RU2664882C1 - Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals - Google Patents

Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals Download PDF

Info

Publication number
RU2664882C1
RU2664882C1 RU2017138371A RU2017138371A RU2664882C1 RU 2664882 C1 RU2664882 C1 RU 2664882C1 RU 2017138371 A RU2017138371 A RU 2017138371A RU 2017138371 A RU2017138371 A RU 2017138371A RU 2664882 C1 RU2664882 C1 RU 2664882C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystals
masks
separation
base
removable
Prior art date
Application number
RU2017138371A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Алексеевич Дюжев
Евгений Эдуардович Гусев
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Priority to RU2017138371A priority Critical patent/RU2664882C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2664882C1 publication Critical patent/RU2664882C1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Abstract

FIELD: electrical engineering.
SUBSTANCE: invention relates to devices for chemical liquid separation of semiconductor wafers onto crystals without the use of mechanical devices and electric power. Device for chemical separation of semiconductor wafers into crystals contains a working container, perforated elements and a removable set of masks, in which the arrangement of the grooves coincides with the arrangement of the regions of separation into crystals, the perforated elements – the base and the lid, the lid is seated on the base, and the diameter of the perforation hole and the distance from the lower plane of the cover to the upper plane of the semiconductor plate or the top plane of the removable masks does not exceed the minimum dimension of the crystal face.
EFFECT: invention provides an increase in the yield of suitable crystals, reduces energy consumption, raises the ergonomics of the device, makes it possible to form crystals of various shapes.
1 cl, 5 dwg

Description

Изобретение относится к области разделения полупроводниковых пластин на кристаллы.The invention relates to the field of separation of semiconductor wafers into crystals.

В процессе изготовления устройств в микроэлектронике используются полупроводниковые пластины, на которых посредством литографии, нанесения и травления слоев сформированы повторяющиеся области - кристаллы. Финальной операцией технологического маршрута является разделение окончательной структуры полупроводниковой пластины на кристаллы. Такая пластина имеет максимальную стоимость, так как все технологические операции, за исключением разделения на кристаллы, проведены. Поэтому крайне важно, получить максимальных выход годных кристаллов с каждой пластины. В случаях, когда кристалл представляет собой МЭМС структуру, то есть структуру, в которой часть материала (например, осажденная пленка) находится не на основании, вероятность деформации при разделении возрастает в несколько раз.In the manufacturing process of devices in microelectronics, semiconductor wafers are used on which repeating regions - crystals - are formed by lithography, deposition and etching of layers. The final operation of the technological route is the separation of the final structure of the semiconductor wafer into crystals. Such a plate has a maximum cost, since all technological operations, with the exception of separation into crystals, are carried out. Therefore, it is extremely important to obtain the maximum yield of suitable crystals from each plate. In cases where the crystal is a MEMS structure, that is, a structure in which a part of the material (for example, a deposited film) is not on the base, the probability of deformation upon separation increases several times.

Известно изобретение, в котором описывается конструкция для резки пластины на кристаллы. Конструкция включает в себя скрайбирующий элемент в виде лезвия, который вращается и перемещается вдоль дорожек реза, а также емкость со специальным раствором, который омывает лезвие [1].An invention is known in which a structure for cutting a plate into crystals is described. The design includes a scribing element in the form of a blade that rotates and moves along the cut paths, as well as a container with a special solution that washes the blade [1].

К недостаткам изобретения можно отнести вибрацию, возникающую в процессе резки. В результате механического контакта лезвия с поверхностью возникают критические механические напряжения. Для МЭМС структур, включающих в себя тонкие мембраны, использование данного устройства приводит к деформации. Кроме того, в процессе эксплуатации износ режущей части лезвия снижает производительность и точность скрайбирования.The disadvantages of the invention include vibration that occurs during the cutting process. As a result of mechanical contact of the blade with the surface, critical mechanical stresses arise. For MEMS structures, including thin membranes, the use of this device leads to deformation. In addition, during operation, the wear of the cutting part of the blade reduces the performance and accuracy of scribing.

