RU2643172C2 - Method for removing photoresist films from surface of optical glasses - Google Patents
Method for removing photoresist films from surface of optical glasses Download PDFInfo
- Publication number
- RU2643172C2 RU2643172C2 RU2016118346A RU2016118346A RU2643172C2 RU 2643172 C2 RU2643172 C2 RU 2643172C2 RU 2016118346 A RU2016118346 A RU 2016118346A RU 2016118346 A RU2016118346 A RU 2016118346A RU 2643172 C2 RU2643172 C2 RU 2643172C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photoresist
- optical glasses
- temperature
- plasma
- film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title abstract description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005255 carburizing Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- -1 sulfur peroxide Chemical class 0.000 description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 2
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии изготовления изделий оптической техники, конкретно к способу удаления фоторезистивных пленок с поверхности оптических стекол, служащих в качестве основной маски при формировании микроэлементов на их поверхности. Операция по удалению пленки фоторезиста является самой массовой при формировании микроэлементов на поверхности, ею завершаются все фотолитографические процессы по формированию необходимых микроизображений.The invention relates to a technology for manufacturing products of optical technology, specifically to a method for removing photoresistive films from the surface of optical glasses that serve as the main mask in the formation of trace elements on their surface. The operation to remove the photoresist film is the most massive during the formation of trace elements on the surface, it completes all photolithographic processes for the formation of the necessary microimages.
Известны различные физические и химические способы удаления тонких фоторезистивных пленок. Основными требованиями, предъявляемыми к этой операции, являются полное удаление пленки фоторезиста без вторичного загрязнения и разрушения поверхности подложки.Various physical and chemical methods for removing thin photoresistive films are known. The main requirements for this operation are the complete removal of the photoresist film without secondary pollution and destruction of the substrate surface.
К химическим способам удаления фоторезиста относятся способы снятия пленки путем деструкции полимеров в смесях различных кислот или органических растворителей, выбор состава которых определяется веществом исходной поверхности подложки и составом фоторезиста. Например, в соответствии с патентом РФ 2318267 (МПК H01L 21/306, G03F 7/26, опубл. 27.02.2008), химическая деструкция фоторезиста осуществляется в смеси перекиси водорода и серной кислоты при температуре 125°C. Согласно патенту CN 104252103 (МПК G03F 7/42; H01L 21/3065, опубл. 2014-12-31) остаточный фоторезист удаляют плавиковой кислотой, пероксидом серы и пероскидом амония. В патенте RU 2551841 (МПК G03F 7/42, H01L 21/02, опубл. 27.05.2015) заявлена композиция, состоящая из одновалентного органического растворителя, гидроксида четвертичного аммония и воды.Chemical methods for removing photoresist include methods for removing the film by degradation of polymers in mixtures of various acids or organic solvents, the composition of which is determined by the material of the initial surface of the substrate and the composition of the photoresist. For example, in accordance with RF patent 2318267 (IPC H01L 21/306, G03F 7/26, published February 27, 2008), the chemical destruction of the photoresist is carried out in a mixture of hydrogen peroxide and sulfuric acid at a temperature of 125 ° C. According to the patent CN 104252103 (IPC G03F 7/42; H01L 21/3065, publ. 2014-12-31), the residual photoresist is removed with hydrofluoric acid, sulfur peroxide and ammonium peroxide. In the patent RU 2551841 (IPC G03F 7/42, H01L 21/02, published May 27, 2015), a composition consisting of a monovalent organic solvent, quaternary ammonium hydroxide and water is claimed.
Недостатком данных способов является высокая агрессивность травителя, его токсичность и трудность утилизации отходов, а также невозможность использования таких способов для удаления пленки фоторезиста с металлизированных поверхностей.The disadvantage of these methods is the high aggressiveness of the etchant, its toxicity and difficulty in recycling, as well as the inability to use such methods to remove a photoresist film from metallized surfaces.
Для удаления фоторезиста с металлизированных поверхностей применяется, например, в соответствии с патентом РФ 2575012 (МПК H01L 21/31, G03F 7/42, C11D 1/62, C11D 7/50, C11D 7/60, C11D 3/30, опубл. 10.02.2016), состав на основе триэтаноламина.To remove photoresist from metallized surfaces, it is used, for example, in accordance with RF patent 2575012 (IPC H01L 21/31, G03F 7/42, C11D 1/62, C11D 7/50, C11D 7/60, C11D 3/30, publ. 02/10/2016), a composition based on triethanolamine.
