RU2649911C1 - Сильноточный источник пучка ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке - Google Patents

Сильноточный источник пучка ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке Download PDF

Info

Publication number
RU2649911C1
RU2649911C1 RU2016150257A RU2016150257A RU2649911C1 RU 2649911 C1 RU2649911 C1 RU 2649911C1 RU 2016150257 A RU2016150257 A RU 2016150257A RU 2016150257 A RU2016150257 A RU 2016150257A RU 2649911 C1 RU2649911 C1 RU 2649911C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plasma
magnetic
ion
electron
electrode
Prior art date
Application number
RU2016150257A
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Владимирович Голубев
Иван Владимирович Изотов
Сергей Владимирович Разин
Александр Васильевич Сидоров
Вадим Александрович Скалыга
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) filed Critical Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН)
Priority to RU2016150257A priority Critical patent/RU2649911C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2649911C1 publication Critical patent/RU2649911C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/16Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
    • H01J27/18Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation with an applied axial magnetic field

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области формирования сильноточных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Сильноточный источник пучков ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке, содержит магнитную систему для создания магнитного поля пробочной конфигурации с напряженностью, достаточной для возникновения внутри разрядной вакуумной камеры ЭЦР зон, систему формирования и экстракции пучка ионов из плазмы, содержащую плазменный электрод и ускоряющий электрод. На выходе ускоряющего электрода расположена магнитная ионная линза в виде соленоида, магнитное поле которой подобрано таким образом, что ее фокусное расстояние равно расстоянию от линзы до отверстия в ускоряющем электроде. Технический результат - возможность формирования сильноточных пучков ионов с низким эмиттансом и минимальным углом расхождения. 1 ил.