Известно изобретение резки пластин на кристаллы, в котором объединены механизмы грубой и точной регулировки положения скрайбирующего устройства [2].It is known the invention of cutting plates into crystals, which combines the mechanisms of coarse and precise adjustment of the position of the scribing device [2].

К недостаткам изобретения можно отнести механический контакт с последующей вибрацией в процессе резки, что снижает выход годных кристаллов МЭМС структур.The disadvantages of the invention include mechanical contact with subsequent vibration during the cutting process, which reduces the yield of suitable crystals of MEMS structures.

Известно изобретение для разделения пластин на кристаллы посредством использования скрайбирующего элемента [3].The invention is known for dividing plates into crystals by using a scribing element [3].

Недостатком изобретения является механический контакт скрайбирующего элемента с областями дорожек реза пластины. В процессе эксплуатации износ режущей части лезвия снижает производительность и точность скрайбирования. Для МЭМС структур, включающих в себя тонкие мембраны, использование данного устройства приводит к деформации.A disadvantage of the invention is the mechanical contact of the scribing element with the regions of the cut paths of the plate. During operation, wear on the cutting edge of the blade reduces productivity and scribing accuracy. For MEMS structures, including thin membranes, the use of this device leads to deformation.

Известно устройство для резки пластины на кристаллы с применением адгезионной ленты и лазерного луча [4].A device for cutting a plate into crystals using an adhesive tape and a laser beam [4].

Недостаток аналога состоит в большой мощности излучения, которая требуется при сквозном разрезании пластины лазером. Это приводит к сильному нагреву локальной области пластины. В некоторых случаях это приведет к расплавлению металла. Следовательно, будет повреждена металлизация, что снизит качество передаваемого сигнала. Также металл может диффундировать в соседний слой, что приведет к изменению стехиометрического состояния материалов, а значит к деградации устройства.The disadvantage of the analogue is the high radiation power that is required when cutting through the plate with a laser. This leads to strong heating of the local region of the plate. In some cases, this will result in molten metal. Consequently, metallization will be damaged, which will reduce the quality of the transmitted signal. Also, the metal can diffuse into the adjacent layer, which will lead to a change in the stoichiometric state of the materials, which means degradation of the device.

Известен аналог, в котором описывается устройство для разделения пластин на кристаллы, включающее в себя разрывной стержень для давления на область, с предварительно сформированным рельефом [5].An analogue is known in which a device for dividing plates into crystals is described, which includes a bursting rod for pressure on a region with a previously formed relief [5].

К недостаткам изобретения можно отнести необходимость предварительной механической обработки подложки, которая вносит механические напряжения. Также сложно контролировать положение разрывного стержня в процессе работы. В зависимости от угла наклона стержня в процессе давления на разрыв и предварительного механического воздействия, могут возникнуть неконтролируемые механические деформации, например, трещины, которые могут распространиться за пределы области для разделения на кристаллы. Следовательно, ожидается низкий выход годных кристаллов.The disadvantages of the invention include the need for preliminary machining of the substrate, which introduces mechanical stress. It is also difficult to control the position of the rupture rod during operation. Depending on the angle of inclination of the rod in the process of tensile pressure and preliminary mechanical stress, uncontrolled mechanical deformations, for example, cracks, which can propagate outside the region for separation into crystals, can occur. Therefore, a low yield of crystals is expected.

Известно электроадгезионное устройство для закрепления изделий, преимущественно полупроводниковых пластин в установках для разделения их на кристаллы [6].Known electroadhesive device for fixing products, mainly semiconductor wafers in installations for separating them into crystals [6].

К недостаткам изобретения можно отнести использование электроэнергии для работы установки, в процессе возвратно-поступательных движений пластины под действием напряжения, подаваемого на пьезоэлементы. Также недостатком устройства является исходное надрезание пластины по разделительным полосам, что вносит механические напряжения.The disadvantages of the invention include the use of electricity for the installation, in the process of reciprocating movements of the plate under the action of the voltage supplied to the piezoelectric elements. Another disadvantage of the device is the initial notching of the plate along the dividing strips, which introduces mechanical stresses.