Недостатком этого способа, содержащего органические вещества, являются легкая воспламеняемость, токсичность и проблема нейтрализации отработанных отходов.The disadvantage of this method, containing organic substances, is flammability, toxicity and the problem of neutralization of waste.
Указанные недостатки устраняются с помощью различных физических методов удаления фоторезистивных пленок.These disadvantages are eliminated using various physical methods for removing photoresistive films.
Широко известен способ плазмохимического удаления фоторезиста, посредством которого удаление пленки осуществляется в низкотемпературной кислородной плазме. Физическую химию процесса можно сравнить с химией горения пленки фоторезиста в кислороде. Данный метод широко применяется в микроэлектронике, особенно в кристальном производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.The method of plasmochemical photoresist removal is widely known, by which the film is removed in low-temperature oxygen plasma. The physical chemistry of the process can be compared with the chemistry of the combustion of a photoresist film in oxygen. This method is widely used in microelectronics, especially in the crystalline production of semiconductor devices and integrated circuits.
Известно изобретение по патенту РФ 2318231 (МПК G03F 7/26, опубл. 27.02.2008), которое относится к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления. В способе травления слоя фоторезиста, включающем плазмохимическое травление слоя фоторезиста с кремниевых пластин обработкой газовой смесью элегаза и кислорода, травление проводят при расходе элегаза (SF6) и кислорода (O2) соответственно 7 и 0,8 л/ч, при рабочем давлении, равном 20±5 Па, температуре 30±5°C, мощности 1±0,5 кВт, в течение 2±1 минут, при этом разброс по толщине слоя фоторезиста составляет 3,5÷4,0%. Техническим результатом изобретения является получение равномерного стравленного слоя фоторезиста по всей поверхности пластин.The invention is known according to the patent of the Russian Federation 2318231 (IPC G03F 7/26, publ. February 27, 2008), which relates to methods for removing a photoresist layer from the surface of silicon substrates by plasma-chemical etching. In the process of etching the layer of photoresist, comprising plasma etching the photoresist layer with silicon wafers by treatment with a mixture of sulfur hexafluoride gas and oxygen, etching is carried out at a flow rate of sulfur hexafluoride (SF 6) and oxygen (O 2), respectively 7 and 0.8 L / h at an operating pressure, equal to 20 ± 5 Pa, temperature 30 ± 5 ° C, power 1 ± 0.5 kW, for 2 ± 1 minutes, while the spread in the thickness of the photoresist layer is 3.5 ÷ 4.0%. The technical result of the invention is to obtain a uniform etched layer of photoresist over the entire surface of the plates.
Наиболее близкое изобретение по патенту CN 104345581 (МПК G03F 7/42, опубл. 2015-02-11), взятое за прототип, раскрывает способ удаления фоторезиста с помощью плазмы под действием высокоактивных ионов и окислительных молекул. В способе низкочастотный источник радиочастотной мощности применен вместо высокочастотного для продвижения кислородосодержащего реакционного газа для активации плазмы, что позволяет избежать проблемы с разной скоростью травления на разных участках подложки из-за неравномерного распределения бескислордных радикалов.The closest invention to the patent CN 104345581 (IPC G03F 7/42, publ. 2015-02-11), taken as a prototype, discloses a method for removing photoresist using plasma under the influence of highly active ions and oxidizing molecules. In the method, a low-frequency source of radio-frequency power is used instead of a high-frequency source to promote an oxygen-containing reaction gas for plasma activation, which avoids the problem of different etching rates in different parts of the substrate due to the uneven distribution of oxygen-free radicals.
В случае снятия фоторезиста с поверхности габаритных по площади и толщине оптических стекол существуют весьма большие технические трудности возбуждения над их поверхностью низкотемпературной плазмы газового разряда с обеспечением достаточной ионной бомбардировки пленки фоторезиста с целью ее нагрева для дальнейшей деструкции. Хорошо известно, что процесс плазмохимического удаления фоторезиста тесно связан с температурой разогрева пленки в процессе ее деструкции.In the case of removing a photoresist from the surface of optical glasses that are dimensional and thick, there are very serious technical difficulties in exciting a low-temperature gas discharge plasma above their surface to ensure sufficient ion bombardment of the photoresist film to heat it for further destruction. It is well known that the process of plasmachemical removal of photoresist is closely related to the temperature of heating of the film in the process of its destruction.
