RU2658580C1 - Алмазный фотокатод - Google Patents
Алмазный фотокатод Download PDFInfo
- Publication number
- RU2658580C1 RU2658580C1 RU2017124575A RU2017124575A RU2658580C1 RU 2658580 C1 RU2658580 C1 RU 2658580C1 RU 2017124575 A RU2017124575 A RU 2017124575A RU 2017124575 A RU2017124575 A RU 2017124575A RU 2658580 C1 RU2658580 C1 RU 2658580C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- layer
- photocathode
- photoelectrons
- doped
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 102
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 110
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 abstract description 4
- 239000003574 free electron Substances 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000034994 death Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000005535 acoustic phonon Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000259 microwave plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J40/00—Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
- H01J40/02—Details
- H01J40/04—Electrodes
- H01J40/06—Photo-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/34—Photo-emissive cathodes
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к фотокатодам, работающим в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, которые могут быть использованы в фотоинжекторах электронов для ускорителей кильватерного типа, лазеров на свободных электронах, а также для электронно-оптического преобразования сигналов в различных электронных устройствах. Согласно изобретению предложен алмазный фотокатод на основе многослойной конструкции из последовательно расположенных слоев монокристаллического алмаза. Алмазный фотокатод содержит слой (подложку) из монокристаллического алмаза, оптически прозрачный для входного излучения, сильнолегированный донорами или акцепторами слой, в котором происходит поглощение входного излучения и образование фотоэлектронов; транспортный слой, через который осуществляется движение (диффузия и дрейф) фотоэлектронов к поверхности и их термализация, а также обладающий p-типом проводимости поверхностный слой с пониженной работой выхода, обеспечивающий эффективную эмиссию фотоэлектронов в вакуум и препятствующий заряду эмитирующей поверхности. При этом к транспортному слою может быть приложено напряжение, способствующее дрейфу фотоэлектронов к поверхности фотокатода. Алмазный фотокатод обладает высокой квантовой эффективностью в ультрафиолетовой и видимой областях спектра (>250 нм) и быстродействием, способен продолжительное время стабильно работать при относительно низком уровне вакуума 10-5-10-6 Торр и высоких токах эмиссии, обладает высокой теплопроводностью, обеспечивающей эффективный теплоотвод и охлаждение фотокатода, и способен эмитировать пучки фотоэлектронов с малым энергетическим разбросом за счет их термализации в транспортном слое. Конструкция алмазного фотокатода обеспечивает хорошую воспроизводимость эмиссионных характеристик и однородность эмиссии. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.
Description
Изобретение относится к области электровакуумной техники, а именно к фотокатодам, работающим в видимой и ультрафиолетовой области спектра, которые могут быть использованы в фотоинжекторах электронов для ускорителей кильватерного типа, лазеров на свободных электронах, а также для электронно-оптического преобразования сигналов в различных электронных устройствах.
Для отмеченных выше приложений необходимы фотокатоды, способные обеспечить формирование коротких электронных пучков, характеризующихся малым энергетическим разбросом частиц, малым поперечным эмиттансом и высокой яркостью. В фотоинжекторах излучение лазера создает фотоэмиссию с катода в течение времени, равного длительности лазерного импульса, при этом эмитированные электроны инжектируются в ускоряющую фазу микроволнового поля ускорителя. В процессе фотоэмиссии с поверхности фотокатода обычно выделяют три стадии: 1 - поглощение фотона с образованием фотоэлектрона, 2 - транспорт фотоэлектронов из глубины катода к его поверхности, 3 - эмиссия фотоэлектронов в вакуум в случае превышения их энергии над работой выхода материала фотокатода. Работа выхода может быть существенно снижена при использовании определенных материалов или активированием поверхности фотокатода.
