RU2639313C2 - Method of manufacturing low-resistance chip-resistor - Google Patents
Method of manufacturing low-resistance chip-resistor Download PDFInfo
- Publication number
- RU2639313C2 RU2639313C2 RU2016108634A RU2016108634A RU2639313C2 RU 2639313 C2 RU2639313 C2 RU 2639313C2 RU 2016108634 A RU2016108634 A RU 2016108634A RU 2016108634 A RU2016108634 A RU 2016108634A RU 2639313 C2 RU2639313 C2 RU 2639313C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resistance
- contacts
- resistive plate
- tcs
- plate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000896 Manganin Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к низкоомным чип-резисторам, которые могут быть использованы в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в частности для применения в качестве датчиков тока.The invention relates to electronic equipment, namely to low-resistance chip resistors that can be used in electronic, radio engineering and other related industries, in particular for use as current sensors.
Из уровня техники широко известны низкоомные чип-резисторы, применяемые в качестве датчиков тока. Как правило, такие чип-резисторы обладают низким температурным коэффициентом сопротивления (ТКС), не превышающим значение 300 ppm 1/°С. ТКС характеризует обратимое изменение сопротивления резистора вследствие изменения температуры окружающей среды или изменения электрической нагрузки. Чем меньше ТКС, тем лучшей температурной стабильностью обладает чип-резистор. Чип-резисторы обладают определенным показателем ТКС, указываемым производителем в сопроводительной документации.The prior art low-resistance chip resistors used as current sensors. Typically, such chip resistors have a low temperature coefficient of resistance (TCR), not exceeding a value of 300 ppm 1 / ° C. TCS characterizes a reversible change in resistor resistance due to changes in ambient temperature or changes in electrical load. The smaller the TCS, the better temperature stability the chip resistor has. Chip resistors have a specific TCS indicator indicated by the manufacturer in the accompanying documentation.
Производство низкоомных чип-резисторов с низким ТКС подразумевает повышенную точность и сложность производственных процессов, связанных с решением задач по снижению ТКС. Поэтому применяя принцип достаточности показателей для решения разных технологических задач, используют чип-резисторы с разным ТКС. При этом хотя все значения ТКС у производимых чип-резисторов, как правило, не превышают 300 ppm 1/°С, однако не существует способов изначального задания значения ТКС в готовом изделии (за счет подбора оптимальной их конфигурации).The production of low-impedance chip resistors with low TCS implies increased accuracy and complexity of production processes associated with solving problems to reduce TCS. Therefore, applying the principle of sufficiency of indicators to solve various technological problems, chip resistors with different TCS are used. Moreover, although all the TCS values of the manufactured chip resistors, as a rule, do not exceed 300 ppm 1 / ° С, there are no ways to initially set the TCS values in the finished product (by selecting their optimal configuration).
Известен чип-резистор и способ его производства, патент US 8242878, опубл. 14.08.2012, Н01С 1/02. Известный чип-резистор включает резистивную металлическую пластину, выполняющую роль основания чип-резистора без использования отдельной подложки, контакты на концах пластины, гальваническое покрытие на контактах, обеспечивающее паяемость, и покрытие из изолирующего материала на пластине между контактами. Технология получения чип-резистора включает в себя заготовку резистивной металлической пластины, формирование контактов на концах пластины, формирование гальванического покрытия на контактах, формирование покрытия из изолирующего материала на пластине между контактами, подгонку сопротивления металлической полосы. Представленная технология позволяет создавать чип-резисторы малых размеров, в частности, типоразмера 0402 (1 мм на 0,5 мм) и сопротивлением до 1 мОм. Описанный в патенте способ производства чип-резистора выбран за ближайший аналог.Known chip resistor and method for its production, patent US 8242878, publ. 08/14/2012, Н01С 1/02. Known chip resistor includes a resistive metal plate, which acts as the base of the chip resistor without using a separate substrate, contacts at the ends of the plate, a plating on the contacts, providing solderability, and a coating of insulating material on the plate between the contacts. The technology for producing a chip resistor includes the preparation of a resistive metal plate, the formation of contacts at the ends of the plate, the formation of a galvanic coating on the contacts, the formation of a coating of insulating material on the plate between the contacts, the adjustment of the resistance of the metal strip. The presented technology allows you to create chip resistors of small sizes, in particular, size 0402 (1 mm by 0.5 mm) and a resistance of up to 1 mOhm. The method for manufacturing a chip resistor described in the patent is chosen for the closest analogue.