Зависимость скорости травления фоторезиста от температуры осуществляется по экспоненциальному закону. На практике это означает, что при температуре пленки ниже 150-180°C скорость деструкции ничтожно мала и возрастает на порядки по величине в случае повышения ее до 220-250°C. Дальнейшее повышение температуры тоже нежелательно, так как приводит к эффекту так называемого «науглевоживания» поверхности, что означает выделение из пленки фоторезиста свободного углерода, который при этих условиях не взаимодействует с активным кислородом и накапливается на поверхности в качестве нежелательного осадка.The dependence of the photoresist etching rate on temperature is carried out exponentially. In practice, this means that at a film temperature below 150-180 ° C, the degradation rate is negligible and increases by orders of magnitude if it increases to 220-250 ° C. A further increase in temperature is also undesirable, since it leads to the effect of the so-called “carburization” of the surface, which means the release of free carbon from the photoresist film, which under these conditions does not interact with active oxygen and accumulates on the surface as an undesirable precipitate.
Целью настоящего изобретения является разработка способа, обеспечивающего быстрое и качественное снятие пленки фоторезиста с поверхности оптических стекол.The aim of the present invention is to develop a method that provides quick and high-quality removal of the photoresist film from the surface of optical glasses.
Технический результат изобретения заключается в обеспечении высокой скорости удаления фоторезистивной пленки с поверхности габаритных по площади и толщине оптических стекол без науглевоживания поверхности.The technical result of the invention is to provide a high speed removal of the photoresistive film from the surface of the overall area and thickness of the optical glasses without carburizing the surface.
Технический результат достигается за счет того, что в способе удаления фоторезистивных пленок с поверхности оптических стекол, включающем плазмохимическое травление пластины низкотемпературной плазмой в присутствии атомарного кислорода, согласно изобретению обрабатываемой пластиной является оптическое стекло, а нагрев фоторезистивной пленки до оптимальной температуры травления осуществляется инфракрасным излучателем, расположенным под поверхностью обрабатываемой пластины.The technical result is achieved due to the fact that in the method for removing photoresistive films from the surface of optical glasses, including plasma-chemical etching of a plate by low-temperature plasma in the presence of atomic oxygen, according to the invention, the processed plate is optical glass, and the photoresistive film is heated to an optimum etching temperature by an infrared emitter located under the surface of the workpiece.
На фиг. 1 приведена принципиальная схема устройства, реализующего способ удаления фоторезиста с поверхности оптических стекол.In FIG. 1 is a schematic diagram of a device that implements a method for removing photoresist from the surface of optical glasses.
Основные функции, обеспечивающие деструкцию фоторезиста (выделение активного кислорода) и разогрев пленки резиста, разделены. С помощью электродов специальной конструкции над поверхностью оптической заготовки с резистивной пленкой создается плотный низкотемпературный плазменный разряд, в котором осуществляется процесс диссоциации молекулярного кислорода до его молекулярного состояния.The main functions that ensure the destruction of the photoresist (release of active oxygen) and heating the resist film are separated. Using electrodes of a special design, a dense low-temperature plasma discharge is created above the surface of an optical preform with a resistive film, in which the process of dissociation of molecular oxygen to its molecular state is carried out.