В последние годы активно разрабатываются фотокатоды, работающие при низких температурах и способные формировать «холодные» электронные пучки с низким эмиттансом. Процесс формирования электронного пучка с «холодного» катода может быть пояснен в виде условного разбиения на несколько временных этапов. Сначала при помощи лазера в предварительно охлажденном до 10-100 К полупроводнике создается высокая концентрация носителей заряда (электронов и дырок). Затем электроны охлаждаются (термализуются) за счет столкновений в холодном кристалле, приобретая в конечном итоге температуру решетки. При наложении внешнего высокочастотного поля термализованные электроны эмитируются с поверхности кристалла, обладающего отрицательным сродством к электрону, в виде пучка, имеющего небольшой тепловой энергетический разброс, определяемый температурой полупроводника.
Одним из наиболее перспективных материалов для фотокатодов, формирующих электронные пучки для ускорителей и лазеров на свободных электронах, считается алмаз. Алмаз обладает рядом уникальных свойств, таких как радиационная прочность, высокая теплопроводность и подвижность носителей заряда, возможность достижения истинного отрицательного сродства к электронам и, следовательно, снижения работы выхода. В частности, отрицательное сродство к электронам легко достигается обработкой поверхности алмаза водородом. Исследованию свойств полупроводниковых алмазов, используемых в качестве фотокатодов, посвящено большое число публикаций. Было показано, что алмаз, облучаемый ультрафиолетовым лазером с длиной волны ~ 200 нм, обладает высокой квантовой эффективностью (определяемой как отношение числа рожденных фотоэлектронов к числу падающих фотонов), приближающейся к квантовой эффективности катодов на основе Cs2Te. При этом алмазный фотокатод некритичен к уровню вакуума, легко очищается и восстанавливает эмиссионные свойства даже после пребывания на воздухе. Кроме того, алмазный фотокатод обладает долгоживущим (из-за высокой прочности дипольной связи С-Н) активированным водородом слоем, создающим истинное отрицательное сродство к электронам.
Известен алмазный фотокатод на основе гетероструктуры (патент RU 2335031, МПК H01J 1/35 от 17.11.2006 г.), включающий гетероструктуру, содержащую слой из легированного поликристаллического алмаза p-типа проводимости с наноразмерными топологическими неоднородностями на его поверхности. В качестве наноразмерных неоднородностей использованы регулярно расположенные автоэмитирующие алмазные острия или нанокристаллиты алмаза, а поверхность слоя, за исключением указанных неоднородностей, покрыта проводящей аморфной углеродной либо нанокарбидной пленкой. Недостатками данного алмазного фотокатода являются сложность изготовления, высокая работа выхода, приводящая к уменьшению квантовой эффективности, высокий эмиттанс, пространственная неоднородность эмиссии и, соответственно, сложность повторного воспроизведения эмиссионных характеристик.
По патенту US 9418814 «Planar field emitters and high efficiency photocathodes based on ultrananocrystalline diamond», H01J 9/025 от 16.08.2016 г. известен алмазный фотокатод на основе легированного азотом ультрананокристаллического алмазного слоя толщиной 30-1000 нм с гидрированной поверхностью. Этот слой осаждается на подложку из переходных металлов (Mo, Ti, W, Nb и др.), предварительно засеянную нанокристаллическим алмазным порошком. Алмазный фотокатод способен работать при низком вакууме до 10-5 Торр в диапазоне излучения 200-405 нм с квантовой эффективностью QE ~10-3-5⋅10-8 и низким эмиттансом. Недостатками данного устройства являются сложность воспроизведения фотоэмиссионных характеристик, обусловленная большим разбросом параметров осаждаемых с использованием алмазного порошка тонких нанокристаллических слоев, относительно невысокая квантовая эффективность, низкая адгезия слоя к подложке, уменьшающая долговечность фотокатода, и большие потери фотоэлектронов в поликристаллическом алмазном слое при их транспорте к эмитирующей поверхности.