Прототипом является устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащее рабочую емкость, выполненную в виде двух коаксиальных цилиндров, торцы которых соединены конусом с углом наклона стенок не более 60° относительно вертикальной оси, причем дно нижнего цилиндра выполнено в виде съемного стакана, емкость дополнительно снабжена штоком цилиндрической формы с заглушкой, смонтированным с возможностью возвратно-поступательного перемещения по оси цилиндров посредством циклически вращающегося вала и кулачкового механизма, и перфорированной кассетой, установленной в верхнем цилиндре с возможностью качания, при этом торец штока выполнен перфорированным, а его диаметр равен внутреннему диаметру съемного стакана [7].The prototype is a device for the chemical separation of semiconductor wafers into crystals, containing a working capacity made in the form of two coaxial cylinders, the ends of which are connected by a cone with an angle of inclination of the walls of not more than 60 ° relative to the vertical axis, and the bottom of the lower cylinder is made in the form of a removable glass, the capacity is additionally equipped with a rod of cylindrical shape with a plug mounted with the possibility of reciprocating movement along the axis of the cylinders by means of a cyclically rotating shaft and cam mechanism, and a perforated cartridge mounted in the upper cylinder with the possibility of swinging, while the end face of the rod is perforated, and its diameter is equal to the inner diameter of the removable glass [7].

К недостаткам устройства можно отнести сложность изготовления данной конструкции. Также неудобство в работе, т.к. после разделения пластины, часть кристаллов собираются в узкой зоне на границе контакта травителя и нейтральной жидкости, и затем проталкиваются штоком в нейтральную жидкость. Механический контакт со штоком может привести к деформации хрупких областей кристаллов, в случаях, когда кристалл представляет собой МЭМС структуру.The disadvantages of the device include the complexity of manufacturing this design. Also inconvenience in work, because after separation of the plate, part of the crystals are collected in a narrow zone at the interface between the etchant and the neutral liquid, and then are pushed into the neutral liquid by the rod. Mechanical contact with the rod can lead to deformation of the brittle regions of crystals, in cases where the crystal is a MEMS structure.

Кроме того, кристаллы смешиваются в нейтральной жидкости. Это может привести к контакту поверхностей кристаллов, в результате которого нейтральная жидкость не смоет травитель. Таким образом, будет удален дополнительный материал, то есть произойдет перетрав, в некоторых областях.In addition, the crystals are mixed in a neutral liquid. This may cause crystal surfaces to come into contact, as a result of which the neutral liquid will not wash away the etchant. Thus, additional material will be removed, that is, grinding will occur in some areas.

Также конструкция не обеспечивает сквозное движение (протекание) нейтральной жидкости из-за герметичной конструкции рабочей емкости. Это снижает скорость удаления материала в процессе травления и уменьшает однородность травления поверхности.Also, the design does not provide a through motion (flow) of a neutral liquid due to the sealed design of the working tank. This reduces the rate of material removal during etching and reduces the uniformity of surface etching.

Нельзя не отметить, что структура будет разделяться на кристаллы в случае сформированного рельефа в пластине, то есть за счет некоторых перемычек. В противном случае пластина подтравится целиком.It should be noted that the structure will be divided into crystals in the case of a formed relief in the plate, that is, due to some jumpers. Otherwise, the plate will be altered entirely.

Задачей настоящего изобретения является повышение выхода годных кристаллов, сокращение потребления энергии, повышение эргономичности устройства, обеспечение возможности формирования кристаллов различной формы.The objective of the present invention is to increase the yield of suitable crystals, reducing energy consumption, increasing the ergonomics of the device, enabling the formation of crystals of various shapes.

