сильно ограничивает выбор возможных металлов. Кроме того, предложенная геометрия антенн не позволяет использовать матрицу для регистрации излучения с частотой выше 50 ГГц
Задачей предлагаемого изобретения является разработка такого способа изготовления матрицы детекторов ТГц излучения на основе углеродных нанотрубок, что чувствительные элементы каждого единичного детектора были согласованы с излучением с помощью плоской спиральной антенны логарифмического типа, а процедура изготовления была стандартизированной и совместимой со стандартными промышленными технологиями. Важным отличием предлагаемого способа является то, что УНТ не требуют дополнительной химической обработки (легирования). Данное преимущество достигается за счет изготовления материалов исток-сток из материалов с разной работой выхода.
Новым в разработанном способе является то, что:
- способ изготовления матрицы детекторов терагерцевого излучения включает формирование на подложке матрицы чувствительных элементов в виде сеток углеродных нанотрубок, матрицы контактных электродов к углеродным нанотрубкам, выполненных в виде плоских спиральных антенн логарифмического типа из металлов с разной работой выхода в одном литографическом цикле с помощью углового напыления.
Таким образом, технический результат, обеспечиваемый разработанным способом изготовления матрицы ТГц детекторов на основе углеродных нанотрубок заключается в существенном упрощении технологии изготовления детекторов, а геометрия антенн позволяет регистрировать излучение от 100 ГГц до 3 ТГц
Разработанный способ поясняется следующими чертежами:
Фиг. 1 - Общий вид матрицы детекторов терагерцевого излучения на основе углеродных нанотрубок с контактными площадками, выполненными в виде плоских спиральных антенн логарифмического типа.
Фиг. 2 - Изображение внутренних частей электродов исток-сток единичного детектора матрицы на фоне сетки УНТ. Белый прямоугольник определяет область, вне которой УНТ удаляются в кислородной плазме
Важным преимуществом разработанного способа является то, что синтез латеральных сеток углеродных нанотрубок осуществляется путем химического осаждения углерода из газовой фазы (CVD методе). Данный метод позволяет синтезировать УНТ непосредственно на пластине оксидированного кремния и не требует дополнительного переноса. Другими преимуществами данного метода являются его простота, возможность интеграции синтезированных УНТ в электрические схемы стандартными литографическими методами и дешевизна.
Процесс изготовления экспериментального образцы можно разбить на два этапа. На первом этапе на подложке формируется матрица чувствительных элементов детекторов. Чувствительным элементом является массив латерально ориентированных сеток УНТ размером 8 на 4 мкм. На втором формируется массив контактных электродов в виде плоских антенн логарифмического типа.
Для формирования массива чувствительных элементов используется метод CVD синтеза УНТ с последующим травлением в кислородной плазме. Изначально на всей площади подложки формируется сетка нанотрубок 1. Затем пленка паттернируется методами фотолитографии и травлением в кислородной плазме. Альтернативный способ формирования матрицы чувствительных элементов заключается в изначальном паттернировании катализатора для роста нанотрубок. В этом случае углеродные нанотрубки вырастают не на всей поверхности, а только в окрестности заранее нанесенных островков катализатора. Данный способ обладает существенным недостатком. Т.к. нанотрубки растут из островков катализатора в произвольном направлении, то перед формированием контактов необходимо визуализировать УНТ в электронный микроскоп, а также дополнительно селективно вытравливать лишние нанотрубки. Предлагаемый метод лишен этих недостатков.
Латеральные сетки УНТ заданной плотности синтезируется согласно методике, описанной в статье High-Crystalline Single- and Double-Walled Carbon Nanotube Mats Grown by Chemical Vapor Deposition (G. Lamura et al, J. Phys. Chem. C, 2007, 111 (42), pp 15154-15159). В качестве подложки используется кремний КДБ-12, покрытый термическим оксидом толщиной 500 нм. Сопротивление кремния составляет 10 Ом*см, что с одной стороны, дает возможность прикладывать к нему затворное напряжение вплоть до криогенных температур (4.2К), а с другой стороны, делает его прозрачным для регистрируемого излучения.
Изначально на подложке 2 синтезируется сплошная пленка УНТ 1. Для этого был использован метод химического осаждения из газовой фазы (метод CVD). В качестве катализатора - раствор наночастиц Fe(NO3)3, MOO2, Al2O3 в изопропиловом спирте. Концентрация MOO2 в растворе составляет 0.15 мг/мл. Массовое отношение компонент катализатора Fe(NO3)3 : MOO2 : Al2O3 составляет 10:1:6. Катализатор наносится на подложки методом spin coating: на пластину с помощью микродозатора капается 50 мкл раствора, затем катализатор сушится 30 секунд в атмосфере воздуха, после чего остатки удаляются вращением со скоростью 3000 об/мин. Рост УНТ происходит в атмосфере метана, смешанного с водородом, при температуре 1000°C.
