RU2657362C1 - Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой - Google Patents
Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой Download PDFInfo
- Publication number
- RU2657362C1 RU2657362C1 RU2017121710A RU2017121710A RU2657362C1 RU 2657362 C1 RU2657362 C1 RU 2657362C1 RU 2017121710 A RU2017121710 A RU 2017121710A RU 2017121710 A RU2017121710 A RU 2017121710A RU 2657362 C1 RU2657362 C1 RU 2657362C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sensor
- thin
- screw
- membrane
- error
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 244000309464 bull Species 0.000 description 2
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/04—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Использование: для создания датчика давления с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой. Сущность изобретения заключается в том, что датчик давления с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС) содержит корпус, установленную в нем НиМЭМС, состоящую из упругого элемента - круглой мембраны, выполненной за одно целое с периферийным основанием, сформированной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, в которой образованы включенные соответственно в противоположные плечи измерительного моста воспринимающие деформацию разного знака от измеряемого давления тензорезисторы, выполненные в виде соединенных тонкопленочными перемычками одинакового количества имеющих одинаковую форму тензоэлементов, расположенных по окружности на периферии мембраны, измерительные и питающие электрические цепи, соединяющие тонкопленочную НиМЭМС с выходом датчика, закрепленную и размещенную внутри периферийного основания с зазором относительно мембраны и периферийного основания в области, прилегающей к мембране, цилиндрическую втулку с цилиндрическим отверстием вдоль ее оси, в отверстии цилиндрической втулки размещен винт с наружным диаметром, обеспечивающим плотное закрепление винта во втулке с образованием винтового канала для измеряемой среды, ограниченного внутренней поверхностью цилиндрической втулки и наружной поверхностью винта, выполненной в виде однозаходной трапецеидальной резьбы с шагом, определяемым по определенному соотношению. Технический результат - обеспечение возможности уменьшения погрешности измерения датчика. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам, предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением давления в условиях воздействия нестационарных температур и повышенных виброускорений.
Известна конструкция датчика давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС) [RU Патент №2312319, МПК G01L 9/04. Бюл. №34. 10.12.2007], который предназначен для измерения давления в условиях воздействия нестационарной температуры измеряемой среды и повышенных виброускорений, содержащая корпус, НиМЭМС, состоящую из упругого элемента в виде круглой жесткозащемленной мембраны, выполненной за одно целое с основанием, на которой расположены соединенные в мостовую схему окружные и радиальные тензорезисторы, выполненные в виде соединенных тонкопленочными перемычками одинакового количества имеющих одинаковую форму тензоэлементов, расположенных по окружности на периферии мембраны, выводные проводники, соединяющие тензорезисторы с гермовыводами.
Недостатком известной конструкции является сравнительно большая погрешность при воздействии нестационарной температуры измеряемой среды. Одной из причин является взаимодействие множества последовательно и встречно включенных термоэдс, возникающих на границах разделов тензоэлементов и перемычек вследствие случайным образом распределенных по поверхности чувствительного элемента термоэлектрических неоднородностей структуры и неидентичности физических характеристик тензоэлементов и перемычек, находящихся в нестационарном температурном поле. Недостатком известной конструкции является также сравнительно большая погрешность при воздействии повышенных (более 30000 мс-2) виброускорений, которые вызывают несимметричное и неравномерное нестационарное температурное поле и, соответственно, аналогичные явления, описанные при воздействии нестационарных температур.
Известен датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной НиМЭМС, выбранный в качестве прототипа [RU Патент 2463570, МПК В82В 1/00. Бюл. №28. 10.10.2012], содержащий корпус, установленную в нем НиМЭМС, состоящую из упругого элемента - круглой мембраны, выполненной за одно целое с периферийным основанием, сформированной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, в которой образованы включенные соответственно в противоположные плечи измерительного моста воспринимающие деформацию разного знака от измеряемого давления тензорезисторы, выполненные в виде соединенных тонкопленочными перемычками одинакового количества имеющих одинаковую форму тензоэлементов, расположенных по окружности на периферии мембраны, измерительные и питающие электрические цепи, соединяющие тонкопленочную НиМЭМС с выходом датчика, и характеристики элементов конструкции датчика связаны соотношением, а на периферийном основании со стороны подачи измеряемой среды симметрично продольной оси датчика размещена внутри периферийного основания с зазором относительно мембраны и периферийного основания цилиндрическая втулка с цилиндрическим отверстием вдоль ее оси.