Недостатком известного способа производства является то, что в данном способе не предусмотрена возможность задания сопротивления и ТКС изготавливаемого изделия или их различного сочетания и, как следствие, отсутствие возможности гарантированного получения на выходе производственного процесса чип-резисторов с требуемыми значениями сопротивления и ТКС.A disadvantage of the known production method is that this method does not provide for the possibility of setting the resistance and TCS of the manufactured product or their various combinations and, as a consequence, the absence of the possibility of guaranteed receipt of chip resistors with the required resistance and TCS at the output of the production process.
Технический результат предложенного способа заключается в возможности изготовления низкоомных чип-резисторов со значением ТКС, которое не превышает целевого значения при заданном значении сопротивления.The technical result of the proposed method lies in the possibility of manufacturing low-resistance chip resistors with a TCS value that does not exceed the target value at a given resistance value.
Заявленный технический результат достигается за счет того, что предложен способ изготовления низкоомного чип-резистора, включающего резистивную пластину, заключающийся в том, что на концах резистивной пластины формируют контакты и осуществляют подгонку ее сопротивления, между контактами на резистивной пластине формируют покрытие из изолирующего материала, на контакты наносят гальваническое покрытие с образованием выводов чип-резистора, каждый из которых состоит из контакта с гальваническим покрытием и смежной с контактом части резистивной пластины, при этом при формировании контактов проводят процедуру минимизации переходных сопротивлений между контактами и резистивной пластиной путем снятия окисных пленок с поверхности резистивной пластины, а контакты формируют такой конфигурации, при которой общее сопротивление выводов удовлетворяет условию:The claimed technical result is achieved due to the fact that a method for manufacturing a low-resistance chip resistor comprising a resistive plate is proposed, which consists in the fact that contacts are formed at the ends of the resistive plate and its resistance is adjusted, a coating of insulating material is formed between the contacts on the resistive plate, the contacts are plated to form the terminals of the chip resistor, each of which consists of a contact with the plating and an adjacent part of the res stivnoy plate, wherein the formation of contacts is performed procedure minimization of contact resistances between the terminals and the resistive plate by removing the oxide film from the surface of the resistive plate, and contacts are formed of such a configuration in which the total resistance of the pin satisfies the following condition:
где Rв - общее сопротивление выводов,where R in - the total resistance of the findings,
Rоб - общее сопротивление низкоомного чип-резистора,R about - the total resistance of the low-resistance chip resistor,
ТКСоб - общий температурный коэффициент сопротивления низкоомного чип-резистора,TKS about - the general temperature coefficient of resistance of a low-resistance chip resistor,
ТКСр - температурный коэффициент сопротивления резистивной пластины,TKS p - temperature coefficient of resistance of the resistive plate,
ТКСв - температурный коэффициент сопротивления выводов.TKS in - temperature coefficient of resistance of conclusions.
На чертеже показана конструкция низкоомного чип-резистора, где обозначены:The drawing shows the design of a low-resistance chip resistor, where indicated:
1 - резистивная пластина;1 - resistive plate;
2 - контакты;2 - contacts;
3 - гальваническое покрытие;3 - galvanic coating;
4 - покрытие из изолирующего материала;4 - a coating of insulating material;
5 - вывод;5 - conclusion;
L - длина контакта.L is the contact length.
Предлагаемый способ реализуют следующим образом.The proposed method is implemented as follows.
