RU2643694C1 - Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски - Google Patents
Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски Download PDFInfo
- Publication number
- RU2643694C1 RU2643694C1 RU2016146732A RU2016146732A RU2643694C1 RU 2643694 C1 RU2643694 C1 RU 2643694C1 RU 2016146732 A RU2016146732 A RU 2016146732A RU 2016146732 A RU2016146732 A RU 2016146732A RU 2643694 C1 RU2643694 C1 RU 2643694C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- diamond sample
- cone
- radiation
- sample
- Prior art date
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 91
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 14
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 9
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 6
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/48—Laser speckle optics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски, в котором у поверхности алмазного образца формируется собирающая излучение центров окраски оптическая система, состоящая из конуса с круглым основанием из оптического стекла, окружающего конус конического зеркала и собирающей линзы. Диаметр круглого основания конуса значительно превышает характерные размеры алмазного образца, основание конуса параллельно лицевой поверхности алмазного образца и находится на малом расстоянии от нее, центр круглого основания конуса размещается над центром алмазного образца. При этом алмазный образец в области под центрами окраски содержит периодическую последовательность чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев. Технический результат заключается в повышении доли выводимого из алмазного образца электромагнитного излучения, испускаемого фотовозбуждаемыми внешним лазерным излучением центрами окраски. 1 ил.
Description
Изобретение относится к нанооптике осажденного из газовой фазы алмаза и может быть использовано, например, для создания квантовых компьютеров, систем квантовой памяти, проведения высокочувствительных измерений с большим пространственным разрешением, построения изображений биологических тканей и решения других важных прикладных задач.
Изобретение направлено на увеличение доли извлекаемого из осажденного из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения, испускаемого фотовозбуждаемыми внешним лазерным излучением центрами окраски (так называемыми NV-, SiV- и Ni-центрами и др.) алмазного образца в оптическом либо ближнем инфракрасном диапазонах длин волн. Актуальность этой задачи объясняется тем, что вследствие достаточно большого показателя преломления алмаза в этих спектральных областях (около 5,7), лишь очень небольшая часть фотолюминесценции центров окраски (примерно 4%) выходит из алмазного образца (имеющего, как правило, вид пластинки с толщиной порядка 0,5 мм и длиной и шириной, которые в дальнейшем будем называть характерными размерами алмазного образца, в несколько миллиметров) через его лицевую поверхность в воздух и используется для указанных выше приложений. Остальная часть фотолюминесценции центров окраски испытывает полное внутренне отражение на границе алмаза с воздухом и либо поглощается/рассеивается в алмазном образце или на его поверхности, либо выходит в воздух через его боковые грани.
Известен способ вывода электромагнитного излучения фотовозбуждаемых внешним лазерным излучением центров окраски через боковые грани алмазного образца (D. Le Sage, L.М. Pham, N. Bar-Gill, С. Belthangady, M.D. Lukin, A. Yacoby, and R.L. Walsworth, Efficient photon detection from color centers in a diamond optical waveguide, Physical Review B, v. 85, 121202(R) (2012)). Однако при этом излучение от каждого центра окраски проходит через значительную часть алмазного образца и резонансно поглощается на других таких же центрах окраски. Поэтому при большой концентрации центров окраски эффективность такого способа вывода их излучения является низкой.
В качестве прототипа выбран способ вывода излучения фотовозбуждаемых NV-центров, известный из статьи P. Siyushev, F. Kaiser, V. Jacques, I. Gerhardt, S. Bischof, H. Fedder, J. Dodson, M. Markham, D. Twitchen, F. Jelezko, and J. Wrachtrup, Monolitic diamond optics for single photon detection, Applied Physics Letters, v. 97, 241902 (2010). В прототипе предварительно подготавливают однородный в области под NV-центрами алмазный образец путем создания на лицевой поверхности образца полусферической линзы из алмаза диаметром 1 мм (т.е. диаметром в несколько раз меньшим характерных размеров алмазного образца) с помощью комбинации лазерной и механической обработки лицевой поверхности алмазного образца. В качестве источника возбуждающего NV-центры излучения используют Nd:Y:Al:гранатовый лазер с длиной волны (после удвоения частоты) 532 нм. Его излучение фокусируют в расположенный вблизи центра полусферической линзы NV-центр с помощью объектива с численной апертурой 0,85. Этот же объектив используют для сбора фотолюминесценции этого NV-центра, которую затем пропускают через фильтр коротких длин волн и анализируют в диапазоне длин волн 600-800 нм.