Недостатком известной конструкции является сравнительно большая погрешность при воздействии нестационарной температуры измеряемой среды и повышенных (более 30000 мс-2) виброускорений, которые вызывают несимметричные и неравномерные нестационарные температурные поля, которые вследствие неоптимальности и невозможности учета соотношений характеристик всех элементов конструкции датчиков давления тензорезистивного типа с тонкопленочными НиМЭМС приводят к появлению нескомпенсированной термоэдс.
Целью предлагаемого изобретения является уменьшение погрешности измерения датчика давления тензорезистивного типа с тонкопленочной НиМЭМС в условиях воздействия нестационарных температур и повышенных виброускорений за счет уменьшения влияния суммарной интегральной термоэдс на выходной сигнал датчика путем увеличения информативной составляющей выходного сигнала датчика, зависящей от измеряемого давления и уменьшения влияния нестационарной температуры измеряемой среды путем уменьшения скорости ее изменения на мембране.
Поставленная цель достигается тем, что в датчике давления тензорезистивного типа с тонкопленочной НиМЭМС, содержащем корпус, установленную в нем НиМЭМС, состоящую из упругого элемента - круглой мембраны, выполненной за одно целое с периферийным основанием, сформированной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, в которой образованны включенные соответственно в противоположные плечи измерительного моста воспринимающие деформацию разного знака от измеряемого давления тензорезисторы, выполненные в виде соединенных тонкопленочными перемычками одинакового количества имеющих одинаковую форму тензоэлементов, расположенных по окружности на периферии мембраны, измерительные и питающие электрические цепи, соединяющие тонкопленочную НиМЭМС с выходом датчика, а на периферийном основании со стороны подачи измеряемой среды симметрично продольной оси датчика размещена внутри периферийного основания с зазором относительно мембраны и периферийного основания цилиндрическая втулка с цилиндрическим отверстием вдоль ее оси, в соответствии с предлагаемым изобретением в отверстии цилиндрической втулки размещен винт с наружным диаметром, обеспечивающим плотное закрепление винта во втулке с образованием винтового канала для измеряемой среды, ограниченного внутренней поверхностью цилиндрической втулки и наружной поверхностью винта, выполненной в виде однозаходной трапециидальной резьбы с шагом, определяемым по соотношению
S=KSLB,
где KS - коэффициент связи шага резьбы и длины винта;
LB - длина винта;
KS=0,1±0,03.
Кроме того, в соответствии с предлагаемым изобретением напряжение питания датчика выбирается равным максимально допустимой величине, определенной в результате последовательного увеличения напряжения питания, проведения испытаний датчика, по определению основной статической погрешности и приведенной погрешности от нелинейности датчика при каждом повышении напряжения и определении его максимального значения, при котором выполняются условия
где γ0g - основная статическая погрешность датчика при g-ом повышенном напряжении;
γ0 - основная статическая погрешность датчика при номинальном напряжении питания;
|±Δγ0g| - допустимое отклонение основной статической погрешности при g-ом напряжении питания от основной статической погрешности при номинальном напряжении питания;
γнg - приведенное значение погрешности от нелинейности при g-ом напряжении питании;
|±Δγнg| - допустимое отклонение приведенной погрешности от нелинейности при g-ом напряжении питания от приведенной погрешности от нелинейности при номинальном напряжении питания.