Description

Изобретение относится к области формирования сильноточных пучков многозарядных ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Подобные пучки ионов востребованы в ряде приложений (ускорительной технике, медицине, ионной имплантации, фундаментальных исследованиях по взаимодействию ионных пучков с мишенями и пр.). Основными характеристиками пучков ионов с точки зрения их качества являются величина тока (чем больше, тем лучше) и эмиттанса. Если речь идет о пучках многозарядных ионов, то важен еще и средний заряд ионов в пучке.
В последнее время наблюдается быстрое развитие технологий, связанных с применением ионных пучков. К этим технологиям, например, относятся: обработка и модификация поверхностей полупроводников (Hirvones J.K., Nastasi М., Hirvonen J.К., Mayer J.W. Ion-solid Interactions: Fundamentals and Applications. - Cambridge Univ. Pr., 1996), ионно-лучевая эпитаксия и имплантация (Rabalais J.W., Al-Bayati A.H., Boyd К.J., Marton D., Kulik J., Zhang Z., Chu W.K. Ion-energy effect in silicon ion-beam epitaxy // Phys. Rev. B, 1996. V. 53. P. 10781), воздействие на раковые опухоли (Muramatsu М., Kitagawa A., Sato S., Sato Y., Yamada S., Hattori Т., Shibuya S. Development of the compact electron cyclotron resonance ion source for heavy-ion therapy // Rev. Sci. Instr., 2000. V. 71. P. 984) и т.д. Кроме того, ионные пучки широко используются в научных исследованиях, например в исследованиях в области ядерной физики, в частности, для синтеза новых элементов таблицы Менделеева и т.д.
К настоящему времени существует несколько типов ионных источников, различающихся как способом создания плазмы, так и параметрами производимых пучков (Физика и технология источников ионов: Пер. с англ. / Под. ред. Я. Брауна. - М.: Мир, 1998. - 496 с.).
Среди источников ионов большое распространение получили источники на основе разряда низкого давления, поддерживаемого в открытой магнитной ловушке СВЧ излучением в условиях электронно-циклотронного резонанса (ЭЦР). ЭЦР источники выгодно отличаются от источников других типов в тех случаях, когда требуется умеренно высокий средний заряд ионов (например, 7-9 для аргона) при достаточно большом токе пучка (~100 мкА) и низкой величине эмиттанса. Такие источники имеют большой ресурс работы и высокую стабильность, позволяют легко менять рабочее вещество (Geller R. Electron cyclotron resonance ion sources and ECR plasmas. - Bristol: Institute of Physics, 1996).
Формирование пучков ионов в ЭЦР источниках осуществляется путем их экстракции из плазмы, удерживаемой в открытой магнитной ловушке. В классических источниках многозарядных ионов плотность плазмы относительно невелика, а ее нагрев осуществляется СВЧ излучением небольшой частоты (до 18 ГГц), что и ограничивает плотность плазмы на уровне критической плотности величиной 3⋅1012 см-3 для используемой частоты 18 ГГц. Время удержания плазмы в магнитной ловушке определяется скоростью заполнения электронами конуса потерь в результате электрон-ионных столкновений и может достигать нескольких десятков миллисекунд. Для поддержания плазмы достаточно небольшой СВЧ мощности (100 Вт ÷ 1 кВт). Ввод СВЧ излучения с такими параметрами традиционно осуществляется с помощью стандартных волноводных или коаксиальных линий передач (Geller R. Electron cyclotron resonance sources: Historical review and future prospects // Review of Scientific Instruments. - American Institute of Physics, 1998. V. 69. P. 1302-1310).
Ключевым фактором, определяющим средний заряд ионов в плазме, является параметр удержания N⋅τ, где N - средняя концентрация плазмы, а τ - время удержания ионов в ловушке. В настоящее время, по всей видимости, возможности для увеличения параметра удержания N⋅τ за счет увеличения времени удержания ионов практически исчерпаны. Почти во всех существующих в настоящее время источниках многозарядных ионов применяются ловушки с магнитной конфигурацией «минимум В». Такая конфигурация создается комбинацией продольного поля простой магнитной ловушки и поперечным полем многополюсной (обычно шестиполюсной) магнитной системы. На величину тока ЭЦР источника оказывает влияние также конструкция и расположение системы формирования и экстракции пучка ионов из плазмы.
Классический ЭЦР источник описан, например, в патенте US 5506475 (Н05Н 1/10, публ. 09.04.1996). Устройство состоит из вакуумной плазменной камеры, системы подачи рабочего вещества, системы формирования и экстракции пучка ионов из плазмы, системы создания простой магнитной ловушки, системы создания поперечного магнитного поля с конфигурацией «минимум В», устройства ввода СВЧ излучения (с рабочей частотой 2,45 ГГц или 14 ГГц) в вакуумную камеру. Для ввода СВЧ излучения применяется волновод прямоугольного сечения. Система создания поперечного магнитного поля включает в себя от 4 до 24 постоянных магнитов. Система формирования и экстракции пучка ионов из плазмы в устройстве-аналоге состоит из двух электродов: плазменного и ускоряющего (пуллера) и расположена вблизи пробки магнитной ловушки.