В качестве основы низкоомного чип-резистора используют резистивную пластину 1, преимущественно из манганина. Далее на каждом из двух концов на обеих сторонах пластины известным гальваническим методом формируют слой из высокопроводящего материала, преимущественно из меди, с образованием контактов 2. Чтобы исключить возникновение переходных сопротивлений между медными контактами 2 и резистивной пластиной 1 перед гальваническим наращиванием контактов 2, проводят процедуру снятия окисных пленок с поверхности резистивной пластины в кислой среде с использованием сильных или слабых неорганических кислот в соответствующей для реакции концентрации (например, в растворе K2Cr2О7 концентрацией 80±5 г/л с серной кислотой концентрацией 615±15 г/л при комнатной температуре в течение 10-15 сек или раствора HCl в соотношении компонентов 1:1 при комнатной температуре, время активации 30-40 сек). При этом контакты 2 формируют на обеих сторонах резистивной пластины 1 для возможности монтажа чип-резистора на печатную плату любой из его поверхностей. Далее известным способом, например методом лазерной резки резистивной пластины, подгоняют целевую величину общего сопротивления низкоомного чип-резистора в пределах допустимого отклонения сопротивления. Затем между медными контактами на манганиновую пластину на обеих сторонах наносят покрытие из изолирующего материала 4, например краску. После этого на медные контакты 2 гальваническим методом наносят покрытие 3 - слои никеля и припоя (сплав олова со свинцом). Участок, состоящий из медного контакта с покрытием из никеля и сплава олова со свинцом и смежной с контактом части резистивной пластины 1, представляет собой вывод 5.As the basis of a low-resistance chip resistor, a resistive plate 1 is used, mainly from manganin. Then, on each of the two ends on both sides of the plate, a layer of highly conductive material, mainly copper, is formed using the known galvanic method to form
Для того чтобы конечное изделие обладало заданным значением сопротивления Rоб и значением ТКС, которое не превышает требуемое значение ТКСоб, необходимо на этапе формирования контактов провести выбор их конфигурации, а именно задать длину и площадь поперечного сечения контактов таким образом, чтобы выполнялось соотношение (1). Для расчета правой части соотношения (1) используют известные значения ТКСр и ТКСв и требуемые значения Rоб и ТКСоб. При оценке требований, предъявляемых к конфигурации контактов, используется значение ТКС наиболее высокопроводящего материала в выводе. Длину и площадь поперечного сечения контактов задают, используя известное соотношение определения сопротивления:In order for the final product to have a given value of resistance R о and a TCS value that does not exceed the required value of TCS about , it is necessary to select their configuration at the stage of forming the contacts, namely, set the length and cross-sectional area of the contacts so that the relation (1 ) To calculate the right side of relation (1), the known values of TCS p and TCS c and the required values of R about and TCS about . When assessing the requirements for the configuration of contacts, the value of the TCS of the most highly conductive material in the output is used. The length and cross-sectional area of the contacts are set using the known resistance determination relation:
где ρ - удельное сопротивление контакта,where ρ is the resistivity of the contact,
L - длина контакта,L is the contact length
S - площадь поперечного сечения контакта (плоскостью поперечной относительно длины вывода L).S is the cross-sectional area of the contact (transverse to the terminal length L).
Подставляя соотношение (2) в (1) и учитывая то, что контакты расположены на обоих концах резистивной пластины, получаем:Substituting relation (2) into (1) and taking into account the fact that the contacts are located at both ends of the resistive plate, we obtain:
Таким образом, при выборе длины и площади сечения контактов необходимо, чтобы их отношение удовлетворяло условию (3). Если условие (3) будет выполнено, то в конечном изделии будут достигнуты требуемые значения Rоб и значение ТКС, не превышающее требуемое ТКСоб.Thus, when choosing the length and cross-sectional area of the contacts, it is necessary that their ratio satisfy condition (3). If condition (3) is satisfied, then in the final product the required values of R about and the value of TCS will be achieved, not exceeding the required TCS about .
Следует отметить, что соотношения (1) и (3) применимы для способа изготовления низкоомных чип-резисторов только в случае отсутствия дополнительных переходных сопротивлений в изделии, которые могут возникнуть в процессе производства между медными контактами и резистивной пластиной, при этом значения таких дополнительных переходных сопротивлений непредсказуемы. Поэтому для работы соотношений (1) и (3) необходимо, как отмечалось, перед гальваническим наращиванием контактов проводить процедуру снятия окисных пленок с поверхности резистивной пластины, что сведет к минимуму наличие переходных сопротивлений.It should be noted that relations (1) and (3) are applicable to the method of manufacturing low-resistance chip resistors only in the absence of additional transition resistances in the product that can occur during the production process between copper contacts and the resistive plate, while the values of such additional transition resistances unpredictable. Therefore, for the relations (1) and (3) to work, it is necessary, as noted, before galvanically building up the contacts to carry out the procedure for removing oxide films from the surface of the resistive plate, which will minimize the presence of transition resistances.
Полученные экспериментальным путем соотношения (1) и (3) подтверждены теоретическими выводами при условии, что в качестве значения ТКСв при оценке требований к конфигурации контактов используется значение ТКС материала наиболее высокопроводящего участка выводов.The relations (1) and (3) obtained experimentally are confirmed by theoretical conclusions, provided that the value of the material TCS of the most highly conductive terminal section is used as the value of the TCS in assessing the requirements for the configuration of contacts.