Известен алмазный фотокатод (патент US 7652425 «Transmission type photocathode including light absorption layer and voltage applying arrangement and electron tube», H01J 1/34 от 26.01.2010 г.) на основе тонкого 5-микронного поликристаллического алмазного слоя, наносимого на кремниевую подложку, с последующим вытравливанием окна в подложке для создания свободно локализованного слоя. Со стороны падения оптического излучения на алмазный слой наносится тонкий металлизированный слой, используемый в качестве первого электрода, второй электрод наносится на кремниевую основу с противоположной стороны. Эти электроды используются для создания электрического поля внутри поглощающего слоя с целью облегчения транспорта фотоэлектронов к его поверхности. Эмитирующую поверхность слоя активируют водородом или щелочными металлами для снижения работы выхода. К недостаткам данного фотокатода можно отнести низкий теплоотвод от тонких свободно локализованных слоев и, следовательно, невысокую долговечность фотокатода при использовании интенсивных световых потоков, сложность изготовления, связанную с нанесением металлизации на тонкий алмазный слой, высокий эмиттанс, обусловленный шероховатостью поликристаллического слоя и большие потери фотоэлектронов при их транспорте через алмазный слой с большим количеством межкристаллических границ.
Ближайшим аналогом разработанного устройства является алмазный фотокатод, известный по патенту US 7045957 «Polycrystalline diamond thin film, photocathode and electron tube using it», H01J 40/06 от 16.05.2006 г., содержащий последовательно расположенные оптически прозрачный для УФ излучения слой из CaF2, MgF2 или сапфира, поглощающий слой из поликристаллического алмаза p-типа проводимости, и поверхностный слой, активированный водородом или щелочными металлами с целью увеличения квантовой эффективности. При этом максимум квантовой эффективности достигается для поглощающего слоя с низким содержанием графитовой фазы при размере кристаллитов, превышающем 1,5 микрона. Недостатком данного устройства является низкая воспроизводимость эмиссионных характеристик осаждаемых слоев, связанная с естественным разбросом размеров кристаллитов, плохая адгезия алмазного слоя к неалмазному оптически прозрачному для входящего излучения слою и низкая теплопроводность, из-за чего ограничивается работа фотокатода при высоких токах эмиссии. При этом низкая проводимость поверхностного слоя может приводить к зарядке поверхности фотокатода и снижению эмиссионного тока. Кроме того, между слоями алмазного фотокатода, имеющими разные постоянные кристаллических решеток, образуется большое число дефектов, приводящих к увеличению энергетического разброса эмитируемых фотоэлектронов и их гибели. Квантовая эффективность фотокатода снижается из-за высоких потерь фотоэлектронов при их диффузии через поликристаллический алмазный слой, а шероховатость поверхности, обусловленная большим размером кристаллитов, не позволяет достичь высокой однородности эмиссии и низкого эмиттанса электронного пучка.
Задачей, на решение которой направлено данное изобретение является разработка алмазного фотокатода с хорошо воспроизводимыми эмиссионными характеристиками, такими как высокая квантовая эффективность, обеспечивающая необходимый для применения в ускорительной технике заряд электронного пучка (≥10 пКл) при работе с оптическим излучением от ультрафиолетового до видимого (>250 нм) диапазона, способность продолжительное время стабильно работать при относительно низком уровне вакуума 10-5-10-6 Торр и высоких токах эмиссии, высокая теплопроводность, обеспечивающая эффективный теплоотвод и охлаждение фотокатода, а также высокая однородность эмиссии, низкий эмиттанс пучка фотоэлектронов и отсутствие заряда эмитирующей поверхности.
Указанный технический результат достигается благодаря тому, что разработанный алмазный фотокатод также, как и фотокатод, который является ближайшим аналогом, содержит последовательно расположенные оптически прозрачный для входного излучения слой, выполняющий функцию подложки, поглощающий слой, выполненный из алмаза, и поверхностный слой, эмитирующий фотоэлектроны, обладающий отрицательным сродством к электрону.
Новым в разработанном алмазном фотокатоде является то, что между поглощающим и поверхностным слоями содержит транспортный слой, осуществляющий термализацию движущихся через него фотоэлектронов, причем оптически прозрачный для входного излучения слой выполнен из монокристаллического алмаза, и все последующие слои выполнены путем последовательного осаждения монокристаллического алмаза на оптически прозрачный для входного излучения слой, при этом поглощающий слой представляет собой сильнолегированный алмаз с n- или p-типом проводимости, транспортный слой представляет собой нелегированный или слаболегированный алмаз, а поверхностный слой представляет собой гидрированный алмаз с p-типом проводимости.