Поставленная задача решается тем, что формируют устройство для химического разделения пластин на кристаллы, включающее в себя рабочую емкость, перфорированные элементы, содержит съемный набор масок, в котором расположение пазов совпадает с расположением областей разделения на кристаллы, перфорированные элементы - основание и крышка, крышка посажена на основание, а диаметр отверстия перфорации и расстояние от нижней плоскости крышки до верхней плоскости полупроводниковой пластины либо верхней плоскости съемных масок не превышает минимальный размер грани кристалла, и расстояние от нижней плоскости полупроводниковой пластины до верхней плоскости основания в случае отсутствия съемного набора масок не превышает минимальный размер грани кристалла.The problem is solved in that they form a device for the chemical separation of plates into crystals, which includes a working capacity, perforated elements, contains a removable set of masks in which the location of the grooves coincides with the location of the areas of separation into crystals, perforated elements - the base and the cover, the lid is fitted on the base, and the diameter of the perforation hole and the distance from the lower plane of the cover to the upper plane of the semiconductor wafer or the upper plane of the removable masks does not exceed mini the minimum size of the crystal face, and the distance from the lower plane of the semiconductor wafer to the upper plane of the base in the absence of a removable set of masks does not exceed the minimum size of the crystal face.

По сравнению с прототипом предлагаемая конструкция для химического разделения пластин на кристаллы проще в изготовлении. Простота конструкции и эргономичность снижают вероятность ошибки оператора в процессе эксплуатации предлагаемого устройства.Compared with the prototype, the proposed design for the chemical separation of the plates into crystals is easier to manufacture. Simplicity of design and ergonomics reduce the likelihood of operator error during operation of the proposed device.

В предлагаемом изобретении разделение полупроводниковой пластины на кристаллы происходит без механического контакта между режущим инструментом и разделяемой структурой благодаря замене режущего инструмента на жидкостной травитель. Это обеспечивает повышение выхода годных кристаллов.In the present invention, the separation of the semiconductor wafer into crystals occurs without mechanical contact between the cutting tool and the shared structure due to the replacement of the cutting tool with a liquid etchant. This provides increased yield of crystals.

Обеспечивается возможность работы как с целой пластиной, так и с отдельными ее частями за счет использования съемного набора масок. Каждая маска содержит набор пазов для работы как с пластинами, так и с частями пластин. Варьируя расстояние между пазами масок, формируют кристаллы произвольной формы. Маски образуют плотный контакт с образцом, закрывая локальную область, которая не подлежит травлению. В результате после проведения процесса травления кристаллы не смещаются.It is possible to work both with the whole plate and with its individual parts through the use of a removable set of masks. Each mask contains a set of slots for working with both plates and parts of the plates. By varying the distance between the grooves of the masks, crystals of arbitrary shape are formed. Masks form close contact with the sample, covering a local area that cannot be etched. As a result, after the etching process, the crystals do not move.

Фиксация конструкции осуществляется посредством резьбовых соединений: болт-крышка-основание и ручка-крышка-основание. Транспортировка устройства осуществляется посредством двух ручек. Длина ручек выбирается в зависимости от глубины ванны.The structure is fixed by means of threaded connections: bolt-cap-base and handle-cap-base. The device is transported by two handles. The length of the handles is selected depending on the depth of the bath.

Данное устройство позволяет работать без использования электроэнергии, что снижает стоимость финальной операции и разработку полупроводникового прибора в целом.This device allows you to work without the use of electricity, which reduces the cost of the final operation and the development of the semiconductor device as a whole.

Предлагаемая конструкция обеспечивает сквозное протекание жидкости травителя и нейтральной среды, благодаря областям перфорации в крышке и в основании. За счет этого стабилизируется скорость травления в течение процесса удаления материала и повышается однородность травления. Это позволяет удалить травитель целиком и избежать удаления незапланированной части материала.The proposed design provides a through flow of the etchant fluid and the neutral medium, due to the perforation areas in the lid and in the base. Due to this, the etching rate is stabilized during the material removal process and the etching uniformity is increased. This allows you to remove the entire etchant and to avoid the removal of unplanned parts of the material.

В процессе травления на дне глубокой ванны образуется приповерхностный слой с повышенной концентрацией нежелательной примеси. Использование ножек приподнимает основание над дном ванны, что обеспечивает защиту от попадания нежелательной примеси, повышает устойчивость конструкции, а также позволяет не нарушать циркуляцию раствора в ванне.During etching, a near-surface layer with an increased concentration of undesirable impurities forms at the bottom of the deep bath. The use of legs raises the base above the bottom of the bath, which provides protection against ingress of unwanted impurities, increases the stability of the structure, and also allows you to not disturb the circulation of the solution in the bath.

