RU2664882C1 - Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals - Google Patents
Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals Download PDFInfo
- Publication number
- RU2664882C1 RU2664882C1 RU2017138371A RU2017138371A RU2664882C1 RU 2664882 C1 RU2664882 C1 RU 2664882C1 RU 2017138371 A RU2017138371 A RU 2017138371A RU 2017138371 A RU2017138371 A RU 2017138371A RU 2664882 C1 RU2664882 C1 RU 2664882C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystals
- masks
- separation
- base
- removable
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Abstract
Description
Изобретение относится к области разделения полупроводниковых пластин на кристаллы.The invention relates to the field of separation of semiconductor wafers into crystals.
В процессе изготовления устройств в микроэлектронике используются полупроводниковые пластины, на которых посредством литографии, нанесения и травления слоев сформированы повторяющиеся области - кристаллы. Финальной операцией технологического маршрута является разделение окончательной структуры полупроводниковой пластины на кристаллы. Такая пластина имеет максимальную стоимость, так как все технологические операции, за исключением разделения на кристаллы, проведены. Поэтому крайне важно, получить максимальных выход годных кристаллов с каждой пластины. В случаях, когда кристалл представляет собой МЭМС структуру, то есть структуру, в которой часть материала (например, осажденная пленка) находится не на основании, вероятность деформации при разделении возрастает в несколько раз.In the manufacturing process of devices in microelectronics, semiconductor wafers are used on which repeating regions - crystals - are formed by lithography, deposition and etching of layers. The final operation of the technological route is the separation of the final structure of the semiconductor wafer into crystals. Such a plate has a maximum cost, since all technological operations, with the exception of separation into crystals, are carried out. Therefore, it is extremely important to obtain the maximum yield of suitable crystals from each plate. In cases where the crystal is a MEMS structure, that is, a structure in which a part of the material (for example, a deposited film) is not on the base, the probability of deformation upon separation increases several times.
Известно изобретение, в котором описывается конструкция для резки пластины на кристаллы. Конструкция включает в себя скрайбирующий элемент в виде лезвия, который вращается и перемещается вдоль дорожек реза, а также емкость со специальным раствором, который омывает лезвие [1].An invention is known in which a structure for cutting a plate into crystals is described. The design includes a scribing element in the form of a blade that rotates and moves along the cut paths, as well as a container with a special solution that washes the blade [1].
К недостаткам изобретения можно отнести вибрацию, возникающую в процессе резки. В результате механического контакта лезвия с поверхностью возникают критические механические напряжения. Для МЭМС структур, включающих в себя тонкие мембраны, использование данного устройства приводит к деформации. Кроме того, в процессе эксплуатации износ режущей части лезвия снижает производительность и точность скрайбирования.The disadvantages of the invention include vibration that occurs during the cutting process. As a result of mechanical contact of the blade with the surface, critical mechanical stresses arise. For MEMS structures, including thin membranes, the use of this device leads to deformation. In addition, during operation, the wear of the cutting part of the blade reduces the performance and accuracy of scribing.
Известно изобретение резки пластин на кристаллы, в котором объединены механизмы грубой и точной регулировки положения скрайбирующего устройства [2].It is known the invention of cutting plates into crystals, which combines the mechanisms of coarse and precise adjustment of the position of the scribing device [2].
К недостаткам изобретения можно отнести механический контакт с последующей вибрацией в процессе резки, что снижает выход годных кристаллов МЭМС структур.The disadvantages of the invention include mechanical contact with subsequent vibration during the cutting process, which reduces the yield of suitable crystals of MEMS structures.
Известно изобретение для разделения пластин на кристаллы посредством использования скрайбирующего элемента [3].The invention is known for dividing plates into crystals by using a scribing element [3].
Недостатком изобретения является механический контакт скрайбирующего элемента с областями дорожек реза пластины. В процессе эксплуатации износ режущей части лезвия снижает производительность и точность скрайбирования. Для МЭМС структур, включающих в себя тонкие мембраны, использование данного устройства приводит к деформации.A disadvantage of the invention is the mechanical contact of the scribing element with the regions of the cut paths of the plate. During operation, wear on the cutting edge of the blade reduces productivity and scribing accuracy. For MEMS structures, including thin membranes, the use of this device leads to deformation.