В первом частном случае реализации разработанного устройства поглощающий слой выполнен из монокристаллического алмаза, легированного бором.
Во втором частном случае реализации разработанного устройства поглощающий слой выполнен из монокристаллического алмаза, легированного азотом.
В третьем частном случае реализации разработанного устройства поглощающий слой выполнен из монокристаллического алмаза, легированного фосфором.
В четвертом частном случае реализации разработанного устройства фотокатод выполнен с возможностью охлаждения через торцевую поверхность жидким азотом или гелием.
В пятом частном случае реализации разработанного устройства на поглощающем и поверхностном слоях выполнены омические контакты.
В шестом частном случае реализации разработанного устройства внешняя поверхность оптически прозрачного для входного излучения слоя металлизирована.
В седьмом частном случае реализации разработанного устройства на металлизированной поверхности и поверхностном слое выполнены омические контакты.
Изобретение поясняется следующими чертежами.
На фиг. 1 представлена схема реализации разработанного алмазного фотокатода в разрезе.
На фиг. 2 представлена схема энергетических уровней для многослойного алмазного фотокатода.
На фиг. 3 приведена зависимость толщины транспортного слоя, необходимой для термализации, от температуры фотокатода.
На фиг. 4 приведена зонная структура поглощающего слоя алмазного фотокатода при его легировании донорными или акцепторными примесями.
На фиг. 5 представлена схема реализации разработанного алмазного фотокатода в пятом частном случае.
На фиг. 6 представлена схема реализации разработанного алмазного фотокатода в седьмом частном случае.
На фиг. 1 представлена схема реализации заявленного алмазного фотокатода в разрезе. Оптически прозрачный для входного излучения слой 1 выполняет функцию подложки и изготовлен из монокристаллического нелегированного алмаза, выращенного по CVD (осаждение из газовой фазы) технологии, или слаболегированного алмаза, выращенного по НРНТ (высокое давление и высокая температура), толщиной 100-500 микрон. Поглощающий слой 2 представляет собой сильнолегированный алмаз n-типа или p-типа. В поглощающем слое 2 происходит поглощение фотонов и генерация фотоэлектронов (показано стрелками на фиг. 1). Транспортный слой 3 представляет собой нелегированный или слаболегированный алмаз и необходим для обеспечения движения фотоэлектронов к эмитирующей поверхности фотокатода. Поверхностный слой 4 представляет собой гидрированный водородом слой с p-типом проводимости, толщина которого сопоставима с размером возникающего С-Н диполя и может составлять несколько нанометров. Таким образом, поверхностный слой 4 обладает проводимостью и отрицательным сродством к электрону.
Оптически прозрачный для входного излучения слой 1 прозрачен для оптического излучения (>225 нм) поскольку (см. фиг. 2) в монокристаллическом алмазе ширина запрещенной зоны 5 между валентной зоной 6 и зоной проводимости 7 соответствует Eg=5,5 эВ.
Входное излучение поглощается в сильнолегированном поглощающем слое 2, приводя к рождению фотоэлектронов и дырок в зоне проводимости 7. При этом толщина поглощающего слоя 2 выбирается равной глубине поглощения или превышающей ее. Легирование поглощающего слоя 2 может быть произведено азотом (n-тип), фосфором (n-тип) или бором (p-тип). Легирование поглощающего слоя 2 позволяет использовать для генерации фотоэлектронов как УФ-лазеры, так и более дешевые лазеры оптического диапазона, обеспечивающие ионизацию с энергетического уровня 8 донорных или акцепторных примесей.