Пример 1Example 1
Ставилась задача получения чип-резистора стандартного (широко применяемого) типоразмера 2512 со значением параметра ТКС конечного изделия не более ТКСоб=100 ppm 1/°С при заданном сопротивлении Rоб=10 мОм.The task was to obtain a chip resistor of standard (widely used) size 2512 with the TCS parameter value of the final product no more than TCS r = 100 ppm 1 / ° C for a given resistance R r = 10 mOhm.
В качестве основы низкоомного чип-резистора использовали резистивную пластину из манганина размером 6,3 мм × 3,2 мм. На каждом из двух концов пластины по обеим ее сторонам гальваническим методом формировали слой меди, образуя тем самым контакты. Перед гальваническим наращиванием контактов проводили процедуру снятия окисных пленок с поверхности резистивной пластины в растворе K2Cr2О7 концентрацией 80±5 г/л с серной кислотой концентрацией 615±15 г/л при комнатной температуре в течение 10-15 сек. Далее методом лазерной резки резистивной пластины подгоняли общее сопротивление чип-резистора в пределы допустимого отклонения. Затем между медными контактами на манганиновую пластину на обеих сторонах наносили краску. После этого на медные контакты гальваническим методом наносили покрытие - слои никеля и припоя (сплав олова со свинцом).A 6.3 mm x 3.2 mm manganin resistive plate was used as the basis of the low-resistance chip resistor. At each of the two ends of the plate, a copper layer was formed by galvanic methods on both sides of the plate, thereby forming contacts. Before the galvanic build-up of contacts, the procedure of removing oxide films from the surface of the resistive plate in a solution of K 2 Cr 2 O 7 with a concentration of 80 ± 5 g / l with sulfuric acid with a concentration of 615 ± 15 g / l at room temperature for 10-15 seconds was carried out. Then, the total resistance of the chip resistor was adjusted to the tolerance by laser cutting of the resistive plate. Then, paint was applied between the copper contacts on the manganin plate on both sides. After that, copper contacts were coated using copper plating - layers of nickel and solder (an alloy of tin with lead).
Известно, что температурный коэффициент сопротивления манганиновой пластины ТКСр=10 ppm, а температурный коэффициент вывода (для наихудшего случая) ТКСв=4300 ppm.It is known that the temperature coefficient of resistance of the manganin plate of TCS is p = 10 ppm, and the temperature coefficient of output (for the worst case) of TCS is = 4300 ppm.
В соответствии с соотношением (1) для обеспечения значения параметра ТКС конечного изделия не более ТКСоб=100 ppm 1/°С, требовалось сформировать контакты такой конфигурации, чтобы сопротивление вывода Rв не превышало 0,2 мОм. Учитывая удельное сопротивление меди 
Варианты возможного исполнения конфигурации медных контактов чип-резистора типоразмера 2512 для Примера 1 представлены в Таблице 1.Options for a possible configuration of copper contacts of a chip resistor of size 2512 for Example 1 are presented in Table 1.
Из таблицы 1 видно, что при задании конфигурации контактов таким образом, что выполняется соотношение (4), фактическое значение ТКСоб конечного изделия не превышает 100 ppm 1/*°С. Если же соотношение (4) не выполняется (6-я и 7-я строки табл. 1), то фактическое значение ТКСоб больше 100 ppm 1/°С.From table 1 it is seen that when setting the contact configuration in such a way that relation (4) is satisfied, the actual value of the TCS about the final product does not exceed 100 ppm 1 / * ° С. If the relation (4) is not satisfied (6th and 7th rows in Table. 1), the actual value TCS of greater than 100 ppm 1 / ° C.
Сопротивление чип-резисторов измеряли в соответствии с ГОСТом 21342.20-78 "Резисторы. Метод измерения сопротивления". Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) измеряли согласно ГОСТу 21342.15-78 «Резисторы. Метод определения температурной зависимости сопротивления».The resistance of the chip resistors was measured in accordance with GOST 21342.20-78 "Resistors. Method of measuring resistance." The temperature coefficient of resistance (TCS) was measured according to GOST 21342.15-78 “Resistors. Method for determining the temperature dependence of resistance. "
Приведенные в примере варианты исполнения конфигурации контактов не ограничивают всевозможные варианты исполнения конфигурации контактов, которые могут быть и другими.The contact configuration options shown in the example do not limit all possible contact configuration options, which may be different.