На фиг. 1 представлен макет на устройство для разделения полупроводниковых пластин на кристаллы, где 1 - перфорированная крышка, 2 - перфорированное основание, 3 - ножки, 4 - съемный набор масок, 5 - полупроводниковая пластина, 6 - рабочая емкость, 7 - болт, 8 - ручка, d - диаметр отверстия, m - расстояние между стенками основания, s - наибольшая сторона пластины. На фиг. 2 показан вид сбоку съемного набора масок 4 для фиксации полупроводниковой пластины 5 в неподвижном состоянии в течение процесса химического разделения, где n - толщина съемных масок, b - расстояние между пазами масок (совпадает с размером кристалла), а - длина пазов в маске (совпадает с областью разделения на кристаллы). На фиг. 3 иллюстрируется общий вид устройства без съемного набора масок 4 в процессе сборки. На фиг. 4 представлен кристалл (часть пластины) толщиной Z, длиной короткой стороны X и шириной Y (Y>X>Z). На фиг. 5 показано изображение полупроводниковой пластины и изготовленной предлагаемой конструкции для разделения ее на кристаллы.In FIG. 1 shows a model for a device for separating semiconductor wafers into crystals, where 1 is a perforated cover, 2 is a perforated base, 3 are legs, 4 is a removable set of masks, 5 is a semiconductor plate, 6 is a working capacity, 7 is a bolt, 8 is a handle , d is the diameter of the hole, m is the distance between the walls of the base, s is the largest side of the plate. In FIG. 2 shows a side view of a removable set of masks 4 for fixing the semiconductor wafer 5 in a stationary state during the chemical separation process, where n is the thickness of the removable masks, b is the distance between the grooves of the masks (matches the size of the crystal), and the length of the grooves in the mask (matches with the area of separation into crystals). In FIG. 3 illustrates a General view of the device without a removable set of masks 4 in the assembly process. In FIG. Figure 4 shows a crystal (part of a plate) of thickness Z, the length of the short side X, and the width Y (Y> X> Z). In FIG. 5 shows an image of a semiconductor wafer and the proposed construction for dividing it into crystals.

Устройство для химического разделения пластин на кристаллы используется следующим образом. Изготавливают конструкцию из материала, который не взаимодействует с травителем. Одним из вариантов материалов изделия может быть фторопласт. Пластину 5 располагают на перфорированном основании 2 с ножками 3, фиксируя с помощью съемного набора масок 4. Перфорированная крышка 1 фиксирует пластину 5. Крышка соединяется с основанием посредством резьбовых соединений болтов 7 и ручек 8. Устройство опускается в ванну с травителем. Травитель поступает в рабочую емкость 6. Жидкость взаимодействует с образцом через полости в перфорированном основании 2 и в перфорированной крышке 1. После разделения пластины на кристаллы, устройство поднимается из ванны с травителем. Затем устройство помещается в ванну с нейтральной жидкостью для удаления остатков травителя. После этого устройство поднимается из ванны с нейтральной жидкостью. Следующим шагом выполняют сушку. Пластину раскручивают на центрифуге в атмосфере инертного газа, например, азота. Финальным шагом откручивают болты 7 и ручки 8, открывают перфорированную крышку 1 и достают пластину 5 (или кристаллы в случае разделения пластины на части) с помощью пинцета.A device for the chemical separation of wafers into crystals is used as follows. A structure is made from a material that does not interact with the etchant. One of the options for the material of the product may be ftoroplast. The plate 5 is placed on a perforated base 2 with legs 3, fixing with a removable set of masks 4. The perforated cover 1 fixes the plate 5. The cover is connected to the base by threaded connections of bolts 7 and handles 8. The device is lowered into the bath with the etchant. The etchant enters the working tank 6. The fluid interacts with the sample through the cavity in the perforated base 2 and in the perforated cover 1. After dividing the plate into crystals, the device rises from the bath with the etchant. Then the device is placed in a bath with a neutral liquid to remove residual etchant. After that, the device rises from the bath with a neutral liquid. The next step is drying. The plate is spun in a centrifuge in an atmosphere of inert gas, such as nitrogen. With the final step, unscrew the bolts 7 and the handles 8, open the perforated cover 1 and remove the plate 5 (or crystals if the plate is divided into parts) with tweezers.