Известно устройство для резки пластины на кристаллы с применением адгезионной ленты и лазерного луча [4].A device for cutting a plate into crystals using an adhesive tape and a laser beam [4].
Недостаток аналога состоит в большой мощности излучения, которая требуется при сквозном разрезании пластины лазером. Это приводит к сильному нагреву локальной области пластины. В некоторых случаях это приведет к расплавлению металла. Следовательно, будет повреждена металлизация, что снизит качество передаваемого сигнала. Также металл может диффундировать в соседний слой, что приведет к изменению стехиометрического состояния материалов, а значит к деградации устройства.The disadvantage of the analogue is the high radiation power that is required when cutting through the plate with a laser. This leads to strong heating of the local region of the plate. In some cases, this will result in molten metal. Consequently, metallization will be damaged, which will reduce the quality of the transmitted signal. Also, the metal can diffuse into the adjacent layer, which will lead to a change in the stoichiometric state of the materials, which means degradation of the device.
Известен аналог, в котором описывается устройство для разделения пластин на кристаллы, включающее в себя разрывной стержень для давления на область, с предварительно сформированным рельефом [5].An analogue is known in which a device for dividing plates into crystals is described, which includes a bursting rod for pressure on a region with a previously formed relief [5].
К недостаткам изобретения можно отнести необходимость предварительной механической обработки подложки, которая вносит механические напряжения. Также сложно контролировать положение разрывного стержня в процессе работы. В зависимости от угла наклона стержня в процессе давления на разрыв и предварительного механического воздействия, могут возникнуть неконтролируемые механические деформации, например, трещины, которые могут распространиться за пределы области для разделения на кристаллы. Следовательно, ожидается низкий выход годных кристаллов.The disadvantages of the invention include the need for preliminary machining of the substrate, which introduces mechanical stress. It is also difficult to control the position of the rupture rod during operation. Depending on the angle of inclination of the rod in the process of tensile pressure and preliminary mechanical stress, uncontrolled mechanical deformations, for example, cracks, which can propagate outside the region for separation into crystals, can occur. Therefore, a low yield of crystals is expected.
Известно электроадгезионное устройство для закрепления изделий, преимущественно полупроводниковых пластин в установках для разделения их на кристаллы [6].Known electroadhesive device for fixing products, mainly semiconductor wafers in installations for separating them into crystals [6].
К недостаткам изобретения можно отнести использование электроэнергии для работы установки, в процессе возвратно-поступательных движений пластины под действием напряжения, подаваемого на пьезоэлементы. Также недостатком устройства является исходное надрезание пластины по разделительным полосам, что вносит механические напряжения.The disadvantages of the invention include the use of electricity for the installation, in the process of reciprocating movements of the plate under the action of the voltage supplied to the piezoelectric elements. Another disadvantage of the device is the initial notching of the plate along the dividing strips, which introduces mechanical stresses.
Прототипом является устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащее рабочую емкость, выполненную в виде двух коаксиальных цилиндров, торцы которых соединены конусом с углом наклона стенок не более 60° относительно вертикальной оси, причем дно нижнего цилиндра выполнено в виде съемного стакана, емкость дополнительно снабжена штоком цилиндрической формы с заглушкой, смонтированным с возможностью возвратно-поступательного перемещения по оси цилиндров посредством циклически вращающегося вала и кулачкового механизма, и перфорированной кассетой, установленной в верхнем цилиндре с возможностью качания, при этом торец штока выполнен перфорированным, а его диаметр равен внутреннему диаметру съемного стакана [7].The prototype is a device for the chemical separation of semiconductor wafers into crystals, containing a working capacity made in the form of two coaxial cylinders, the ends of which are connected by a cone with an angle of inclination of the walls of not more than 60 ° relative to the vertical axis, and the bottom of the lower cylinder is made in the form of a removable glass, the capacity is additionally equipped with a rod of cylindrical shape with a plug mounted with the possibility of reciprocating movement along the axis of the cylinders by means of a cyclically rotating shaft and cam mechanism, and a perforated cartridge mounted in the upper cylinder with the possibility of swinging, while the end face of the rod is perforated, and its diameter is equal to the inner diameter of the removable glass [7].