Транспортный слой 3 представляет собой нелегированный или слаболегированный алмаз и необходим для обеспечения движения фотоэлектронов к эмитирующей поверхности фотокатода, в ходе которого происходит термализация фотоэлектронов и снижение теплового эмиттанса вследствие локализации фотоэлектронов вблизи дна зоны проводимости 7 (см. фиг. 2). Охлаждение происходит за счет возбуждения акустических фононов в алмазной решетке и столкновений с атомами примесей. При этом энергетический разброс фотоэлектронов на выходе из транспортного слоя 3 будет соответствовать температуре фотокатода, т.е. ΔΕ=kBTc, где kB - постоянная Больцмана, Tc - температура фотокатода. В нелегированном алмазе, как и у других непрямозонных полупроводников, время рекомбинации носителей может достигать нескольких миллисекунд, что предотвращает гибель фотоэлектронов в процессе их дрейфа или диффузии к поверхностному слою 4. С другой стороны, слабое легирование создает дополнительные центры рассеяния, ускоряющие процесс термализации. Легирование на уровне N0~1016 см-3 может быть осуществлено либо азотом, либо бором. Быстродействие заявленного фотокатода в значительной мере определяется характерным временем движения (вследствие диффузии и дрейфа под действием приложенного электрического поля) фотоэлектронов из глубины фотокатода через транспортный слой 3 к его поверхности. Для монокристаллического алмаза, обладающего рекордной подвижностью носителей заряда (4500 см2 В-1с-1 и 3800 см2В-1с-1 для электронов и дырок соответственно) это время составляет несколько пикосекунд и может быть уменьшено при наложении на транспортный слой 3 электрического поля. Используя известную зависимость подвижности электронов в алмазе от температуры («Расчет подвижности носителей заряда в алмазе при низких температурах», А.С. Батурин, В.Н. Горелкин, В.Р. Соловьев, И.В. Черноусое, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 7, 897-901), можно оценить необходимую для термализации толщину слоя d(T)=Vd meμe(Τ)/e в зависимости от температуры, где μe(Τ) - подвижность электронов, e и me - заряд и масса электрона (фиг. 3). Из оценок следует, что толщина транспортного слоя 3 должна варьироваться в интервале 1-15 мкм при изменении температуры фотокатода от 200 до 30 K.
Поверхностный слой 4 представляет собой гидрированный водородом слой с p-типом проводимости, толщина которого сопоставима с размером возникающего С-Н диполя и может составлять несколько нанометров. Таким образом, поверхностный слой 4 обладает проводимостью и отрицательным сродством к электрону. Для обеспечения низкого энергетического разброса эмитированных фотоэлектронов отрицательное сродство к электрону должно быть минимальным, не превышающим ΔE=kBTc. В этом случае энергетический разброс эмитированного пучка будет соответствовать температуре фотокатода. Таким образом, достигнув поверхностного слоя 4, фотоэлектроны эмитируются в вакуум. Поскольку поверхностный слой 4 обладает отрицательным сродством к электрону, то энергетический уровень вакуума 9 лежит ниже уровня дна зоны проводимости 7 (фиг. 2) и фотоэлектроны, в отсутствие энергетического барьера, свободно покидают поверхность фотокатода. При этом их энергетическое распределение остается практически неизменным, что обеспечивает низкий эмиттанс электронного пучка.
Таким образом, изготовление разработанного алмазного фотокатода из последовательно расположенных слоев монокристаллического алмаза, обладающих описанными свойствами позволяет получить алмазный фотокатод с хорошо воспроизводимыми эмиссионными характеристиками, такими как высокая квантовая эффективность, обеспечивающая необходимый для применения в ускорительной технике заряд электронного пучка (≥10 пКл) при работе с оптическим излучением от ультрафиолетового до видимого (>250 нм) диапазона, способность продолжительное время стабильно работать при относительно низком уровне вакуума 10-5-10-6 Торр и высоких токах эмиссии, высокая теплопроводность, обеспечивающая эффективный теплоотвод и охлаждение фотокатода, а также высокая однородность эмиссии, низкий эмиттанс пучка фотоэлектронов и отсутствие заряда эмитирующей поверхности.
В первом частном случае реализации разработанного устройства поглощающий слой 2 выполнен из монокристаллического алмаза, легированного бором, во втором частном случае - из монокристаллического алмаза, легированного азотом, в третьем частном случае - из монокристаллического алмаза, легированного фосфором. Это наиболее часто используемые для легирования элементы, легко встраиваемые в решетку алмаза.