Заявляемая конструкция датчика давления тензорезистивного типа с тонкопленочной НиМЭМС представлена на фиг. 1. Она содержит корпус 1, установленную в нем НиМЭМС, состоящую из упругого элемента - круглой мембраны 2, выполненной за одно целое с периферийным основанием 3, сформированной на ней гетерогенной структуры 4 из тонких пленок материалов, в которой образованны включенные соответственно в противоположные плечи измерительного моста воспринимающие деформацию разного знака от измеряемого давления тензорезисторы, выполненные в виде соединенных тонкопленочными перемычками одинакового количества имеющих одинаковую форму тензоэлементов, расположенных по окружности на периферии мембраны. Измерительные 5 и питающие 6 электрические цепи соединяют тонкопленочную НиМЭМС с выходом датчика. На периферийном основании со стороны подачи измеряемой среды симметрично продольной оси датчика плотно закреплена и размещена внутри периферийного основания с зазором относительно мембраны и периферийного основания в области, прилегающей к мембране, цилиндрическая втулка 7 с цилиндрическим отверстием 8 вдоль ее оси. В отверстии 8 цилиндрической втулки размещен винт 9 с наружным диаметром, обеспечивающим плотное закрепление винта во втулке с образованием винтового канала для измеряемой среды, ограниченного внутренней поверхностью цилиндрической втулки и наружной поверхностью винта.
Для обоснования наличия причинно-следственной связи между совокупностью признаков и достигаемым техническим результатом рассмотрим более подробно выходной сигнал датчика давления тензорезистивного типа с тонкопленочной НиМЭМС в условиях воздействия нестационарных температур измеряемой, окружающей среды, повышенных виброускорений и давления измеряемой среды. Выходной сигнал датчика в этом случае будет равен
где U(P) - информативный сигнал, зависит от измеряемого давления;
±ΔU - неинформативный сигнал, зависит от нестационарных температур, в том числе вызванных повышенными виброускорениями, не зависит от измеряемого давления. Величина ± ΔU по аналогии с прототипом определяется по соотношению (2).
где 4 - количество тензорезисторов в мостовой измерительной схеме НиМЭМС;
где T=ƒ(Tни,Tно,W);
Tни - нестационарная температура измеряемой среды;
Тно - нестационарная температура окружающей среды;
W - амплитуда виброускорений;
4 - количество тензорезисторов в мостовой измерительной схеме НиМЭМС;
I - количество тензоэлементов в тензорезисторе;
M - количество термоэлектрических структур в тензоэлементе;
Sjim - коэффициент термоэдс контактирующих материалов m-ой термоэлектрической структуры i-ого тензоэлемента j-ого тензорезистора;
Tjim - температура контактирующих материалов m-ой термоэлектрической структуры i-ого тензоэлемента j-ого тензорезистора;
σαji(T) - коэффициент Томсона для материала i-го тензоэлемента j-ого тензорезистора; TjiH, TjiK - температура соответственно в начале и конце i-ого тензоэлемента j-ого тензорезистора;
Rj0 - сопротивление j-ого тензорезистора при начальной среднеинтегральной температуре j-ого тензорезистора; αj - температурный коэффициент сопротивления j-ого тензорезистора; ΔTj - изменение среднеинтегральной температуры j-ого тензорезистора; ТАnН, TAnK, TBnH, TВnK - температура в начале и конце n-ой термоэлектрической неоднородности соответственно первой и второй измерительной цепи, соединяющей НиМЭМС с выходом датчика;
SAn, SBn - коэффициент термоэдс контактирующих материалов n-ой термоэлектрической неоднородности соответственно первой и второй измерительной цепи, соединяющей НиМЭМС с выходом датчика;
σαAn(Т), σαBn(T) - коэффициент Томсона материала n-ой термоэлектрической неоднородности соответственно первой и второй измерительной цепи, соединяющей НиМЭМС с выходом датчика;
ΔU - абсолютная погрешность при воздействии нестационарной температуры и повышенных виброускорений.
В соответствии с [В.А. Тихоненков, А.И. Тихонов. Теория, расчет и основы проектирования датчиков механических величин: Учебное пособие. Ульяновск, УлГТУ, 2000. – 452 с.] U(P) выходной сигнал с тензорезисторного датчика с мостовой измерительной цепью, а, следовательно, и в нашем случае
Относительная погрешность в этом случае будет равна
Анализ выражения (3) показывает, что при увеличении напряжения питания датчика, например, в 2 раза информативная составляющая
Датчик давления с тонкопленочной НиМЭМС по п. 1 формулы изобретения вследствие наличия винтового канала, обеспечивающего уменьшение нестационарности измеряемой среды, а следовательно, и уменьшение неинформативной составляющей, приводящей в соответствии с соотношением (4) к дополнительному уменьшению погрешности измерения. Таким образом, техническим результатом заявляемого решения является уменьшение погрешности измерения датчика при воздействии нестационарных температур и повышенных виброускорений за счет увеличения информативной составляющей и частичного уменьшения неинформативной составляющей выходного сигнала датчика давления на основе тонкопленочной НиМЭМС.