Недостатком прототипа является то, что с его помощью собирают с эффективностью 20-30% лишь излучение NV-центров, находящихся вблизи (на расстояниях порядка и меньше 30 мкм) от центра полусферической линзы. Эффективность сбора излучения от других NV-центров остается практически такой же, как и в отсутствие полусферической алмазной линзы, т.е. равной приблизительно 4%. Таким образом, учитывая, что подавляющая часть NV-центров в алмазном образце удалена от центра полусферической алмазной линзы на расстояния, большие 30 мкм, можно сделать вывод, что такая линза практически не увеличивает эффективность сбора излучения от всех NV-центров алмазного образца, которая поэтому остается равной примерно 4%.
Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является увеличение доли выводимого из алмазного образца электромагнитного излучения, испускаемого фотовозбуждаемыми внешним лазерным излучением центрами окраски.
Технический результат достигается тем, что в разработанном способе, как и способе-прототипе, на предварительно подготовленный алмазный образец воздействуют внешним лазерным излучением и собирают испускаемое фотовозбуждаемыми внешним лазерным излучением центрами окраски излучение с лицевой поверхности алмазного образца с помощью оптической системы.
Новым в разработанном способе является то, что образец подготавливают в процессе выращивания, для чего, с учетом длины волны необходимого выходного излучения, лежащей в оптическом либо ближнем инфракрасном диапазонах длин волн, в процессе роста алмазного образца под центрами окраски формируют периодическую последовательность чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев с необходимыми при данной длине волны выходного излучения числом периодов, толщинами и концентрациями бора в высокодопированных бором и низкодопированных бором слоях в каждом периоде, а затем, используя эффект брэгговского отражения излучения фотовозбужденных внешним лазерным излучением центров окраски от упомянутой периодической последовательности чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев, формируют локализованные моды фотолюминесценции с одинаковыми величинами волновых векторов, параллельных плоскости лицевой поверхности алмазного образца, после чего содержащееся в них излучение выводят из алмазного образца и фокусируют с помощью оптической системы, основанной на эффекте нарушенного полного внутреннего отражения и состоящей из выполненного из оптического стекла конуса с круглым основанием, диаметр которого значительно превышает характерные размеры алмазного образца, а угол при основании α подобран таким образом, что направления распространения электромагнитных полей локализованных мод в конусе ортогональны его боковой поверхности, а также окружающего конус конического зеркала с углом при основании 90°-α/2° и собирающей линзы, при этом круглое основание конуса размещают параллельно лицевой поверхности алмазного образца на расстоянии порядка масштаба экспоненциального спадания электромагнитного поля локализованных мод при удалении от лицевой поверхности алмазного образца, а центр круглого основания конуса размещают над центром алмазного образца.
Способ поясняется фиг. 1, где приведена схема, которую используют для реализации разработанного способа: 1 - алмазный образец, 2 - центры окраски, 3 - периодическая последовательность чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев, 4 - держатель образца с высокоточной системой позиционирования, 5 - конус с круглым основанием, 6 - коническое зеркало, 7 - собирающая линза. Стрелками показано направление распространения выводимого из алмазного образца излучения центров окраски.
Способ вывода из осажденного из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски реализуют следующим образом.
При осаждении из газовой фазы алмазного образца 1 в нем под центрами окраски 2 формируют периодическую последовательность чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев 3. Готовый алмазный образец 1 с помощью держателя алмазного образца с высокоточной системой позиционирования 4 устанавливают на малом расстоянии от круглого основания конуса 5 из оптического стекла так, что лицевая поверхность алмазного образца 1 параллельна круглому основания конуса 5, а центры алмазного образца 1 и круглого основания конуса 5 располагаются на одной вертикальной линии. Конус 5 с круглым основанием окружается коническим зеркалом 6. Над коническим зеркалом 6 размещают собирающую линзу 7 (см. Фиг. 1).