Следующим этапом является формирования матрицы чувствительных элементов, состоящих из сеток УНТ. Для этого используется метод плазмохимического травления в кислороде. Сначала с помощью метода фотолитографии формируют литографическую маску из позитивного фоторезиста (AZ1512) в виде массива прямоугольников размером 8 на 4 мкм и шагом 500 мкм 3. Незащищенные резистом УНТ вытравливают в кислородной плазме при давлении 15 мторр и мощности 50 Вт в течение 15 секунд. После этого резист удаляется в ацетоне.
Следующим шагом после формирования матрицы детекторов является изготовление матрицы контактных электродов 4-5. Контактные электроды исток-сток для каждого единичного детектора выполняются в форме плоской спиральной антенны логарифмического типа и служат одновременно для связи с излучением. При этом стоки 4 всех единичных детекторов соединены между собой. В качестве затворного электрода используется кремний подложки 6. Первоначально с помощью электронной литографии патернируется область для нанесения внутренних контактных электродов 7, представляющая собой матрицу с шагом 500 мкм. Для этого на пластину наносится двухслойный электронный резист РММА/ММА, после чего резист экспонируется и проявляется в окрестности заранее нанесенных меток. Формирование асимметричных контактов производится в одном процессе с помощью углового напыления: сначала под углом -45° напыляется 30 нм ванадия, затем под углом +45° 70 нм золота. Асимметричная структура, в которой массив УНТ с одной стороны имеет контакт с золотом, а с другой с ванадием, получается после взрыва резиста в ацетоне.
В основе работы единичного детектора разрабатываемой матрицы лежит ассиметричное соединение сетки УНТ с металлами с различной работой выхода. Асимметрия, заложенная в предлагаемом устройстве, приводит к возникновению сигнала в виде постоянного напряжения под воздействием излучения за счет двух эффектов. Первый связан с нелинейностью ВАХ разрабатываемых детекторов и называется диодным эффектом. Второй имеет термическое происхождение и связан с возникновением градиента температура вдоль канала транзистора вследствие различного нагрева электродов сток и исток под воздействием излучения. Для создания образца с асимметричными контактами используется метод напыления под углом. Данный способ позволяет создать асимметричную структуру, в которой углеродные нанотрубки имеют контакт с различными металлами с противоположных концов, за один литографический процесс. Стандартный способ изготовления подобный структур требует проведения двух процедуры литографии и двух напылительных процессов: паттернирование и напыление первого электрода, затем второго. Предлагаемый способ за счет использования топологии резиста и углового напыления позволяет формировать асимметричные контакты к УНТ за одну итерацию.
После формирования внутренних частей электродов с помощью фотолитографии изготавливаются внешние части спиралей
Claims (2)
1. Способ изготовления матрицы детекторов терагерцевого излучения, представляющих собой массив чувствительных элементов на основе сеток углеродных нанотрубок, соединенных с матрицей контактных электродов, отличающийся тем, что массив чувствительных элементов формируется в процессе селективного травления однородной сетки УНТ с использованием литографической маски в виде массива прямоугольников размером 8*4 мкм2, сформированной в процессе фотолитографии.