К недостаткам устройства можно отнести сложность изготовления данной конструкции. Также неудобство в работе, т.к. после разделения пластины, часть кристаллов собираются в узкой зоне на границе контакта травителя и нейтральной жидкости, и затем проталкиваются штоком в нейтральную жидкость. Механический контакт со штоком может привести к деформации хрупких областей кристаллов, в случаях, когда кристалл представляет собой МЭМС структуру.The disadvantages of the device include the complexity of manufacturing this design. Also inconvenience in work, because after separation of the plate, part of the crystals are collected in a narrow zone at the interface between the etchant and the neutral liquid, and then are pushed into the neutral liquid by the rod. Mechanical contact with the rod can lead to deformation of the brittle regions of crystals, in cases where the crystal is a MEMS structure.
Кроме того, кристаллы смешиваются в нейтральной жидкости. Это может привести к контакту поверхностей кристаллов, в результате которого нейтральная жидкость не смоет травитель. Таким образом, будет удален дополнительный материал, то есть произойдет перетрав, в некоторых областях.In addition, the crystals are mixed in a neutral liquid. This may cause crystal surfaces to come into contact, as a result of which the neutral liquid will not wash away the etchant. Thus, additional material will be removed, that is, grinding will occur in some areas.
Также конструкция не обеспечивает сквозное движение (протекание) нейтральной жидкости из-за герметичной конструкции рабочей емкости. Это снижает скорость удаления материала в процессе травления и уменьшает однородность травления поверхности.Also, the design does not provide a through motion (flow) of a neutral liquid due to the sealed design of the working tank. This reduces the rate of material removal during etching and reduces the uniformity of surface etching.
Нельзя не отметить, что структура будет разделяться на кристаллы в случае сформированного рельефа в пластине, то есть за счет некоторых перемычек. В противном случае пластина подтравится целиком.It should be noted that the structure will be divided into crystals in the case of a formed relief in the plate, that is, due to some jumpers. Otherwise, the plate will be altered entirely.
Задачей настоящего изобретения является повышение выхода годных кристаллов, сокращение потребления энергии, повышение эргономичности устройства, обеспечение возможности формирования кристаллов различной формы.The objective of the present invention is to increase the yield of suitable crystals, reducing energy consumption, increasing the ergonomics of the device, enabling the formation of crystals of various shapes.
Поставленная задача решается тем, что формируют устройство для химического разделения пластин на кристаллы, включающее в себя рабочую емкость, перфорированные элементы, содержит съемный набор масок, в котором расположение пазов совпадает с расположением областей разделения на кристаллы, перфорированные элементы - основание и крышка, крышка посажена на основание, а диаметр отверстия перфорации и расстояние от нижней плоскости крышки до верхней плоскости полупроводниковой пластины либо верхней плоскости съемных масок не превышает минимальный размер грани кристалла, и расстояние от нижней плоскости полупроводниковой пластины до верхней плоскости основания в случае отсутствия съемного набора масок не превышает минимальный размер грани кристалла.The problem is solved in that they form a device for the chemical separation of plates into crystals, which includes a working capacity, perforated elements, contains a removable set of masks in which the location of the grooves coincides with the location of the areas of separation into crystals, perforated elements - the base and the cover, the lid is fitted on the base, and the diameter of the perforation hole and the distance from the lower plane of the cover to the upper plane of the semiconductor wafer or the upper plane of the removable masks does not exceed mini the minimum size of the crystal face, and the distance from the lower plane of the semiconductor wafer to the upper plane of the base in the absence of a removable set of masks does not exceed the minimum size of the crystal face.
По сравнению с прототипом предлагаемая конструкция для химического разделения пластин на кристаллы проще в изготовлении. Простота конструкции и эргономичность снижают вероятность ошибки оператора в процессе эксплуатации предлагаемого устройства.Compared with the prototype, the proposed design for the chemical separation of the plates into crystals is easier to manufacture. Simplicity of design and ergonomics reduce the likelihood of operator error during operation of the proposed device.