Вследствие наличия в осажденном из газовой фазы алмазном образце 1 под центрами окраски 2 периодической последовательности чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев 3 центры окраски 2 излучают не только фотоны, электромагнитные поля которых описываются нелокализованными модами, перемещающиеся по всему алмазному образцу 1 и либо поглощающиеся в нем, либо выходящие в окружающее пространство через его боковые грани, но и фотоны, локализованные вблизи лицевой поверхности алмазного образца 1 и свободно перемещающиеся только вдоль этой поверхности. Электромагнитные поля этих фотонов описываются локализованными вблизи лицевой поверхности алмазного образца 1 модами с одинаковыми по величине (однозначно определяемой частотой излучения центров окраски 2) волновыми векторами, параллельными плоскости лицевой поверхности алмазного образца 1 и имеющими в этой плоскости произвольное направление. Электромагнитное поле этих мод спадает при удалении от лицевой поверхности алмазного образца 1 как в воздухе, так и в алмазном образце 1. Локализация этих мод у лицевой поверхности алмазного образца 1 обусловлена, с одной стороны, их полным внутренним отражением от границы алмаза с воздухом у лицевой поверхности алмазного образца 1 и, с другой стороны, их отражением от находящейся под центрами окраски 2 периодической последовательности чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев 3.
Последнее связано с тем, что колебания в переменном электрическом поле свободных носителей заряда (дырок) в высокодопированных слоях приводят к отличию их поляризации (а следовательно, и диэлектрической проницаемости) от поляризации (а следовательно, и диэлектрической проницаемости) низкодопированных слоев. В результате диэлектрическая проницаемость алмаза оказывается периодически меняющейся в пространстве. Хорошо известно, что при определенном соотношении между длиной волны излучения, углом его падения на периодическую последовательность чередующихся слоев с различными диэлектрическими проницаемостями и толщинами этих слоев (соотношении Брэгга) излучение эффективно отражается от такой периодической последовательности слоев даже в случае небольшой разницы диэлектрических проницаемостей этих слоев при достаточно большом их числе. Данный эффект обусловлен когерентным сложением (т.е. конструктивной интерференцией) волн, отраженных от последовательных границ слоев.
Локализованные у лицевой поверхности алмазного образца 1 моды частично проникают в воздух, где они экспоненциально затухают при удалении от лицевой поверхности алмазного образца 1 вследствие того, что показатель преломления воздуха меньше, чем показатель преломления алмаза. Для реализации способа круглое основание конуса 5 размещают параллельно лицевой поверхности алмазного образца 1 на расстоянии порядка масштаба экспоненциального спадания электромагнитного поля локализованных мод при удалении от лицевой поверхности алмазного образца 1. Поскольку лицевая поверхность алмазного образца 1 находится на небольшом расстоянии от круглого основания конуса 5, то электромагнитные поля этих мод, минуя тонкий воздушный зазор между лицевой поверхностью алмазного образца 1 и круглым основанием конуса 5, попадают в конус 5. Вследствие того что показатель преломления конуса 5 с круглым основанием больше показателя преломления воздуха, электромагнитные поля этих мод перестают затухать при удалении от лицевой поверхности алмазного образца 1 и распространяются в конусе 5 с круглым основанием без затухания под определенным углом к плоскости его основания, задаваемым величиной волнового вектора локализованных мод и показателем преломления оптического стекла, из которого изготовлен конус 5 с круглым основанием. Угол α при основании конуса 5 подбирают таким образом, что направления распространения электромагнитных полей локализованных мод в нем ортогональны его боковой поверхности. В результате эти электромагнитные поля выходят из конуса 5 с круглым основанием в окружающее пространство, не испытывая полного внутреннего отражения на его поверхности. При этом, поскольку диаметр круглого основания конуса 5 значительно превышает характерные размеры алмазного образца 1, а центр круглого основания конуса 5 находится над центром алмазного образца 1, то сказанное справедливо для излучения любого из центров окраски 2 независимо от его положения в алмазном образце 1.
Данный метод вывода излучения из среды с показателем преломления, большим показателя преломления воздуха, в воздух называется методом нарушенного полного внутреннего отражения (см., например, S. Zhu, A.W. Yu, D. Hawley, and R. Roy, Frustrated total internal reflection: A demonstration and review, American Journal of Physics, v. 54, 601 (1986)). Его использование для вывода из алмазного образца 1 излучения центров окраски 2 возможно благодаря наличию под центрами окраски 2 периодической последовательности чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев 3. Такая последовательность приводит к формированию описанных выше локализованных мод. Значительная часть излучения центров окраски 2 сосредотачивается в этих модах, которые имеют одинаковую величину волнового вектора. Как было описано выше, именно величина волнового вектора этих мод определяет угол при основании конуса 5 (при заданном его показателе преломления), необходимый для вывода электромагнитных полей этих мод в окружающее пространство. Если бы периодической последовательности чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев 3 не было, то не было бы и локализованных у лицевой поверхности алмазного образца 1 мод с одинаковой величиной волнового вектора и излучение центров окраски 2 было бы распределено только между нелокализованными модами, параллельные лицевой поверхности алмазного образца 1 компоненты волновых векторов которых имели бы различные величины (как это происходит в прототипе). Поэтому конус 5 с определенным углом при основании выводил бы в воздух электромагнитные поля только тех из этих нелокализованных мод, величины параллельных лицевой поверхности алмазного образца 1 компонент волновых векторов которых отвечали бы этому углу, т.е. лишь небольшую часть излучения центров окраски 2.