Конкретный пример исполнения. Размеры кристалла X×Y×Z 4 мм×8 мм×0.6 мкм. Диаметр отверстия d 4 мм. Толщина съемных масок n 2 мм. Расстояние между пазами масок b 6 мм, длина пазов в наборе масок а 0.5 мм. Расстояние между стенками основания m 160 мм. Диаметр пластины s 150 мм. Толщина перфорированной крышки составляет 10 мм. В результате жидкостного травления целая пластина станет набором кристаллов квадратной формы со стороной 6 мм.A specific example of execution. The crystal dimensions are X × Y × Z 4 mm × 8 mm × 0.6 μm. The diameter of the hole is d 4 mm. Thickness of removable masks n 2 mm. The distance between the grooves of the masks is 6 mm, the length of the grooves in the set of masks is 0.5 mm. The distance between the walls of the base m 160 mm. Plate diameter s 150 mm. The thickness of the perforated cover is 10 mm. As a result of liquid etching, the whole plate will become a set of square-shaped crystals with a side of 6 mm.

Таким образом, в результате использования предлагаемой конструкции повышается выход годных кристаллов, сокращается потребление энергии, повышается эргономичность устройства, осуществляется возможность формирования кристаллов различной формы.Thus, as a result of using the proposed design, the yield of suitable crystals is increased, energy consumption is reduced, the ergonomics of the device are increased, and the formation of crystals of various shapes is possible.

Источники информацииInformation sources

1. Патент США №6105567.1. US patent No. 6105567.

2. Патент Тайваня №200700336.2. Taiwan Patent No. 200700336.

3. Патент Китая №106206858.3. Chinese Patent No. 106206858.

4. Патент Японии №2012-119468.4. Japanese Patent No. 2012-119468.

5. Патент Китая №106024612.5. Chinese Patent No. 106024612.

6. Патент РФ №2047934.6. RF patent No. 2047934.

7. Патент РФ №2022406 - прототип.7. RF patent No. 2022406 - prototype.

Claims (2)

1. Устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы, включающее в себя рабочую емкость, перфорированные элементы, отличающееся тем, что содержит съемный набор масок, в котором расположение пазов совпадает с расположением областей разделения на кристаллы, перфорированные элементы - основание и крышка, крышка посажена на основание, а диаметр отверстия перфорации и расстояние от нижней плоскости крышки до верхней плоскости полупроводниковой пластины либо верхней плоскости съемных масок не превышает минимальный размер грани кристалла.1. A device for the chemical separation of semiconductor wafers into crystals, which includes a working capacity, perforated elements, characterized in that it contains a removable set of masks, in which the grooves coincide with the location of the areas of separation into crystals, perforated elements - the base and the cover, the lid is fitted to the base, and the diameter of the perforation hole and the distance from the lower plane of the lid to the upper plane of the semiconductor wafer or the upper plane of the removable masks does not exceed the minimum th the size of the crystal face. 2. Устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы по п. 1, отличающееся тем, что содержит болты для крепления и ручки для транспортировки и крепления.2. A device for the chemical separation of semiconductor wafers into crystals according to claim 1, characterized in that it contains bolts for fastening and handles for transportation and fastening.
RU2017138371A 2017-11-03 2017-11-03 Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals RU2664882C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017138371A RU2664882C1 (en) 2017-11-03 2017-11-03 Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017138371A RU2664882C1 (en) 2017-11-03 2017-11-03 Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2664882C1 true RU2664882C1 (en) 2018-08-23

Family

ID=63286892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017138371A RU2664882C1 (en) 2017-11-03 2017-11-03 Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2664882C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU202978U1 (en) * 2020-04-03 2021-03-17 Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" CASSETTE FOR SEMICONDUCTOR CRYSTALS
RU2790944C1 (en) * 2021-09-15 2023-02-28 Публичное акционерное общество "Сатурн" (АО "Сатурн") Device for separation of metallized semiconductor plate after disc cutting