В предлагаемом изобретении разделение полупроводниковой пластины на кристаллы происходит без механического контакта между режущим инструментом и разделяемой структурой благодаря замене режущего инструмента на жидкостной травитель. Это обеспечивает повышение выхода годных кристаллов.In the present invention, the separation of the semiconductor wafer into crystals occurs without mechanical contact between the cutting tool and the shared structure due to the replacement of the cutting tool with a liquid etchant. This provides increased yield of crystals.
Обеспечивается возможность работы как с целой пластиной, так и с отдельными ее частями за счет использования съемного набора масок. Каждая маска содержит набор пазов для работы как с пластинами, так и с частями пластин. Варьируя расстояние между пазами масок, формируют кристаллы произвольной формы. Маски образуют плотный контакт с образцом, закрывая локальную область, которая не подлежит травлению. В результате после проведения процесса травления кристаллы не смещаются.It is possible to work both with the whole plate and with its individual parts through the use of a removable set of masks. Each mask contains a set of slots for working with both plates and parts of the plates. By varying the distance between the grooves of the masks, crystals of arbitrary shape are formed. Masks form close contact with the sample, covering a local area that cannot be etched. As a result, after the etching process, the crystals do not move.
Фиксация конструкции осуществляется посредством резьбовых соединений: болт-крышка-основание и ручка-крышка-основание. Транспортировка устройства осуществляется посредством двух ручек. Длина ручек выбирается в зависимости от глубины ванны.The structure is fixed by means of threaded connections: bolt-cap-base and handle-cap-base. The device is transported by two handles. The length of the handles is selected depending on the depth of the bath.
Данное устройство позволяет работать без использования электроэнергии, что снижает стоимость финальной операции и разработку полупроводникового прибора в целом.This device allows you to work without the use of electricity, which reduces the cost of the final operation and the development of the semiconductor device as a whole.
Предлагаемая конструкция обеспечивает сквозное протекание жидкости травителя и нейтральной среды, благодаря областям перфорации в крышке и в основании. За счет этого стабилизируется скорость травления в течение процесса удаления материала и повышается однородность травления. Это позволяет удалить травитель целиком и избежать удаления незапланированной части материала.The proposed design provides a through flow of the etchant fluid and the neutral medium, due to the perforation areas in the lid and in the base. Due to this, the etching rate is stabilized during the material removal process and the etching uniformity is increased. This allows you to remove the entire etchant and to avoid the removal of unplanned parts of the material.
В процессе травления на дне глубокой ванны образуется приповерхностный слой с повышенной концентрацией нежелательной примеси. Использование ножек приподнимает основание над дном ванны, что обеспечивает защиту от попадания нежелательной примеси, повышает устойчивость конструкции, а также позволяет не нарушать циркуляцию раствора в ванне.During etching, a near-surface layer with an increased concentration of undesirable impurities forms at the bottom of the deep bath. The use of legs raises the base above the bottom of the bath, which provides protection against ingress of unwanted impurities, increases the stability of the structure, and also allows you to not disturb the circulation of the solution in the bath.