Недостатком устройства аналога является то, что из-за низкой плотности плазмы в источнике система формирования и экстракции пучка ионов из плазмы располагается около магнитной пробки ловушки и сильное магнитное поле оказывает негативное влияние на величину эмиттанса формируемого пучка. Кроме того, из-за низкой плотности плазмы аспектное отношение (отношение радиуса отверстия в плазменном электроде к расстоянию между электродами) достаточно велико, что делает систему формирования пучка чувствительной к колебаниям плотности плазмы и аберрациям ионно-оптической системы.
Традиционно в источниках ионов для формирования сильноточных пучков в условиях недостаточно высокой плотности потока плазмы используются многоапертурные системы формирования пучка. Например, в патенте GB 2295485 (МПК F03H 1/00; H01J 27/02, публ. 29.05.1996) устройство для формирования и экстракции пучка представляет собой трехэлектродную сеточную систему. Недостатком такой системы является требование к однородности потока плазмы на больших масштабах и большая величина эмиттанса. Поэтому в ЭЦР источниках ионов такие системы формирования и экстракции пучка не используются.
Наиболее перспективным является увеличение тока пучка за счет повышение плотности плазмы в разряде, что достигается, прежде всего, путем увеличения частоты и мощности СВЧ излучения.
Известен сильноточный источник ионов, описанный в патенте US 8624502 (МПК G21G 4/08, H01J 27/18, публ. 07.01.2014). В нем устройство-аналог содержит вакуумную плазменную камеру, систему создания магнитной ловушки для получения необходимого магнитного поля внутри камеры, СВЧ генератор, устройство ввода СВЧ излучения в вакуумную камеру, систему экстракции пучка ионов из плазмы, состоящую из двух электродов, расположенных вблизи пробки магнитной ловушки. Более высокая плотность потока плазмы позволяет обеспечить достаточно высокую величину тока формируемого пучка ионов. Тем не менее, эмиссионной способности плазмы все же оказывается недостаточно для формирования пучков с токами на уровне 1 А. С другой стороны, увеличение тока пучка за счет увеличения апертуры в плазменном электроде невозможно из-за неоднородности потока плазмы в радиальном направлении. К тому же увеличение апертуры кратно увеличивает эмиттанс пучка.
Из числа известных технических решений наиболее близким к предлагаемому является устройство, предложенное в патенте RU 2480858 (МПК H01J 27/16, Н05Н 1/46, публ. 27.04.2013), содержащее разрядную вакуумную камеру, магнитную систему для создания магнитного поля, достаточного для создания ЭЦР зон, систему формирования и экстракции пучка многозарядных ионов из плазмы. Система формирования и экстракции пучка ионов состоит из плазменного электрода, ускоряющего электрода (пуллера), закрепленного на изоляторе, и высоковольтного источника. Пучок ионов формируется под действием создаваемого высоковольтным источником высокого напряжения, приложенного между плазменным электродом и пуллером.
Главным отличием данного прототипа от аналогов является то, что благодаря более высокой частоте нагрева реализован т.н. газодинамический режим удержания, отличающийся более высокой плотностью потока плазмы (вплоть до нескольких А/см2). Благодаря этому факту экстрактор можно располагать не в магнитной пробке, а в зоне разлета плазмы за пробкой, где величина магнитного поля мала, что положительно сказывается на величине эмиттанса пучка. При этом эмиссионная способность плазмы позволяет при приемлемых с точки зрения величины эмиттанса размерах апертуры в плазменном электроде (на уровне 1 см) обеспечивать токи на уровне 1 А.
Одним из основных недостатков устройства прототипа с точки зрения формирования пучка ионов является то, что угол расхождения пучка после прохождения через апертуру ускоряющего электрода является достаточно большим. Это связано в первую очередь с тем, что из-за высокой плотности плазмы не всегда удается достичь оптимальных параметров системы формирования пучка из-за конечной электропрочности системы (требуется слишком высокое ускоряющее напряжение и слишком малое расстояние между электродами). Данный факт дополнительно усугубляется тем, что из-за высокой величины тока пучка существенно расплывание в собственных полях.
Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является разработка устройства, позволяющего формировать из плотной плазмы разряда низкого давления, поддерживаемого в открытой магнитной ловушке СВЧ излучением миллиметрового диапазона длин волн в условиях электронно-циклотронного резонанса, качественный сильноточный пучок ионов с малой величиной эмиттанса и минимальным углом расхожения.
Технический результат в разработанном сильноточном источнике пучков ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке, достигается тем, что разрабатываемое устройство, так же как и устройство-прототип, содержит магнитную систему для создания магнитного поля пробочной конфигурации с напряженностью, достаточной для возникновения внутри разрядной вакуумной камеры ЭЦР зон, систему формирования и экстракции пучка ионов из плазмы, содержащую плазменный электрод и ускоряющий электрод.