Для серийно изготавливаемых тензорезисторных датчиков на основе тонкопленочных НиМЭМС типа Вт212А.1 экспериментально определены при увеличении напряжения питания в 2 раза допустимые отклонения основной статической погрешности при g-ом напряжении питания от основной статической погрешности при номинальном напряжении питания|±Δγ0g|=0,05, а также приведенной погрешности от нелинейности при g-ом напряжении питания от приведенной погрешности от нелинейности при номинальном напряжении питания |±Δγнg|=0,06. Полученные экспериментальные результаты свидетельствуют о практическом отсутствии дополнительного перегрева НиМЭМС повышенным в 2 раза напряжением питания и о высокой стойкости датчиков Вт212А.1 к воздействию повышенного напряжения питания, а следовательно, увеличение напряжения питания датчиков Вт212А.1 в 2 раза не приводит к значимому изменению температуры НиМЭМС, что в соответствии с выражением (2) означает практическое отсутствие изменения неинформативнной составляющей выходного сигнала, а следовательно, учитывая, что информативная составляющая сигнала при увеличении напряжении питания в 2 раза в соответствии с соотношением (5) также увеличится в 2 раза, относительная погрешность датчика в соответствии с соотношением (6) уменьшится в 2 раза. Вышеприведенный анализ справедлив для датчика давления с тонкопленочной НиМЭМС по п. 2 формулы изобретения.
Claims (12)
1. Датчик давления с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС), содержащий корпус, установленную в нем НиМЭМС, состоящую из упругого элемента - круглой мембраны, выполненной за одно целое с периферийным основанием, сформированной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, в которой образованы включенные соответственно в противоположные плечи измерительного моста воспринимающие деформацию разного знака от измеряемого давления тензорезисторы, выполненные в виде соединенных тонкопленочными перемычками одинакового количества имеющих одинаковую форму тензоэлементов, расположенных по окружности на периферии мембраны, измерительные и питающие электрические цепи, соединяющие тонкопленочную НиМЭМС с выходом датчика, закрепленную и размещенную внутри периферийного основания с зазором относительно мембраны и периферийного основания в области, прилегающей к мембране, цилиндрическую втулку с цилиндрическим отверстием вдоль ее оси, отличающийся тем, что в отверстии цилиндрической втулки размещен винт с наружным диаметром, обеспечивающим плотное закрепление винта во втулке с образованием винтового канала для измеряемой среды, ограниченного внутренней поверхностью цилиндрической втулки и наружной поверхностью винта, выполненной в виде однозаходной трапециидальной резьбы с шагом, определяемым по соотношению
S=KSLB,
где KS - коэффициент связи шага резьбы и длины винта;
LB - длина винта;
KS=0,1±0,03.