Расположенный под стеклом излучатель, испускает мощное излучение, которое проходит через кварцевое стекло практически без потерь и полностью поглощается пленкой фоторезиста. В результате поглощения излучения пленка фоторезиста разогревается до заданной температуры, и возможно автоматически стабилизировать температуру путем изменения мощности излучения. Таким образом, формируется управляемый технологический процесс деструкции пленки фоторезиста, обеспечивающий ее качественное удаление с поверхности оптических изделий без науглевоживания поверхности.The emitter located under the glass emits powerful radiation that passes through the quartz glass with virtually no loss and is completely absorbed by the photoresist film. As a result of the absorption of radiation, the photoresist film is heated to a predetermined temperature, and it is possible to automatically stabilize the temperature by changing the radiation power. Thus, a controlled technological process of destruction of the photoresist film is formed, which ensures its high-quality removal from the surface of optical products without carburizing the surface.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016118346A RU2643172C2 (en) | 2016-05-11 | 2016-05-11 | Method for removing photoresist films from surface of optical glasses |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016118346A RU2643172C2 (en) | 2016-05-11 | 2016-05-11 | Method for removing photoresist films from surface of optical glasses |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016118346A RU2016118346A (en) | 2017-11-16 |
| RU2643172C2 true RU2643172C2 (en) | 2018-01-31 |
Family
ID=60328183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016118346A RU2643172C2 (en) | 2016-05-11 | 2016-05-11 | Method for removing photoresist films from surface of optical glasses |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2643172C2 (en) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1667529A1 (en) * | 1989-06-08 | 1994-05-30 | А.И. Красножон | Process of formation of photoresist mask |
| RU1653484C (en) * | 1989-10-23 | 1995-08-20 | Научный физико-технологический центр | Process of plasma chemical removal of films of photoresist |
| WO2001004707A1 (en) * | 1999-07-07 | 2001-01-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Photoresist removal process using forming gas plasma |
| SU1820787A1 (en) * | 1990-05-03 | 2004-04-10 | Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения | METHOD OF PLASMA AND CHEMICAL REMOVAL OF A PHOTORESIST WITH A SEMICONDUCTOR SURFACE |
| WO2004074915A1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Innovation For Creative Devices Co., Ltd. | Method for selectively removing polyimide alignment layer coated on negative photoresist formed on a substrate and recycling the same using plasma |
| RU2318231C2 (en) * | 2005-07-25 | 2008-02-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Method for etching a photoresist layer |
| CN104345581A (en) * | 2013-07-23 | 2015-02-11 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | Method for removing photoresist from plasma |
-
2016
- 2016-05-11 RU RU2016118346A patent/RU2643172C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1667529A1 (en) * | 1989-06-08 | 1994-05-30 | А.И. Красножон | Process of formation of photoresist mask |
| RU1653484C (en) * | 1989-10-23 | 1995-08-20 | Научный физико-технологический центр | Process of plasma chemical removal of films of photoresist |
| SU1820787A1 (en) * | 1990-05-03 | 2004-04-10 | Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения | METHOD OF PLASMA AND CHEMICAL REMOVAL OF A PHOTORESIST WITH A SEMICONDUCTOR SURFACE |
| WO2001004707A1 (en) * | 1999-07-07 | 2001-01-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Photoresist removal process using forming gas plasma |
| WO2004074915A1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Innovation For Creative Devices Co., Ltd. | Method for selectively removing polyimide alignment layer coated on negative photoresist formed on a substrate and recycling the same using plasma |
| RU2318231C2 (en) * | 2005-07-25 | 2008-02-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Method for etching a photoresist layer |
| CN104345581A (en) * | 2013-07-23 | 2015-02-11 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | Method for removing photoresist from plasma |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2016118346A (en) | 2017-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11062910B2 (en) | Surface treatment of silicon or silicon germanium surfaces using organic radicals | |
| US9443701B2 (en) | Etching method | |
| TWI686863B (en) | Method for etching organic film | |
| CN1495861B (en) | Vapour as treating gas for removing hard shell, corrosion-resisting agent and residue produced by stripping corrosion-resisting agent after ion implantation | |
| KR20040105567A (en) | Method and apparatus for removing organic layers | |
| TW200410337A (en) | Dry cleaning method for plasma reaction chamber | |
| CN1481519A (en) | Process for removal of photoresis after post ion implantation | |
| EP3086357B1 (en) | Method of processing target object to be processed | |
| TW200952069A (en) | Plasma processing method and computer readable storage medium | |
| TW201913802A (en) | Etching method and etching device | |
| US10971373B2 (en) | Methods for cyclic etching of a patterned layer | |
| US5393374A (en) | Method of ashing | |
| JP3611196B2 (en) | Method for removing organic material from a substrate | |
| KR20150126295A (en) | Plasma dry strip pretreatment to enhance ion implanted resist removal | |
| JP2008085231A (en) | Method of removing residual organic matter on substrate | |
| RU2643172C2 (en) | Method for removing photoresist films from surface of optical glasses | |
| US11495456B2 (en) | Ozone for selective hydrophilic surface treatment | |
| KR100900075B1 (en) | Ashing apparatus | |
| JPS6211493B2 (en) | ||
| JP7045974B2 (en) | Device manufacturing method | |
| JPWO2021178399A5 (en) | ||
| KR20070080662A (en) | Photoresist strip process method and process facilities for the silicon wafer and lcd substrate panel | |
| KR100621788B1 (en) | Ozone asher apparatus | |
| JPH02183524A (en) | Plasma ashing method | |
| JP3009209B2 (en) | Surface protection method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190512 |