Например, во втором частном случае поглощающий слой 2 легирован азотом. Энергетический уровень 8 азота ниже энергетического уровня зоны проводимости на 1,6 эВ (см. фиг. 4). Таким образом, энергии фотона, генерируемого, например, лазером с длиной волны 532 нм, достаточно для «ионизации» атома азота в поглощающем слое 2 и образования фотоэлектрона в зоне проводимости 7. Уровень легирования в поглощающем слое 2 может достигать N0=1020 см-3. Согласно работе V.S. Vavilov, Ε.A. Konorova, Semiconducting diamonds, Soviet Physics Uspekhi, Volume 19, Number 4, 301-316 (1976) глубина поглощения лазерного излучения с длиной волны 532 нм в алмазе, легированном азотом, при концентрации N0=1016 см-3, составляет l=1/σN0=10 см, где σ - сечение ионизации азота в алмазе (σ~10-17 см2). При N0=1020 см-3 необходимая для поглощения толщина поглощающего слоя 2 будет составлять величину 10 мкм. В то же время в работе R.P. Mildren and J. Rabeau, Optical engineering of diamond, John Wiley & Sons, 2013 показано, что длина поглощения с увеличением N0 падает быстрее, чем 1/N0, поэтому вероятное значение глубины поглощение лежит в интервале 0,1-1 мкм. При максимальной дрейфовой скорости в алмазе Vd~107 см/с (V.S. Vavilov, Ε.A. Konorova, Semiconducting diamonds, Soviet Physics Uspekhi, Volume 19, Number 4, 301-316 (1976)), фотоэлектроны, генерируемые в поглощающем слое 2, формируют импульс тока с длительностью 1-10 пс. В случае полной ионизации примеси (N0=1020 см-3), в слое толщиной 0,1 мкм и радиусом 3 мм образуется заряд 10 мкКл, почти на 5 порядков превышающий необходимый для большинства ускорителей. При прохождении его через транспортный слой 3 и поверхностный слой 4 потери будут незначительны, так как эти слои выполнены из монокристаллического алмаза. Таким образом, на выходе обеспечивается заряд электронного пучка (≥10 пКл), необходимый для применения в ускорительной технике.
В четвертом частном случае реализации разработанного устройства фотокатод выполнен с возможностью охлаждения через торцевую поверхность жидким азотом или гелием.
В пятом частном случае на обладающих проводимостью поглощающем слое 2 и поверхностном слое 4 выполнены омические контакты (см. фиг. 5). Наличие проводимости препятствует накоплению заряда на поверхности фотокатода. Омические контакты позволяют приложить к транспортному слою 3 электрическое поле, дополнительно создающее дрейф фотоэлектронов через транспортный слой 3, что уменьшает характерное время движения фотоэлектронов из глубины фотокатода через транспортный слой 3 к его поверхности и, соответственно, повышает быстродействие заявленного фотокатода.
В шестом частном случае (фиг. 6) внешняя поверхность оптически прозрачного для входного излучения слоя 1 металлизирована. Наличие металлизированной поверхности 10 позволяет реализовать режим работы фотокатода «на отражение», при котором лазерное излучение направляется на алмазный фотокатод со стороны эмитирующего фотоэлектроны поверхностного слоя 4. Толщина поглощающего слоя 2 в этом частном случае может быть несколько уменьшена с учетом двойного прохода лазерного луча через поглощающий слой 2 при отражении от металлизированной поверхности 10 оптически прозрачного для входного излучения слоя 1. Металлизация поверхности оптически прозрачного для входного излучения слоя 1 может быть осуществлена для увеличения эффективности поглощения фотонов и снятия статического заряда в промежутке между импульсами тока.
В седьмом частном случае реализации разработанного устройства на металлизированной поверхности 10 и поверхностном слое 4 выполнены омические контакты, позволяющие приложить к транспортному слою 3 электрическое поле, способствующее дрейфу фотоэлектронов через транспортный слой 3.