На фиг. 1 представлен макет на устройство для разделения полупроводниковых пластин на кристаллы, где 1 - перфорированная крышка, 2 - перфорированное основание, 3 - ножки, 4 - съемный набор масок, 5 - полупроводниковая пластина, 6 - рабочая емкость, 7 - болт, 8 - ручка, d - диаметр отверстия, m - расстояние между стенками основания, s - наибольшая сторона пластины. На фиг. 2 показан вид сбоку съемного набора масок 4 для фиксации полупроводниковой пластины 5 в неподвижном состоянии в течение процесса химического разделения, где n - толщина съемных масок, b - расстояние между пазами масок (совпадает с размером кристалла), а - длина пазов в маске (совпадает с областью разделения на кристаллы). На фиг. 3 иллюстрируется общий вид устройства без съемного набора масок 4 в процессе сборки. На фиг. 4 представлен кристалл (часть пластины) толщиной Z, длиной короткой стороны X и шириной Y (Y>X>Z). На фиг. 5 показано изображение полупроводниковой пластины и изготовленной предлагаемой конструкции для разделения ее на кристаллы.In FIG. 1 shows a model for a device for separating semiconductor wafers into crystals, where 1 is a perforated cover, 2 is a perforated base, 3 are legs, 4 is a removable set of masks, 5 is a semiconductor plate, 6 is a working capacity, 7 is a bolt, 8 is a handle , d is the diameter of the hole, m is the distance between the walls of the base, s is the largest side of the plate. In FIG. 2 shows a side view of a removable set of
Устройство для химического разделения пластин на кристаллы используется следующим образом. Изготавливают конструкцию из материала, который не взаимодействует с травителем. Одним из вариантов материалов изделия может быть фторопласт. Пластину 5 располагают на перфорированном основании 2 с ножками 3, фиксируя с помощью съемного набора масок 4. Перфорированная крышка 1 фиксирует пластину 5. Крышка соединяется с основанием посредством резьбовых соединений болтов 7 и ручек 8. Устройство опускается в ванну с травителем. Травитель поступает в рабочую емкость 6. Жидкость взаимодействует с образцом через полости в перфорированном основании 2 и в перфорированной крышке 1. После разделения пластины на кристаллы, устройство поднимается из ванны с травителем. Затем устройство помещается в ванну с нейтральной жидкостью для удаления остатков травителя. После этого устройство поднимается из ванны с нейтральной жидкостью. Следующим шагом выполняют сушку. Пластину раскручивают на центрифуге в атмосфере инертного газа, например, азота. Финальным шагом откручивают болты 7 и ручки 8, открывают перфорированную крышку 1 и достают пластину 5 (или кристаллы в случае разделения пластины на части) с помощью пинцета.A device for the chemical separation of wafers into crystals is used as follows. A structure is made from a material that does not interact with the etchant. One of the options for the material of the product may be ftoroplast. The
Конкретный пример исполнения. Размеры кристалла X×Y×Z 4 мм×8 мм×0.6 мкм. Диаметр отверстия d 4 мм. Толщина съемных масок n 2 мм. Расстояние между пазами масок b 6 мм, длина пазов в наборе масок а 0.5 мм. Расстояние между стенками основания m 160 мм. Диаметр пластины s 150 мм. Толщина перфорированной крышки составляет 10 мм. В результате жидкостного травления целая пластина станет набором кристаллов квадратной формы со стороной 6 мм.A specific example of execution. The crystal dimensions are X × Y ×
Таким образом, в результате использования предлагаемой конструкции повышается выход годных кристаллов, сокращается потребление энергии, повышается эргономичность устройства, осуществляется возможность формирования кристаллов различной формы.Thus, as a result of using the proposed design, the yield of suitable crystals is increased, energy consumption is reduced, the ergonomics of the device are increased, and the formation of crystals of various shapes is possible.
Источники информацииInformation sources
1. Патент США №6105567.1. US patent No. 6105567.
2. Патент Тайваня №200700336.2. Taiwan Patent No. 200700336.
3. Патент Китая №106206858.3. Chinese Patent No. 106206858.
4. Патент Японии №2012-119468.4. Japanese Patent No. 2012-119468.
5. Патент Китая №106024612.5. Chinese Patent No. 106024612.
6. Патент РФ №2047934.6. RF patent No. 2047934.