Новым в разработанном устройстве является то, что на выходе ускоряющего электрода расположена магнитная ионная линза в виде соленоида, магнитное поле которой подобрано таким образом, что ее фокусное расстояние равно расстоянию от линзы до отверстия в ускоряющем электроде.
В ионных источниках ионы извлекаются из плотной плазмы ЭЦР разряда путем приложения разности электрических потенциалов между плазменным электродом и ускоряющим. Конфигурация (распределение) силовых линий электрического поля, ускоряющего ионы и формирующего структуру пучка, определяется подбором соответствующей геометрии электродов и величиной расстояния между ними. Размеры отверстий в электродах подбираются таким образом, чтобы с одной стороны обеспечить необходимые величины тока и эмиттанса пучка, а с другой - обеспечить минимальный угол разлета ионного пучка и снизить чувствительность системы, формирующей пучок ионов, к колебаниям плотности потока плазмы на электроды.
Положительный эффект разработанной системы формирования и экстракции ионного пучка можно объяснить следующим образом. Регулируя напряжение между электродами и расстояние между ними можно добиться минимально возможного в данных условиях угла расхождения пучка, чтобы как можно большая его часть попадала в апертуру линзы. После этого магнитное поле линзы подбирается таким образом, чтобы ее фокусное расстояние было равно расстоянию от линзы до отверстия в ускоряющем электроде. В результате на выходе из линзы формируется практически параллельный ионный пучок, что позволяет существенно облегчить его дальнейшую транспортировку до потребителя. Таким образом, разработанное устройство с предлагаемой системой формирования и экстракции пучка ионов может обеспечивать эффективную экстракцию ионов из плотной плазмы ЭЦР разряда и формирование сильноточных пучков ионов с низким эмиттансом и минимальным углом расхождения.
Краткое описание фигур чертежей.
На фиг. 1 представлена схема сильноточного источника пучков ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда.
Сильноточный источник пучков ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке, содержит разрядную вакуумную камеру 1 с заключенной в ней плазмой 2, магнитную систему 3, состоящую из нескольких катушек, создающую магнитное поле пробочной конфигурации внутри разрядной вакуумной камеры 1, и систему формирования и экстракции пучков ионов, включающую плазменный электрод 4 и ускоряющий электрод 5. Плазменный электрод 4 соединен с трубой разрядной вакуумной камеры 1. Ускоряющий электрод 5 через систему крепления 6 и изолятор 7 соединен с вакуумной камерой 1. Сразу за ускоряющим электродом 5 расположена также входящая в систему формирования и экстракции пучков ионов магнитная ионная линза в виде соленоида 8. К плазменному электроду 4 и ускоряющему электроду 5 подключен высоковольтный источник напряжения.
Предлагаемый источник ионов работает следующим образом.
Разрядную вакуумную камеру 1 предварительно откачивают до давления не хуже 5⋅10-7 Торр. Магнитную ловушку с полем простой пробочной конфигурации создают с помощью магнитной системы 3 от отдельного блока питания. Величина магнитного поля должна быть достаточной для возникновения ЭЦР зон. СВЧ излучение с частотой, много большей обычно применяемой частоты, например 37,5 ГГц, с поперечным распределением интенсивности в форме гауссова пучка направляют в разрядную вакуумную камеру 1. Под действием СВЧ излучения в условиях ЭЦР электроны приобретают высокую энергию, и в объеме разрядной вакуумной камеры 1 происходит ионизация рабочего вещества, предварительно поданного в камеру. Образовавшаяся плазма 2 (с концентрацией на уровне 1013 см-3 в случае с частотой 37,5 ГГц) ограничена пробками магнитной ловушки. Пучок ионов формируют под действием приложенного между плазменным электродом 4 и ускоряющим электродом 5 высокого напряжения от высоковольтного источника. При этом вся разрядная вакуумная камера 1, как и плазменный электрод 4, находится под высоким потенциалом относительно земли.
Особенностью разработанного источника ионов по сравнению с прототипом является то, что сразу за ускоряющим электродом 5 расположена магнитная ионная линза в виде соленоида 8, которая питается от отдельного источника. Подбирая магнитное поле в магнитной ионной линзе в виде соленоида 8, можно сделать ее фокусное расстояние равным расстоянию между ней и отверстием в ускоряющем электроде 5. В результате на выходе из магнитной ионной линзы в виде соленоида 8 ионный пучок становится практически параллельным. Стоит отметить, что благодаря тому, что используется одноапертурная система формирования пучка (в отличие, например, от системы из патента GB 2295485 (МПК F03H 1/00; H01J 27/02, публ. 29.05.1996)), апертура пучка на входе в магнитную ионную линзу в виде соленоида 8 не слишком большая (несколько сантиметров). Поэтому требуемое магнитное поле (1-2 Тл) необходимо создавать в небольшом объеме, что существенно снижает требуемую для этого энергию.
Разработанный источник ионов позволяет формировать из плотной плазмы пучки ионов с током до 1 Ампера и низкой величиной эмиттанса (благодаря малым размерам апертуры в плазменном электроде) вплоть до 0,1π мм⋅мрад в нормализованных единицах.