Таким образом, с помощью примера показано, что предложенный способ обеспечивает возможность изготовления низкоомных чип-резисторов со значением ТКС, которое не превышает целевого значения при заданном значении сопротивления.Thus, using an example, it is shown that the proposed method provides the possibility of manufacturing low-resistance chip resistors with a TCS value that does not exceed the target value for a given resistance value.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016108634A RU2639313C2 (en) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | Method of manufacturing low-resistance chip-resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016108634A RU2639313C2 (en) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | Method of manufacturing low-resistance chip-resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016108634A RU2016108634A (en) | 2017-09-14 |
| RU2639313C2 true RU2639313C2 (en) | 2017-12-21 |
Family
ID=59893517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016108634A RU2639313C2 (en) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | Method of manufacturing low-resistance chip-resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2639313C2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2703720C1 (en) * | 2018-12-07 | 2019-10-22 | Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") | Method of determining the temperature coefficient of resistance of thin conducting films using a four-probe measurement method |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080027879A1 (en) * | 1999-07-12 | 2008-01-31 | Ariba, Inc. | Electronic multilateral negotiation system |
| US20090153287A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
| US8242878B2 (en) * | 2008-09-05 | 2012-08-14 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Resistor and method for making same |
| RU2497217C1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-10-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" | Method for making thick-film resistive elements |
| RU2551905C1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-06-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН") | Chip resistor manufacturing method |
| RU2552630C1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-06-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН") | Chip resistor manufacturing method |
-
2016
- 2016-03-11 RU RU2016108634A patent/RU2639313C2/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080027879A1 (en) * | 1999-07-12 | 2008-01-31 | Ariba, Inc. | Electronic multilateral negotiation system |
| US20090153287A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| US8242878B2 (en) * | 2008-09-05 | 2012-08-14 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Resistor and method for making same |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
| RU2497217C1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-10-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" | Method for making thick-film resistive elements |
| RU2551905C1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-06-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН") | Chip resistor manufacturing method |
| RU2552630C1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-06-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН") | Chip resistor manufacturing method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2703720C1 (en) * | 2018-12-07 | 2019-10-22 | Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") | Method of determining the temperature coefficient of resistance of thin conducting films using a four-probe measurement method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2016108634A (en) | 2017-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101064537B1 (en) | Method for manufacturing rectangular plate type chip resistor and rectangular plate type chip resistor | |
| US8531264B2 (en) | Current sensing resistor and method for manufacturing the same | |
| US9934891B1 (en) | Resistor and method of manufacture | |
| US7327214B2 (en) | Chip resistor and method of making the same | |
| US10627429B2 (en) | Printed circuit board with at least one integrated precision resistor | |
| US8895869B2 (en) | Mounting structure of electronic component | |
| JP2012064960A (en) | Electric structure element, its manufacturing method, and usage of structure element | |
| KR20120007001A (en) | Current detection metal plate resistor and method of producing same | |
| EP2680278B1 (en) | Mounting structure for electronic components | |
| JP2006114492A (en) | Press-fit terminal and its manufacturing method | |
| CN105280374A (en) | Conductive resin paste and ceramic electronic component | |
| RU2639313C2 (en) | Method of manufacturing low-resistance chip-resistor | |
| RU2640575C2 (en) | Low-value chip-resistor | |
| RU165685U1 (en) | LOW CHIP RESISTOR | |
| WO2016186185A1 (en) | Cu paste composition for forming thick film conductor, and thick film conductor | |
| JP2009043883A (en) | Chip resistor, and jumper chip component | |
| JP6331936B2 (en) | Copper-nickel thick film resistor and manufacturing method thereof | |
| JP6709584B2 (en) | Conductive material for resistance value measurement, resistance value measuring device for conductive material, and current detecting device | |
| US20230197321A1 (en) | Multilayer varistor | |
| JP2006140296A (en) | Electronic component and manufacturing method therefor | |
| CN116110668A (en) | Multilayer varistor and method for producing the same | |
| CN1742348A (en) | Method for producing an electronic component | |
| JP2012238443A (en) | Conductive composition | |
| JPH06290906A (en) | Chip resistor and manufacture thereof | |
| WO2014128996A1 (en) | Chip-type positive temperature coefficient thermistor element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner |