RU2643563C1 - METHOD FOR PRODUCTION OF BISMUTH SILICATE Bi12SiO20 CRYSTALLINE COMPOUND POWDER - Google Patents
METHOD FOR PRODUCTION OF BISMUTH SILICATE Bi12SiO20 CRYSTALLINE COMPOUND POWDER Download PDFInfo
- Publication number
- RU2643563C1 RU2643563C1 RU2017120626A RU2017120626A RU2643563C1 RU 2643563 C1 RU2643563 C1 RU 2643563C1 RU 2017120626 A RU2017120626 A RU 2017120626A RU 2017120626 A RU2017120626 A RU 2017120626A RU 2643563 C1 RU2643563 C1 RU 2643563C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sio
- bismuth
- synthesis
- temperature
- powder
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/002—Making metallic powder or suspensions thereof amorphous or microcrystalline
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/20—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G29/00—Compounds of bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/34—Silicates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2302/00—Metal Compound, non-Metallic compound or non-metal composition of the powder or its coating
- B22F2302/25—Oxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2304/00—Physical aspects of the powder
- B22F2304/05—Submicron size particles
- B22F2304/058—Particle size above 300 nm up to 1 micrometer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
- B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/60—Compounds characterised by their crystallite size
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области получения соединений висмута, в частности синтеза порошка кристаллического соединения Bi12SiO20, и может быть использовано в радиоэлектронике.The invention relates to the field of producing bismuth compounds, in particular the synthesis of powder of a crystalline compound Bi 12 SiO 20 , and can be used in electronics.
Кристаллическое соединение Bi12SiO20 обладает электрооптическими и магнитооптическими свойствами, что выдвигает его в число перспективных материалов для создания электро- и магнито-оптических модуляторов лазерного излучения [Радаев С.Ф., Симонов В.И. Структура силленитов и атомные механизмы изоморфных замещений в них // Кристаллография. 1992. т. 37. С. 914].The crystalline compound Bi 12 SiO 20 has electro-optical and magneto-optical properties, which makes it one of the promising materials for the creation of electro-and magneto-optical modulators of laser radiation [Radaev SF, Simonov VI The structure of sillenites and atomic mechanisms of isomorphic substitutions in them // Crystallography. 1992. Vol. 37. S. 914].
Известен способ получения кристаллов Bi12SiC20 низкоградиентным методом Чохральского [Шлегель В.Н., Панцуркин Д.С. Выращивание кристаллов Bi12GeO20 и Bi12SiO20 низкоградиентным методом Чохральского / Кристаллография, 2011, том 56, №2, С. 367-372], заключающийся в сплавлении шихты стехиометрического состава Bi2O3-SiO2 в платиновом тигле при температуре плавления 800°С при скорости нагрева 50 град/ч с последующим охлаждением со скоростью 200 град/ч. Для гомогенизации расплав выдерживался при температуре выше температуры плавления на 30°С не менее 6 ч.A known method of producing crystals of Bi 12 SiC 20 low-gradient Czochralski method [Schlegel V.N., Pantsurkin D.S. Crystal growth of Bi 12 GeO 20 and Bi 12 SiO 20 by the low-gradient Czochralski method / Crystallography, 2011, Volume 56, No. 2, P. 367-372], which consists in fusing a mixture of stoichiometric composition Bi 2 O 3 -SiO 2 in a platinum crucible at a temperature melting of 800 ° C at a heating rate of 50 deg / h, followed by cooling at a speed of 200 deg / h. For homogenization, the melt was kept at a temperature above the melting point by 30 ° C for at least 6 hours.
Недостатком известного способа является высокая температура синтеза и высокие влаго- и водопоглощение образующегося Bi12SiO20. Высокая реакционная способность расплава шихты требует использования в качестве тигельного материала только высокочистой платины, что значительно удорожает получаемый материал. Кроме того, извлечение кристаллической метастабильной фазы из тигля связано с определенными технологическими трудностями.The disadvantage of this method is the high synthesis temperature and high moisture and water absorption of the resulting Bi 12 SiO 20 . The high reactivity of the charge melt requires the use of highly pure platinum as crucible material, which significantly increases the cost of the resulting material. In addition, the recovery of the crystalline metastable phase from the crucible is associated with certain technological difficulties.
Наиболее близким, принятым за прототип, является способ получения кристаллического соединения висмута Bi12SiO20 по золь-гель методу синтеза из растворов с использованием кремнийорганической жидкости и раствора пятиводного нитрата висмута [Клебанский Е.О., Кудзин А.Ю., Пасальский В.М. и др. Тонкие золь-гель пленки силиката висмута / Физика твердого тела, 1999, т. 41, вып. 6. С. 1003-1005]. В качестве исходных реактивов использованы раствор кремнийорганической жидкости в виде тетраэтоксисилана Si(OC2H5)4 и раствор пятиводного нитрата висмута Bi(NO3)3⋅5Н2O. Стабильность растворов обеспечивалась добавлением азотной кислоты и ацетилацетона и использованием в качестве растворителя этоксиэтанола. Пятиводный нитрат висмута Bi(NO3)3⋅5Н2O растворяли в этоксиэтаноле при температуре 30°С, добавляли азотную кислоту и ацетилацетон. Полученный раствор смешивали с раствором тетраэтоксисилана в этоксиэтаноле и выдерживали в течение 24 часов. Далее образовавшийся гелевидный осадок сушили на воздухе и обжигали при 650°С в течение 1 часа.The closest adopted for the prototype is a method for producing a crystalline bismuth compound Bi 12 SiO 20 using the sol-gel synthesis method from solutions using an organosilicon liquid and a solution of bismuth pentahydrate [Klebansky E.O., Kudzin A.Yu., Pasalsky V. M. et al. Thin sol-gel films of bismuth silicate / Solid State Physics, 1999, v. 41, no. 6. S. 1003-1005]. A solution of organosilicon liquid in the form of tetraethoxysilane Si (OC 2 H 5 ) 4 and a solution of bismuth pentahydrate Bi (NO 3 ) 3 ⋅ 5Н 2 O were used as initial reagents. The stability of the solutions was ensured by the addition of nitric acid and acetylacetone and ethoxyethanol as a solvent. Bismuth pentahydrate Bi (NO 3 ) 3 ⋅ 5Н 2 O was dissolved in ethoxyethanol at a temperature of 30 ° С, nitric acid and acetylacetone were added. The resulting solution was mixed with a solution of tetraethoxysilane in ethoxyethanol and incubated for 24 hours. Next, the resulting gel-like precipitate was dried in air and calcined at 650 ° C for 1 hour.
Недостатком известного способа, принятого за прототип, является длительность и высокая температура синтеза конечного продукта, а также его высокие влаго- и водопоглощение из-за отсутствия гидрофобности силиката висмута.The disadvantage of this method, adopted as a prototype, is the duration and high temperature of the synthesis of the final product, as well as its high moisture and water absorption due to the lack of hydrophobicity of bismuth silicate.
Задачей предлагаемого изобретения является повышение технологичности, за счет снижения времени синтеза, снижения температуры синтеза порошка кристаллического соединения Bi12SiO20 и придания поверхности силиката висмута гидрофобности (способности не смачиваться водой).The task of the invention is to increase manufacturability by reducing the synthesis time, lowering the temperature of synthesis of the powder of the crystalline compound Bi 12 SiO 20 and imparting hydrophobicity to the surface of bismuth silicate (the ability not to be wetted by water).
Технический результат достигается тем, что способ получения порошка кристаллического соединения Bi12SiO20, включающий синтез соединения висмута Bi12SiO20 из растворов пятиводного нитрата висмута и кремнийорганической жидкости, в предложенном решении осуществляют растворением пятиводного нитрата висмута в ацетоне при комнатной температуре, добавлением кремнийорганической жидкости в виде водно-спиртового раствора метилсиликоната натрия, перемешиванием в течение не более 5 минут с последующим центрифугированием суспензии, отмывкой осадка дистиллированной водой до отсутствия следов ионов Na+ и термообработкой осадка при температуре не менее 300°С.The technical result is achieved by the fact that the method of obtaining a powder of a crystalline compound Bi 12 SiO 20 , including the synthesis of a compound of bismuth Bi 12 SiO 20 from solutions of bismuth pentahydrate and organosilicon liquid, in the proposed solution is carried out by dissolving pentahydrate of bismuth nitrate in acetone at room temperature, adding organosilicon liquid in the form of an aqueous-alcoholic solution of sodium methylsiliconate, stirring for no more than 5 minutes, followed by centrifugation of the suspension, washing the precipitate and distilled water until no traces of Na + ions and heat treating the precipitate at a temperature of at least 300 ° C.
Проведенный анализ известных способов получения порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 позволяет сделать заключение о соответствии заявляемого способа критерию «новизна».The analysis of known methods for producing a powder of a crystalline bismuth silicate compound Bi 12 SiO 20 allows us to conclude that the proposed method meets the criterion of "novelty."
Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники не выявило в них признаки, отличающие заявляемое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию «изобретательский уровень».Comparison of the proposed solution not only with the prototype, but also with other technical solutions in the art did not reveal signs that distinguish the claimed solution from the prototype, which allows us to conclude that the criterion of "inventive step".
Благодаря разработанному способу получения порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 и тому, что в качестве растворителя пятиводного нитрата висмута использован ацетон, а в качестве кремнийорганической жидкости использован метилсиликонат натрия, процесс получения порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 происходит с одновременным модифицированием его поверхности, образующимся при сушке полиметилсиликонатом висмута H3C(SixBiyOz)nNa в виде тонкопленочного покрытия (толщина пленки 0,007 мкм), идентифицированного методом рентгенофазового анализа (РФА): межплоскостные расстояния d=11,451 /100%; 5,709 / 29% по базе порошковых дифракционных данных PDF.Due to the developed method for producing a powder of a crystalline bismuth silicate compound Bi 12 SiO 20 and the fact that acetone is used as a solvent of bismuth pentahydrate and sodium methylsilicate is used as an organosilicon liquid, the process of obtaining a powder of a crystalline bismuth silicate compound Bi 12 SiO 20 occurs with simultaneous modification its surface formed by drying polimetilsilikonatom bismuth H 3 C (Si x Bi y O z ) n Na in the form of thin film coatings (film thickness 0.007 mm), ident customizing by X-ray fluorescence (XRF): the interplanar spacings d = 11,451 /one hundred%; 5,709 / 29% based on powder x-ray diffraction data PDF.
В результате достигается возможность получения высокодисперсного порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 (размер частиц 0,10-0,19 мкм) при более низкой температуре с высокой степенью гидрофобности продукта.As a result, it is possible to obtain a fine powder of a crystalline bismuth silicate compound Bi 12 SiO 20 (particle size 0.10-0.19 μm) at a lower temperature with a high degree of hydrophobicity of the product.
Только при соблюдении всех условий разработанного способа происходит повышение технологичности синтеза порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20, что обеспечивается за счет быстрого протекания реакции обмена между метилсиликонатом натрия и нитратом висмута в растворе.Only when all the conditions of the developed method are met, does the technological synthesis of the powder of the crystalline bismuth silicate compound Bi 12 SiO 20 increase, which is ensured by the rapid exchange reaction between sodium methylsiliconate and bismuth nitrate in solution.
Предлагаемый способ синтеза порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 реализован следующим образом.The proposed method for the synthesis of powder of a crystalline compound of bismuth silicate Bi 12 SiO 20 is implemented as follows.
Пример. Пятиводный нитрат висмута Bi(NO3)3⋅5H2O (марка осч, ТУ 6-09-02-488-90) в количестве 84 г растворяли при комнатной температуре в 200 мл ацетона (марка хч, ТУ 2633-018-44493179-98). В полученный раствор при непрерывном перемешивании (3000 об/мин) добавляли 100 мл кремнийорганической жидкости в виде водно-спиртового раствора метилсиликоната натрия (ТУ 6-02-696-76). Суспензию перемешивали в течение 5 мин. Осадок центрифугировали (7000 об/мин), промывали дистиллированной водой (ГОСТ 6709-72) до отсутствия следов ионов Na+ и термообрабатывали при 300°С. Выход готового продукта составлял 50,7 г.Example. Bismuth quaternary nitrate Bi (NO 3 ) 3 ⋅ 5H 2 O (osch mark, TU 6-09-02-488-90) in an amount of 84 g was dissolved at room temperature in 200 ml of acetone (hch mark, TU 2633-018-44493179 -98). To the resulting solution with continuous stirring (3000 rpm) was added 100 ml of an organosilicon liquid in the form of an aqueous-alcoholic solution of sodium methylsiliconate (TU 6-02-696-76). The suspension was stirred for 5 minutes. The precipitate was centrifuged (7000 rpm), washed with distilled water (GOST 6709-72) until there were no traces of Na + ions and heat treated at 300 ° C. The yield of the finished product was 50.7 g.
По данным РФА синтезирован порошок кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 кубической сингонии (межплоскостные расстояния d=3,1932 / 100%; 2,7352 / 34%; 2,2769 / 15% по базе порошковых дифракционных данных PDF). По данным рентгено-структурного анализа параметры кристаллической ячейки порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 а=10,1050 . Рентгеновская плотность кристалла 9,210 г/см3. Удельная проводимость (25°С) 5,5⋅10-10 Ом-1⋅см-1. Сорбционное влагопоглощение при 100% относительной влажности воздуха не превышало 0,01% мас.According to the XRD data, a powder of the crystalline compound of bismuth silicate Bi 12 SiO 20 of cubic syngony was synthesized (interplanar distances d = 3.1932 / one hundred%; 2.7352 / 34%; 2.2769 / 15% based on powder diffraction data PDF). According to x-ray structural analysis, the parameters of the crystal cell of the powder of the crystalline compound of bismuth silicate Bi 12 SiO 20 a = 10.1050 . X-ray crystal density of 9.210 g / cm 3 . Specific conductivity (25 ° С) 5.5⋅10 -10 Ohm -1 ⋅cm -1 . Sorption moisture absorption at 100% relative humidity did not exceed 0.01% wt.
В табл. 1 представлены характеристики порошков кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 по предлагаемому способу и прототипу.In the table. 1 presents the characteristics of the powders of a crystalline compound of bismuth silicate Bi 12 SiO 20 according to the proposed method and prototype.
Использование предлагаемого способа получения порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 обеспечивает по сравнению с существующим способом следующие преимущества:Using the proposed method for producing a powder of a crystalline bismuth silicate compound Bi 12 SiO 20 provides the following advantages compared to the existing method:
1. Повышение технологичности синтеза порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 за счет снижения времени синтеза от 1440 мин до 5 мин.1. Improving the manufacturability of the synthesis of powder of a crystalline compound of bismuth silicate Bi 12 SiO 20 by reducing the synthesis time from 1440 minutes to 5 minutes
2. Снижение температуры синтеза порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 от 650°С до 300°С.2. The temperature of the synthesis of the powder of the crystalline compound of bismuth silicate Bi 12 SiO 20 from 650 ° C to 300 ° C.
3. Достигается возможность использования порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiO20 в условиях повышенной влажности воздуха.3. The possibility of using a powder of a crystalline compound of bismuth silicate Bi 12 SiO 20 in conditions of high humidity.
4. Изменение типа кристаллической решетки порошка кристаллического соединения силиката висмута Bi12SiC20: от низшей категории симметрии - ромбической (прототип) до высшей категории симметрии - кубической (предлагаемый способ), что повышает симметрию кристалла.4. Changing the type of crystal lattice of the powder of the crystalline compound of bismuth silicate Bi 12 SiC 20 : from the lowest category of symmetry - rhombic (prototype) to the highest category of symmetry - cubic (the proposed method), which increases the symmetry of the crystal.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017120626A RU2643563C1 (en) | 2017-06-13 | 2017-06-13 | METHOD FOR PRODUCTION OF BISMUTH SILICATE Bi12SiO20 CRYSTALLINE COMPOUND POWDER |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017120626A RU2643563C1 (en) | 2017-06-13 | 2017-06-13 | METHOD FOR PRODUCTION OF BISMUTH SILICATE Bi12SiO20 CRYSTALLINE COMPOUND POWDER |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2643563C1 true RU2643563C1 (en) | 2018-02-02 |
Family
ID=61173650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017120626A RU2643563C1 (en) | 2017-06-13 | 2017-06-13 | METHOD FOR PRODUCTION OF BISMUTH SILICATE Bi12SiO20 CRYSTALLINE COMPOUND POWDER |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2643563C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2669677C1 (en) * | 2018-03-22 | 2018-10-12 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | METHOD FOR PRODUCING Bi12SiO20 BISMUTH SILICATE BY CASTING METHOD |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060204423A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process for producing Bi12MO20 particles and photo-conductor layer for radiation imaging panels |
US20100006768A1 (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | Fujifilm Corporation | PROCESS FOR PRODUCING Bi12XO20 POWDER, Bi12XO20 POWDER, RADIATION PHOTO-CONDUCTOR, RADIATION DETECTOR, AND RADIATION IMAGING PANEL |
CN102351513A (en) * | 2011-07-06 | 2012-02-15 | 陕西科技大学 | Preparation method for bismuth silicate powder for utilization of optical performance |
-
2017
- 2017-06-13 RU RU2017120626A patent/RU2643563C1/en active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060204423A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process for producing Bi12MO20 particles and photo-conductor layer for radiation imaging panels |
US20100006768A1 (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | Fujifilm Corporation | PROCESS FOR PRODUCING Bi12XO20 POWDER, Bi12XO20 POWDER, RADIATION PHOTO-CONDUCTOR, RADIATION DETECTOR, AND RADIATION IMAGING PANEL |
CN102351513A (en) * | 2011-07-06 | 2012-02-15 | 陕西科技大学 | Preparation method for bismuth silicate powder for utilization of optical performance |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
КЛЕБАНСКИЙ Е.О. и др. Тонкие золь-гель пленки силиката висмута, "ФТТ", 1999, т.41, вып.6, стр.1003-1005. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2669677C1 (en) * | 2018-03-22 | 2018-10-12 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | METHOD FOR PRODUCING Bi12SiO20 BISMUTH SILICATE BY CASTING METHOD |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5607167B2 (en) | Solid material in fine powder state, method for producing the material and use of the material in solar cells | |
US5091115A (en) | Semiconductor-containing glass and method for producing same | |
CN103496744B (en) | Preparation method of as-reduced ammonium tungsten bronze nanoparticles | |
Reithel | β-D-Galactose-1-(barium phosphate) | |
RU2643563C1 (en) | METHOD FOR PRODUCTION OF BISMUTH SILICATE Bi12SiO20 CRYSTALLINE COMPOUND POWDER | |
Goto | Synthesis of clinoptilolite | |
Hosokawa et al. | Morphology and structure of rare earth borate (REBO 3) synthesized by glycothermal reaction | |
Suresh Kumar et al. | Growth and characterization of pure and lithium doped strontium tartrate tetrahydrate crystals by solution-gel technique | |
Binitha et al. | Growth, characterization and dielectric property studies of gel grown barium succinate single crystals | |
Jha et al. | Novel sonochemical green approach for synthesis of highly crystalline and thermally stable barium sulphate nanoparticles using Azadirachta indica leaf extract | |
Fagherazzi et al. | A structural study of metastable tetragonal zirconia in an Al 2 O 3-ZrO 2-SiO 2-Na 2 O glass ceramic system | |
CN103949655A (en) | Bismuth silicate powder preparation method using stoichiometric ratio raw materials and sol-gel method | |
Wu et al. | Octahedral cuprous oxide synthesized by hydrothermal method in ethanolamine/distilled water mixed solution | |
MORELL et al. | Phase relations and crystal structures of Zn and Cd tungstates | |
JP2012051759A (en) | Method of manufacturing layer silicate compound | |
Fanelli et al. | Crystallization behaviour and nanostructuring in alkali niobiosilicate glasses | |
Lu et al. | Synthesis of pure Bi12SiO20 powder by molten salt method | |
RU2782933C1 (en) | Method for producing calcium borate powders | |
JPS58151319A (en) | Manufacture of photoconductive material | |
Li et al. | Study on the ZnO-B2O3-SiO2 glass-ceramic with DTA, XRD and SEM | |
Patil | Structural and Thermal Studies of Gel-Grown, Cadmium Mixed Levo-Tartrate Crystals | |
Validžić et al. | Novel morphology of needle-Like nanoparticles of Na2Mo2O7 synthesized by using Ultrasonic spray pyrolysis | |
JPH04154613A (en) | Synthetic silica powder having high purity | |
Auwalu et al. | Effect of bismuth oxide on structural and thermal diffusivity of waste rice ash zinc silicate (willemite) glass ceramics | |
Takubo et al. | A metastable lithium-beryllium-aluminum silicate with a β-spodumene structure |