2. Датчик давления с тонкопленочной НиМЭМС по п. 1, отличающийся тем, что напряжение питания датчика выбирается равным максимально допустимой величине, определенной в результате последовательного увеличения напряжения питания, проведения испытаний датчика, по определению основной статической погрешности и приведенной погрешности от нелинейности датчика при каждом повышении напряжения и определении его максимального значения, при котором выполняются условия
где γ0g _ основная статическая погрешность датчика при g-ом повышенном напряжении;
γ0 - основная статическая погрешность датчика при номинальном напряжении питания;
|±Δγ0g| - допустимое отклонение основной статической погрешности при g-ом напряжении питания от основной статической погрешности при номинальном напряжении питания;
γнg - приведенное значение погрешности от нелинейности при g-ом напряжении питании;
|±Δγнg| - допустимое отклонение приведенной погрешности от нелинейности при g-ом напряжении питания от приведенной погрешности от нелинейности при номинальном напряжении питания.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017121710A RU2657362C1 (ru) | 2017-06-20 | 2017-06-20 | Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017121710A RU2657362C1 (ru) | 2017-06-20 | 2017-06-20 | Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2657362C1 true RU2657362C1 (ru) | 2018-06-13 |
Family
ID=62620317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017121710A RU2657362C1 (ru) | 2017-06-20 | 2017-06-20 | Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2657362C1 (ru) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2028585C1 (ru) * | 1986-12-31 | 1995-02-09 | Научно-исследовательский институт физических измерений | Датчик давления |
RU2312319C2 (ru) * | 2006-01-23 | 2007-12-10 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Тонкопленочный датчик давления |
CN101922984A (zh) * | 2010-08-03 | 2010-12-22 | 江苏大学 | 纳米硅薄膜四岛-梁-膜传感器芯片及其制备方法 |
US20110239773A1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Klosinski Andrew J | Resonant frequency based pressure sensor |
RU2463570C1 (ru) * | 2011-05-17 | 2012-10-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой |
RU2601613C1 (ru) * | 2015-09-14 | 2016-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет") | Термоустойчивый датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с мембраной, имеющей жёсткий центр |
-
2017
- 2017-06-20 RU RU2017121710A patent/RU2657362C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2028585C1 (ru) * | 1986-12-31 | 1995-02-09 | Научно-исследовательский институт физических измерений | Датчик давления |
RU2312319C2 (ru) * | 2006-01-23 | 2007-12-10 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Тонкопленочный датчик давления |
US20110239773A1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Klosinski Andrew J | Resonant frequency based pressure sensor |
CN101922984A (zh) * | 2010-08-03 | 2010-12-22 | 江苏大学 | 纳米硅薄膜四岛-梁-膜传感器芯片及其制备方法 |
RU2463570C1 (ru) * | 2011-05-17 | 2012-10-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой |
RU2601613C1 (ru) * | 2015-09-14 | 2016-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет") | Термоустойчивый датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с мембраной, имеющей жёсткий центр |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
BR112014002494B1 (pt) | Sensor para determinar o conteúdo gasoso de um fluido bifásico que flui em uma linha de fluxo | |
US2362626A (en) | Tensiometer | |
CN103968801A (zh) | 一种确定均布载荷下预应力圆薄膜最大挠度值的方法 | |
JP2014102252A (ja) | 物理的な量を測定する測定装置 | |
RU2657362C1 (ru) | Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой | |
RU2463570C1 (ru) | Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой | |
RU2312319C2 (ru) | Тонкопленочный датчик давления | |
CN107532958A (zh) | 变形测量扭矩仪 | |
US2811855A (en) | Electrical fluid flow measuring apparatus | |
CN105572173B (zh) | 通过螺旋位移放大结构测量逆挠曲电系数的装置及方法 | |
Cimbala | Stress, strain, and strain gages | |
CN104299483B (zh) | 一种电桥式杨氏模量组合仪 | |
RU2795669C1 (ru) | Тензорезисторный датчик силы | |
JPH06347284A (ja) | ひずみゲージ式変換器およびひずみゲージ式変換器の初期値変動量検出方法 | |
Ficker | Young's modulus of elasticity in student laboratories | |
RU2519363C1 (ru) | Динамометрический ключ | |
CN205642191U (zh) | 一种6%鲁尔圆锥测量环规的定位工具 | |
RU2819553C1 (ru) | Тензорезисторный датчик силы | |
RU142601U1 (ru) | Тензорезисторный датчик силы | |
BR102019004807B1 (pt) | Sistema e método para medição de tensão dinâmica em pontos arbitrários de correia em um transportador | |
KR20160022707A (ko) | 출력 특성을 보상할 수 있는 하중 측정 장치 | |
DK2674105T3 (da) | Sensorindretning, der kan anvendes intraoralt | |
CN108534663A (zh) | 免破坏u型应变计 | |
RU2396705C1 (ru) | Частотный преобразователь сигнала разбаланса тензомоста | |
RU2622513C1 (ru) | Преобразователь приращения сопротивления в напряжение |