Для изготовления обсуждаемой конструкции алмазного фотокатода необходимо выполнить совокупность следующего ряда технологических процедур. В качестве оптически прозрачного для входного излучения слоя 1 (подложки) выбирается пластинка высококачественного монокристаллического НРНТ или CVD алмаза с размерами в диапазоне от 2×2 до 5×5 мм и толщиной 100-500 микрон. Такие подложки широко доступны на коммерческом рынке. Обе поверхности подложки тщательно шлифуют, чтобы шероховатость поверхности не превышала величину Ra<1 нм. Затем на одну из сторон подложки CVD методом последовательно осаждают сильнолегированный поглощающий слой 2, нелегированный или слаболегированный транспортный слой 3 и гидрированный поверхностный слой 4 с p-типом проводимости. Перед осаждением поверхность подложки тщательно очищают в растворах кислот и затем обрабатывают в ультразвуковой ванне в деионизованной воде. Для осаждения легированных монокристаллических слоев может быть использован, например, плазмохимический реактор, описанный в патенте RU 2595156 «Плазменный СВЧ реактор для газофазного осаждения алмазных пленок в потоке газа (варианты)» от 15.12.2014. Переход от напыления одного слоя к другому осуществляют быстрой сменой состава рабочего газа в реакторе. Например, сильнолегированный поглощающий слой 2 осаждают с использованием газового разряда в смеси H2+CH4+N2 при легировании азотом для получения слоя с n-типом проводимости или в смеси Н2+СН4+В2Н6 при легировании бором для слоя с p-типом проводимости. Изменяя время осаждения и концентрацию примеси (N2 или В2Н6) в газовой смеси, можно регулировать толщину слоя и концентрацию доноров/акцепторов в нем (A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, М.А. Lobaev, А.В. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, J.E. Butler «Novel microwave plasma assisted CVD reactor for diamond delta doping», Physica Status Solidi RRL, v. 10, Issue 4, 2016, pp.324-327). Для осаждения нелегированного транспортного слоя 3 используют смесь Н2+СН4, а для эмитирующего поверхностного слоя 4 смесь Н2+CH4+В2Н6. На заключительной стадии производят гидрирование поверхностного слоя 4 с помощью разряда в водороде для создания долгоживущей, некритичной к вакууму поверхности с низкой работой выхода. Весь процесс изготовления алмазного фотокатода может быть произведен в одном реакторе в течение одного цикла. При этом хорошо контролируемый процесс осаждения слоев позволяет добиться высокой воспроизводимости их характеристик. При необходимости создания электрического поля в транспортном слое 3 выполняются омические контакты из Al, Ti/Pt или Ti/Au с использованием стандартной технологии.
Claims (8)
1. Алмазный фотокатод, содержащий последовательно расположенные оптически прозрачный для входного излучения слой, выполняющий функцию подложки, поглощающий слой, выполненный из алмаза, и поверхностный слой, эмитирующий фотоэлектроны и обладающий отрицательным сродством к электрону, отличающийся тем, что между поглощающим и поверхностным слоями содержит транспортный слой, осуществляющий термализацию движущихся через него фотоэлектронов, причем оптически прозрачный для входного излучения слой выполнен из монокристаллического алмаза, и все последующие слои выполнены путем последовательного осаждения монокристаллического алмаза на оптически прозрачный для входного излучения слой, при этом поглощающий слой представляет собой сильнолегированный алмаз с n- или p-типом проводимости, транспортный слой представляет собой нелегированный или слаболегированный алмаз, а поверхностный слой представляет собой гидрированный алмаз с p-типом проводимости.
2. Алмазный фотокатод по п. 1, отличающийся тем, что поглощающий слой выполнен из монокристаллического алмаза, легированного бором.
3. Алмазный фотокатод по п. 1, отличающийся тем, что поглощающий слой выполнен из монокристаллического алмаза, легированного азотом.
4. Алмазный фотокатод по п. 1, отличающийся тем, что поглощающий слой выполнен из монокристаллического алмаза, легированного фосфором.
5. Алмазный фотокатод по п. 1, отличающийся тем, что фотокатод выполнен с возможностью охлаждения через торцевую поверхность жидким азотом или гелием.
6. Алмазный фотокатод по п. 1, отличающийся тем, что на поглощающем и поверхностном слоях выполнены омические контакты.
7. Алмазный фотокатод по п. 1, отличающийся тем, что внешняя поверхность оптически прозрачного для входного излучения слоя металлизирована.