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2008744C1 (en) * 1991-02-05 1994-02-28 Производственное объединение "Фотон" Process of chemical separation of silicon plates with deeply deposited p - n junction into individual crystals
RU2022406C1 (en) * 1992-04-10 1994-10-30 Производственное объединение "ТОР" Device for chemical separation of semiconductor plates into chips
RU2047934C1 (en) * 1991-07-11 1995-11-10 Вагиз Нургалиевич Абраров Gear for attachment of articles, mainly semiconductor plates, in plants for their division into crystals
RU2321101C1 (en) * 2006-07-06 2008-03-27 ФГУП "НИИ физических измерений" Method for manufacturing semiconductor devices
JP2015133375A (en) * 2014-01-10 2015-07-23 株式会社ディスコ Division apparatus
JP2016028443A (en) * 2015-10-13 2016-02-25 株式会社東京精密 Cutting method of semiconductor substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2008744C1 (en) * 1991-02-05 1994-02-28 Производственное объединение "Фотон" Process of chemical separation of silicon plates with deeply deposited p - n junction into individual crystals
RU2047934C1 (en) * 1991-07-11 1995-11-10 Вагиз Нургалиевич Абраров Gear for attachment of articles, mainly semiconductor plates, in plants for their division into crystals
RU2022406C1 (en) * 1992-04-10 1994-10-30 Производственное объединение "ТОР" Device for chemical separation of semiconductor plates into chips
RU2321101C1 (en) * 2006-07-06 2008-03-27 ФГУП "НИИ физических измерений" Method for manufacturing semiconductor devices
JP2015133375A (en) * 2014-01-10 2015-07-23 株式会社ディスコ Division apparatus
JP2016028443A (en) * 2015-10-13 2016-02-25 株式会社東京精密 Cutting method of semiconductor substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU202978U1 (en) * 2020-04-03 2021-03-17 Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" CASSETTE FOR SEMICONDUCTOR CRYSTALS
RU2790944C1 (en) * 2021-09-15 2023-02-28 Публичное акционерное общество "Сатурн" (АО "Сатурн") Device for separation of metallized semiconductor plate after disc cutting

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6248033B2 (en) Hybrid laser / plasma etching wafer dicing using substrate carrier
KR100456931B1 (en) Production of projection mask
US20180354067A1 (en) Wafer producing apparatus
US20170330800A1 (en) Laser-based separation method
US11703331B2 (en) Three dimensional microstructures with selectively removed regions for use in gyroscopes and other devices
RU2664882C1 (en) Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals
US4049857A (en) Deposition mask and methods of making same
RU2686119C1 (en) Method of plates separation into chips and production of through holes of large area for microelectronics products
US20150273600A1 (en) Electro discharge machining system and method of operation thereof
Porter et al. Die separation and rupture strength for deep reactive ion etched silicon wafers
KR20020060686A (en) Substrate for transfer mask, transfer mask, and method of manufacture thereof
CN110394513A (en) A kind of correcting compensation method in place of combination electrode processing multistage microstructural
CN102810441A (en) Preparation method of ion optic device
JP4654811B2 (en) Etching mask and dry etching method
Djuzhev et al. Separation of a silicon substrate into chips by liquid etching
US7256106B2 (en) Method of dividing a substrate into a plurality of individual chip parts
KR20010076522A (en) The apparatus for fabricating semiconductor devices
US20150293521A1 (en) Electro discharge machining system with batch processing of holes and manufacturing method therefor
JP4834891B2 (en) Surface processing method of metal material and metal substrate using this processing method
RU2722539C1 (en) Manufacturing method of quartz sensitive elements of sensors
JP4622890B2 (en) Wafer processing equipment
JP4312109B2 (en) Laser processing method
US20240105511A1 (en) Processing method of substrate and manufacturing method of chips
Sun et al. Laser drilling in silicon carbide and silicon carbide matrix composites
RU2475950C1 (en) Method to manufacture quartz crystalline elements of z-section

Legal Events

Date Code Title Description
QB4A Licence on use of patent

Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20200207

Effective date: 20200207