Claims (1)

  1. Сильноточный источник пучков ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке, содержащий магнитную систему для создания магнитного поля пробочной конфигурации с напряженностью, достаточной для возникновения внутри разрядной вакуумной камеры ЭЦР зон, систему формирования и экстракции пучка ионов из плазмы, содержащую плазменный электрод и ускоряющий электрод, отличающийся тем, что на выходе ускоряющего электрода расположена магнитная ионная линза в виде соленоида, магнитное поле которой подобрано таким образом, что ее фокусное расстояние равно расстоянию от линзы до отверстия в ускоряющем электроде.
RU2016150257A 2016-12-21 2016-12-21 Сильноточный источник пучка ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке RU2649911C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016150257A RU2649911C1 (ru) 2016-12-21 2016-12-21 Сильноточный источник пучка ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016150257A RU2649911C1 (ru) 2016-12-21 2016-12-21 Сильноточный источник пучка ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2649911C1 true RU2649911C1 (ru) 2018-04-05

Family

ID=61867150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016150257A RU2649911C1 (ru) 2016-12-21 2016-12-21 Сильноточный источник пучка ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2649911C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2697186C1 (ru) * 2018-12-25 2019-08-13 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Сильноточный источник ионов на основе плотной плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
RU2725615C1 (ru) * 2019-12-26 2020-07-03 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Источник пучков ионов с высоким током на основе плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
RU2726143C1 (ru) * 2019-12-26 2020-07-09 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Источник интенсивных пучков ионов на основе плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
RU2810726C1 (ru) * 2022-12-08 2023-12-28 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт") Сильноточный непрерывный источник ионных пучков на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2295485A (en) * 1994-11-19 1996-05-29 Atomic Energy Authority Uk Ion beam extraction and acceleration
JP2003257329A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Inst Of Physical & Chemical Res Ecrイオン源およびecrイオン源におけるイオン価数の制御方法
US6803585B2 (en) * 2000-01-03 2004-10-12 Yuri Glukhoy Electron-cyclotron resonance type ion beam source for ion implanter
RU2480858C2 (ru) * 2011-07-22 2013-04-27 Учреждение Российской академии наук Институт прикладной физики РАН Сильноточный источник многозарядных ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
WO2013077483A1 (ko) * 2011-11-25 2013-05-30 한국기초과학지원연구원 가변형 이온 가이드 및 이를 포함하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치
US8624502B2 (en) * 2009-05-15 2014-01-07 Alpha Source Llc Particle beam source apparatus, system and method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2295485A (en) * 1994-11-19 1996-05-29 Atomic Energy Authority Uk Ion beam extraction and acceleration
US6803585B2 (en) * 2000-01-03 2004-10-12 Yuri Glukhoy Electron-cyclotron resonance type ion beam source for ion implanter
JP2003257329A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Inst Of Physical & Chemical Res Ecrイオン源およびecrイオン源におけるイオン価数の制御方法
US8624502B2 (en) * 2009-05-15 2014-01-07 Alpha Source Llc Particle beam source apparatus, system and method
RU2480858C2 (ru) * 2011-07-22 2013-04-27 Учреждение Российской академии наук Институт прикладной физики РАН Сильноточный источник многозарядных ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
WO2013077483A1 (ko) * 2011-11-25 2013-05-30 한국기초과학지원연구원 가변형 이온 가이드 및 이를 포함하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2697186C1 (ru) * 2018-12-25 2019-08-13 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Сильноточный источник ионов на основе плотной плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
RU2725615C1 (ru) * 2019-12-26 2020-07-03 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Источник пучков ионов с высоким током на основе плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
RU2726143C1 (ru) * 2019-12-26 2020-07-09 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Источник интенсивных пучков ионов на основе плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
RU2810726C1 (ru) * 2022-12-08 2023-12-28 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт") Сильноточный непрерывный источник ионных пучков на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6094012A (en) Low energy spread ion source with a coaxial magnetic filter
RU2480858C2 (ru) Сильноточный источник многозарядных ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
TWI467615B (zh) 離子源與調整離子束均一性的方法
JP2002134049A (ja) 質量分析装置、イオン注入装置、およびイオンビームの封じ込め方法
RU2649911C1 (ru) Сильноточный источник пучка ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
KR101726560B1 (ko) 이온 주입에서 강화된 저 에너지 이온 빔 이송
JP2002110080A (ja) イオン注入装置、その導波管、質量分析装置及びこの装置にマイクロ波出力を配給する方法
Castro et al. The AISHa ion source at INFN-LNS
RU2725615C1 (ru) Источник пучков ионов с высоким током на основе плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
KR102569236B1 (ko) 게르마늄 이온 빔 및 아르곤 이온 빔을 생성하는 방법들
RU2726143C1 (ru) Источник интенсивных пучков ионов на основе плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
Spädtke Invited Review Article: Modeling ion beam extraction from different types of ion sources
RU2810726C1 (ru) Сильноточный непрерывный источник ионных пучков на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
RU2697186C1 (ru) Сильноточный источник ионов на основе плотной плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
Jung et al. Development of a high-current helicon ion source with high monatomic fraction for the application of neutron generators
RU2650876C1 (ru) Источник пучка ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
RU2660677C1 (ru) Сильноточный источник пучков ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
Skalyga et al. This is an electronic reprint of the original article. This reprint may differ from the original in pagination and typographic detail.
Wu et al. Development of 2.45 GHz ECR ion sources at IMP
Dorf et al. Generation of multi-charged high current ion beams using the SMIS 37 gas-dynamic electron cyclotron resonance (ECR) ion source
Kiseleva et al. Diagnostics of hot electrons leaving the ECR plasma sustained by the high-power gyrotron
Celona Microwave Discharge Ion Sources
Angert Ion sources
Vanderberg et al. Microwave ECR plasma electron flood for low pressure wafer charge neutralization
RU2695819C1 (ru) Источник интенсивных потоков низкотемпературной плазмы с высокой степенью ионизации

Legal Events

Date Code Title Description
QB4A Licence on use of patent

Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20190326

Effective date: 20190326