8. Алмазный фотокатод по п. 7, отличающийся тем, что на металлизированной поверхности и поверхностном слое выполнены омические контакты.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017124575A RU2658580C1 (ru) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | Алмазный фотокатод |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017124575A RU2658580C1 (ru) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | Алмазный фотокатод |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2658580C1 true RU2658580C1 (ru) | 2018-06-21 |
Family
ID=62713516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017124575A RU2658580C1 (ru) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | Алмазный фотокатод |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2658580C1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US941884A (en) * | 1908-05-20 | 1909-11-30 | Albert Komp | Pulp-shaping machine. |
| JP2000149767A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Kobe Steel Ltd | 反射型光電陰極及び透過型光電陰極 |
| JP2001233694A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 多結晶ダイヤモンド薄膜、それを用いた光電陰極及び電子管 |
| RU2335031C1 (ru) * | 2006-11-17 | 2008-09-27 | ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" | Гетероструктура для фотокатода |
| US9418814B2 (en) * | 2015-01-12 | 2016-08-16 | Uchicago Argonne, Llc | Planar field emitters and high efficiency photocathodes based on ultrananocrystalline diamond |
-
2017
- 2017-07-10 RU RU2017124575A patent/RU2658580C1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US941884A (en) * | 1908-05-20 | 1909-11-30 | Albert Komp | Pulp-shaping machine. |
| JP2000149767A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Kobe Steel Ltd | 反射型光電陰極及び透過型光電陰極 |
| JP2001233694A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 多結晶ダイヤモンド薄膜、それを用いた光電陰極及び電子管 |
| RU2335031C1 (ru) * | 2006-11-17 | 2008-09-27 | ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" | Гетероструктура для фотокатода |
| US9418814B2 (en) * | 2015-01-12 | 2016-08-16 | Uchicago Argonne, Llc | Planar field emitters and high efficiency photocathodes based on ultrananocrystalline diamond |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Martinelli et al. | The application of semiconductors with negative electron affinity surfaces to electron emission devices | |
| US5680008A (en) | Compact low-noise dynodes incorporating semiconductor secondary electron emitting materials | |
| Kalish | Diamond as a unique high-tech electronic material: difficulties and prospects | |
| US7455565B2 (en) | Fabrication of group III-nitride photocathode having Cs activation layer | |
| US6139760A (en) | Short-wavelength optoelectronic device including field emission device and its fabricating method | |
| US4616248A (en) | UV photocathode using negative electron affinity effect in Alx Ga1 N | |
| JP2966842B1 (ja) | 電界放射型電子源 | |
| WO1997049119A1 (fr) | Materiau photoelectronique, dispositif faisant appel a ce materiau et procede de fabrication | |
| JP3497685B2 (ja) | 半導体ｂｃｎ化合物を用いた半導体デバイス | |
| JP3405099B2 (ja) | カラーセンサ | |
| US8159108B2 (en) | Integrated thermoelectric/ thermionic energy converter | |
| Nishitani et al. | Photoemission lifetime of a negative electron affinity gallium nitride photocathode | |
| US3699404A (en) | Negative effective electron affinity emitters with drift fields using deep acceptor doping | |
| EP0379325A2 (en) | Light emitting device | |
| Schaber et al. | Review of photocathodes for electron beam sources in particle accelerators | |
| Garbe | CsF, Cs as a low work function layer on the GaAs photocathode | |
| RU2658580C1 (ru) | Алмазный фотокатод | |
| JP7272641B2 (ja) | 電子放出素子及び電子顕微鏡 | |
| Norton et al. | Results from Cs activated GaN photocathode development for MCP detector systems at NASA GSFC | |
| JP2000164921A (ja) | 半導体発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子 | |
| JP3537624B2 (ja) | 電子放出素子 | |
| Seib et al. | Photodetectors for the 0.1 to 1.0 μm Spectral Region | |
| Jiang et al. | Conceptual development and characterization of a diamond-based ultraviolet detector | |
| JP2001126610A (ja) | 電子放出素子 | |
| Cultrera | Cathodes for photoemission guns |