7. Патент РФ №2022406 - прототип.7. RF patent No. 2022406 - prototype.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017138371A RU2664882C1 (en) | 2017-11-03 | 2017-11-03 | Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017138371A RU2664882C1 (en) | 2017-11-03 | 2017-11-03 | Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2664882C1 true RU2664882C1 (en) | 2018-08-23 |
Family
ID=63286892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017138371A RU2664882C1 (en) | 2017-11-03 | 2017-11-03 | Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2664882C1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU202978U1 (en) * | 2020-04-03 | 2021-03-17 | Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | CASSETTE FOR SEMICONDUCTOR CRYSTALS |
RU2790944C1 (en) * | 2021-09-15 | 2023-02-28 | Публичное акционерное общество "Сатурн" (АО "Сатурн") | Device for separation of metallized semiconductor plate after disc cutting |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2008744C1 (en) * | 1991-02-05 | 1994-02-28 | Производственное объединение "Фотон" | Process of chemical separation of silicon plates with deeply deposited p - n junction into individual crystals |
RU2022406C1 (en) * | 1992-04-10 | 1994-10-30 | Производственное объединение "ТОР" | Device for chemical separation of semiconductor plates into chips |
RU2047934C1 (en) * | 1991-07-11 | 1995-11-10 | Вагиз Нургалиевич Абраров | Gear for attachment of articles, mainly semiconductor plates, in plants for their division into crystals |
RU2321101C1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-03-27 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Method for manufacturing semiconductor devices |
JP2015133375A (en) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 株式会社ディスコ | Division apparatus |
JP2016028443A (en) * | 2015-10-13 | 2016-02-25 | 株式会社東京精密 | Cutting method of semiconductor substrate |
-
2017
- 2017-11-03 RU RU2017138371A patent/RU2664882C1/en active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2008744C1 (en) * | 1991-02-05 | 1994-02-28 | Производственное объединение "Фотон" | Process of chemical separation of silicon plates with deeply deposited p - n junction into individual crystals |
RU2047934C1 (en) * | 1991-07-11 | 1995-11-10 | Вагиз Нургалиевич Абраров | Gear for attachment of articles, mainly semiconductor plates, in plants for their division into crystals |
RU2022406C1 (en) * | 1992-04-10 | 1994-10-30 | Производственное объединение "ТОР" | Device for chemical separation of semiconductor plates into chips |
RU2321101C1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-03-27 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Method for manufacturing semiconductor devices |
JP2015133375A (en) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 株式会社ディスコ | Division apparatus |
JP2016028443A (en) * | 2015-10-13 | 2016-02-25 | 株式会社東京精密 | Cutting method of semiconductor substrate |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU202978U1 (en) * | 2020-04-03 | 2021-03-17 | Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | CASSETTE FOR SEMICONDUCTOR CRYSTALS |
RU2790944C1 (en) * | 2021-09-15 | 2023-02-28 | Публичное акционерное общество "Сатурн" (АО "Сатурн") | Device for separation of metallized semiconductor plate after disc cutting |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6248033B2 (en) | Hybrid laser / plasma etching wafer dicing using substrate carrier | |
KR100456931B1 (en) | Production of projection mask | |
US20180354067A1 (en) | Wafer producing apparatus | |
US20170330800A1 (en) | Laser-based separation method | |
US11703331B2 (en) | Three dimensional microstructures with selectively removed regions for use in gyroscopes and other devices | |
RU2664882C1 (en) | Device for chemical separation of semiconductor plates to crystals | |
US4049857A (en) | Deposition mask and methods of making same | |
RU2686119C1 (en) | Method of plates separation into chips and production of through holes of large area for microelectronics products | |
US20150273600A1 (en) | Electro discharge machining system and method of operation thereof | |
Porter et al. | Die separation and rupture strength for deep reactive ion etched silicon wafers | |
KR20020060686A (en) | Substrate for transfer mask, transfer mask, and method of manufacture thereof | |
CN110394513A (en) | A kind of correcting compensation method in place of combination electrode processing multistage microstructural | |
CN102810441A (en) | Preparation method of ion optic device | |
JP4654811B2 (en) | Etching mask and dry etching method | |
Djuzhev et al. | Separation of a silicon substrate into chips by liquid etching | |
US7256106B2 (en) | Method of dividing a substrate into a plurality of individual chip parts | |
KR20010076522A (en) | The apparatus for fabricating semiconductor devices | |
US20150293521A1 (en) | Electro discharge machining system with batch processing of holes and manufacturing method therefor | |
JP4834891B2 (en) | Surface processing method of metal material and metal substrate using this processing method | |
RU2722539C1 (en) | Manufacturing method of quartz sensitive elements of sensors | |
JP4622890B2 (en) | Wafer processing equipment | |
JP4312109B2 (en) | Laser processing method | |
US20240105511A1 (en) | Processing method of substrate and manufacturing method of chips | |
Sun et al. | Laser drilling in silicon carbide and silicon carbide matrix composites | |
RU2475950C1 (en) | Method to manufacture quartz crystalline elements of z-section |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20200207 Effective date: 20200207 |