2. Способ изготовления по п. 1 матрицы детекторов терагерцевого излучения на основе сеток углеродных нанотрубок, отличающийся тем, что матрицы контактных электродов к углеродным нанотрубкам выполнены в виде плоских спиральных антенн логарифмического типа из металлов с разной работой выхода в одном литографическом цикле с помощью углового напыления.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016141288A RU2667345C2 (ru) | 2016-10-20 | 2016-10-20 | Способ изготовления матрицы детекторов тгц излучения на основе углеродных нанотрубок |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016141288A RU2667345C2 (ru) | 2016-10-20 | 2016-10-20 | Способ изготовления матрицы детекторов тгц излучения на основе углеродных нанотрубок |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016141288A RU2016141288A (ru) | 2018-04-20 |
| RU2667345C2 true RU2667345C2 (ru) | 2018-09-18 |
Family
ID=61974546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016141288A RU2667345C2 (ru) | 2016-10-20 | 2016-10-20 | Способ изготовления матрицы детекторов тгц излучения на основе углеродных нанотрубок |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2667345C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2687447C1 (ru) * | 2018-12-26 | 2019-05-13 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЦЕНТРА "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ" (НИЦ "Курчатовский институт - ИРЕА") | Способ получения легированных йодом углеродных нанотрубок |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050230705A1 (en) * | 2002-04-26 | 2005-10-20 | Taylor Geoff W | Thz detection employing modulation doped quantum well device structures |
| US20100244864A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Tsinghua University | Method for detecting electromagnetic wave |
| US8269169B1 (en) * | 2010-04-21 | 2012-09-18 | Lockheed Martin Corporation | Nanotube based polarimetric electromagnetic sensor and focal plane array |
| RU2545497C1 (ru) * | 2014-01-09 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА") | Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона |
| US9476774B2 (en) * | 2014-12-17 | 2016-10-25 | Institut National D'optique | Uncooled microbolometer pixel and array for configurable broadband and multi-frequency terahertz detection |
-
2016
- 2016-10-20 RU RU2016141288A patent/RU2667345C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050230705A1 (en) * | 2002-04-26 | 2005-10-20 | Taylor Geoff W | Thz detection employing modulation doped quantum well device structures |
| US20100244864A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Tsinghua University | Method for detecting electromagnetic wave |
| US8269169B1 (en) * | 2010-04-21 | 2012-09-18 | Lockheed Martin Corporation | Nanotube based polarimetric electromagnetic sensor and focal plane array |
| RU2545497C1 (ru) * | 2014-01-09 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА") | Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона |
| US9476774B2 (en) * | 2014-12-17 | 2016-10-25 | Institut National D'optique | Uncooled microbolometer pixel and array for configurable broadband and multi-frequency terahertz detection |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2687447C1 (ru) * | 2018-12-26 | 2019-05-13 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЦЕНТРА "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ" (НИЦ "Курчатовский институт - ИРЕА") | Способ получения легированных йодом углеродных нанотрубок |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2016141288A (ru) | 2018-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11404643B1 (en) | Ultraviolet, infrared and terahertz photo/radiation sensors using graphene layers to enhance sensitivity | |
| CN106384756B (zh) | 基于石墨烯量子点的THz单光子探测器及其制备方法 | |
| US11029213B2 (en) | Epitaxial graphene quantum dots for high-performance terahertz bolometers | |
| Quellmalz et al. | Influence of humidity on contact resistance in graphene devices | |
| TWI703747B (zh) | 半導體結構、光電器件、光探測器及光譜儀 | |
| CN109916516A (zh) | 一种二维二硒化钯纳米薄膜在宽波段偏振光信号检测中的应用 | |
| CN110416235A (zh) | 一种中空表面等离激元结构的二维材料复合多色红外探测芯片 | |
| CN107293638A (zh) | 一种约瑟夫森结器件及其制备方法 | |
| Wan et al. | Junction‐Enhanced Polarization Sensitivity in Self‐Powered Near‐Infrared Photodetectors Based on Sb2Se3 Microbelt/n‐GaN Heterojunction | |
| US20100224913A1 (en) | One-dimensional FET-based corrosion sensor and method of making same | |
| RU2667345C2 (ru) | Способ изготовления матрицы детекторов тгц излучения на основе углеродных нанотрубок | |
| RU186169U1 (ru) | Детектор терагерцового излучения на основе углеродных нанотрубок | |
| KR102092456B1 (ko) | 페로브스카이트 장치 및 그 형성 방법 | |
| Jin et al. | Ice-assisted electron-beam lithography for halide perovskite optoelectronic nanodevices | |
| Drozdowska et al. | The effects of gas exposure on the graphene/AlGaN/GaN heterostructure under UV irradiation | |
| Zhu | Graphene geometric diodes for optical rectennas | |
| CN206349380U (zh) | 一种基于石墨烯量子点的THz单光子探测器 | |
| CN116259677A (zh) | 基于空位缺陷二维材料的偏振光电探测装置及其制备方法 | |
| Wang et al. | Preparation of 128 element of IR detector array based on vanadium oxide thin films obtained by ion beam sputtering | |
| Yesilkoy | IR detection and energy harvesting using antenna coupled MIM tunnel diodes | |
| US10175187B2 (en) | Integration of monolayer graphene with a semiconductor device | |
| Liu et al. | Ultrasensitive Perovskite Photodetector Achieved When Configured with a Si Metal Oxide Semiconductor Field‐Effect Transistor | |
| Bean | Thermal infrared detection using antenna-coupled metal-oxide-metal diodes | |
| Almalki | Investigation of High-k Dielectrics for Terahertz Rectenna | |
| Otto et al. | Ti–TiO2–Al normal metal–insulator–superconductor tunnel junctions fabricated in direct-write technology |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191021 |