В результате отражения от конического зеркала 6 с углом при основании 90°-α/2° выходящее из конуса 5 с круглым основанием излучение центров окраски 2 преобразуется в полый цилиндрический пучок параллельных лучей.
Собирающая линза 7, размещенная над коническим зеркалом 6, собирает эти лучи в своем фокусе.
Разработанный способ вывода излучения фотовозбуждаемых центров окраски 2 из алмазного образца 1 свободен от недостатков аналогов благодаря обеспечению малости расстояния, проходимого излучением каждого центра окраски в алмазном образце 1 до его вывода, и значительного превышения диаметром круглого основания конуса 5 характерных размеров алмазного образца 1. В результате он позволяет с одинаковой эффективностью выводить излучение всех центров окраски 2 независимо от их положения в алмазном образце 1 и концентрации.
Пример. В процессе роста алмазного образца под центрами окраски, являющимися NV-центрами с вакуумной длиной волны излучения 638 нм, формируют периодическую последовательность чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев с числом периодов, равным 50, каждый из которых состоит из высокодопированного бором слоя толщиной 78 нм и концентрацией атомов бора 4⋅1020 см-3 и низкодопированного бором слоя толщиной 75 нм и концентрацией атомов бора 5⋅1018 см-3, используют в оптической системе для вывода излучения конус с круглым основанием из оптического стекла с показателем преломления 2 и углом при основании α=33°, размещенный на расстоянии 100 нм от лицевой поверхности алмазного образца, и окружающее конус с круглым основанием коническое зеркало с углом при основании 90°-α/2=73,5°.
Расчеты, проведенные для этого частного случая реализации способа, показывают, что примерно 20% фотолюминесценции NV-центров содержится в указанных выше локализованных модах. Примерно половина содержащейся в них энергии выводится из алмазного образца (вторая половина затухает вследствие омической диссипации в высокодопированных слоях периодической последовательности чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев). Таким образом, в этом частном случае удается вывести из алмазного образца примерно 10% (т.е. в 10/4=2,5 раз больше, чем при использовании способа-прототипа) излучения каждого NV-центра независимо от его положения в алмазном образце и величины концентрации NV-центров.
Claims (1)
- Способ вывода из осажденного из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски, в котором на предварительно подготовленный алмазный образец воздействуют внешним лазерным излучением и собирают испускаемое фотовозбуждаемыми внешним лазерным излучением центрами окраски излучение с лицевой поверхности алмазного образца с помощью оптической системы, отличающийся тем, что образец подготавливают в процессе выращивания, для чего, с учетом длины волны необходимого выходного излучения, лежащей в оптическом либо ближнем инфракрасном диапазонах длин волн, в процессе роста алмазного образца под центрами окраски формируют периодическую последовательность чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев с необходимыми при данной длине волны выходного излучения числом периодов, толщинами и концентрациями бора в высокодопированных бором и низкодопированных бором слоях в каждом периоде, а затем, используя эффект брэгговского отражения излучения фотовозбужденных внешним лазерным излучением центров окраски от упомянутой периодической последовательности чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев, формируют локализованные моды фотолюминесценции с одинаковыми величинами волновых векторов, параллельных плоскости лицевой поверхности алмазного образца, после чего содержащееся в них излучение выводят из алмазного образца и фокусируют с помощью оптической системы, основанной на эффекте нарушенного полного внутреннего отражения и состоящей из выполненного из оптического стекла конуса с круглым основанием, диаметр которого значительно превышает характерные размеры алмазного образца, а угол при основании α подобран таким образом, что направления распространения электромагнитных полей локализованных мод в конусе ортогональны его боковой поверхности, а также окружающего конус конического зеркала с углом при основании 90°-α/2° и собирающей линзы, при этом круглое основание конуса размещают параллельно лицевой поверхности алмазного образца на расстоянии порядка масштаба экспоненциального спадания электромагнитного поля локализованных мод при удалении от лицевой поверхности алмазного образца, а центр круглого основания конуса размещают над центром алмазного образца.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016146732A RU2643694C1 (ru) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016146732A RU2643694C1 (ru) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2643694C1 true RU2643694C1 (ru) | 2018-02-05 |
Family
ID=61173701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016146732A RU2643694C1 (ru) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2643694C1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060139575A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Upstream Engineering Oy | Optical collection and distribution system and method |
| US7380962B2 (en) * | 2004-04-23 | 2008-06-03 | Light Prescriptions Innovators, Llc | Optical manifold for light-emitting diodes |
| RU131237U1 (ru) * | 2013-03-12 | 2013-08-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" | Светоизлучающий диод в пластмассовом корпусе |
| RU2573717C2 (ru) * | 2014-06-11 | 2016-01-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (ФГБОУ ВО "СГУГИТ") | Способ и устройство атомно-эмиссионного спектрального анализа нанообъектов |
-
2016
- 2016-11-29 RU RU2016146732A patent/RU2643694C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7380962B2 (en) * | 2004-04-23 | 2008-06-03 | Light Prescriptions Innovators, Llc | Optical manifold for light-emitting diodes |
| US20060139575A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Upstream Engineering Oy | Optical collection and distribution system and method |
| RU131237U1 (ru) * | 2013-03-12 | 2013-08-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" | Светоизлучающий диод в пластмассовом корпусе |
| RU2573717C2 (ru) * | 2014-06-11 | 2016-01-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (ФГБОУ ВО "СГУГИТ") | Способ и устройство атомно-эмиссионного спектрального анализа нанообъектов |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9157859B2 (en) | Efficient fluorescence detection in solid state spin systems | |
| US10073191B2 (en) | Methods and apparatus for broadband angular selectivity of electromagnetic waves | |
| Bernal Arango et al. | Underpinning hybridization intuition for complex nanoantennas by magnetoelectric quadrupolar polarizability retrieval | |
| WO2007084959A1 (en) | Systems and methods for providing mirror tunnel microscopy | |
| CN103472576B (zh) | 表面等离子体增强全内反射荧光显微成像方法及装置 | |
| JP2013531816A (ja) | 微分干渉コントラストの連続した時間でエンコードされた増幅顕微鏡検査法 | |
| Iyer et al. | Near-field imaging of plasmonic nanopatch antennas with integrated semiconductor quantum dots | |
| Park et al. | Photon-induced near-field electron microscopy: mathematical formulation of the relation between the experimental observables and the optically driven charge density of nanoparticles | |
| Adams et al. | Plasmonic superlens imaging enhanced by incoherent active convolved illumination | |
| Shi et al. | Multiplane illumination enabled by Fourier-transform metasurfaces for high-speed light-sheet microscopy | |
| RU2643694C1 (ru) | Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски | |
| DE102018219750A1 (de) | Licht-Wellenleiterstruktur für effiziente Lichtanregung und Photonen-Detektion für Farbzentren in Diamant | |
| Tsukanov | Quantum dots in photonic molecules and quantum informatics. Part I | |
| RU2655026C1 (ru) | Способ получения фотолюминесценции отдельных центров окраски в осажденном из газовой фазы алмазе | |
| Moriya et al. | Coherent backscattering of inelastic photons from atoms and their mirror images | |
| AU2018273795B2 (en) | Image contrast enhancement for optical microscopy | |
| CN109060761B (zh) | 具有三维高空间分辨率高速拉曼光谱扫描成像方法与装置 | |
| Jennings et al. | Characterisation of multi-mode propagation in silicon nitride slab waveguides | |
| Bischak et al. | Noninvasive cathodoluminescence-activated nanoimaging of dynamic processes in liquids | |
| KR20160066365A (ko) | 형광 영상 장치 및 이를 이용한 형광 영상 방법 | |
| Bunkin et al. | Phase states of water near the surface of a polymer membrane. Phase microscopy and luminescence spectroscopy experiments | |
| Lin et al. | Investigation of the optical response of photonic crystal nanocavities in ferroelectric oxide thin film | |
| Liu et al. | Cascaded momentum-space polarization filters enabled label-free black-field microscopy for single nanoparticles analysis | |
| Tverdokhleb et al. | Measurement of energy spectra of small-angle scattering and distribution of optical microinhomogeneities in laser ceramics | |
| Petruccelli et al. | Source diversity for transport of intensity phase imaging |